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Fターム[5F157AB48]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 処理槽(室)の配置 (915) | 複数の処理槽(室) (413) | 水平方向に配置 (222) | 直線的に配置 (131)

Fターム[5F157AB48]に分類される特許

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【課題】主領域が撥液面でその外周の周縁領域が親液面である基板の表面に付着した液体を液切りして除去する場合に、基板表面にウォータマークが発生することを確実に防止することができる装置を提供する。
【解決手段】基板Wの搬送方向に対して交差するように、基板表面へその幅方向全体にわたって気体を吐出するエアナイフ32を配設し、エアナイフより基板搬送方向における後方側に、基板の周縁領域2へ基板搬送方向における後方かつ基板外方に向けて気体を吐出する補助気体ノズル36を配設し、基板の周縁領域に滞留した液体を除去しもしくは周縁領域に液体が滞留するのを防止するようにした。 (もっと読む)


【課題】純水を共用していても純水不足が生じることを防止でき、稼働率を向上させることができて、プロセス特性の悪化を防止することができる。
【解決手段】各基板処理装置A,Bにおいて作成された個別のスケジュールにより、管理コンピュータCは純水の使用タイミングとその使用量を受信することができる。制御部3は、ユーティリティの最大供給量と、全基板処理装置A,Bの時間あたりの合計消費量とを比較して、合計消費量が最大供給量を超えている場合には、いずれかの基板処理装置A,Bに対して再スケジュールを指示する。指示された基板処理装置A,Bでは、純水の使用タイミングを後ろにずらすので、時間あたりの合計消費量が最大供給量以内に収まるようにできる。その結果、純水不足が生じることを防止でき、稼働率を向上させることができて、プロセス特性の悪化を防止できる。 (もっと読む)


【課題】薬液処理後の基板を水洗処理する場合に、純水の使用量を節減し、排液量を少なくし、処理時間を短縮することができる装置を提供する。
【解決手段】基板搬送方向における長さが基板Wの寸法より短くされた置換水洗室10、置換水洗室内において基板を一方向へ連続して搬送する搬送ローラ、置換水洗室内の入口付近に配設された入口ノズル16、入口ノズルより基板搬送方向における前方側に配設された高圧ノズル18、および、置換水洗室内の出口側に配設されたエアーノズル22を備えて置換水洗部2を構成した。置換水洗室10内へ基板Wが搬入される前に入口ノズル16および高圧ノズル18からの洗浄水の吐出を開始し、置換水洗室内から基板が搬出された後に入口ノズルおよび高圧ノズルからの洗浄水の吐出を停止するように制御する。 (もっと読む)


【課題】排気中の処理流体濃度を低減させ、基板処理装置に接続した排気設備へ流れ込む処理流体が低減し、排気設備への負担を軽減させること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置(1)において、基板(2)を処理するための基板処理部(21)と、基板(2)を処理する処理流体を基板処理部(21)に供給するための処理流体供給部(22)と、噴霧ノズル(48,49)から処理流体を溶解する溶媒を基板処理部(21)より排出された排気に向けて噴霧することによって排気中の処理流体濃度を低減させるための排気処理部(23)とを設けることにした。また、前記排気処理部(23)は、内部に排気を分散させるための多孔状の分散板(52、53、54)を設けることにした。 (もっと読む)


【課題】装置の占有面積を抑制しながら、基板処理速度を向上する。
【解決手段】基板処理装置10は、基板処理部と、払出機構70と、搬入機構71と、プッシャ6と、主搬送機構3とを含む。基板処理部は、複数枚の基板Wに対して一括して処理を施す。払出機構70は、払出チャック73を基板移載位置Sと基板受け渡し位置Pとの間で第1横行経路101に沿って横行させる。搬入機構71は、搬入チャック74を基板移載位置Sと基板受け渡し位置Pとの間で第1横行経路101よりも下方の第2横行経路102に沿って横行させる。プッシャ6は、昇降保持部105を基板移載位置Sにおいて昇降させる。主搬送機構3は、基板受け渡し位置Pと前記基板処理部との間で複数枚の基板Wを一括して搬送する。払出チャック73、搬入チャック74および昇降保持部105は、それぞれ、複数枚の基板Wを一括して保持することができる。 (もっと読む)


【課題】 貼り合せた電子本体と基板を分離するための分離装置及びその方法を提供する。
【解決手段】 平台、伝動部、溶解部、洗浄部及び第1仕切板を含む分離装置において、伝動部は平台上に配置し、電子本体と基板を移動するに用いる。溶解部は、平台上に配置し、溶剤を電子本体と基板に噴射する。洗浄部は平台上に配置し、電子本体を洗浄する。第1仕切板は、溶解部と洗浄部との間に設け、この第1仕切板は少なくとも一つ以上の第1貫通孔を有し、電子本体のみが通過できるように設定する。電子本体は第1貫通孔を通過できるように、一方、基板は第1貫通孔を通過できないようにすることにより、電子本体と基板を分離する。 (もっと読む)


