【課題】大口径高重量シリコン単結晶ブロックを自動で洗浄する装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】単結晶インゴットをブロック状に切断した単結晶ブロックの表面を洗浄する洗浄装置であって、少なくとも、
前記単結晶ブロックを洗浄するための洗浄槽部と、
前記単結晶ブロックを洗浄前工程部から洗浄工程部、更には洗浄後工程部へと搬送する搬送手段と、
前記単結晶ブロックの端面を把持して、前記搬送手段から前記洗浄槽部内へロードし、前記洗浄槽部内の洗浄槽に浸漬して前記単結晶ブロックを洗浄し、洗浄工程終了後に前記洗浄槽部から前記搬送手段へアンロードする把持ロボットと、
洗浄後の前記単結晶ブロックの表面を乾燥させる乾燥手段と
を具備するものであることを特徴とする単結晶ブロックの洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】基板上に供給された処理液の逆流を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象となる基板Ｗはローラコンベア１０によって矢印ＦＷの基板進行方向に移動される。移動される基板Ｗの面上に液盛りノズル２０，３０によって現像液が隙間無く液盛りされて、現像処理が進行する。基板Ｗ上に液膜が形成されているときに、微差圧計４０が液盛りノズル２０よりも前方側に形成される前方側空間と後方側に形成される後方側空間との気圧差を検出する。制御部９０は、微差圧計４０の検出結果に基づいて、後方側空間が前方側空間よりも高圧となるように、ファンフィルタユニット５０から後方側空間に供給する空気の供給流量を制御する。液盛りノズル２０よりも後方側空間を前方側空間よりも高圧にすれば、現像液の逆流を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】マランゴニ乾燥に比べて、基板に液滴が残留することをより効果的に防止し、ウォーターマークの発生を抑えることができる基板乾燥装置及び基板乾燥方法を提供する。
【解決手段】反磁性を有する液体で洗浄された基板を乾燥させる基板乾燥装置に、基板に付着した液体を磁力によって移動させるための磁石４と、磁石４を、基板に沿って該基板の縁側へ移動させる磁石搬送手段５とを備える。また、反磁性を有する液体で洗浄された基板を乾燥させる際、基板に付着した液体を磁力によって移動させるための磁石４を、基板に接近させ、磁石４を前記基板に沿って該基板の縁側へ移動させる。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で、ウェーハの表面全体において良好な平坦度が得られるようにした、枚葉式エッチング装置及び方法を提供する。
【解決手段】回転しているウェーハ２の表面にノズル２１からエッチング液を供給してウェーハ２の表面を１枚ずつエッチングする枚葉式エッチング装置において、ノズル２１をウェーハ２の回転中心Ｏ_１を通る揺動軌跡Ｌでウェーハ２の表面に沿って揺動させるノズル揺動装置２４を備えるとともに、ノズル２１が揺動方向に対して直交する方向に延びたスリット形状の吐出口２１ａを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】ガス溶解水による高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄で高い洗浄効果を得て、低コストで省資源な洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄流体吐出ノズルから、洗浄液又は洗浄液と気体との混合流体を被洗浄物に向けて吐出させて該被洗浄物を洗浄する高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄方法において、該洗浄流体吐出ノズルに導入される洗浄液が、該洗浄液の液温における飽和溶解度以上の溶存ガスを含むことを特徴とする洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】疎水性表面を有するシリコンウェハの洗浄方法、洗浄液を提供する。
【解決手段】洗浄液として、ＨＦが０．０１〜０．０５重量％と、かつオゾンが含有されている洗浄液を用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】枚葉式ウエハ湿式処理のための装置におけるスピンチャックは、ウエハのエッジ周りでウエハのチャック対向面から流れるガスを方向付けてウエハの非チャック対向面から離れるようにガスを排出する一連の環状ノズルを、支持されたウエハと共に形成する構造を周囲に有しており、それによって、非チャック対向面に供給された処理流体がウエハのエッジ領域に触れることを防止する。