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Fターム[5F157AB42]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 処理槽(室)の配置 (915) | 単数の処理槽(室) (500)

Fターム[5F157AB42]に分類される特許

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【課題】鉛直方向の省スペース化が実現できる基板液処理装置のミスト回収機構を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板を保持する載置台と、前記載置台を回転させる回転駆動部と、前記載置台に載置される基板に液体を供給する液体供給部と、前記載置台に載置されて回転する基板から飛散する液体を下方へ案内するために、上から順に設けられた、液体案内上部カップと、液体案内中央カップと、液体案内下部カップと、前記液体案内中央カップを昇降させるための駆動機構と、を備え、前記駆動機構が前記液体案内中央カップを昇降させることによって、液体案内上部カップと液体案内中央カップとの間の間隔、及び/または、液体案内中央カップと液体案内下部カップとの間の間隔が変化するようになっていることを特徴とする基板液処理装置。 (もっと読む)


【課題】鉛直方向の省スペース化が実現できる基板液処理装置のミスト回収機構を提供すること。
【解決手段】ミスト案内カップの周縁端領域の上方に設けられた液体案内上部カップと、ミスト案内カップの周縁端領域に対してその下方から上方まで鉛直方向に移動可能に設けられた液体案内中央カップと、ミスト案内カップの周縁端領域に対してその下方から上方まで鉛直方向に移動可能に設けられた液体案内下部カップと、を備える。各カップの鉛直方向位置は、3つの回収状態を選択的に実現できるように制御される。各回収状態で回収される液体は、第一ドレイン用タンク乃至第三ドレイン用タンクにそれぞれ案内されるようになっている。第一ドレイン用タンク乃至第三ドレイン用タンクは、径方向に並ぶように配置されている。 (もっと読む)


【課題】ウエハ処理装置において、処理室減圧時のウエハの移動を抑制する。
【解決手段】真空処理室101に処理ガスを供給するガス供給装置109,110,111と、前記真空処理室内で試料を載置して保持する試料台104と、前記真空処理室内を排気する排気装置106と、前記真空処理室に高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成装置107,108とを備え、前記試料台上に配置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記試料台は載置した試料を上方に押し上げるプッシャーピンを備え、プラズマ処理の終了後、前記プッシャーピンを操作して試料を試料台から押し上げた状態で真空排気する。 (もっと読む)


【課題】回転するウェーハの表面に噴射されミスト状に飛散した洗浄水及び洗浄屑が、ウェーハ表面上に再付着することのない洗浄装置を提供する。
【解決手段】回転テーブル3の上面に対向する位置に強制給気手段5を設け、回転テーブル3の外周を囲繞し回転テーブル3の上面と同じ高さ位置またはその上面より低い位置に環状排気手段7を配設し、環状排気手段7から吸引排気することにより、洗浄チャンバー2内において強制給気手段5から環状排気手段7に向かうダウンフロー100を発生させ、ダウンフロー100を利用して洗浄時に飛散したミスト状の洗浄水及び洗浄屑を効果的に環状排気手段7から排気し、ミスト等の被洗浄物Wの表面への再付着を防ぐ。 (もっと読む)


【課題】表面に微細な溝がある被洗浄物についても良好に洗浄することのできる洗浄方法及び洗浄装置を提供することである。
【解決手段】被洗浄物を洗浄液によって洗浄する洗浄方法及び装置であって、液体に気体を溶融させて気体溶存の洗浄液を生成し(S2)、洗浄槽において前記生成された洗浄液中に前記被洗浄物を浸け(S1、S3)前記洗浄槽内における前記洗浄液中の溶存気体を気化させて微細バブルを発生させる(S4、S5)する構成となる。 (もっと読む)


【課題】洗浄対象面内の清浄度およびその均一性を高めさらにメンテナンスも容易なUVオゾン洗浄装置を提供すること。
【解決手段】UV照射室(10)内に2つのUVユニット(20A、20B)を備えており、これらUVユニットは所定の間隔を有するように対向して設けられている。この間隔内には、洗浄対象物(30)が基板搬送部(40)により把持された状態で搬送される。オゾン発生の源となるエアーと不活性ガスの混合ガスは第1および第2のガス供給部(50A、50B)から、UV照射室(10)内に搬送された基板(30)の表面に向けて供給される。ガス排出部(60)は、装置(100)の底部に設けられており、UV照射室(10)内で発生したオゾン含有ガスは、装置上部に設けられた排気ユニット(70A、70B)の作用により、ガス排気経路部(80A、80B)を通ってガス排出部(60)から外部へと排出される。 (もっと読む)


【課題】エッチングガスの使用効率の高い洗浄装置、洗浄方法および太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】トレイクリーニング装置1は、トレイ20を少なくとも1つ収容できる密閉可能な密閉容器2と、密閉容器2内にエッチングガスを供給できるガス供給口10と、密閉容器2内のガスを排気できるガス排気口11と、密閉容器2に収容されたトレイ20の開口部を貫通可能に配設された軸部材3とを備えている。 (もっと読む)


