【課題】結晶性の高い酸化物半導体をチャネル層に用いて、優れた特性を有する半導体装置を提供することを課題の一つとする。また、下地膜の平坦性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの下地膜に化学機械研磨処理を行い、化学機械研磨処理した後、プラズマ処理を行うことで、下地膜の中心線平均粗さＲａ_７５値を、０．１ｎｍ未満とすることができる。プラズマ処理及び化学機械研磨処理の組み合わせにより得られた平坦性を有する下地膜上に結晶性の高い酸化物半導体層を形成することで、半導体装置の特性向上を図る。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧のばらつきの影響を緩和し、複数の状態（例えば３以上の状態）の区別を正確、かつ容易にした半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ソース線と、ビット線と、ワード線と、ビット線とワード線に接続されたメモリセルと、入力されたアドレス信号によって指定されたメモリセルを選択するように、複数の第２信号線及び複数のワード線を駆動する、第２信号線およびワード線の駆動回路と、書き込み電位を第１信号線に出力する、書き込み回路と、指定されたメモリセルに接続されたビット線から入力されるビット線の電位と、複数の読み出し電位とを比較する読み出し回路と、ビット線の電位と複数の読み出し電位の比較結果に基づいて複数の補正電圧のいずれかを選択する制御回路と、書き込み電位及び複数の読み出し電位を生成して、書き込み回路及び読み出し回路に供給する、電位生成回路と、を有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】チャネル長の短い酸化物半導体トランジスタにおいて、十分なオン／オフ比が取れないことを抑制する。
【解決手段】酸化物半導体層と、当該酸化物半導体層のチャネル形成領域と重畳するゲート電極と、当該酸化物半導体層の第１の領域と重畳するソース電極又はドレイン電極と、当該チャネル形成領域と当該第１の領域との間に第２の領域を有し、当該第２の領域の上層は微小な空洞を含んでいる半導体装置に関する。酸化物半導体層と、当該酸化物半導体層のチャネル形成領域と重畳するゲート電極と、当該酸化物半導体層の第１の領域と重畳するソース電極又はドレイン電極と、当該チャネル形成領域と当該第１の領域との間に第２の領域を有し、当該第２の領域の上層は窒素を含んでいる半導体装置に関する。 （もっと読む）

【課題】被検出物が表示パネルに非接触の場合でも、被検出物の位置及び動きの検出を行うことを可能とする表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、フォトセンサ及び酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタが配置された表示パネルを有し、被対象物が表示パネルに接近する際に、被検出物が外光を遮ることで表示パネルに投影される被検出物の影がフォトセンサによって検出される。影の位置又は動きを検出することで、被検出物の位置又は動きが検出され、被検出物が表示パネルに非接触の場合でも検出可能となる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを
目的の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層に対して、窒素、または希ガス（アルゴン、ヘリウムなど）
の不活性気体雰囲気下、或いは減圧下で脱水化、又は脱水素化処理のための加熱処理を行
い、酸素、酸素及び窒素、又は大気（好ましくは露点−４０℃以下、より好ましくは−５
０℃以下）雰囲気下で加酸化処理のための冷却工程を行うことで高純度化及びＩ型化した
酸化物半導体層を形成する。該酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する半導体装
置を作製する。 （もっと読む）

【課題】消費電力の増加を招くことなくオフの状態を実現することのできる半導体装置を
提供する。
【解決手段】ゲートに電圧が印加されていない状態でオン状態であるパワー素子と、パワ
ー素子のゲートに第１の電圧を印加するためのスイッチング用の電界効果トランジスタと
、パワー素子のゲートに第１の電圧より低い電圧を印加するためのスイッチング用の電界
効果トランジスタと、を有し、上記スイッチング用の電界効果トランジスタはオフ電流が
小さい半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して信頼性が劣る場合があった。そこで、信頼性が高い酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜に含まれる水素、窒素および炭素などの不純物は酸化物半導体膜の半導体特性を低下させる要因となる。例えば、酸化物半導体膜に含まれる水素および窒素は、酸化物半導体膜を用いたトランジスタのしきい値電圧をマイナス方向へシフトさせてしまう要因となる。また、酸化物半導体膜に含まれる窒素、炭素および希ガスは、酸化物半導体膜中に結晶領域が生成されることを阻害する。そこで、酸化物半導体膜の不純物濃度を低減することで、高い信頼性を有するトランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えた発光装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネルエッチ型を用い、画素用薄膜トランジスタと電気的に接続する発光素子と重なる位置にカラーフィルタ層を薄膜トランジスタと発光素子の間に設ける。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置
を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極およびド
レイン電極と、酸化物半導体層、ソース電極およびドレイン電極を覆うゲート絶縁層と、
ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、酸化物半導体層の厚さは１ｎｍ以上１０ｎｍ以
下であり、ゲート絶縁層は、ゲート絶縁層に用いられる材料の比誘電率をε_ｒ、ゲート絶
縁層の厚さをｄとして、ε_ｒ／ｄが、０．０８（ｎｍ^−１）以上７．９（ｎｍ^−１）以下
の関係を満たし、ソース電極とドレイン電極との間隔は１０ｎｍ以上１μｍ以下である半
導体装置である。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性（移動度、オフ電流、閾値電圧）及び信頼性（閾値電圧シフト、耐湿性）が良好で、ディスプレイパネルに適した電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、半導体層が、Ｉｎ原子、Ｓｎ原子及びＺｎ原子を含む酸化物であり、かつ、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が２５原子％以上７５原子％以下であり、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が５０原子％未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程におい
て、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。熱処理による
脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素
ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後において
もトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタと
することができる。 （もっと読む）

