【課題】洗浄液で洗浄し、続いてリンス液で洗浄された基板を乾燥させる処理を、簡易な装置構成で速やかに進行させること。
【解決手段】ウエハＷ表面に、昇華性物質の凝固点よりも高い温度になるように加熱された置換液を供給し、次いで、液状の昇華性物質を含む処理液を前記凝固点よりも高い温度にして共用ノズル５を介して供給する。前記置換液の供給により、リンス液の置換液による置換とウエハＷの表面の加熱を同時に行うことができ、加熱されたウエハＷに、前記凝固点よりも高い温度の処理液を供給しているので、ウエハＷ上に処理液の液膜を薄く広げることができる。加熱した置換液や処理液をウエハＷ表面に供給しているので装置構成が簡易なものとなり、また、処理液の薄い液膜を形成することができるため、昇華性物質の固化や昇華に要する時間が短縮され、基板を乾燥させるための処理が速やかに進行する。 （もっと読む）

【課題】処理中に処理液が付着したノズルアームによる汚染を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】１枚の基板Ｗの処理が終了してノズルアーム６２が処理位置から待機位置に帰還したときに、その待機位置にてアーム乾燥部７５の２本の乾燥ガスノズルからノズルアーム６２に乾燥用ガスが吹き付けられる。また、固定設置された乾燥ガスノズルから水平方向に噴出される乾燥用ガスの流れをノズルアーム６２の先端側が横切るように旋回駆動部６３が３本のノズルアーム６２を揺動させている。これによって、基板Ｗの処理後に処理液が付着していた３本のノズルアーム６２が乾燥され、付着していた処理液が取り除かれる。その結果、基板Ｗの処理中に処理液が付着したノズルアーム６２による汚染を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の吐出ヘッドから基板上に洗浄液が落下するのを防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板に処理液を吐出する処理が終了して待機位置に帰還した処理液ノズルの吐出ヘッド６１を下降させて待機ポット７０の収容部７５に収容する。洗浄液噴出部７６から吐出ヘッド６１に向けて洗浄液を噴出し、処理中に吐出ヘッド６１に付着した処理液を洗い流す。続いて、洗浄液噴出を停止し、待機ポット７０に設けられた乾燥ガス噴出部７７から斜め下方に向けて乾燥用ガスを噴出する。そして、収容部７５から吐出ヘッド６１を徐々に引き上げる。その吐出ヘッド６１に乾燥用ガスを吹き付けることによって、吐出ヘッド６１に付着していた洗浄液を吹き飛ばして乾燥させる。洗浄後に処理位置に移動した吐出ヘッド６１から基板上に洗浄液が落下するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板を回転させて基板の上面から処理液を除去して基板を乾燥する際に、基板の上面全体にわたって処理液の除去に要する時間を均一化して基板を良好に乾燥させる。
【解決手段】赤外線照射部５から出射される赤外線が基板Ｗの下方から基板中央部分Ｗcpに照射され、基板中央部分Ｗcpの上面に付着するＩＰＡ液で吸収される。この赤外線吸収によってＩＰＡ液の温度が上昇し、基板中央部分Ｗcpの上面に付着するＩＰＡ液の液膜温度が基板Ｗの周縁部分に付着するＩＰＡ液の液膜温度よりも高くなる。これにより、基板中央部分Ｗcpでの蒸発乾燥が基板Ｗの周縁部分での蒸発乾燥よりも促進され、基板中央部分Ｗcpと周縁部分との乾燥時間の差が抑制される。その結果、基板Ｗの上面Ｗus全体にわたって乾燥時間が均一化される。 （もっと読む）

【課題】硫酸の温度の変更に容易に対応可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理装置は、硫酸と過酸化水素水とを混合して生成したレジスト剥離液を基板Ｗの表面に供給する。この基板処理装置は、レジスト剥離液を基板に向けて吐出するノズル２と、ノズル２に向けて過酸化水素水を流通させる過酸化水素水供給路３０と、過酸化水素水供給路３０上においてノズル２までの流路長が異なる複数の混合位置ＭＰ１，ＭＰ２，ＭＰ３，ＭＰ４にそれぞれ接続された複数の硫酸供給路３１，３２，３３，３４と、硫酸供給源２５からの硫酸を前記複数の硫酸供給路から選択された硫酸供給路に導入する硫酸供給路選択ユニット３５とを含む。 （もっと読む）

