【課題】悪影響を回避しつつもスループットの低下を防止できる。
【解決手段】スケジューリング部２７は、レシピに応じて各リソースを使用するタイミングをロット１，２ごとに作成して単バッチスケジュールを作成し、リソース種別を参照し、各単バッチスケジュールを安全処理部でブロックに区切る。スケジューリング部２７は、全体スケジュールを作成し、全体スケジュールに基づいて各ロット１，２に対する処理を実行する。待機時間が悪影響を与える恐れがあるリソースについては、予め非安全処理部として設定することで、ロット１とは異なるロット２に応じた柔軟なスケジュールが可能となる。その結果、全てのリソースをロット１，２に関係なく非安全処理部に設定する場合に比較して、処理工程の配置効率を低下させることがない。よって、悪影響を回避しつつもスループットが低下するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】乾燥ガスが光透過部材から被処理基板上に滴下することを防止することにより、製品歩留まりの低下を防止することが可能な乾燥室、洗浄・乾燥処理装置、被処理基板を乾燥する乾燥処理方法、および記録媒体を提供する。
【解決手段】乾燥室１０は、被処理基板Ｗを収容する乾燥室本体１１と、乾燥室本体１１の内壁１１ａに設けられた光透過部材１２と、乾燥室本体１１の内壁１１ａと光透過部材１２との間に設けられた加熱用光源１３とを備えている。光透過部材１２の下方には、光透過部材１２側に向けて乾燥ガスを供給するガス供給部１４が設けられている。光透過部材１２の内面１２ａは、乾燥ガスがこの光透過部材１２の内面１２ａに液膜として付着するように表面処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】基板を洗浄する処理液の使用量を低減可能な基板の製造装置及び製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１００の製造装置１は、基板１００を処理液で洗浄することで、基板１００のＳｉ層１０２に形成された酸化膜１０５の一部を除去する予備洗浄処理手段１３と、予備洗浄処理手段１３による基板１００の洗浄で残存した酸化膜１０５を除去する本洗浄処理手段１４と、本洗浄処理手段１４に未使用の処理液を供給するとともに、本洗浄処理手段１４で使用された処理液を予備洗浄処理手段１３に供給する供給手段１９と、を備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】隣接する基板同士の付着を防止しつつ、複数の基板を一括して処理する基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】可撓性を有する複数の基板Ｗが所定間隔にて起立姿勢でバスケット５に保持されて気相処理槽１０内に収容されている。気相処理槽１０の底部を構成する貯留部２１にはフッ化水素酸が貯留される。常温のフッ化水素酸からは、処理ガスとしてのフッ酸蒸気が蒸発して生成される。また、ファン２３が作動して貯留部２１内のフッ化水素酸の液面からバスケット５の内部を通過して循環経路２４を流れて再び貯留部２１に還流する気流が形成される。このような気流によってフッ酸蒸気がバスケット５内部の複数の基板Ｗに供給され、エッチング処理が進行する。気相エッチング処理であれば隣接する基板Ｗ間に液相の表面張力が作用することは無く、それらが付着することが防止される。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＡ等の使用量を可能な限り減少させ、しかも液滴やミストの発生を最小限に抑えることによって、乾燥後の基板表面にウォーターマークが発生することを抑制できるようにする。
【解決手段】少なくとも一部に疎水性を有する基板Ｗの表面を乾燥させる基板処理方法であって、基板Ｗの表面と近接した位置に近接板１６を該基板Ｗの表面に対向させて平行に配置して、基板Ｗの表面と近接板１６との間に該基板Ｗの表面及び該近接板１６にそれぞれ接する連続した被覆液膜２８を形成し、基板Ｗと近接板１６とを互いに平行に一方向に相対移動させて被覆液膜２８の基板Ｗの表面に対する位置を変更させることで、基板Ｗの表面の近接板１６で覆われなくなった領域に位置していた被覆液膜２８を基板Ｗの表面から除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに対してレジスト膜を形成し、露光後のウエハに対して現像を行う、塗布、現像装置において、例えばレジスト膜形成前のウエハに対して疎水化流体により疎水化処理を行うことによりウエハの裏面の周縁部が疎水化状態になる。このウエハの裏面を洗浄液とブラシとを用いて洗浄するとブラシが削れてウエハの裏面が汚染され、露光に不具合が生じる。そこでウエハの裏面を良好に行える手法を提供する。
【解決手段】露光前のウエハＷを水平保持し、鉛直軸周りに回転させるスピンチャック１０と、回転するウエハＷの裏面５１を、自転しながら洗浄する洗浄ブラシ３０と、洗浄時にウエハＷの裏面５１に洗浄液Ｓを供給する洗浄液ノズル１５と、を用い、少なくともウエハＷの周縁部５２を洗浄するときに、ウエハＷの回転数８０ｒｐｍ以下となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理を良好に行うことができる基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを格納した記憶媒体を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板(2)を処理液(23)で処理する処理槽(24)と、処理槽(24)に第１の薬液(21)を供給する第１薬液供給機構(25)と、第１の薬液(21)と反応して処理液(23)を生成する第２の薬液(22)を処理槽(24)に供給する第２薬液供給機構(26)と、処理槽(24)に接続した循環流路(45)を用いて処理液(23)を循環させる処理液循環機構(27)と、第１及び第２の薬液の処理槽への供給を制御する制御部とを備え、所定の循環流量で処理液を循環させて基板(2)を処理する基板処理装置(1)を用い、第２の薬液(22)の供給を開始するとともに第２の薬液(22)の供給開始に基づいて循環流量を変化させることにした。 （もっと読む）