【課題】密着性と剥離性とを兼ね備えた薄膜デバイス用基板、及び薄膜デバイスを歩留まり良く製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】支持基材上に、樹脂基材が設けられてなる薄膜デバイス用基材であって、支持基材側の樹脂基材の表面と、該樹脂基材の表面と接する面と、の界面が、ＪＩＳＫ５６００−５−７に準拠した付着性で、（Ａ)０．０３ＭＰａ以上０．１２ＭＰａ以下の領域と、（Ｂ)０．１４ＭＰａ以上の領域と、を有するように支持基材上の全部または一部に剥離調整層が設けられている。 （もっと読む）

【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを
課題の一とする。
【解決手段】金属薄膜の一部または全部を酸化させた第１の層と酸化物半導体層の積層を
用いるボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導
体層の一部上に接するチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、その絶縁層の形成時
に酸化物半導体層の積層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラスチック支持体を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】プラスチック支持体上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ
上に形成された接着層と、前記接着層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され
た薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された発光素子とを有する。また
は、プラスチック支持体と、前記プラスチック支持体に対向する対向基板と、前記プラス
チック支持体と前記対向基板との間に保持された液晶とを有し、前記プラスチック支持体
上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に形成された接着層と、前記接
着層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された薄膜トランジスタとを有する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの微細化を達成し、電界緩和がなされた、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート電極の線幅を微細化し、ソース電極層とドレイン電極層の間隔を短縮する。ゲート電極をマスクとして自己整合的に希ガスを添加し、チャネル形成領域に接する低抵抗領域を酸化物半導体層に設けることができるため、ゲート電極の幅、即ちゲート配線の線幅を小さく加工しても位置精度よく低抵抗領域を設けることができ、トランジスタの微細化を実現できる。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、酸化物半導体を用いたデバイスにおいて高い移動度を達成し
、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】表面と略垂直な方向にｃ軸が配向する結晶領域を有する酸化物半導体層を形
成し、酸化物半導体層上に接する酸化物絶縁層を形成し、第３の加熱処理を行うことによ
り、酸化物半導体層に酸素を供給し、酸化物絶縁層上に、水素を含む窒化物絶縁層を形成
し、第４の加熱処理を行うことにより、少なくとも酸化物半導体層と酸化物絶縁層の界面
に水素を供給する。 （もっと読む）

【課題】新規な不揮発性のラッチ回路及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の素子の出力が第２の素子の入力に電気的に接続され、第２の素子の出力が第１の素子の入力に電気的に接続されるループ構造を有するラッチ部と、ラッチ部のデータを保持するデータ保持部とを有し、このラッチ部とデータ保持部とにより不揮発性のラッチ回路が構成される。データ保持部は、チャネル形成領域を構成する半導体材料として酸化物半導体を用いたトランジスタをスイッチング素子として用いている。またこのトランジスタのソース電極又はドレイン電極に電気的に接続されたインバータを有している。上記トランジスタを用いて、ラッチ部に保持されているデータをインバータのゲート容量あるいは別に用意した容量に書き込むことができる。 （もっと読む）

【課題】高いオン特性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。高速応答及び高速駆動の可能なトランジスタを有する高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域を含む酸化物半導体膜を有するトランジスタの作製工程において、該酸化物半導体膜に、金属元素を含む膜と接した状態で加熱処理することにより導入された金属元素と、注入法により該金属元素を含む膜を通過して導入されたドーパントとを含む低抵抗領域を形成する。低抵抗領域はチャネル長方向においてチャネル形成領域を挟んで形成する。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えることができる記憶装置、当該記憶装置を用いた半導体装置の提
供を目的の一つとする。
【解決手段】記憶素子として機能するトランジスタに蓄積された電荷を保持するためのス
イッチング素子として、酸化物半導体膜を活性層として用いたトランジスタを、記憶装置
の各メモリセルに設ける。また、記憶素子として用いるトランジスタは、第１のゲート電
極と、第２のゲート電極と、第１のゲート電極と第２のゲート電極の間に位置する半導体
膜と、第１のゲート電極と半導体膜の間に位置する第１の絶縁膜と、第２のゲート電極と
半導体膜の間に位置する第２の絶縁膜と、半導体膜に接するソース電極及びドレイン電極
と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高い開口率を有し、安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼
性のよい表示装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動
回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物
半導体によって構成された駆動回路用薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動
回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体に
よって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用薄膜トランジスタ
と、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する。 （もっと読む）