【課題】液交換後の温調時に内槽ドレイン配管への通液を行うことにより、廃液設備への悪影響が生じることを防止するとともに、装置への悪影響が生じること及びプロセス不良を防止することができる。
【解決手段】制御部３３が、古い燐酸溶液を排出した後、処理槽１に新たな燐酸溶液を供給する。その燐酸溶液をポンプＡＰで外槽５、循環配管７、内槽３に至る通常循環経路で循環させつつ燐酸溶液の温調を行うが、温調が完了するまでに少なくとも一度は内槽ドレイン配管１１を通る一時経路に処理液を流通させる。したがって、古い燐酸溶液が内槽ドレイン配管１１に残留していたとしても、新たな燐酸溶液で置換することができる。その結果、内槽ドレイン配管１１に残留していた古い燐酸溶液に起因して廃液設備に悪影響が及ぶことを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】塗布動作を行う際に塗布液がミスト状に飛散する場合がある。ミスト状に飛散した塗布液が装置内部のうち基板以外の部分に付着すると、装置を汚してしまうという問題があるので、装置内の環境を清浄化する。
【解決手段】基板収容装置ＡＣＭは、基板Ｓを保持する基板保持部１０と、前記基板保持部１０に保持された状態の前記基板Ｓを囲うカップ部２０と、前記基板Ｓと前記カップ部２０との間に異物を回収する回収液を供給する回収液供給部３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】エッチング等における基板に付着するパーティクルを減らす。
【解決手段】基板を、前記基板を洗浄するための薬液に浸漬させ、前記薬液に前記基板を浸漬させた状態で、前記薬液内における前記基板の上方に網部を設置し、前記基板を取り出す方向に前記網部を移動させることにより、パーティクルを前記薬液内から除去し、前記薬液内より前記パーティクルが除去された後に、前記基板を前記薬液より取り出すことを特徴とする基板処理方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ロール洗浄部材の形状の最適化を図り、基板表面を高い洗浄度で効率的に洗浄して、基板表面に残存するディフェクト数を低減できるようにする。
【解決手段】表面に多数のノジュールを有し基板の直径のほぼ全長に亘って直線状に延びて基板表面との間に洗浄エリアを形成するロール洗浄部材と基板とを共に一方向に回転させつつ、ノジュールと基板表面とを互いに接触させて該表面をスクラブ洗浄する基板洗浄方法において、洗浄エリア（長さＬ）上のロール洗浄部材１６と基板Ｗの相対回転速度が相対的に低い順方向洗浄エリア（長さＬ_ｆ）では、洗浄エリア上のロール洗浄部材と基板の相対回転速度が相対的に高い逆方向洗浄エリア（長さＬ_ｉ）よりも少ない面積でノジュール１６ａと基板Ｗの表面とを互いに接触させる。 （もっと読む）

【課題】処理流体による液体の除去能力の低下を抑制しつつ、基板の表面に付着した液体を除去することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】処理容器１では基板Ｗ表面の乾燥防止用の液体に、超臨界状態または亜臨界状態である高圧状態の処理流体を接触させて、前記乾燥防止用の液体を除去する処理を行うにあたり、昇圧ポンプ２は供給ライン５１を介して処理容器１に処理流体を供給して高圧状態の処理流体雰囲気とし、次いで、この昇圧ポンプ５１よりも吐出流量の大きな循環ポンプ３にて、処理容器１内の流体を循環ライン５３に循環させた後、処理容器１内の流体を排出ライン５２から排出する。 （もっと読む）