【課題】タクトタイムの増大による生産性の低下を生じることなく、被洗浄物の表面にシミのない清浄な乾燥状態を得る。
【解決手段】搬送治具１３ａに載置された被洗浄物１３をＩＰＡ蒸気雰囲気４に浸漬して蒸気乾燥を行うＩＰＡ蒸気乾燥槽２の後段に余熱乾燥槽６を設け、ＩＰＡ蒸気乾燥槽２で蒸気乾燥を終え、ＩＰＡ蒸気雰囲気４の潜熱によって所定の温度まで加熱された状態にある被洗浄物１３および搬送治具１３ａを、余熱乾燥槽６に搬入し、当該被洗浄物１３および搬送治具１３ａ自体が持つ余熱によって乾燥を加速させ、ＩＰＡ蒸気乾燥槽２におけるＩＰＡ蒸気雰囲気４への反復浸漬等の煩雑な操作を必要とすることなく、被洗浄物１３や搬送治具１３ａの表面における液滴の残留に起因する被洗浄物１３のシミ等の欠陥の発生を確実に防止する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板処理部が搬送路に沿って配列されている場合でも、基板搬送時間の増加を抑制または回避することができる基板処理装置および基板搬送方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、複数の処理ユニット６と、シャトルＳＴと、メインロボットＭＲと、ＭＲ移動機構７と、シャトル移動機構とを含む。複数の処理ユニット６は、それぞれ基板Ｗを１枚ずつ処理するためのものであり、搬送路Ｃ１に沿って配列されている。また、シャトルＳＴは、基板Ｗを待機させておくためのものであり、搬送路Ｃ１に沿って移動可能に設けられている。また、メインロボットＭＲは、シャトルＳＴと各処理ユニット６との間で基板Ｗを搬送するためのものであり、搬送路Ｃ１に沿って移動可能に設けられている。シャトル移動機構は、搬送路Ｃ１に沿ってシャトルＳＴを移動させる。また、ＭＲ移動機構７は、搬送路Ｃ１に沿ってメインロボットＭＲを移動させる。 （もっと読む）

