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Fターム[5F157AB82]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 移送の態様、搬入搬出口の配置 (583) | 搬入搬出口が乖離 (148)

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【課題】搬送途中で被処理体の表面が酸化したり汚染されるのを防止すること。
【解決手段】本発明では、被処理体(ウエハ2)に対して所定の処理を行う第1の処理室(たとえば、第1の洗浄室12)と第2の処理室(たとえば、第2の洗浄室13)との間で被処理体(ウエハ2)を搬送する搬送装置(搬送手段15)において、被処理体(ウエハ2)の表面に液体(36)を供給する液体供給口(34)と、前記液体供給口(34)から供給された液体(36)によって被処理体(ウエハ2)の表面を被覆した状態に保持するために被処理体(ウエハ2)の周縁上方に配置した液体保持具(33)とを有し、液体(36)で被処理体(ウエハ2)の表面を被覆した状態で被処理体(ウエハ2)を搬送することにした。 (もっと読む)


【課題】プラズマ発生部のメンテナンス作業を容易に行うことが可能なワーク処理装置を提供する。
【解決手段】このワーク処理装置Sは、供給される所定のガスをプラズマ化するプラズマ発生部18を有し、このプラズマ発生部18からプラズマ化したガスを放出するプラズマ発生装置6と、プラズマ発生部18の下方で処理対象であるワークWを支持する搬送装置2とを備え、ワークWに対してプラズマ化したガスを照射することにより所定の処理を施与するものであって、プラズマ発生部18がワークW上に位置するようにプラズマ発生装置6を据え付けるための据付枠4を備えている。そして、プラズマ発生装置6は、プラズマ発生部18がワークW上に配置される据付位置から水平方向に引き出し可能に据付枠4に対して取り付けられている。 (もっと読む)


【課題】純水使用量を節減しつつ研磨後のウェハに処理速度を高めた洗浄処理を施し、複数の洗浄処理槽を洗浄処理プロセス等に応じて、より最適な配列に入れ替え並べ替えることを可能とした装置構成の洗浄装置を提供する。
【解決手段】それぞれ複数の洗浄処理槽2a〜2d,2e〜2hを備えた洗浄ライン2A,2Bを下層及び上層の2段に構成するとともに、下層及び上層の各洗浄処理槽2a〜2hに対し、被処理ウェハを搬入する機能及び処理されたウェハを搬出する機能を持つ中央搬送手段6と、下層及び上層の各洗浄ライン2A,2Bにおいて隣合う洗浄処理槽へウェハを順次搬送する槽間搬送手段16と、上層の洗浄ライン2Bにおける精密洗浄を行う洗浄処理槽で使用した純水を、下層の洗浄ライン2Aにおける粗洗浄を行う洗浄処理槽に当該粗洗浄用の洗浄水として導入する導入手段とを具備する洗浄装置を提供するものである。 (もっと読む)


【課題】プラズマの放射状態を画像イメージとして取得した後、該画像イメージのピクセル情報を制御部で分析して、プラズマの放射状態をリアルタイムに観察することができるようにしたプラズマモニタリング装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマモニタリング装置は、プラズマモニタリング装置であって、電源を供給する電源供給部と、反応ガスを供給する供給ラインと、内部で発生するプラズマを処理対象物に向かって放射する放射ノズルとが形成されるプラズマ供給手段と、該プラズマ供給手段から放射されるプラズマの放射状態を画像イメージとして取得するカメラ部と、該カメラ部の画像イメージのピクセル情報を数値化させて得た測定値を正常的な放射状態の基準値と比較して、プラズマの放射状態を検査する制御部とを備えて達成される。
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【課題】簡単な構成で、インターロック機構の信頼性を向上させる。
【解決手段】除電部2は、メンテナンス用の開口部20aをもつチャンバ本体と前記開口部20aを開閉する蓋体21とを備えたチャンバ20を有し、このチャンバ20の内部に、基板に対して除電処理を施す軟X線式イオナイザ26を備える。この除電部2は、閉止位置にある蓋体21が開方向に操作されることにより作動する開閉スイッチと、この開閉スイッチの作動に基づき軟X線式イオナイザ26を強制的に停止させる制御装置とを備える。また、処理用チャンバ20の蓋体21には、当該蓋体21が前記閉止位置から開方向へ所定寸法以上変位するまで前記開口部20aを閉塞するためのリブ21bが設けられている。 (もっと読む)


【課題】照射効率の高い超音波照射装置を提供する。
【解決手段】音響レンズ32の内周部を円弧状に形成するとともに、外周部を内周部に沿って屈曲した多面体で構成し、外周部の各面36A、36B、36Cに平板状に形成された超音波振動子34A、34B、34Cを取り付ける。これにより、音響レンズ32の厚さ変化を少なくすることができ、超音波の透過効率を高めて、照射効率を高めることができる。 (もっと読む)


【課題】ナノバブルを効率よく発生させて基板の処理を良好に行なえるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を処理液によって処理する処理装置であって、
ナノバブルを発生させ、そのナノバブルを処理液に混合させるナノバブル発生手段を備え、ナノバブル発生手段は、内部に剪断室3が形成された気体剪断器2と、気体剪断器の軸方向の一端部に設けられ気体を剪断室に旋回させて供給する気体供給口6と、気体剪断器の一端部の外周面に設けられ処理液を剪断室に旋回させて供給し、気体との旋回速度の差によって気体からナノバブルを発生させる液体供給口7とによって構成されている。 (もっと読む)