【課題】専用の洗浄機構を設けることなくカップの上面および周囲を洗浄することができる洗浄処理方法を提供する。
【解決手段】スピンベース２１を２５０ｒｐｍ〜３５０ｒｐｍ（第１の回転数）にて回転させつつ、スピンベース２１の周囲を取り囲む処理カップ４０の上端をスピンベース２１の保持面２１ａよりも低くして吐出ヘッド３１から保持面２１ａに洗浄液を供給する。そして、回転するスピンベース２１の保持面２１ａから飛散した洗浄液によって処理カップ４０の外側上面４３ｄを洗浄する。その後、スピンベース２１を第１の回転数よりも大きな３５０ｒｐｍ〜４５０ｒｐｍ（第２の回転数）にて回転させつつ、吐出ヘッド３１から保持面２１ａに洗浄液を供給し、回転する保持面２１ａから飛散した洗浄液によって処理カップ４０よりも外側の仕切板１５およびチャンバー１０の側壁１１を洗浄している。 （もっと読む）

【課題】洗浄槽から引き上げた基板の下端部に液滴が残って不純物やパーティクル等が基板に残留するのを抑制することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】洗浄液を貯留し、該洗浄液に対して基板を浸漬することができる洗浄槽と、前記洗浄槽の上方に配置され、前記基板を収容可能な乾燥室と、複数の基板を直立に保持し、前記洗浄槽と前記乾燥室とを往復可能に設けられる基板保持搬送部と、前記乾燥室に設けられ、前記乾燥室内へ有機溶剤の蒸気を供給する第１の供給部と、前記基板保持搬送部により前記乾燥室において保持される前記基板の下端部に乾燥ガスを供給可能な第２の供給部とを備える基板処理装置により上記課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】金属膜が形成された基板においてパターンの倒壊を抑制すること。
【解決手段】水を含むリンス液が、金属膜が形成された基板に供給される（Ｓ２）。その後、水酸基を含まない第１溶剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が第１溶剤に置換される（Ｓ４、Ｓ５）。その後、水酸基を含まない第２溶剤を含み金属を疎水化する疎水化剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が疎水化剤に置換される（Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】基板の全面を十分に洗浄することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板を保持して回転させるスピンチャック２と、スピンチャック２に保持された基板Ｗに向けて処理液の液滴を吐出するノズル４とを含む。ノズル４には、処理液の液滴を吐出する複数の吐出口３３が一列に並べられた列Ｌ１が複数列配置されている。ノズル４はノズルアーム１８に保持されて、スピンチャック２に保持された基板Ｗの主面に垂直な垂直方向Ｄ１から見たときに基板Ｗの主面の回転中心Ｃ１を通る軌跡Ｘ１に沿って移動する。ノズル４は、垂直方向Ｄ１から見たときに複数の列Ｌ１と軌跡Ｘ１とが交差するようにノズルアーム１８に保持される。 （もっと読む）