【課題】液交換処理を伴うスケジュールであっても稼働率を向上させることができる。
【解決手段】液交換処理を開始する際には、液交換情報を薬液処理部ＣＨＢ２から制御部３１の液交換時間算出部３７に出力し、制御部３１の液交換時間算出部３７が最新液交換時間を算出する。この算出された最新液交換時間を考慮して、制御部３１のスケジューリング機能部３３が第１の再スケジュールを行い、さらに、実際に液交換処理が開始されて液交換処理が実際に完了した時点で、制御部３１のスケジューリング機能部３３が第２の再スケジュールを行う。したがって、液交換の態様により時間的に前後する、液交換処理の実際の時間を考慮して再スケジューリングを行うことができるので、液交換処理を伴うスケジュールであっても稼働率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】スケジュールに基づいて処理が実行中であっても、最優先で処理を行う必要があるロットを他のロットよりも優先的に処理できるようにスケジュールを再作成できる。
【解決手段】スケジュールに基づいて処理が実行されている時に、最優先で処理を行う必要があるロットの処理命令が入った場合、制御部は、処理命令が入った時刻において、処理中のロットについては安全に待機可能なリソース以降のスケジュールを一旦削除し、処理が開始されていないロットについてはスケジュールをすべて一旦削除し、削除によりできた空きスケジュールに優先で処理すべきロットのスケジュールをハードリンクで追加し、一旦削除したロットのスケジュールを加えて再スケジューリングを行う。これにより、処理中のロットの基板処理に影響を与えることなく、最優先で処理を行う必要があるロットを優先的に処理できるようにスケジュールを再作成できる。 （もっと読む）

【課題】基板の化学的変化を低減することができるスピン乾燥部を備える基板処理装置を提供する。
【解決手段】上部から第１の気体（例えばクリーンエアー）が導入されるスピン乾燥部４を備え、スピン乾燥部４が、基板７を保持する回転台９と、回転台９によって保持された基板９の中央及びその周辺部に第２の気体（例えば窒素ガス）を吹き付けるガス噴射部６と、回転台９を垂直軸周りに回転させる回転駆動部（例えばスピンドルモータ１０）と、前記回転駆動部の回転軸に取り付けられる同軸ファン１４とを有し、同軸ファン１４が回転すると、垂直方向下方に向かう気流が形成される基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスを行う場合であっても、処理効率の低下を抑制することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】薬液供給源１４には、第１循環配管ＣＰ１、第２循環配管ＣＰ２、第３循環配管ＣＰ３および第４循環配管ＣＰ４の両端が接続されている。第１循環配管ＣＰ１における第１処理部Ｐ１の流通方向の上流側の部分には、第１薬液バルブ２１が介装されている。第１循環配管ＣＰ１における第１薬液バルブ２１と第１処理部Ｐ１と間の部分には、第１純水配管２２の先端が分岐接続されている。第１循環配管ＣＰ１における第１処理部Ｐ１の流通方向の下流側の部分には、第１廃液配管２４が分岐接続されている。第１循環配管ＣＰ１における第１廃液配管２４の廃液分岐部分ＤＷ１には、第１の３方弁２５が介装されている。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を収容した搬送容器が載置されるロードポートと、搬送容器を保管する容器保管部と、を備えた基板処理装置において、ロードポートにおける搬送容器の受け渡し回数の増大を図ることができ、これにより基板を高いスループットで処理することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】横方向の位置が互いに異なる第１の搬送路１０２Ａ及び第２の搬送路１０２Ｂの各々に沿って、複数枚の基板を収容した搬送容器１０を搬送する第１の搬送装置１０４Ａ及び第２の搬送装置１０４Ｂを利用し、第１の搬送装置１０４Ａにより搬送容器１０の受け渡しが行われる第１のロードポート２１と、この第１のロードポート２１に対して階段状に設けられ、前記第２の搬送装置１０４Ｂにより搬送容器１０の受け渡しが行われる第２のロードポート２２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】処理槽から引き上げられた被処理体から立ち上る処理液の蒸気が、搬送駆動部の設けられた隔壁の他方側に侵入することを防止すること。
【解決手段】処理装置は、間隙２５を有する隔壁２８と、隔壁２８の一方側に配置され、被処理体Ｗｇを処理する処理液Ｃ１が貯留された処理槽３１と、隔壁２８の間隙２５を通過可能な支持部２１と、隔壁２８の他方側に設けられ支持部２１を移動させる搬送駆動部２３と、を有する搬送機構と、を備えている。隔壁２８の間隙２５には、間隙２５を覆う遮蔽部１２が設けられている。遮蔽部１２は、可塑性を有し、上下方向に延在する複数の延在遮蔽部１３を有している。 （もっと読む）