【課題】異種金属が露出した基板表面の洗浄において卑金属の溶解を防止する。。
【解決手段】基板保持台26に保持された基板24表面の周縁部の上方にノズル21を配置し、カーボン電極23Aを通じて電圧発生装置29により電圧を印加された薬液213をノズル21から基板24表面の周縁部に供給する。次に、薬液213をノズル21から供給しながら、基板24表面の中央部の上方にノズル21を移動させた後、薬液213をノズル21から基板24表面の中央部に供給する。 (もっと読む)


【課題】保持したワークに加工や処理を施した際に、摩擦による静電気発生が抑えられてワークに電荷が溜まりにくく帯電量を小さくし、静電破壊を抑制する。
【解決手段】ワーク1を支持する支持面421に負圧を伝達する多孔質体からなる吸着部42と、絶縁性を有する部材で形成された枠体41とを有するワーク支持部40と、ワーク支持部40を回転可能に支持する回転支持部50と、回転支持部50とワーク支持部40との間に形成された軽量化空間43と、吸着部42と負圧を発生させる負圧源80とを連通させる吸引経路70Aとを有し、吸引経路70Aは軽量化空間43と連通しない構成とする。ワーク支持部40を厚くして絶縁距離を大きくして帯電を抑えることができ、軽量化空間43を有することから重量増を招かない。 (もっと読む)


【課題】基板の一方面中央部を保護しつつ基板に処理を施すことができるとともに、回転軸線方向に異なる複数の位置で所定の回転処理を基板に良好に施すことが可能な基板保持回転装置および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スピンチャック3は、ウエハWの下面中央部を支持するためのセンターチャック7と、ウエハWの下面周縁部を支持するための外周リング部材8と、ウエハWの下面周縁部と外周リング部材8との間をシールするための第1シール部材9とを備える。吸着ベース10は昇降モータによって、処理位置と、下面リンス位置と、取合位置との間で昇降されるようになっている。吸着ベース10の上面10aには、吸引口26と吸引溝27とが形成されている。吸引溝27には、吸着ベース10の側面に開口するオリフィス30が接続されている。 (もっと読む)


【課題】ノズルを移動しながら基板を処理することができ、かつ、密閉チャンバの内部空間の狭空間化を図ることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】密閉チャンバ2は、密閉された内部空間を区画する隔壁9を有している。密閉チャンバの内部空間でウエハWが保持される。密閉チャンバ2には、移動ノズルとしての形態を有する処理液ノズル4が設けられている。処理液ノズル4を支持するノズルアーム15は、隔壁9に形成された通過孔14を介して密閉チャンバ2の内外に跨って延びている。このノズルアーム15は、密閉チャンバ2外に配置された直線駆動機構36によって駆動されるようになっている。隔壁9とノズルアーム15の外表面との間は、第3シール構造によってシールされるようになっている。 (もっと読む)


【課題】異物除去の効率を向上できる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄装置1は、超音波を発する振動子11と、紫外線を通過する材料により形成され、振動子11が発する超音波を、異物と化学反応する機能水3によって覆われた基板表面2aに対して、基板表面2aに対向するように配置されたホーン底部13から伝達するホーン部12と、ホーン部12の内部に配置され、UV光を発光するUV光源20とを備える。 (もっと読む)


【課題】基板上面の周縁部における処理幅を精密に制御することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ウエハWはスピンチャックにより水平姿勢で保持されている。スピンチャックに保持されたウエハWの下面の中央部には、下ノズル6からの処理液が供給される。下下ノズル6は、ウエハWの下面から間隔G1を隔てて対向する上面52を有している。上面52には、処理液吐出口6aが形成されている。ウエハWを回転させつつ、処理液吐出口6aから処理液を吐出すると、その吐出された処理液によって、ウエハWの下面と下ノズル6の上面52との間の空間53が液密状態にされる。ウエハWの下面に接液する処理液は、ウエハWの回転による遠心力を受けて回転半径外方側へと広がり、ウエハWの周端面102から上面に回り込む。 (もっと読む)


【課題】パターンの間隙内部に入り込んだ液体を凝固させることでパターンを構造的に補強した状態で基板表面を物理洗浄する基板処理方法および装置において、パーティクル等の除去効率をさらに高める。
【解決手段】 基板保持手段11に保持され、所定のパターンFPが形成され液体としてのDIWが付着した基板Wの表面Wfに対し、第一処理液供給手段25から第一処理液としてのHFE液を供給し、パターンFPの間隙内部にDIWを残留させながら液体を基板表面から除去するとともに処理液の液膜を形成する。その後、凝固手段31から基板裏面Wbに凍結用の窒素ガスを吐出して、パターンFPの間隙内部に残留させたDIWを凝固させ、パターンFPの間隙内部に凝固体を形成する。その状態で、第一処理液であるHFE液の液膜の上に第二処理液としてのDIWの液膜を形成し、DIWの液膜に対し超音波洗浄手段17により超音波振動を付与して洗浄を行う。 (もっと読む)