【課題】平坦な基材を湿式でクリーニングまたはエッチングする装置及び方法を提供する。
【解決手段】基材9の導入口5及び導出口7を有するタンク3を含み、前記基材9を湿式クリーニングまたはエッチングするための装置1。このタンクはクリーニング液11を収容しており、気体環境13内に設置される。導入出口の少なくとも一方はタンク側壁に形成され、液面15よりも下方に位置する。タンク3内には、気体環境13内の圧力よりも低い圧力のガスで満たされた部分25が液11の上方に存在してもよい。本発明の方法は、前記装置を利用して、クリーニングまたはエッチング液に、液面よりも低いレベルで基材を導入、導出するステップから成る。 (もっと読む)


【解決手段】半導体ウエハの表面を洗浄するための方法が開示される。ウエハ表面上の汚染物質を除去するために、ウエハ表面に第1の洗浄溶液が適用される。第1の洗浄溶液は、ウエハ表面上の汚染物質の一部とともに除去される。次に、ウエハ表面に酸化剤溶液が適用される。酸化剤溶液は、残る汚染物質上に酸化層を形成する。酸化剤溶液は除去され、次いで、ウエハ表面に第2の洗浄溶液が適用される。第2の洗浄溶液は、ウエハ表面から除去される。この洗浄溶液は、酸化層を残る汚染物質とともに実質的に除去するように構成される。 (もっと読む)


【課題】流体混合ノズルを用いて疎水性ウェハの処理を行うことができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理液を供給する処理液供給手段66と,不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段67と,前記処理液に前記不活性ガスを混合し、不活性ガスによって圧力を加えられた処理液を基板に吐出する二流体混合ノズル65を備え,前記処理液によって基板を処理する基板処理装置であって,前記処理液供給手段66に,前記処理液の表面張力を低下させる流体と前記処理液とを混合する流体混合手段12を備えた。 (もっと読む)


【課題】基板表面の必要な範囲に均一なめっき処理を行うためのめっき前処理を確実に行うことができるようにする。
【解決手段】基板Wの表面に無電解めっきを施すに先だって、めっき前処理としての洗浄処理と触媒付与処理を行うにあたり、触媒付与処理によって基板W表面に触媒を付与する範囲より広範囲に洗浄処理を行う(触媒付与範囲S<洗浄範囲S)。触媒付与処理によって基板表面に触媒を付与する範囲は、例えば、基板W表面の均一にめっき処理を行う必要がある範囲と同じ範囲である。 (もっと読む)


【課題】簡易な構成であってかつフットプリントの小さい基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置1は、カセットC1,C2を載置するための載置ステージ10と、基板Wに洗浄処理を行う洗浄ユニットSS1,SS2と、搬送ロボットTRとを備えている。搬送ロボットTRは、搬送アーム45によってカセットC1から未処理の基板Wを取り出し、洗浄ユニットSS1(SS2)に搬入し、処理後の基板WをカセットC2に収納する。搬送ロボットTRは、基板Wを保持した搬送アーム45を反転させることができ、これによって基板Wの表裏を洗浄することができる。基板Wを反転させるためだけの特別な反転ユニットが不要となるため、装置のフットプリントを小さくすることができる。 (もっと読む)


本発明は、ウェハのスタックをマイクロ波チャンバ中に載置し、ウェハをマイクロ波に曝してウェハ間の水分を蒸発させることによって、ウェハのスタックから複数のウェハを個別に分離する方法に関する。
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【課題】
【解決手段】粒子状物質が付着した基板の表面を洗浄するための方法およびシステムは、結合要素を混入された液体の噴流を表面に衝突させることを特徴とする。結合要素に十分なドラッグ力が与えられることにより、結合要素は、液体に対して移動すると共に、粒子状物質を基板に対して移動させる。 (もっと読む)


シリコンウェーハーの表面処理する装置は、シリコンウェーハーを移送するための移送ローラと少なくとも1つの給送装置を有しており、その給送装置は移送ローラによって定められる移送平面内でシリコンウェーハーの表面を液状の処理媒体によって湿潤するために設けられており、給送装置は、移送平面内に配置された、シリコンウェーハーの下を向いた表面上に処理媒体を塗布するように形成されている。給送装置の周囲からガス状、および/または、霧状に分配された処理媒体を吸い出すために複数の吸引パイプが設けられており、吸引パイプが移送平面の垂直方向下方に配置されている。
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可動プラテンに搭載された基板(5)を清浄化する装置である。例示的な実施形態では、装置は、プラテンが基板を搬送するときに基板表面(5)を溶剤(7)で湿潤化する溶剤吐出ノズル(25)を有する第1のチャンバ(20)を備える。プラテンは、基板をプロセスチャンバの中へ搬送するときに、所定の方向へ所定の走査速度で移動する。プロセスチャンバは基板表面(5)から所定の高さ(h)に高温ソース(30)を有し、高温ソースは基板表面へ向けられた熱エネルギーを供給し、熱エネルギーが基板表面に吐出された溶剤(7)を蒸発させ、プラテンが基板を第1のチャンバ(20)からプロセスチャンバの中へ搬送するときに、溶剤蒸発が基板表面から微粒子(35)を除去する。清浄化された基板は、精密フォトマスク、又は、ウェハを含む。
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