【課題】基板が支持部に支持されることに起因する基板の未処理部分をなくすことができ、処理液のミストの発生も防止することができる液処理方法を提供する。
【解決手段】処理液により基板の下面を処理する液処理方法において、回転可能に設けられた、基板を下方より支持する支持部に支持されている基板を、支持部に対する基板の相対角度位置が変わらないように回転させ、回転する基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する第１の処理工程Ｓ１１と、第１の処理工程Ｓ１１の後、支持部を回転させる回転部の回転数を変更することによって、相対角度位置を変更する位置変更工程Ｓ１４と、位置変更工程Ｓ１４の後、支持部に支持されている基板を、相対角度位置が変わらないように回転させ、回転する基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する第２の処理工程Ｓ１５とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板処理速度を向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、垂直姿勢で水平方向に積層された複数枚の基板Ｗに対して一括して処理を施す基板処理部２と、基板受け渡し位置Ｐ１，Ｐ２と基板処理部２との間で複数枚の基板Ｗを一括搬送する主搬送機構３と、フープＦに対して複数枚の基板Ｗを一括して搬出入するとともに、その複数枚の基板Ｗを水平姿勢と垂直姿勢との間で一括して姿勢変換させる搬出入機構４と、移載機構５と、第１および第２水平搬送機構６，７とを備えている。移載機構５は、移載位置Ｐ３において、搬出入機構４との間で基板Ｗを授受し、第１および第２水平搬送機構６，７との間で基板Ｗを授受する。第１および第２水平搬送機構は、それぞれ基板受け渡し位置Ｐ１，Ｐ２で、主搬送機構３との間で基板Ｗを授受し、移載位置と基板受け渡し位置Ｐ１，Ｐ２との間で基板Ｗを搬送する。 （もっと読む）

【課題】クリーン環境下で用いられる場合にもシステム全体を効率よく稼働させることが可能なワーク搬送システムを提供する。
【解決手段】ワーク搬送システムＡ１は、直線状に配列された３つのワーク収納室１（１Ａ〜１Ｃ）と、ワーク収納室１に隣接する搬送室２と、搬送室２に対し、ワーク収納室１とは反対側に隣接するワーク処理室３と、ワーク収納室１とワーク処理室３との間でワークＷを搬送するための搬送用ロボット４Ａ，４Ｂと、を備える。搬送室２には空間分離手段６Ａ，６Ｂが設けられている。搬送用ロボット４Ａ，４Ｂにより並行して２系統でのワークＷの搬送処理を行うことができる。クリーン環境下で使用する場合、一方の搬送用ロボット４が故障しても、搬送室２内を分離することにより、他方の搬送用ロボット４によるクリーン環境下でのワークＷの搬送処理を継続しつつ、故障した搬送用ロボット４の交換等を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板の上面側からガスを供給するとともに基板の下面側から処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する液処理装置において、トッププレートの位置を精度良く位置決めすることができる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの上面側からガスを供給するとともに基板Ｗの下面側から処理液を供給し、供給された処理液により基板Ｗの下面を処理する液処理装置２２において、上面に開口１０５を有する処理容器１００と、処理容器１００内に設けられ、基板Ｗの周縁部ＷＥを支持する支持部７０、７２と、昇降可能に設けられ、下降した状態で開口１０５を塞ぐ天板部１１０と、天板部１１０が下降する際に、処理容器１００に対する天板部１１０の相対位置を所定の位置に位置決めする位置決め機構１３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板への影響を低減しつつ良好な洗浄、乾燥処理を実行可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板処理装置２に設けられた洗浄槽２２１では、洗浄液供給部から洗浄液を供給しながら当該洗浄液に被処理基板Ｗを縦向きの状態で浸漬して洗浄が行われ、この洗浄槽２２１の上方領域と連通する乾燥室２１では、洗浄槽２２１から引き上げられた被処理基板Ｗの乾燥が行われる。そして、第１の乾燥ガス供給部及び第２の乾燥ガス供給部からは、洗浄後の被処理基板Ｗの上端が洗浄液の液面より上方に引き上げられた後、少なくとも被処理基板が晒される領域に、前記洗浄槽の上方領域から乾燥室内に至るまでの雰囲気に液体除去用の溶剤蒸気を含む第１の乾燥ガスと、前記溶剤蒸気を含まない第２の乾燥ガスとが交互に供給される。 （もっと読む）

