【課題】大きな順方向−逆方向電流比を有するスイッチングデバイスを提供する。
【解決手段】トランジスタは、ソースと、ドレインと、ゲート領域と、ソースバリヤと、ドレインバリヤとを含む。ゲート領域は、ゲートと、アイランドと、ゲート酸化物とを含み、ゲート酸化物は、ゲートとアイランドとの間に配置される。ゲートおよびアイランドは、互いに、同時活性的に結合される。ソースバリヤはゲート領域からソースを分離し、ドレインバリヤはゲート領域からドレインを分離する。 （もっと読む）

【課題】 電界効果型半導体装置に関し、従来の作製方法を大幅に変更することなく、サブスレッショルド電流によるｏｆｆ時のリーク電流を抑制して、ｏｎ−ｏｆｆ比を高くする。
【解決手段】 ソース領域及び第１ドレイン領域の少なくとも一方が金属或いは多結晶半導体からなるとともに、前記金属或いは多結晶半導体と半導体チャネル層との間に形成されたトンネル絶縁膜を有する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極のチャージアップによるＭＯＳＦＥＴの閾値電圧Ｖｔシフトの防止を図ることである。
【解決手段】キャパシタ下部電極３をゲート電極６ａと結線し、またキャパシタ上部電極６ｂをＰ型接地層１２と結線する事により、ゲート電極６ａとゲート絶縁膜４から成るゲートに並列にキャパシタを形成する。この場合、キャパシタ絶縁膜５をゲート絶縁膜４に比べ薄く形成する事によりゲート電極６ａ上にチャージアップした電荷を、キャパシタを経由してＰ型接地層１２に放電させる。 （もっと読む）

【課題】半導体と金属との界面において、接合する金属の実効仕事関数を最適化した半導体装置を提供することを可能にする。
【解決手段】半導体膜４ａと、半導体膜上に形成された酸化膜６ｂと、酸化膜上に形成された金属膜１２ａとを備え、酸化膜がＨｆ酸化膜或いはＺｒ酸化膜であって、酸化膜に、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｗ、Ｒｅから選ばれた少なくとも一つの元素が添加されている。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗の低抵抗化とMR比の向上とを同時に実現する。
【解決手段】本発明の例に係るスピンＦＥＴは、ソース・ドレイン部に、少なくとも半導体基板１１／トンネルバリア１２／低仕事関数材料１３／強磁性体１４からなる積層構造を有し、低仕事関数材料１３は、未酸化のＭｇ，Ｋ，Ｃａ，Ｓｃのうちの１つ、又は、その１つを原子数比で５０％以上含む合金から構成される。 （もっと読む）

【課題】スピンＦＥＴ／スピンメモリの低消費電力と高信頼性を実現する。
【解決手段】本発明の例に係るスピンＦＥＴは、第１ソース／ドレイン領域11a-1上に配置され、磁化方向が膜面に対して垂直方向となる上方向又は下方向に固定される第１強磁性膜12と、第２ソース／ドレイン領域11a-2上に配置され、磁化方向が上方向又は下方向に変化する第２強磁性膜13と、第２強磁性膜13上に配置される反強磁性強誘電膜15と、第１ソース／ドレイン領域11a-1と第１強磁性膜12との間及び第２ソース／ドレイン領域11a-2と第２強磁性膜13との間の少なくとも１つに配置されるトンネルバリア膜20,21とを備える。反強磁性強誘電膜15の抵抗は、第１及び第２ソース／ドレイン領域11a-1, 11a-2がチャネル領域11cを介して導通したときのオン抵抗よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】トンネル電界効果トランジスタ（ＴＦＥＴ）は、金属酸化物電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）の後継者と考えられるが、シリコンベースのＴＦＥＴは一般に低いオン電圧、トンネルバリアの大きな抵抗による欠点が問題となる。より高いオン電流を得るために、異なった半導体材料（例えばゲルマニウム（Ｇｅ））からなるヘテロ構造を備えた細長い単結晶ナノ構造ベースのＴＦＥＴが用いられる。
【解決手段】ＴＦＥＴのソース（又は代わりにドレイン）領域として機能する、異なった半導体材料からなる細長い単結晶ナノ構造を導入する。ヘテロ部分の導入は、シリコンとゲルマニウムの間の格子不整合が高い欠陥界面とならないように行われる。従来のＭＯＳＦＥＴに匹敵する、静的電力の低減と同様に動的電力の低減が行われる。細長い単結晶ナノ構造のＳｉ／ＧｅＴＦＥＴによる超高密度オンチップトランジスタを用いた、多層の論理が期待される。 （もっと読む）

