【課題】動作温度域が高くなっても絶縁耐圧を維持して信頼性の高い電力用半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】電力用半導体素子２、３が回路部５Ｃの一方の面に実装されたリードフレーム５と、回路部５Ｃの他方の面に対して、放熱面８ｒの反対側の面が絶縁膜７を介して接合され、回路部５Ｃの隙間５Ｃｓに対向し、かつ当該隙間５Ｃｓ内で開口する窪み８ｄが形成された放熱板８と、リードフレーム５の接続端子５Ｌと放熱板８の少なくとも放熱面８ｒとを除いて当該電力用半導体装置１を封止する封止体１１とを備え、絶縁膜７には、放熱板８の窪み８ｄの位置に対応した貫通孔７ｈが形成され、封止体１１は、回路面５Ｃの半導体素子２、３が実装された面側から板状配線材間の隙間５Ｃｓと絶縁膜７の貫通孔７ｈを通して放熱板８の窪み８ｄの内部に食い込む食い込み部１１ａを有するように構成した。 （もっと読む）

【課題】電力変換を行う半導体装置において、低コスト・軽量化と小型化とを両立する。
【解決手段】第１冷却器１０の第１冷却面１１の上に第１絶縁層３０が配置され、該第１絶縁層３０の上に複数の半導体実装体６０を配置する。そして、半導体実装体６０それぞれの第１放熱板６１および第２放熱板６２をモールド樹脂から突出させると共に、第１絶縁層３０の上に並べられた各半導体実装体６０のうち隣り合う半導体実装体６０において、モールド樹脂から露出した第１放熱板６１の端部６１ａどうし、および、第２放熱板６２の端部６２ａどうしを電気的に接続する。これにより、各半導体実装体６０の各第１放熱板６１や各第２放熱板６２それぞれが電気的に接続され、共通の配線とされる。 （もっと読む）

【課題】ミリ波およびＴＨｚ周波数で動作する積分電子装置の分野に関する。モノリシックなマルチチップパッケージ、このパッケージとこのパッケージを製造するため製造方法のためのキャリア構造、及びこのキャリア構造は、ミリ波／ＴＨｚ装置の異なる機能を十分に保護するパッケージを提供する。
【解決手段】パッケージ７０は、感光性モノマーを重合させることにより、場所に注がれる。それは、ＭＭＩＣｓ（モノリシックなマイクロ波集積回路：ＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃａｌｌｙＭｉｃｒｏｗａｖｅＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）の周囲及び上方で徐々に成長することで、ＭＭＩＣｓに接続するが、チップの高周波領域を表面化させない。これにより、電磁的に完全に保護された機能的なブロックが提供される。これらのユニットは、装置の必要性に応じて、組み合わせることや、カスケード接続することができる。 （もっと読む）

【課題】第１フレームの上に、制御素子が設けられている第２フレームをオーバーラップさせて配置した場合に、第１フレームに実装された電力用半導体素子が発熱しても、制御素子を、動作保証の範囲内に維持できる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電力用半導体素子（２０ａ，２０ｂ）と第２フレーム（２）の間に、熱遮蔽体（１１）が介装されており、熱遮蔽体（１１）が電力用半導体素子（２０ａ，２０ｂ）から制御素子（３０）への熱伝達を遮る。 （もっと読む）

【課題】 信頼性を向上可能な半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体パッケージ１は、パッケージ基板８０、およびパッケージ基板８０の上に実装されるチップ積層体１０を備える。チップ積層体１０とパッケージ基板８０とは、チップ積層体１０の第１半導体チップ１００とパッケージ基板８０との間に配置されるソルダボール１１０を介して電気的に連結される。第１半導体チップ１００の上には第２半導体チップ２００が積層される。第２半導体チップ２００の上面２００ｓは、平坦化されたモールディング膜３５０に覆われることなく露出し、放熱膜４０１と直接接触する。これにより、第１半導体チップ１００および第２半導体チップ２００で発生する熱は、放熱膜４０１を通じて容易に放出することができる。 （もっと読む）

【課題】 消費電力の大きい半導体デバイスや電子部品の発熱に伴う温度上昇を抑えて、安定に動作させることができる半導体デバイス・電子部品の実装構造を提供する。
【解決手段】 インターポーザ１０と，インターポーザ１０の表面１０ａに搭載された半導体デバイス１１と、半導体デバイス１１を包含するようにインターポーザ１０の表面１０ａに密着・固定せしめられて、インターポーザ１０と共に内部空間Ｓを形成するカバー１２を備える。カバー１２は、熱を吸収する流体Ｌを外部から内部空間Ｓに導入するインレット１３と、流体Ｌを内部空間Ｓから外部に排出するアウトレット１４とを有する。内部空間Ｓは、インレット１３とアウトレット１４を除いて閉じた空間である。 （もっと読む）