【課題】ロットの処理不良を防止することができるとともに、ロット間における処理を均一化することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】薬液交換後から薬液処理部ＣＨＢ２に第２搬送機構ＷＴＲが到達した後、薬液処理部ＣＨＢ２にてロットの処理を開始した時間を計時部２７が計時し、その経過時間とオーバータイムカウントとを判断部２９が比較する。経過時間がオーバータイムカウントを超えたと判断部２９が判断すると、報知部３３がオーバータイムアラームを報知する。したがって、許容時間内にロットを薬液処理部ＣＨＢ２で処理開始できなかったことをオペレータは知ることができる。よって、ロットの処理不良を防止することができる。またオーバータイムアラームが発生しない場合には、薬液交換からロットの処理までを一定時間内に収めることができるので、ロット間における処理を均一化することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の清浄度を高めることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】第１処理室８および第２処理室９は、それぞれ、第１処理空間Ｓ１および第２処理空間Ｓ２を区画している。第２処理空間Ｓ２は、第１処理空間Ｓ１内に設けられ、第１処理空間Ｓ１に通じている。スピンチャック１０に保持された基板Ｗは、チャック昇降機構３６によって第１処理空間Ｓ１または第２処理空間Ｓ２に配置される。処理液供給機構１２は、第２処理空間Ｓ２で基板Ｗに処理液を供給する。第１処理空間Ｓ１および第２処理空間Ｓ２の気圧は、排気機構２３およびＦＦＵ２４によって、第１処理空間Ｓ１の気圧が第１処理空間Ｓ１の外の気圧よりも高く、第２処理空間Ｓ２の気圧が第１処理空間Ｓ１の気圧よりも低くなるように制御されている。 （もっと読む）

【課題】基板を清浄な状態で露光装置に搬入することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにより裏面洗浄された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１２により保持されて冷却ユニットＣＰに搬送される。冷却ユニットＣＰにより温度調整された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１により保持されて露光装置に搬送される。露光装置により露光処理された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１３により保持されて露光装置から基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送される。 （もっと読む）

【課題】薬液処理後の基板を水洗処理する場合に、純水の使用量を節減するとともに排液量を少なくすることができ、また処理時間を短縮し、さらに装置全体の省スペース化と製造コストの低減化が達成できる基板洗浄処理装置を提供する。
【解決手段】薬液処理後の基板Ｗに対し水洗処理を行う水洗処理室１０が、基板搬送方向において置換水洗領域２０１、水洗領域２０２および直水洗領域２０３にこの順に画定され、置換水洗領域２０１内に、入口ノズル１６と、高圧ノズル１８と、強制排出ノズル１００と、エアーノズル２２と、がそれぞれ配設される。置換水洗領域２０１内へ基板Ｗが搬入される前に入口ノズル１６、高圧ノズル１８および強制排出ノズル１００からの洗浄水の吐出を開始し、置換水洗領域２０１内から基板Ｗが搬出された後に入口ノズル１６、高圧ノズル１８および強制排出ノズル１００からの洗浄水の吐出を停止するように制御する。 （もっと読む）