【課題】洗浄中での洗浄液と洗浄対象物との接触面積を制御する洗浄システム及び洗浄方法を提供することを課題とする。
【解決手段】洗浄システムは、ワーク1に洗浄液Lを供給可能な供給ノズル30と、ワーク1に供給された洗浄液Lに接触して振動させるホーン60と、ホーン60を振動させる発振器50と、ワーク1とホーン60とのクリアランスを変更可能にホーン60を移動させる昇降機80と、発振器50のインピーダンスを検出する検出分離部70と、インピーダンスに基づいて昇降機80を制御することによりクリアランスを制御する制御部10と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】基板に供給される処理液の温度を精度良く測定することができる基板処理装置および処理液温度測定方法を提供すること。
【解決手段】ノズル5から吐出された処理液は、ウエハWの上面に供給される。放射温度計6によって、ウエハWの上面を流れる処理液の温度が検出される。ノズル5から実際に処理液を吐出させ、その処理液の温度を放射温度計6により検出したときの放射検出値が、当該処理液の温度を熱電対温度計により測定したときの熱電対検出値に対応付けて、メモリに記憶されている。この放射検出値と、熱電対検出値とに基づいて、当該処理液に対応する放射検出値−熱電対検出値対応式が作成される。放射温度計6の検出値を、当該処理液に対応する放射検出値−熱電対検出値対応式で補正することにより、当該処理液の温度が算出される。 (もっと読む)


【課題】パーティクルの排出を制御できるバルブを提供すること。
【解決手段】バルブ11は、流入口15、排出口16、および吐出口17を含む。排出口16は、第1流路18、20によって流入口15に接続されている。吐出口17は、第2流路19によって第1流路18、20に接続されている。第2流路19は、流入口15と排出口16との間に設けられた接続位置CP1において第1流路18、20に接続されている。第2流路19は、第1弁体25が第1アクチュエータ24によって移動されることにより開閉される。また、絞り部37は、接続位置CP1よりも排出口16側において第1流路18、20に設けられている。絞り部37は、吐出口17および第2流路19の流路面積よりも小さい流路面積を有している。 (もっと読む)


【課題】LSI用半導体ウエハやMEMS用基板のような微細構造を有する被洗浄物を、洗浄によるダメージを与えることなく、ガス溶解水により効果的に洗浄してこれらの被洗浄物を高度に清浄化する。
【解決手段】洗浄容器内10で、被洗浄物を、当該洗浄液の液温における飽和溶解度以上の溶存ガスを含む洗浄液(過飽和ガス溶解液)と接触させて洗浄する。洗浄容器に、過飽和ガス溶解液を導入するか、或いは、洗浄容器内に洗浄液を導入した後加圧ガスを導入して洗浄容器内で過飽和ガス溶解液を調製した後、洗浄容器内で被洗浄物を過飽和ガス溶解液に接触させた状態で洗浄容器内を減圧し、過飽和ガス溶解液から発生した過飽和の溶存ガスの気泡で被洗浄物を洗浄する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ洗浄処理の制限を緩和し、使用勝手の良いプラズマ洗浄装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ洗浄処理のレシピ設定をする際には、パソコン15により、プラズマエッチング(PE)方式かリアクティブイオンエッチング(RIE)方式かのどちらであるかを判定し、RIE方式であればプラズマ処理制限を内部メモリから読み込む。次に、プラズマ処理パワー(W)と処理時間(秒)の積がプラズマ処理制限を超えていないか判定する。RF電源出力パワーを「500(W)」と入力して、プラズマ処理時間を「25(秒間)」と入力すると、パソコン15は500W×25秒=12500W秒と算出して、プラズマ処理制限の10000W秒を超えたと判定して、超えた旨をモニター17に表示させる。次に、RF電源出力パワーはそのままとし、10000W秒÷500W=20秒間を算出し、プラズマ処理時間を20秒間として内部メモリに保存する。 (もっと読む)


【課題】チャックテーブルに侵入した数μmの研削屑も良好に除去することができ、かつ、チャックテーブル上に保持された被加工物の表面を良好に洗浄することができる洗浄装置を提供する。
【解決手段】高圧エアー及び液体で構成される2流体洗浄水820aを高圧噴射する構成とすることにより、数μmほどの屑も洗浄できるようにして、ブラシ等を不要とする。また、飛散防止チャンバー83と、飛散防止チャンバー83においてチャックテーブル2の上面2a又は被加工物Wの表面Wa上で飛散するミスト820bを外部へ排出する排出手段84とを備え、洗浄時は、飛散防止チャンバー83の側壁830の下端がチャックテーブル2の上面2a又は上面2aに保持された被加工物Wの表面Waと所定の隙間C1をもち、チャックテーブル2の上面2a上又は被加工物Wの表面Wa上に形成された洗浄水層87により隙間C1が封止されるようにすることにより、ミストが飛散しないようにする。 (もっと読む)


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