【課題】 洗浄の高速化に確実に対応でき、しかも洗浄時の装置の振動を抑制でき、均一で効率的な洗浄を可能にする高圧水噴射洗浄装置を提供する。
【解決手段】 ケーシング３３の先端に高圧水噴射ノズルｎを設けたホルダー３０を備え、ケーシング３３の内部に回転自在に支持した支持軸２７を設け、この支持軸２７の先端側に軸心のずれた偏心部を形成し、この偏心部と前記支持軸２７とに軸受面が揺動可能な軸受２６を設け、この軸受２６に前記ホルダー３０の基部側を回転自在に支持し、ホルダー３０に高圧水チューブ３１を連結した高圧水噴射洗浄装置であって、高圧水噴射ノズルｎに３つの高圧水噴射孔ｎｋを設けている。 （もっと読む）

【課題】被処理体へのパーティクルの付着を抑制できる雰囲気清浄化装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷの位置する雰囲気にダウンフローを形成するＦＦＵ１５と、ウエハＷの位置する領域よりも上方位置に領域を挟んで対称に配置され、各々ダウンフローに対して正または負の一方に帯電した気体を供給する複数のイオナイザー５と、イオナイザー５の電極に印加されている電圧と同符号の直流電圧をウエハＷに印加する電源とを備え、イオナイザー５同士を互いに向き合わせた。この結果パーティクルに対して適切な静電斥力を作用させることができるので、微細なパーティクルであってもウエハＷへの付着を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ法による研磨によりポリシリコン膜等が半導体基板上に表出する場合であっても、信頼性や製造歩留まりの低下を防止し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】化学的機械的研磨法により研磨を行う工程であって、半導体基板上にポリシリコン膜が表出した状態になる工程と；半導体基板を洗浄する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、半導体基板を洗浄する工程は、酸性の第１の洗浄液を用いて洗浄を行う第１の工程Ｓ１０と；第１の工程の後に、第２の洗浄液を用いて超音波洗浄を行う第２の工程Ｓ１２と；第２の工程の後に、アルカリ性の第３の洗浄液を用いて洗浄を行う第３の工程Ｓ１３とを有している。 （もっと読む）

【課題】基板の表面及びベベル部並びに裏面の洗浄を行うことができる洗浄装置を提供すること。
【解決手段】洗浄装置１００は、裏面を下方に向けた状態の基板を裏面から支えて保持する２つの基板保持手段（吸着パッド２、スピンチャック３）を備え、支える領域が重ならないようにしながらこれらの基板保持手段の間で基板を持ち替える。洗浄部材（ブラシ５）は基板保持手段により支えられている領域以外の基板の裏面を洗浄し、２つの基板保持手段の間で基板が持ち替えられることを利用して基板の裏面全体を洗浄する。また基板がスピンチャック３により保持され、回転されるときに、基板の裏面の洗浄と合わせて、基板表面及びベベル部に夫々洗浄液を供給して、当該表面とベベル部の洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】搬送時間を軽減することによって、基板処理のスループットを向上させることを目的とする。
【解決手段】（＋Ｘ）方向に直線状に伸びる第１の基板処理セクション１０１および第３の基板処理セクション１０３の両側に搬送ユニット１３ａ，１３ｂ、搬送ユニット１９ａ，１９ｂをそれぞれ配置する。また、搬送ユニット１３ａ，１３ｂの走行路である搬送用路１３１ａ，１３１ｂの端部に、一対の塗布処理ユニット１４ａ，１４ｂが設けられる。そして搬送ユニット１３ａ，１３ｂは、基板９０を塗布処理ユニット１４ａ，１４ｂにそれぞれ搬入する。当該搬入された基板９０は、搬送ユニット１５によって搬出される。また、搬送ユニット１３ｂは、搬送ユニット１３ａに対して、所定の動作数分遅れて、相同の搬送動作を行う。 （もっと読む）

【課題】被処理物の処理スピードを高め、しかもランプハウスへの白粉の付着によって処理ムラ等が発生することを防止できる紫外光洗浄装置を提供する。
【解決手段】ランプハウス３０には、紫外線ランプ３２群全体を四周から囲んで下面側を開放させた開放ハウジング３３が設けられている。開放ハウジング３３の天井部には、例えばステンレス板に１〜３ｍｍの孔を多数形成した多孔のガス拡散板３５を配置してあり、ここから清浄な窒素ガス（不活性ガス）を供給して、紫外線ランプ３２の周囲からワークＷの紫外線照射空間Ｘにかけて全体が窒素で満たされ、酸素がほとんど存在しない不活性ガス雰囲気に維持される。 （もっと読む）