【課題】基板の被洗浄面の半径方向に沿った各位置（領域）における洗浄強度を考慮して、基板の全被洗浄面をより均一な洗浄強度でスクラブ洗浄できるようにする。
【解決手段】ロール状洗浄部材２４の外周面を回転中の基板Ｗの被洗浄面に所定の接触幅で接触させて該被洗浄面をスクラブ洗浄する基板洗浄方法であって、洗浄部材２４によるスクラブ洗浄中の全過程の少なくとも一部において、洗浄部材２４の軸線Ｏ_５が基板Ｗの回転中心線Ｏ_４から接触幅の０．１４〜０．５倍離れたオフセット洗浄位置に該洗浄部材２４を配置してスクラブ洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】基板表面全体に均一性高く現像液の液膜を形成すると共に高いスループットが得られる塗布、現像装置を提供すること。
【解決手段】現像モジュールと、洗浄モジュールと、前記現像モジュールにより現像された基板を前記洗浄モジュールに搬送する搬送機構と、を備え、前記現像モジュールは、処理雰囲気を形成する気密な処理容器と、この処理容器内に設けられ、基板を載置し、冷却するための温調プレートと、前記処理容器内に現像液のミストを含む雰囲気ガスを供給する蒸気供給部と、前記温調プレートを、前記蒸気が基板上に結露する温度に調整するための温度調整部と、を備えるように塗布、現像装置を構成する。現像モジュールと洗浄モジュールとで並行して処理を行えるので、高いスループットが得られる。 （もっと読む）

【課題】シリコン層の露出部を含むパターンをプラズマエッチングによって形成する際に、副生成物の除去と残留フッ素の除去とをパターンに損傷を与えることなく行うことのできる基板のクリーニング方法及び基板のクリーニング装置を提供する。
【解決手段】基板上のパターンをプラズマエッチングにより形成した後に、基板の表面をクリーニングする基板のクリーニング方法であって、基板をＨＦガス雰囲気に晒して副生成物を除去する副生成物除去工程と、水素ガスと、炭素と水素を構成元素として含む化合物のガスとを含むクリーニングガスをプラズマ化して基板に作用させ、当該基板に残留したフッ素を除去する残留フッ素除去工程とを具備している。 （もっと読む）

【課題】２種類の薬液の混合液を用いて被処理基板から汚染物質を除去する処理にあたり、前記混合液による汚染物質の除去能の低下を抑制することが可能な基板処理装置などを提供する。
【解決手段】
処理槽２１には、被処理基板Ｗを浸漬し処理するための第１の薬液と、加熱されることにより、当該第１の薬液より蒸気圧が高く、被処理基板に対して不活性な物質を生成する第２の薬液と、の混合液が貯溜され、加熱部４１２は、処理槽２１内の混合液を加熱し、第１、第２の薬液供給部４３０、４２０は、混合液に第１、第２の薬液を補充供給する。制御部５は、混合液を第１の温度に加熱して被処理基板Ｗの処理を実行し、処理を行っていない期間中は、当該混合液の温度を第１の温度より高い第２の温度に加熱すると共に、加熱によって蒸発した混合液を補充するために、第１の薬液を補充供給するための制御信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】微細なレジストパターンが形成された基板からリンス液を除去する際にパターン倒れを防止でき、また、疎水化剤の使用量を低減し、基板処理を行う際の処理コストを低減できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】レジストパターンが形成された基板にリンス液を供給するリンス液供給工程Ｓ１２と、レジストパターンを疎水化する第１の処理液の蒸気を含む雰囲気で、リンス液が供給された基板からリンス液を除去するリンス液除去工程Ｓ１４〜Ｓ１６とを有する。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面に存在する有機物等の汚染物を高い効率で除去することができると共に、被処理物の表面の濡れ性を向上させることができ、被処理物の表面に高い密着性を有する薄膜を形成することができるドライ洗浄方法およびドライ洗浄装置を提供する。
【解決手段】被処理物１に大気圧プラズマを作用させることにより洗浄処理する第１洗浄工程と、この第１洗浄工程によって洗浄処理された被処理物１にエキシマランプから放射されたエキシマ光を照射することにより洗浄処理する第２洗浄工程とを有し、搬送される被処理物１に対して被処理物１の搬送方向の上流位置に大気圧プラズマ装置２０を配置し、被処理物１の搬送方向の下流位置にエキシマ光照射装置３０を配置する。 （もっと読む）