【課題】過硫酸含有硫酸溶液を用いた電子材料の洗浄を廃液を伴うことを短時間かつ効果的に行うことを可能にする。
【解決手段】７０質量％以上の硫酸溶液を電解する電解部１１と、電解部１１で電解されて得られた過硫酸含有硫酸溶液を送液する送りラインと、送りラインで送液される過硫酸含有硫酸溶液が収容される洗浄槽２１と、オゾンを生成するオゾン生成部（オゾン発生器２８）と、オゾン生成部で生成されたオゾンを洗浄槽２１内の過硫酸含有硫酸溶液に供給するオゾン供給部（オゾン供給管２６、バブリングノズル２７）を備える電子材料洗浄装置１を用いて、電解して得られた過硫酸含有硫酸溶液が収容されている洗浄槽に電子材料１００を浸漬して洗浄を行うとともに、洗浄中に洗浄槽２１内の過硫酸含有硫酸溶液にオゾンガスを供給することでオゾンの分解を促し、優れた酸化力を得る。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に生じるパーティクルを低減すると共に、半導体デバイスの電気的特性の劣化を防止する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の超臨界乾燥方法は、金属膜が形成された半導体基板を、表面がアルコールで濡れた状態でチャンバ内に導入する工程と、前記チャンバ内に二酸化炭素の超臨界流体を供給する工程と、前記チャンバ内の温度を７５℃以上かつ前記アルコールの臨界温度未満の所定温度にして、前記半導体基板上の前記薬液を前記超臨界流体に置換する工程と、前記チャンバ内の温度を前記所定温度に維持しながら、前記チャンバから前記超臨界流体及び前記アルコールを排出し、前記チャンバ内の圧力を下げる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】気体供給手段から供給される乾燥用気体の供給量を制御することにより、基板へのパーティクル等の付着を防止し、基板の処理環境を一様にできる
【解決手段】ステップＳ４の基板搬出動作において、チャンバー１１内を陽圧にすべきか、負圧にすべきかが判断される（ステップＳ４２）。チャンバー１１内を陽圧にすべきと判断された場合、ドライエア供給装置３１に内蔵された発生器内インバータを調整して、ドライエアの供給量を増加させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３の開口が絞られる（ステップＳ４３）。チャンバー１１内を負圧にすべきと判断された場合、制御部４５は、ドライエア供給装置３１に内蔵された発生器内インバータを調整して、ドライエアの供給量を減少させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３を開放している（ステップＳ４４）。 （もっと読む）

【課題】基板の周端面への処理液の回り込みを制御することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平姿勢で保持して鉛直な回転軸線Ｃまわりに回転するスピンチャック１と、基板Ｗの上面に処理液を供給する処理液ノズル２，３と、リング部材１０とを含む。リング部材１０は、基板Ｗの周端面に回転半径外方から隙間を開けて対向する対向面を有し、この対向面に気体吐出口１１０を有している。スピンチャック１には、基板Ｗの周縁部下面に密接し、かつ気体吐出口１１０よりも下方においてリング部材１０に密接する周縁シール部材２１を有している。スピンチャック１は、センターチャック７と、回転ベース８とを有している。回転ベース８に形成された不活性ガス経路６８空、気体吐出口１１０への不活性ガスが供給される。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を一括して容易に乾燥することができる乾燥ユニットおよび基板処理装置を提供する。
【解決手段】乾燥部７０は、複数の基板Ｗを一括して乾燥させる乾燥ユニットである。乾燥部７０は、主として、乾燥チャンバ７１と、貯留槽７２と、排出管７１ａ、７２ａと、バルブ７１ｂ、７２ｂと、吐出ノズル８７（８７ａ、８７ｂ）と、を備えている。ＩＰＡによる純水の置換処理において、貯留槽７２に複数の基板Ｗが浸漬されると、吐出ノズル８７から乾燥チャンバ７１内にＩＰＡの蒸気が供給され、純水８０ａの液面８０ｂにＩＰＡの液膜８０ｃが形成される。続いて、貯留槽７２から純水８０ａが排出され、ＩＰＡの液膜８０ｃが、下降させられる。そして、各基板Ｗの基板面とＩＰＡの液膜８０ｃとが接触することによって、各基板Ｗに付着した純水が、ＩＰＡに置換される。 （もっと読む）

【課題】ウェット処理対象のうちのチャックに対向するチャック対向面にウェット処理液が付着することを低減すること。
【解決手段】チャック１は、噴出口１６から気体２４を噴出させることによりウェット処理対象７を保持する。ノズル３は、ウェット処理対象７のうちのチャック１に対向するチャック対向面２２の裏側のウェット処理対象面２３にウェット処理液８を供給する。噴出口１６は、閉曲線に沿って形成されている。その閉曲線は、その閉曲線のうちの任意の点からウェット処理対象７の外周１４、１５までの距離が一定であるように、形成されている。このようなウェット処理装置１０は、噴出口１６から噴出した気体２４がウェット処理対象７の外周１４、１５とチャック１とに挟まれた隙間からに均一に噴出されることにより、チャック１に対向するチャック対向面２２にウェット処理液８が付着することを低減することができる。 （もっと読む）