【課題】基板面内により均一に処理を施すと共にスループットの向上を図る。
【解決手段】基板処理装置１は、基板２を水平搬送しながらその上面に現像液の液層Ｘを形成するための液ノズル１６と、基板２上に形成された液層Ｘを除去するための除去手段とを備える。この除去手段は、基板２を横断するように設けられて該基板２の上面に向かってエアを吐出するエアナイフ１８と、該エアナイフ１８によるエア吐出位置よりも基板２の後端側に隣接する位置に配置され、前記エアの吐出時に生じる液層Ｘの波打ちを抑える波消し部材２０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で処理槽の中央部と壁側との超音波出力を調節可能にし、超音波振動子ごとに超音波出力を調整して音圧分布の均一化を図る超音波処理装置を提供する。
【解決手段】超音波発振器より超音波出力を入力することが可能な超音波振動子３を処理液２で満たされた処理槽１０底面の輻射板１２に外側底部の設置面１２ｂから配置させて励振させることで処理液２中の被洗浄物１を洗浄する超音波洗浄装置であって、処理槽１０の輻射板１２に中央の中央部Ａ及びその周囲の壁側Ｂからなる設置面１２ｂを設定し、この設置面１２ｂ内で処理槽１０の洗浄状態に応じて、超音波発振器により中央部Ａに低い超音波出力を入力して励振させる超音波振動子３Ａと、壁側Ｂに高い超音波出力を入力して励振させる超音波振動子３Ｂとを各々分けて備える。 （もっと読む）

【課題】廃液処理の問題がなく設備費などを抑えながら、清浄効率や効果に優れた表面清浄化方法及び装置を提供する。
【解決手段】水中燃焼による表面清浄化方法であり、被洗浄物を保持しかつ被洗浄物表面を冠水ないしは水中に浸すとともに、燃焼炎を被洗浄物表面に該表面上の水を排除しながら照射し、該燃焼炎及び該燃焼炎にて発生する活性種に被洗浄物表面を曝すことにより該被洗浄物表面の汚染物を除去するようにした。また、前記燃焼炎は、保炎器を介して前記被洗浄物側へ照射されるとともに、前記被洗浄物が所定温度となるよう制御されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】被除塵体に付着した塵埃を確実に除去することのできる除塵装置及び除塵方法を提供すること。
【解決手段】外周面が接着力を有するピックアップローラ１２と、このピックアップローラ１２に接着した塵埃を除去する転着ローラ１３と、当該転着ローラ１３を介してピックアップローラ１２を回転させる駆動手段１５と、ピックアップローラ１２の両側に配置された第１及び第２の除電手段１６、１７とを備えて防塵装置１０が構成されている。被除塵体となるテーブルＴは第１の除電手段１６により除電された後にピックアップローラ１２により塵埃が除去され、その後に、第２の除電手段１７により更に除電される。 （もっと読む）

【課題】照射効率の高い超音波照射装置を提供する。
【解決手段】超音波振動子３４から発生させた超音波を音響レンズ３２でライン状に集束させて、供給される洗浄液に照射することで被洗浄基板を洗浄する超音波洗浄装置１０において、音響レンズ３２は、表裏面のうち一方面が円弧状、他方面が平面状の凹型レンズに形成され、他方面に超音波振動子３４が設けられるとともに、複数の部材３２ａ、３２ｂ、３２ｃを音響レンズ３２の平面方向で組み合わせて形成されており、複数の部材３２ａ、３２ｂ、３２ｃは各々、前記表裏面の間の厚さが前記超音波の波長の１／２の整数倍で形成される。 （もっと読む）

【課題】洗浄液のランニングコストを低減する洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄液を循環させながら基板を洗浄する洗浄槽と、洗浄槽の排気中に含まれる気化している洗浄液を液化する凝縮器と、凝縮器により液化された洗浄液を洗浄槽に還流する還流手段とを備える。前記洗浄液は炭酸エチレンを含み、凝縮器は空気を冷媒としてもよく、気化している洗浄液の液化に伴って熱気として排出する。前記洗浄装置は、さらに、前記凝縮器から排出される熱気を、洗浄液の固化防止用熱源として洗浄装置の所定箇所に供給する。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板洗浄装置及び方法を開示したものであり、基板の移動方向と直交する方向に対して傾斜してブラシを配置し基板を洗浄処理することを特徴とする。
前記特徴によると、基板の洗浄效率を向上させ、基板の移動安全性を向上させ、洗浄液のチャンバ外部への漏出を抑制する基板洗浄装置及び方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】搬入禁止であった処理室のエラーが解除された場合、搬送経路を最適化する。
【解決手段】処理システムは、プロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２とロードロックモジュールＬＬＭ１、ＬＬＭ２と装置コントローラＥＣとマシーンコントローラＭＣとを有する。ＥＣは、処理システム内のウエハの搬送と処理を制御する。ＥＣの搬送先決定部は、正常に稼働しているＰＭ１、ＰＭ２に対してウエハが順番に搬送されるようにウエハの搬送先を定める。ＥＣの退避部は、ＰＭ２に異常が発生した場合、異常ＰＭ２を搬送先と定め、かつ異常ＰＭ２に未だ搬入していないウエハＰ１２を、一旦、カセット容器Ｃに退避させる。ＥＣの搬送先変更部は、異常が発生していたＰＭ２のエラーが解除されたとき、カセット容器Ｃから最先に搬出予定のウエハＰ１４の搬送先を搬入禁止が解除されたＰＭ２に変更する。 （もっと読む）

