Fターム[5F140BG11]の内容
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PSG、BSG、BPSG (16)
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多結晶Si (32)
高融点金属珪化物(高融点金属を含む) (10)
空隙 (15)
Fターム[5F140BG11]に分類される特許
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マスキング方法
本発明はマスキング方法を包含する。1つの実施において、ホウ素ドープアモルファスカーボンを含むマスキング材料が、半導体基板上に形成されたフィーチャーを覆って形成される。マスキング材料は少なくとも約0.5原子パーセントのホウ素を含む。マスキング材料は実質的に異方的にエッチングされ、ここでそのエッチングはホウ素ドープアモルファスカーボンを含む異方的にエッチングされたサイドウォールスペーサをフィーチャーのサイドウォール上に形成するのに有効である。次に、スペーサに最も近い基板が、ホウ素ドープアモルファスカーボンを含むスペーサをマスクとして用いながら加工される。スペーサに最も近い基板を加工した後、ホウ素ドープアモルファスカーボンを含むスペーサが基板からエッチングされる。他の実施および面も考えられる。 (もっと読む)
集積回路技術におけるシリサイド化スペーサ
集積回路(100)の形成方法(900)およびその構造を提供する。半導体基板(102)上にゲート誘電体(104)が形成され、ゲート誘電体(104)上にゲート(106)が形成される。半導体基板(102)に浅いソース/ドレイン接合部(304)(306)が形成される。ゲート(106)の周りに側壁スペーサ(402)を形成する。この側壁スペーサ(402)を使用して、半導体基板(102)中に深いソース/ドレイン接合部(504)(506)が形成される。浅いソース/ドレイン接合部および深いソース/ドレイン接合部(504)(506)を形成した後、側壁スペーサ(402)上にシリサイドスペーサ(610)を形成する。シリサイドスペーサ(610)に隣接する深いソース/ドレイン接合部(504)(506)上にシリサイド(604)(606)を形成し、半導体基板(102)上に誘電体層(702)をたい積する。その後、誘電体層(702)においてシリサイド(604)(606)へのコンタクトを形成する。
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格子不整合のソースおよびドレイン領域を有する歪み半導体CMOSトランジスタを有する集積回路および製作方法
【課題】 p型電界効果トランジスタ(PFET)およびn型電界効果トランジスタ(NFET)を有する集積回路を提供することにある。
【解決手段】 第1の歪みは、NFETではなくPFETのみのソースおよびドレイン領域内に配置されたシリコン・ゲルマニウムなどの格子不整合半導体層を介してNFETではなくPFETのチャネル領域に加えられる。PFETおよびNFETを形成するプロセスが提供される。PFETのソースおよびドレイン領域になるためのエリア内にトレンチがエッチングされ、それに隣接するPFETのチャネル領域に歪みを加えるために、格子不整合シリコン・ゲルマニウム層をそこにエピタキシャル成長させる。シリコン・ゲルマニウム層の上にシリコンの層を成長させ、シリコンの層からサリサイドを形成して、低抵抗ソースおよびドレイン領域を提供することができる。
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非対称の側壁スペーサの形成方法
集積回路半導体デバイスの製造プロセスに統合可能な非対称スペーサの形成方法が提供される。この方法は、基板上にゲート構造(15)を形成するステップと、ゲート構造および基板の上に側壁層(10)を形成するステップとを含み、側壁層は、ゲート構造の第1の側壁の上に第1の部分を含む。第1の部分に隣接して、フォトレジスト構造(11)が形成され、イオンビームにさらされる。フォトレジスト構造は、第1の部分の少なくとも一部をイオンビームから遮蔽するように働く。照射中、ウェハは、イオンビーム(13、17)の経路と、第1の側壁の表面との間に、非直交傾斜角が存在するように配向される。遮蔽されていない側壁部分への放射ダメージにより、その後に続くエッチングがより高速に進むため、非対称スペーサの形成が可能である。
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ジュウテリウム置換窒化珪素含有材料の作製方法
少なくとも1種のジュウテリウム置換窒素化合物と水素同位体を含まない1または2以上の珪素含有化合物からのジュウテリウム置換窒化珪素含有材料作製方法を提供する。適するジュウテリウム置換窒素化合物として例えばNH2D、NHD2及びND3を用い、適する珪素含有化合物として例えばSiCl4及びSi2Cl6を用いる。本発明に従って得られるジュウテリウム置換窒化珪素含有材料は例えばトランジスタ装置中へ組み入れることができ、これにより得られたトランジスタ装置をDRAMセル中に用い、さらに得られたDRAMセルを電子システム中に用いることができる。
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低GIDLMOSFET構造および製造方法
【課題】 従来のMOSFETデバイスに比べてGIDL電流が小さい低GIDL電流MOSFETデバイス構造を提供する。
【解決手段】 MOSFETデバイス構造は、縁部がソース/ドレイン拡散にわずかに重なる場合(82)がある中央ゲート導体と、薄い絶縁性の拡散バリア層によって中央ゲート導体から分離した側方ウイング・ゲート導体とを含む。また、側方ウイング・ゲート導体の左右の横方向の縁部が、前記ソース拡散領域および前記ドレイン拡散領域の一方に重なる場合(80)も含まれる。
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