【課題】縦型トランジスタのカットオフ時のリーク電流を低減する半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板と前記半導体基板の内部に形成された第１の不純物拡散領域と前記第１の不純物拡散領域の上方に形成された柱状半導体層と前記柱状半導体層の側方に形成されたゲート絶縁膜と前記ゲート絶縁膜の側方に形成されたゲート電極と前記不純物拡散領域の上方で前記ゲート電極に接して形成された絶縁体からなる層間膜と前記柱状半導体層の上方で前記ゲート電極に接して形成された絶縁体からなるスペーサと前記柱状半導体層の上方に形成された第２の不純物拡散領域とを具備し前記柱状半導体層の略中央に絶縁膜を有する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリ素子としても使用可能な、単一電荷トンネル素子、特に単一電子トランジスタ、を提供する。
【解決手段】強磁性物質から成る単一電荷トンネル素子を従来のようにゲート電圧の印加により電気モードにおいて制御するのみならず、回転する配向磁場の印加により磁気モードにおいても制御する。即ち、該配向磁場の印加により該強磁性物質の化学ポテンシャルが変化し、クーロンブロッケード異方性磁気抵抗効果が生じる。その結果として得られる該素子の抵抗値とその変化を、論理的な１，０の書込み信号と、その切り替えに用いる。該磁気モードのヒステリシス性により、不揮発性メモリ効果が発現される。 （もっと読む）

【課題】 微細化が進んだ場合でもゲート・リーク電流の低減を図ることのできる電界効果トランジスタを実現すること。
【解決手段】 半導体基板１と、磁化方向が第１方向に固定された第１強磁性体電極３と、磁化方向が前記第１方向と実質的に同じ方向に固定された第２強磁性体電極４と、第１強磁性体電極３と第２強磁性体電極４との間のチャネル２と、チャネル２上にゲート絶縁層５を介して設けられ磁化方向が前記第１方向と実質的に反対の方向に固定された強磁性体層６を備えたゲート電極とを具備することを特徴とする電界効果トランジスタ。ゲート電極の強磁性体層６の磁化方向が、第１強磁性体電極３及び第２強磁性体電極４のそれぞれの磁化方向と実質的に反対の方向に固定されているので、トンネル磁気抵抗効果によりゲート・リーク電流を低減化することができる。 （もっと読む）

【課題】 特性を安定にでき、製造コストが安価で、高集積化を行い易く、また、効果的に消費電力の低減を行うことができる電子装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】 電子装置は、絶縁体１０１の中に、金属で形成された第１領域１０２及び第２領域１０３と、この第１領域１０２と第２領域１０３で挟まれた第３領域１０４を備える。この第３領域は、第１及び第２領域１０２，１０３を形成する金属元素と同じ金属元素で形成されて、直径が２０ｎｍ以下の微粒子を有する。第１領域１０２及び第２領域１０３は、第３領域１０４よりも、金属濃度が高くて電気抵抗が小さい。第１領域１０２と第２領域１０３とに電圧が印加されて、第３領域１０４を単一の電荷がトンネルする。第１領域１０２と、第２領域１０３と、第３領域１０４とは、互いに同じ金属元素を含むので、互いの境界に形成される障壁を安定にできる。 （もっと読む）