【課題】良好な放熱効果を有するとともに、薄型化、製造工程数の削減、及び材料コストの節減が可能な半導体モジュール、該半導体モジュールの不良解析方法、及び該半導体モジュールの製造方法を提供すること。
【解決手段】メインボード２０上に搭載された電子部品１１と、メインボード２０上に搭載され、凹状の空間を形成するキャビティ部１２ａを有するとともに、電子部品１１をキャビティ部１２ａ内に収納したキャビティ基板１２と、を備えている。電子部品１１の上表面と、キャビティ部１２ａの底面１２ｂとが、半田や導電性接着剤などの接合用材を介することなく、熱伝達が可能な状態で直接的に接触している。 （もっと読む）

【課題】安価且つ簡単な構成により発熱体の冷却効率を高めることができる放熱組立体を提供することを課題とする。
【解決手段】実施形態によれば、正方形の接触面を介してパワーアンプ２をヒートシンク４に取り付けた放熱組立体１０であって、ヒートシンク４の放熱フィン８と交差する方向に接触面２ａの対角線が沿う姿勢でＰＡ２をヒートシンク４に斜めに取り付けた放熱組立体１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】ベースプレートと放熱器との間の向上された接触を可能にし、そしてさらに、強化された耐久性を提供する。
【解決手段】ベースプレート３４、特にパワーモジュールの為のベースプレート３４、に関係しており、金属、特にアルミニウム、で形成された母材３８を備えていて、ここにおいては少なくとも２つの補強材４２が母材３８中において互いに隣り合わせに設けられていて、そしてここにおいては、補強材４２が互いに離れているベースプレート３４とする。 （もっと読む）

【課題】放熱シートを設けた電子部品の周りにその電子部品より背の高い他の電子部品が位置されていても、放熱シートを屈曲させることなくフラットに設置する。
【解決手段】銅箔等の金属材料からなる熱伝導層１１の表裏面にポリイミド等の絶縁被覆層１２を設けた放熱シートＳ２である。この放熱シートの背の高い他の電子部品１ａに対応する位置に凹部Ｈを形成し、その凹部に背の高い電子部品を嵌めて、放熱シートの設置方向に影響を与えないようにする。このようにすれば、放熱シートを、背の高い他の電子部品に関係なく、回路基板２に沿ってフラットに（平行に）設置することができる。フラットに設置できれば、放熱シートが回路基板に対向する部品に触れずにその両者間に位置させたり、その部品の裏面にぴったり沿った接触状態としたりし得る。凹部は、透孔、切り込み２１、切り起し等の手段を採用して形成する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、実装される半導体モジュールの熱を効果的に放熱可能な電子制御ユニットを提供する。
【解決手段】半導体モジュール６の樹脂体６２は、半導体チップ６１を覆うよう板状に形成されている。金属板６４は、面６４１が樹脂体６２の面６２１から露出するとともに面６４２が半導体チップ６１に電気的に接続している。半導体モジュール６は、樹脂体６２の面６２１が基板３に対向するようにして基板３に表面実装されている。カバー部材７は、基板３の半導体モジュール６側を覆うようにして設けられている。金属板６４は、樹脂体６２から板面方向に延出し基板３上の第２配線パターン５に半田付けされる延出部６６を有している。カバー部材７は、延出部６６に向かって突出するよう形成される第１凸部７１を有している。延出部６６および樹脂体６２と第１凸部７１との間の隙間を埋めるようにして第１熱伝導部材８１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】発光素子からの熱を確実に放熱するとともに、絶縁層などを除去した部位に熱伝導部材を配置する工程を不要として、製造工程を減らすことが可能なＬＥＤモジュールを提供する。
【解決手段】ＬＥＤモジュール１は、ＬＥＤチップ３が搭載されたパッケージ２と、パッケージ２が配列される基板１０とを備える。パッケージ本体２０の前後の側壁には、電極パッド４ａ、４ｂが設けられ、各電極パッド４ａ、４ｂと基板１０の配線パターンはハンダにより接合される。基板１０は、銅系金属からなるベース部材１１に絶縁層１２と配線パターン１３とが積層される。絶縁層１２は、パッケージ２が配置される部位の一部を取り除いて貫通部１５が形成され、この貫通部１５を介して対向するパッケージ２の裏面とベース部材１１との間にハンダ１６が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 電子部品において発生する熱に関する放熱性の向上及び電磁ノイズによる影響の低減を図る。
【解決手段】 外筐２の内部に配置されると共に部品搭載部１７と接地回路に接続されたグランド部１３ｃ、１３ｄとを有し部品搭載部の一方の面に駆動時に熱源となる電子部品１８が搭載された回路基板１３と、回路基板の電子部品が搭載された面側に配置され電子部品において発生した熱を放出するヒートシンク１４と、回路基板を挟んで電子部品が搭載された側と反対側に配置されると共に平板状のベース部１６ａとベース部から回路基板側へ突出され部品搭載部の他方の面に対向する対向面１６ｃが形成された突出部１６ｂとを有する放熱板１６と、回路基板の部品搭載部の他方の面と放熱板の突出部における対向面とに密着されると共に電子部品において発生した熱を放熱板に伝達する第１の熱伝達体２３とを設けた。 （もっと読む）