【課題】塗布ノズルから基板への液垂れの発生を抑えること。
【解決手段】 前記塗布ノズル５が待機するために、互いに隣接する液処理部３Ａ〜３Ｃ同士の間に中間待機位置６２，６３を設定し、各液処理部３Ａ〜３Ｃに搬入されたウエハＷに対して塗布液の供給を行うために、予め決められたウエハＷの搬入順序に沿って、前記塗布ノズル５を各液処理部３Ａ〜３Ｃの塗布位置に順次移動させると共に、塗布液の供給が終了した第１の液処理部と、次に塗布液の供給を行う第２の液処理部との間に、塗布液の供給が行われたウエハＷが置かれた第３の液処理部が介在するときには、そのウエハＷが当該第３の液処理部から搬出されるまで、前記第１の液処理部と第３の液処理部との間の中間待機位置で前記塗布ノズル５を待機させるようにその駆動を制御する。 （もっと読む）

【課題】完全に乾燥させる前の少なくとも一部に液体が付着している基板表面の性状を、基板全体を乾燥させることなく疎水性から親水性に改質することで、乾燥後にウォーターマークが発生することを極力抑制するとともに、ＩＰＡなどの有機溶剤の使用を削減できるようにする。
【解決手段】液体が付着した基板表面の一部の領域に液排除ガスを吹き付けて液体を該ガスで基板表面から排除した露出領域を形成するか、または基板表面の液体の一部を吸引して基板表面の一部の領域に液体を排除した露出領域を形成し、露出領域にプラズマ含有ガスを吹き付けて該露出領域に位置する基板表面の性状を疎水性から親水性に改質する。 （もっと読む）

【課題】複数の液処理モジュール間で共有されている共通用力系の負荷を抑えた処理装置等を提供する。
【解決手段】処理モジュール群は、基板に対して各々同一の処理を行うための多数の処理モジュールを、ｎ個（ｎ≧２）を１組としてｋ組（ｋ≧２）備え、各組の処理モジュールには各組の処理モジュールに対して共通化されると共にその最大能力がｍ個（ｍ≦ｎ）分の大きさの共通用力系が設けられている。搬送機構は各組の処理モジュールに基板を順次１個づつ搬入する動作を繰り返し、このとき（１）共通用力系が使用されている一の処理モジュールにおける処理が終了した後にその組の他の処理モジュールへ基板を搬入するか、または（２）当該一の処理モジュールの処理の終了を待たずに他の処理モジュールへ基板を搬入してから当該一の処理モジュールにおける処理が終了した後に他の処理モジュールの処理を開始する。 （もっと読む）

【課題】基板のフォトリソグラフィー処理前に、基板の周縁部に付着した付着物を適切に除去する。
【解決手段】洗浄装置１は、ウェハＷを保持して回転させるスピンチャック２０を有している。洗浄装置１には、内部に常温より高い温度の純水を貯留する浸漬容器３０が設けられている。浸漬容器３０のウェハＷ側の側面には、ウェハＷの周縁部Ｂを挿入するための側面開口部３３が形成されている。浸漬容器３０は、高温の純水でウェハＷの周縁部Ｂを浸すことができる。洗浄装置１には、ウェハＷの周縁部Ｂに常温より高い温度の洗浄液を所定の圧力で吹き付ける第１の洗浄液ノズル５０と第２の洗浄液ノズル５１が設けられている。これらノズル５０、５１から供給される洗浄液は、洗浄液供給部７０で純水と不活性ガスが混合された洗浄液である。 （もっと読む）

【課題】処理容器内にて被処理体を回転させながら処理する処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、処理源１５５を用いて内部にて基板Ｇを処理する処理容器１００と、処理容器１００の壁部に配設され、基板Ｇを処理容器内に搬入又は処理容器内から搬出する複数のバルブＶと、処理容器１００の底面に対して鉛直方向の中心軸Ｏを中心に点対称に配置され、処理容器内にて中心軸Ｏを中心に回転可能な複数のステージ１１０ａ，１１０ｂと、複数のステージ１１０ａ，１１０ｂを支持し、複数のステージ１１０ａ，１１０ｂのうちのいずれかのステージを複数のバルブのうちのいずれかの搬送口近傍まで回転させるタイミングに併せて、複数のステージ１１０ａ，１１０ｂのうちの他のいずれかのステージを複数のバルブＶのうちの他のいずれかのバルブＶの近傍まで回転させるステージ支持部材１１５と、を有する。 （もっと読む）