【課題】 スイッチ機能が十分に得られ、常温においても十分にスイッチ動作ができ、微細化を図ることができるスイッチング素子を提供すること。
【解決手段】 基板１０１上に形成されたゲート絶縁膜１０２上に、第２絶縁膜１０５で隔てられた第１電極１０３と第２電極１０４を形成する。第１電極１０３は、ゲート絶縁膜１０２の表面に接する側の部分が鋭角断面を有するように、側面が傾斜している。ゲート絶縁膜１０２中に、２０ｎｍ以下の直径を有すると共に、第１電極３と第２絶縁膜１０５との境界が含まれる平面と略同一の平面上に配列された金属微粒子１０６を形成する。第１絶縁膜２中の金属微粒子６の数を、第１絶縁膜２の膜厚と、第１絶縁膜２への金属元素の注入及びアニール条件とで制御できるので、微細加工の最小加工寸法の制約を受けない。また、ゲート長を、ゲート絶縁膜１０２の厚みによって設定できるので、微細加工の最小加工寸法の制約を受けない。 （もっと読む）

【課題】 ソース・ドレインの界面形状とショットキー障壁高さ、電極比抵抗を同時に制御可能なショットキートランジスタを提供する。
【解決手段】 チャネル領域を構成する半導体領域１１２と、半導体領域１１２上にゲート絶縁膜１１３を介して形成されたゲート電極１１４と、ゲート電極１１４に対応して半導体領域１１２の両側に形成されたソース・ドレイン電極とを備えたＭＩＳ型電界効果トランジスタにおいて、ソース・ドレイン電極は、半導体領域１１２を挟んで形成され、且つキャリアがトンネル可能な厚さに形成されたトンネル絶縁膜１１６と、トンネル絶縁膜に接して形成された第１の金属層１１７と、第１の金属層１１７に接して形成され、第１の金属層１１７よりも小さい比抵抗を持つ第２の金属層１１８と、をチャネル長方向に積層してなる。 （もっと読む）

【課題】フェルミ・レベル・ピンニング効果を抑制するとともに、トランジスタの微細化を図ること。
【解決手段】シリコン基板または支持基板１１上に形成された島状のチャネル層１３と、チャネル層１３上に形成されたゲート絶縁膜１５と、ゲート絶縁膜１５上に形成されたゲート電極１６と、チャネル層１３の一方向に対向する両側面上に形成されたシリコン窒化膜１４と、シリコン窒化膜１４の側面上に形成された金属材料からなるソース電極及びドレイン電極１９とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも高い温度でも動作できるクーロンブロケードを用いた量子効果素子
を提供すること。
【解決手段】 後方障壁閉じ込めポテンシャルを形成するための下部ＳｉＯ_２層４３と上
部ＳｉＯ_２層４５と、ｐ⁻型層４７と、これらＳｉＯ_２層４３、４５、ｐ⁻型層４７各端
と交わる傾斜面５１と、傾斜面５１上にＳｉＯ_２活性層６１を介して設けられたゲート電
極３１を有し、このゲート電極３１のうち、ＳｉＯ_２層４３、４５の各端を覆うる部分は
狭くなっている。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子および受光素子の提供、ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子の製造方法の提供、かかる受発光素子を利用した光電子集積チップ、データ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたトンネルＳｉＯ_２層と、該トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたＳｉ殻内にＧｅ核を内包した量子ドットと、該量子ドット上及び前記トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたコントロールＳｉＯ_２層と、該コントロールＳｉＯ_２層上に形成されたゲート電極層と、を有する。ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたゲートＳｉＯ_２層と、該ゲートＳｉＯ_２層上に形成されたドープＳｉ層、Ｇｅ層及びドープＳｉ層を順次積層してなる積層ゲート電極層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】増幅機能を有するスピントランジスタを提供すること。
【解決手段】スピントランジスタ１００は、半導体基板１０と、半導体基板１０上において第１方向に磁化された強磁性体で形成される第１導電層１２と、半導体基板１０上において第１方向とその第１方向に対して反平行の第２方向とのいずれか一方に磁化される強磁性体で形成された第２導電層１４と、第１導電層１２と第２導電層１４の間に位置し、第１導電層１２と第２導電層１４との間で電子スピンを導くチャネル部と、チャネル部の上方に位置するゲート電極４０と、第１導電層１２および第２導電層１４の少なくとも一方とチャネル部との間に位置するトンネルバリア膜１１ａ，１１ｂと、を備える。 （もっと読む）