【課題】装置の搬送に要する時間を短縮することができる基板処理装置および基板受渡方法を提供すること。
【解決手段】インデクサ搬入ハンド18A,18C,18E,18Gがそれぞれシャトルハンド38A,38C,38E,38Gの下方に進出される。インデクサ搬出ハンド18B,18D,18F,18Hがそれぞれシャトルハンド38B,38D,38F,38Hの上方に進出される。その後、シャトルハンド38A,38C,38E,38Gが一括して下降されて、インデクサ搬入ハンド18A,18C,18E,18Gに基板Wがすくい取られる(図(a)参照)。シャトルハンド38A,38C,38E,38Gの下降と同期して、シャトルハンド38B,38D,38F,38Hが一括して上昇される。インデクサ搬出ハンド18B,18D,18F,18Hから基板Wが受け渡される(図(a)参照)。 (もっと読む)


【課題】Cu−CMP後洗浄におけるパーティクルのウェハへの再付着によるポイゾニング不良発生の課題に対して、その不良を抑制し効率よくCu配線構造を形成することにある。
【解決手段】上層配線と、下層配線と、上層配線と下層配線とを接続するビアとを含む多層配線構造の半導体装置の製造方法において、トレンチの形成後に、低誘電率膜の上面に銅を含む導電性膜を成膜する工程と、上記導電性膜を化学的機械的研磨して上記トレンチに下層配線を形成する工程と、上記化学的機械的研磨後に、上記基板を洗浄する工程と、上記低誘電率膜の上面にアンモニアプラズマによる還元処理を実行し、その上に拡散防止膜を形成する工程とを含み、上記洗浄工程は、少なくとも2段階の洗浄を行ない、第1段目は、有機酸洗浄薬液を用いてブラシスクラブ洗浄を行ない、第2段目は、有機アルカリ洗浄薬液を用いて洗浄を行なう。 (もっと読む)


【課題】被処理物を表面処理する処理槽から処理ガスが漏れるのを防止し、かつ処理空間での処理ガスの流れを安定化する。
【解決手段】被処理物9を搬送手段20によって搬入開口13から処理槽10の内部に搬入し、処理空間19に配置する。供給系30から処理ガスを処理空間19に供給し、被処理物9を表面処理する。その後、被処理物9を搬出開口14から搬出する。排気系40で処理槽10の内部からガスを排出する。このガス排出によって外部のガスが開口13,14を通して処理槽10の内部に流入する。この流入ガスの平均流速が、0.1m/sec以上、かつ流入ガスが処理空間19に達する大きさ未満になるよう設定する。 (もっと読む)


【課題】表面処理装置の通常運転時には排出ガスから処理ガス成分を回収する負荷を軽減し、異常発生時には安全性を確保する。
【解決手段】被処理物9を搬入開口13から処理槽10の内部に搬入し、処理空間19に配置する。供給系30から処理ガスを処理空間19に供給し、被処理物9を表面処理する。その後、被処理物9を搬出開口14から搬出する。第1排気系40で処理槽10の内部からガスを排出する。再利用部50によって、排出ガスから処理ガス成分を回収し、供給系30に送る。異常時には、第2排気系60によって処理槽10内のガスを第1排気系40より大きな流量で排出する。 (もっと読む)


【課題】半導体基板を処理する基板処理装置及び該基板の搬送方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は受け取り部材、搬送部材及び制御部を備える。搬送部材は受け取り部材に基板を載置又はピックアップする複数の搬送アームを備える。制御部は搬送アームの速度を調整して同時に駆動される搬送アームが目標地点に同時に到達するように制御する。これによって、搬送部材は複数の基板を受け取り部材に一度に載置又は取り出すことができるので、基板処理装置は搬送時間を短縮させ、生産性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】基板処理装置の基板処理部に所定流量・所定濃度の処理液を精度良く供給すること。
【解決手段】本発明では、処理液供給部(24)から供給される処理液を使用して複数個の基板処理部(11〜22)で基板(2)を処理する基板処理装置(1)において、基板処理部(11〜22)で同時に使用する処理液の流量が処理液供給部(24)で制御可能な流量よりも少量の場合には、処理液供給部(24)で制御可能な流量以上になるように処理液供給部(24)から処理液を供給し、基板処理部(11〜22)で同時に使用する処理液の流量が処理液供給部(24)で制御可能な流量の場合には、基板処理部(11〜22)で同時に使用する流量の処理液を処理液供給部(24)から供給するように制御することにした。 (もっと読む)


【課題】高スループットを実現することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置は、基板Wを研磨する研磨部3と、基板Wを搬送する搬送機構5,6と、研磨された基板Wを洗浄し乾燥する洗浄部4とを備えている。洗浄部4は、複数の基板を洗浄するための複数の洗浄ラインを有する。この洗浄ラインは、複数の洗浄モジュール201A,201B,202A,202Bを備えており、基板は複数の搬送ロボット209,210によって搬送される。 (もっと読む)