拡大ヘッドを備えた保持ピンがウエハエッジと係合し、高流量のガスが利用された場合にウエハが上方にずれることを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】基板表面のパターンの倒壊を効果的に抑制することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理方法は、表面に薄膜パターン１０が形成された基板Ｗの表面に、純水の比抵抗以上の比抵抗を有する絶縁液体２１を供給する絶縁液体供給工程と、基板Ｗに電圧を印加することにより薄膜パターン１０を帯電させる帯電工程と、帯電工程と並行して、絶縁液体２１を基板Ｗの表面から排除する乾燥工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊及びウォーターマークの発生を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板保持回転部１００に複数の凸形状パターンを形成した半導体基板Ｗをほぼ水平に保持して回転させ、薬液を用いて前記半導体基板Ｗ表面を洗浄し、洗浄した前記凸形状パターン表面に撥水化剤を用いて撥水性保護膜を形成し、前記撥水性保護膜形成後に、酸性水又は希釈したアルコールを用いて、前記半導体基板Ｗをリンスし、リンスした前記半導体基板Ｗを乾燥させた後に、前記凸形状パターンを残存させて前記撥水性保護膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】硫酸と過酸化水素水との混合液を用いて被処理基板から汚染物質を除去する処理にあたり、前記混合液による汚染物質の除去能の低下を抑制することが可能な基板処理装置などを提供する。
【解決手段】
処理槽２１には、被処理基板Ｗを浸漬し処理するための硫酸と過酸化水素水との混合液が貯溜され、加熱部４１２は、処理槽２１内の混合液を循環させる循環路４１０、２２に設けられて混合液を加熱し、過酸化水素水供給部４２０は、循環路４１０、２２における加熱部４１２の下流側であって、当該循環路４１０、２２の出口の直前位置にて混合液に過酸化水素水を補充供給する。制御部５は、液温検出部２５の温度検出値に基づいて処理槽２１内の液温を１３５℃〜１７０℃の範囲の設定温度に調節すると共に、加熱によって蒸発した混合液を補充するために硫酸供給部４３０より硫酸を補充供給するように制御信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】下部電極のセルフバイアス電圧を上げることなく，基板載置台の付着物の除去レートを上げる。
【解決手段】処理室１０２内を所定の処理条件に基づいてクリーニングする際に，Ｏ_２ガスと不活性ガスからなる処理ガスを下部電極１１１のセルフバイアス電圧に応じてその絶対値が小さいほど，Ｏ_２ガスの流量比が減少しＡｒガスの流量比が増大するように設定した流量比で処理室内に供給し，下部電極１１１と上部電極１２０の電極間に高周波電力を印加してプラズマを発生させる。 （もっと読む）

【課題】基板に帯電した電荷が放電することによる静電破壊の発生を防止すること。
【解決手段】本発明では、基板（２）に液処理を施すための基板液処理装置（１）及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体（４８）において、基板（２）の回路形成面を基板処理薬液で液処理する液処理工程を行う前に、基板（２）の回路形成面とは反対面を除電処理液で処理することによって基板（２）に帯電した電荷を放出させる除電処理工程を行うようにした。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、概して、プラズマ源装置、および、電磁エネルギー源の使用により磁性コア要素の周囲に対称的に位置決めされるプラズマ生成領域にラジカルおよび／またはガスイオンを生成することが可能なプラズマ源装置を使用する方法を提供する。概して、そのプラズマ生成領域および磁性コアの配向および形状により、プラズマ生成領域に位置するガスへの送出電磁エネルギーの効果的なおよび均一な結合が可能となる。概して、プラズマ生成領域に形成されるプラズマの特徴が改善されることにより、基板、またはプラズマ生成領域の下流に配設される処理チャンバの一部分に対して実施される堆積プロセス、エッチングプロセス、および／または洗浄プロセスを改善することが可能となる。
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この出願は、基板の少なくとも部分的な領域を処理するための複数の方法及び装置を開示する。前記方法においては、少なくとも１つの液体が基板の少なくとも１つの部分的な領域に提供され、それぞれの方法に従って所望の効果を達成するために、電磁放射がこの液体に導入される。１つの方法において、液体を提供する前にＵＶ放射によって液体のラジカルが発生され、ラジカルの発生は、少なくともラジカルの一部が基板に到達するように、液体を基板の提供する直前に行われる。基板の表面の少なくとも部分的な領域及び前記基板の表面に近い層からイオンが除去される１つの方法においては、前記基板の少なくとも部分的な領域に液体膜を形成するために、周囲温度よりも高く加熱された液体が基板に提供され、放射の少なくとも一部が基板表面に到達するように、電磁放射が前記液体膜に導入される。少なくとも部分的に疎水性の基板表面を有する基板の表面特性を、前記疎水性表面の少なくとも一部が親水性表面特性を得るように変化させる別の方法において、液体が、表面特性を変化させようとする基板の表面の少なくとも部分的な領域に提供され、所定の波長範囲のＵＶ放射が、前記液体を通って、表面特性を変化させようとする前記基板の表面の少なくとも部分的な領域まで案内される。この方法は、共通の装置において、あらゆる所望の順序で順次に及び／又は並行して行われてよい。