【課題】 アルカリ成分がオゾン洗浄液に混入することを抑制して、オゾン洗浄能力の低下が抑制できる洗浄方法を提供する。
【解決手段】 チャック部材で、予めオゾン洗浄槽内のオゾン洗浄液に浸漬していた他の被処理物を保持するに先立ち、搬送アームの一部およびチャック部材に付着したアルカリ成分を洗浄除去して、アルカリ成分がオゾン洗浄液に混入するのを抑制することを特徴とする洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】供給ノズルから大流量及び小流量で供給する処理液の流量を精度よく制御でき、小流量で処理液を供給するときの流量変動を防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に処理液を供給するノズル部４５と、ノズル部４５に処理液を供給する供給系７０とノズル部４５とを接続する供給流路６８ａを絞る絞り部１３２ａと、絞り部１３２ａの両側の供給流路６８ａ内の圧力を計測する圧力計測部１３２ｂと、供給流路６８ａ上に設けられた流量制御弁１３３と、流量制御弁１３３を制御する流量制御部１３４とを有する。流量制御部１３４は、第１の流量Ｆ１で処理液を供給するときは、絞り部１３２ａの両側の圧力差に基づいて流量制御弁１３３を制御し、第１の流量Ｆ１よりも小さい第２の流量Ｆ２で処理液を供給するときは、絞り部１３２ａの片側の圧力に基づいて流量制御弁１３３を制御する。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊及びウォーターマークの発生を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板保持回転部１００に複数の凸形状パターンを形成した半導体基板Ｗをほぼ水平に保持して回転させ、薬液を用いて前記半導体基板Ｗ表面を洗浄し、洗浄した前記凸形状パターン表面に撥水化剤を用いて撥水性保護膜を形成し、前記撥水性保護膜形成後に、酸性水又は希釈したアルコールを用いて、前記半導体基板Ｗをリンスし、リンスした前記半導体基板Ｗを乾燥させた後に、前記凸形状パターンを残存させて前記撥水性保護膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上を図り、不具合が発生した場合でも、装置全体の稼働率の低下を抑えることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】キャリアＣに対してウエハの受け渡しを行う搬入出アームＢを備えた基板搬入ブロックの後段側に、第１の処理ブロック３１と第２の処理ブロック３２と第３の処理ブロック３３とを順に配置する。基板搬入ブロックに、前記搬入出アームＢから第１の処理ブロック３１にウエハを受け渡すための受け渡しステージ（２１ａ ２１ｂ）と、第２の処理ブロックにウエハを受け渡すための受け渡しステージ２２と、第３の処理ブロックにウエハを受け渡すための受け渡しステージ２３と、を設け、受け渡しステージ２２上のウエハを第１直接搬送機構Ａ１により第２の処理ブロック３２に直接搬送し、受け渡しステージ２３上のウエハを第２直接搬送機構Ａ２により第３の処理ブロック３３に直接搬送する。 （もっと読む）

【課題】不具合が発生した場合でも、装置全体を停止することなく基板処理を継続できる可能性の高い基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板処理装置１は、基板Ｗを搬送するための第１、第２の基板搬送機構１４１ａ、１４１ｂと、当該基板搬送機構１４１ａ、１４１ｂの左右両側に各々設けられ、同一の処理が行われる処理ユニットの列Ｕ１〜Ｕ４と、を備えた第１、第２の処理ブロック１４ａ、１４ｂを備えている。処理ユニットの列Ｕ１、Ｕ３及び、他方側の処理ユニットの列Ｕ２、Ｕ４は各々共通化された処理流体の供給系３ａ、３ｂと接続されている。そしていずれかの基板搬送機構１４１ａ、１４１ｂ、処理流体の供給系３ａ、３ｂに不具合が発生すると、健全な基板搬送機構１４１ｂ、１４１ａ、処理流体の供給系３ｂ、３ａが受け持つ処理ユニットの列Ｕ１〜Ｕ４にて基板Ｗを処理する。 （もっと読む）