【課題】リソースの使用が延長されたことを判別できるようにすることにより、スケジュールに起因して処理が停止するのを防止して、装置の稼働率が低下するのを防止できる。
【解決手段】制御部25は、単バッチのスケジュールにて、温水ユニットHDIWを使用する処理工程からロットが払い出されるタイミングに合わせて、温水ユニットHDIWの仮想リソースの使用終了時を表す仮想終了マークを付加しておく。全体スケジュールを作成する際に、払出が時間的に後ろにずれる場合には仮想リソースの仮想終了マークも時間的に後ろにずらし、仮想リソースの使用を仮想終了マークまで延長しておく。その結果、その後に配置される単バッチのスケジュールは、温水ユニットHDIWの仮想リソースによって排他される。リソースの競合によりアラームが発生して処理が停止するのを防止でき、装置稼働率の低下を防止できる。 (もっと読む)


【課題】硫酸のようなレジスト剥離液が希釈されることを防止してレジスト剥離液を再利用でき、レジスト剥離を効率良く行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、基板Wの表面にレジスト剥離液を供給して基板Wからレジストを剥離する基板処理装置であり、レジスト剥離液内に酸化性ガスの微小気泡を混入して微小気泡を含むレジスト剥離液を生成する微小気泡生成ユニット30と、微小気泡生成ユニット30からレジスト剥離液を基板Wの表面に供給する供給部15と、
を備える。 (もっと読む)


【課題】縦向きの半導体基板を処理するモジュール式半導体基板洗浄システムを提供する。
【解決手段】このシステム11は、メガソニックタンク式洗浄機15および後続のスクラバ17,19を含むことができる複数の洗浄モジュールを特徴としている。入力モジュール13は、横向きの基板を受け取って縦向きに回転させ、出力モジュール23は、縦向きの基板を受け取って横向きに回転させる。各モジュール(入力、洗浄および出力)は、基板支持体25を有し、隣接するモジュールの基板支持体が等間隔で離間するように配置されている。これらのモジュールは、複数の基板ハンドラ33を有するオーバヘッド搬送機構31によって連結されている。これらの基板ハンドラは、その下方にあるモジュールの基板支持体と同じ距離(X)で離間されている。 (もっと読む)


【課題】第1の処理液および第2の処理液を確実に分離して回収するとともに、被処理基板上にウォーターマークやパーティクル等の欠陥が生じることを確実に防止すること。
【解決手段】液処理装置1は、基板保持機構20と、第1の処理液および第2の処理液を供給する処理液供給機構30と、回転カップ61と、回転カップ61の第1の受け面61aで受けた第1の処理液および第2の処理液をそれぞれ排出する外側排出部15および内側排出部16と、外側排出部15を開閉する排出部開閉機構34とを備えている。回転カップ61の第1の受け面61aの下端61bは、基板保持機構20によって保持された被処理基板Wより下方に延びている。排出部開閉機構34が上昇した場合、第1の処理液は外側排出部15へ向けて排出され、排出部開閉機構34が下降した場合、第2の処理液は内側排出部16へ向けて排出される。 (もっと読む)


【課題】処理液の消費量を減らすことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理液を用いて基板に対して液処理を施す複数の処理部22−1乃至22−6と、複数の処理部22−1乃至22−6に処理液を供給する複数の処理部22−1乃至22−6で共通の処理液供給管210と、複数の処理部22−1乃至22−6のうち、稼働する処理部の数に応じて、処理液供給管210中の処理液の流量を増加又は減少させるように制御する流量制御部220と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】アンモニア過水処理以降に、硫酸過酸化水素水のミストが基板に付着することを防止できる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理部PCは、4つの硫酸過水処理チャンバ1と、4つのアンモニア過水処理チャンバ2とを備えている。硫酸過水処理チャンバ1内において、ウエハWに対して、SPMを用いた硫酸過水処理が行われる。硫酸過水処理後のウエハWは、硫酸過水処理チャンバ1からアンモニア過水処理チャンバ2へ移送され、アンモニア過水処理チャンバ2内において、SC1を用いたアンモニア過水処理を受ける。アンモニア過水処理チャンバ2は、硫酸過水処理チャンバ1から隔離されているので、アンモニア過水処理チャンバ2内には、SPMのミストが存在しない。 (もっと読む)


【課題】基板の搬送時間を十分に短縮できる基板処理装置およびその方法ならびに基板搬送装置を提供する。
【解決手段】インデクサブロックおよび処理ブロックからなる基板処理装置において、インデクサブロックと処理ブロックとの間で、基板WがインデクサロボットIRにより搬送される。インデクサロボットIRは上下に並ぶように設けられた複数のハンド要素260を備える。ハンド要素260間の距離は、インデクサブロックに搬入される基板Wが収納されたキャリアの基板収納溝間の距離と等しい。また、インデクサブロックおよび処理ブロック間に設けられる基板載置部PASS2の上下に隣接する支持板51a間(および支持板52a間)の距離は、ハンド要素260間の距離の2倍である。 (もっと読む)


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