【課題】異常発生時に退避させたウエハの新たな搬送先のＰＭにて直前に実行される処理の内容が所定の場合、新たな搬送先への搬送を禁止する。
【解決手段】処理システム１０は、ＰＭ１、ＰＭ２とＬＬＭ１、ＬＬＭ２とＥＣ２００とＭＣ１００とを有する。ＥＣ２００は、処理システム内のウエハの搬送と処理を制御する。ＥＣ２００の搬送先決定部２５５は、正常ＰＭに対してウエハが順番に搬送されるようにウエハの搬送先を定める。退避部２６０は、ＰＭに異常が発生した場合、異常ＰＭを搬送先と定め、かつ異常ＰＭに未だ搬入していないウエハを、一旦、カセットステージＣＳに退避させる。搬送禁止部２６５は、退避ウエハの搬送先が新たに定められた場合、新たな搬送先のＰＭにて退避ウエハを処理する直前に実行される処理が所定の条件を満たしているとき、新たな搬送先に退避ウエハを搬送することを禁止する。 （もっと読む）

【課題】
ウェーハを効率的に洗浄、枚葉化するとともに、ウェーハ表面の加工の際にウェーハに欠損や割れを生じさせない面取り機能つき洗浄装置を提供すること。
【解決手段】
剥離洗浄部１０と端面研削部２０と洗浄収納部３０とが設けられた面取り機能つき洗浄装置１により、ウェーハＷの洗浄、枚葉化、端面研削、再洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによって水素が離脱して硬化（炭化）したレジストを除去可能とする。
【解決手段】プラズマ発生ノズル３１からプラズマ化したガスを照射することで、ウエハＷに残存したレジストを分解・燃焼させて除去するにあたって、前記ウエハＷを搬送手段Ｃによって浸漬槽Ｔに貯留された純水８０中を通過させるようにし、前記ウエハＷが純水８０に浸漬された状態でプラズマ照射を行う。これによって、水酸基ラジカルを効率良く発生させ、前記水酸基ラジカルによって、前記硬化（炭化）したレジスト表面に水素を供給して改質した上で、その表面を含めて総てのレジストを分解・燃焼させて除去することができる。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板表面に対するケミカル処理方法および装置を提供する。当該ケミカル処理方法は、ホルダー２を用いて、処理対象である半導体基板４の下面と化学溶液槽１に収容される化学溶液５の液面との間に一定の距離を有するように、半導体基板４を化学溶液５の上方に放置し、噴射装置３によって半導体基板４の下面に向け化学溶液５を噴射することで、当該下面にケミカル処理を施す方法である。当該装置は、化学溶液５を収容する化学溶液槽１と、半導体基板４を化学溶液５の上方に放置するためのホルダー２と、半導体基板４の下面に向け化学溶液５を噴射するための噴射装置３とを備える。当該方法によれば、半導体基板の一方の表面のみにケミカル処理を施すことができるとともに、他方の表面に如何なる保護も必要としない。
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【課題】基板を垂直に起立させた状態で基板の両面にエッチング液を流して基板をエッチングする基板エッチング装置及び基板の処理方法を提供する。
【解決手段】基板を垂直に起立させた状態に保持する基板垂直保持部と、垂直に起立させた基板の上端にエッチング液を噴射してエッチング液が基板の表面を流れ落ちるようにするエッチング液噴射部と、を含み、エッチング液噴射部は、基板の両側にそれぞれ具備させて基板の両面に同時にエッチング液を噴射することを特徴とする基板エッチング装置。 （もっと読む）

【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、点状の吹出し口を有する低コストで制御が容易な小径のプラズマ発生ノズルを用いても、広い面積の被照射対象物に均等なプラズマ照射を行えるようにする。
【解決手段】プラズマ発生ノズル３１の先端に、前記点状の吹出し口を長手状の吹出し口３８７に変換するアダプタ３８を装着し、さらに複数のプラズマ発生ノズル３１を覆うカバー部材９３を設け、そのカバー部材９３とワークとの間に狭小な空間を形成し、吹出し口から吹出され、ワークに当って跳ね返されたプラズマを再び押し返して、前記空間内に滞留させるようにする。したがって、広い面積のワークに均等なプラズマ照射を行うことができるとともに、前記空間でプラズマの冷却を抑え、比較的長い時間プラズマを生存させることができ（消失する割合が小さくなり）、照射効率を高めることができる。 （もっと読む）