【課題】単純な構成で高い放熱特性をもった半導体モジュールを得る。
【解決手段】絶縁基板１１の裏面全面には、放熱板１７が接合されている。ここで、放熱板１７は、第１の黒鉛層１７１と第２の黒鉛層１７２が積層された構造がＤＬＣ膜１７３でコーティングされた構造である。第１の黒鉛層１７１、第２の黒鉛層１７２は、共にグラファイトで構成される。第１の黒鉛層１７１において六角形環が広がる方向を水平方向とし、第２の黒鉛層１７２において六角形環が広がる方向を垂直方向とする。 （もっと読む）

【課題】簡便な構成により、ケース内の防水性を高めると共に、動作時に相対的に大きな熱量を発生する電子部品から残余の電子部品に対して不要な熱を伝えることを抑制できる電子制御装置を提供する。
【解決手段】複数の電子部品１０、１２と、複数の電子部品を実装した基板２０と、複数の電子部品を実装した基板を収容するケース３０と、複数の電子部品及び基板を外部から封止すると共に、ケースに伝熱自在なように、ケースの内部に充填された充填樹脂４０と、を備え、ケースの熱伝導率が、充填樹脂の熱伝導率よりも大きく設定される。 （もっと読む）

【課題】ハーフモールド構造を有する電子装置において、ヒートシンクと放熱部材との接触を適切に確保する。
【解決手段】回路基板１０をその第１の板面１１にてヒートシンクの第１の板面３１に接着したものを、モールド樹脂４０により封止するとともに、ヒートシンク３０の第２の板面３２をモールド樹脂４０より露出させ、このヒートシンク３０の第２の板面３２に放熱部材７０の一面７１を接触させてなる電子装置において、モールド樹脂４０のうち回路基板１０の他方の板面１２側に位置する部位の厚さＴ１を、モールド樹脂厚さＴ１としたとき、モールド樹脂厚さＴ１とヒートシンク３０の板厚Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２が、１．８以上である。 （もっと読む）

【課題】高速チャネル部両端の温度変動を同方向へ導くことができる冷却装置を提供する。
【解決手段】発熱部品の熱を外に放熱して前記発熱部品を冷却する冷却フィンと、前記発熱部品の一つである第１の半導体モジュールと、前記発熱部品の一つである第２の半導体モジュールと、前記第１の半導体モジュールを冷却する第１のヒートシンクと、前記第２の半導体モジュールを冷却する第２のヒートシンクと、前記冷却フィンと前記第１のヒートシンクとを熱的に結合する第１のヒートパイプと、前記第１のヒートシンクと第２のヒートシンクとを熱的に結合する第２のヒートパイプとを含み、前記第１の半導体モジュールの機能上限のジャンクション温度は前記第２の半導体モジュールの機能上限のジャンクション温度よりも低く、また前記第１の半導体モジュールの発熱は前記第２の半導体モジュールの発熱よりも大きい冷却装置。 （もっと読む）

【課題】円筒状パイプの変形を防ぐと共に、フレームに対して冷却器が安定して固定された電力変換装置を提供すること。
【解決手段】電力変換装置１は、スイッチング素子を内蔵した半導体モジュール２と、内部の冷媒流路に冷却媒体を導入又は排出する一対の円筒状パイプ３１を備えた冷却器３と、冷却器３を保持するフレーム４と、円筒状パイプ３１をフレーム４に固定するクランプ５とを有する。クランプ５は、フレーム４に締結される締結部５１と、円筒状パイプ３１をフレーム４側へ向かって押圧する押さえ部５２とを有する。円筒状パイプ３１は、フレーム４に設けた凹状支承部と、クランプ５とによって挟持されている。円筒状パイプ３１の突出方向から見たとき、円筒状パイプ３１は、凹状支承部における２つの支承面と、クランプ５の押さえ部５２とによって、３つの支持点において支持されている。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールの積層体の組付が容易であり、長期の使用に対して合わせ面の封止状態を持続させることができる半導体モジュールの積層体を提供すること。
【解決手段】半導体モジュール２の積層体１は、半導体素子３をモールド樹脂４内に配置して形成した半導体モジュール２を複数積層してなる。モールド樹脂４は、冷媒流路４１と、冷媒流路４１の外周側の合わせ面４２の全周に形成したシール充填溝４６と、シール充填溝４６に連通する充填連結口４７とを有している。複数の半導体モジュール２に対する両側の積層端には、蓋体２１Ａ、２１Ｂが積層してあると共に、一方の蓋体２１Ａには、シール充填溝４６に連通する充填注入口２４が形成してある。半導体モジュール２の積層体１は、充填注入口２４から注入したシール材６を、充填連結口４７を経由して複数のシール充填溝４６へ連続して充填してなる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の耐湿性の低下を抑えつつ、耐熱性の向上を図る構造体を提供する。
【解決手段】半導体装置は、ヒートスプレッダ３上に搭載された半導体素子１ａ，１ｂと、当該半導体素子１ａ，１ｂに接続するリードフレーム５ａ，５ｂと、それらを保持して筐体を形成するモールド樹脂６とを備える。半導体素子１ａ，１ｂの上方および側面は、当該半導体素子１ａ，１ｂとモールド樹脂６との間に形成された有機薄膜８によって覆われる。 （もっと読む）