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【課題】排気口からの排気に大きな排気能力を必要とせずに、処理チャンバ内の雰囲気を良好に置換させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ４内には、基板を水平に保持して回転させるスピンチャック１７と、スピンチャック１７の上方に配置された円板状の遮断板１４とが収容されている。遮断板１４の下面には、スピンチャック１７に保持される基板の表面と対向する基板対向面が形成されている。処理チャンバ４の上部に設けられた給気ユニットには、処理チャンバ４内に清浄空気を供給するための給気口６５が形成されている。給気口６５は、下向きの給気口であり、平面視において遮断板１４の周囲を取り囲む円環状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】吐出される液滴の噴霧状態を調整することができる二流体ノズルを提供すること。二流体ノズルから吐出される液滴を用いて所期の処理を基板に施すことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】二流体ノズル３は、ケーシングを構成する外筒２０と、外筒２０に内嵌された内筒２１と、内筒２１を外筒２０に固定するための固定ナット２３とを含む。内筒２１の大径円筒部２４の外周には、雄ねじ３６が形成されている。外筒２０の内周の基端部には、雄ねじ３６に螺合する雌ねじ３７が形成されている。固定ナット２３は、内筒２１の雄ねじ３６と螺合する雌ねじ孔３１を有している。外筒２０と内筒２１とはねじ嵌合により連結されている。雄ねじ３６に対する外筒２０のねじ込み量を調節することによって、遮蔽部４３に対する短筒部４７の軸方向の位置を調節することができる。 （もっと読む）

【課題】液中のバブルをより効率的に分割して超微細バブルを生成することのできる超微細バブル生成機構を提供することである。
【解決手段】バブル含有液が圧送される複数の管体１５３、１５４と、その複数の管体１５３、１５４に結合され、その複数の管体１５３、１５４にて圧送されるバブル含有液を衝突させて出力する衝突部１５５とを有し、複数の管体１５３、１５４にて圧送されるバブル含有液が衝突することによって液中のバブルが更に細かく分割されるように構成される。 （もっと読む）

【課題】制御動作および／または装置動作の妥当性（レシピに適合するか否か）に関する検査を確実にかつ短時間に実施できるようにする。
【解決手段】この基板処理装置は、基板の処理手順を記述したレシピを記憶するレシピ記憶手段(193)と、レシピに対応した検査基準を記述した検査基準ファイルを生成する検査基準生成手段(16,191,192)と、検査基準ファイルを記憶する検査基準記憶手段(196)と、レシピに従う制御動作を実行する制御手段(16,190)と、制御動作を記録する制御動作記録手段(16,191)と、記録された制御動作と検査基準とを照合することにより制御動作の適否を判定する制御動作判定手段(16,191)とを含む。基板処理装置は、さらに、基板処理装置が実行した装置動作を記録する装置動作記録手段(16,192)と、記録された装置動作と検査基準とを照合することにより装置動作の適否を判定する装置動作判定手段(16,192)とをさらに含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 ドライエア等の乾燥用気体の基板への供給による基板の乾燥不良を抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板Ｗを支持しつつ、処理槽１内部の処理位置と処理槽１上方にある乾燥位置とにわたって昇降自在であるリフタ１５、供給部２３の近傍を通過させて処理槽１へ搬入させる際に、制御部４７により、第１制御弁３５，第２制御弁４１が閉、第３制御弁４５が開に切り替わる。これにより、供給部２３へのドライエアの供給を停止させ、分岐配管４３へドライエアを供給させているので、洗浄処理前に基板Ｗがドライエアにさらされることはなく、基板の乾燥不良が抑制される。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の高さが増大することを抑制しつつ、飛散した処理液を好適に回収することができる基板処理装置、および、カップ外に処理液が漏れることを好適に防止できるカバー部材を提供する。
【解決手段】基板を保持する基板保持部１１と、上部に開口Ａを有する略筒形状を呈して基板保持部１１の周囲を囲むカップ１２と、カップ１２の外側に設けられるカバー本体４１と、を備え、前記開口Ａの縁部は、高さ位置が比較的低い第１縁部ＥＬと高さ位置が比較的高い第２縁部ＥＨとを有する。カバー本体４１は、第２縁部ＥＨの高さ位置より低い範囲で前記第１縁部ＥＬの上方を覆う。これにより、処理液が第１縁部ＥＬの上方からカップの外側に漏れることを防止できる。第１縁部の上端は依然として第２縁部より低いので、基板処理装置の高さが増大することを抑制することができる。 （もっと読む）