【課題】基板搬送に要する時間を短くすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ＦＯＵＰ搬送ロボット２０は、複数枚の基板が収納されたＦＯＵＰ８０をロードポート１０とＦＯＵＰ載置台３０との間で搬送する。インデクサロボット４０は、ＦＯＵＰ載置台３０に載置されたＦＯＵＰ８０に収納された基板Ｗ（未処理基板）を基板受渡部５０を介して洗浄処理部６０に渡すとともに、洗浄処理部６０でスクラブ洗浄処理された基板Ｗ（処理済み基板）を基板受渡部５０を介して受け取ってＦＯＵＰ８０に収納する。ＦＯＵＰ載置台３０は、インデクサロボット４０の周囲に複数個設けられる。したがって、インデクサロボット４０は基板Ｗを搬送するにあたって水平方向に沿って移動する必要がない。これによって基板搬送に要する時間を短くすることができる。 （もっと読む）

【課題】装置の省スペースを実現しつつ、基板の端面の汚染に起因した問題（欠陥の発生、トラックや露光装置へのクロスコンタミネーション等）を回避できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板の端面を洗浄する端面洗浄処理ユニットＥＣを備える洗浄処理部９３を、インデクサブロック９に配置する。インデクサブロック９に設けられたインデクサロボットＩＲは、カセットＣから取り出した未処理基板Ｗを、処理部である反射防止膜用処理ブロック１０に搬送する前に洗浄処理部９３に搬送する。洗浄処理部９３においては、基板Ｗの端面および裏面を洗浄する。すなわち、端面および裏面が汚れた基板Ｗが処理部に搬入されることがないので、基板の端面や裏面の汚染に起因した問題を回避できる。 （もっと読む）

【課題】異物の除去効率の低下を防止することができる洗浄用ローラおよびこの洗浄用ローラを備えた洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄用ローラ１は、円柱状のロール体１１と、このロール体１１の外周面に設けられた複数の突起部１２とを有する。各突起部１２は、平面楕円形状である。複数の突起部１２は、前記楕円の長軸が、ロール体１１の中央部を通り、円柱状のロール体１１の中心軸Ｂと直交する軸線Ａに対し一方向に傾斜するとともに、千鳥状に配置された第一の突起部群１３と、軸線Ａに対し、前記一方向とは異なる他の一方向に沿って前記楕円の長軸が傾斜するとともに、千鳥状に配置された第二の突起部群１４とで構成されている。第一の突起部群１３の傾斜方向と、および第二の突起部群１４の傾斜方向とは、軸線Ａを挟んで対称である。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハに付着した不純物に対する洗浄力を向上させることができるシリコンウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】マイクロバブル生成装置５０がマイクロバブルを洗浄液内に生成し、スプレーノズル１２にマイクロバブルを含む洗浄液（マイクロバブル含有洗浄液）を圧送し、スプレーノズル１２から洗浄タンク１１内に載置された複数のシリコンウェハＷに均一に噴霧状のマイクロバブル含有洗浄液を吹き付けてシリコンウェハＷをスプレー洗浄する。また、洗浄液供給装置２３にマイクロバブル含有洗浄液を圧送し、洗浄液供給装置２３から噴霧状のマイクロバブル含有洗浄液をスクラビングブラシ２２に供給し、一方順次スプレー洗浄装置１０によって洗浄されたシリコンウェハＷを搬送し、各スクラビングブラシ２２のニップ部においてマイクロバブル含有洗浄液の存在下でブラシ２５によってシリコンウェハＷをブラシスクラビング洗浄する。 （もっと読む）

【課題】基板の洗浄に際して、洗浄ブラシへのパーティクルの蓄積による洗浄効果の低下を防止する。
【解決手段】研磨後の半導体基板４の被研磨面上に２つの円筒型の洗浄ブラシ１１，１２を並列に配置するとともに、それら２つの洗浄ブラシ１１，１２のうち、一方の洗浄ブラシ１１を半導体基板４に接触させ、かつ他方の洗浄ブラシ１２を半導体基板２から離して一方の洗浄ブラシ１１に接触させた状態で、一方のノズル１７から洗浄液１９を供給しつつ半導体基板４の洗浄を行なう。 （もっと読む）

【課題】真空装置を用いることなく、大気中で基板表面の清浄化処理を行うことができ、またプラズマクリーニングによることなく、基板表面の自然酸化膜あるいは有機物を除去できるようにする。
【解決手段】基板表面の全面または一部に不活性ガスを供給して酸素遮断ゾーン１０６を形成する不活性ガス供給部１２と、基板表面を所定温度に維持する加熱部１６と、酸素遮断ゾーン３０に清浄化ガスを供給して基板表面を清浄化する清浄化ガス供給部１４を有する。 （もっと読む）

【課題】早期乾燥を阻止する装置、システム、及び方法
【解決手段】製造工程間における基板の表面の早期乾燥を阻止するための装置、システム、及び方法は、洗浄のために基板を受け取ることと、１つ又は２つ以上の製造工程中に残された汚染物質及び製造ケミストリを基板の表面から除去するために基板の表面に対して湿式洗浄工程を実施することと、飽和ガスケミストリを特定することと、その特定された飽和ガスケミストリを、移行領域内において飽和ガスケミストリに曝露される基板の表面が湿気を保持して基板の表面の早期乾燥を阻止するように、移行領域内において適用することとを含む。飽和ガスケミストリは、２つの相次ぐ湿式洗浄工程間において適用される。 （もっと読む）

【課題】ベベル部の汚染に起因する基板の処理不良の発生を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、ベベル処理ブロック１０、反射防止膜用処理ブロック１１、レジスト膜用処理ブロック１２、現像処理ブロック１３、レジストカバー膜用処理ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。ベベル研磨部５０では、ベベル研磨ユニットにより基板Ｗのベベル部に研磨処理が施される。それにより、基板のベベル部に付着する汚染物が確実に取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】搬送物通過用開口部が形成された境界部を介して直列に隣接配置された複数のクリーンルーム内を連続搬送される平面状の搬送物の除塵方法及び装置において、平面状の搬送物への異物付着による欠陥を抑制して高得率で製造することができる搬送物の除塵方法及び装置を提供する。
【解決手段】搬送物通過用開口部４０が形成された境界部を介して直列に隣接配置された複数のクリーンルーム１、２内を連続搬送される平面状の搬送物１５の除塵方法において、搬送物通過用開口部４０の位置に、搬送物１５の表裏面のうち一方面をローラ５０で支持しながら、該ローラ５０に対向配置された加圧風噴出装置４８により搬送物１５の他方面に気体を吹き付けて搬送物１５に付着した異物を風圧により除去する除塵工程を設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の大口径化が進んでも高い洗浄能力が維持できる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１０上に被研磨膜１３を形成する工程と、被研磨膜１３を研磨する工程と、研磨により形成された研磨面S1の少なくとも一部領域Iをエッチングする作用のある酸性の第１洗浄液に研磨面S1を曝す第１のステップと、該第１のステップの後、アルカリ性の第２洗浄液に研磨面S1を曝す第２のステップとを行うことにより、研磨面S1を洗浄する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】基板処理におけるスループットの低下が抑制されつつ、露光装置内の汚染が十分に防止されるとともに、小型化が可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、レジストカバー膜用処理ブロック１２、現像処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５およびインターフェースブロック１６を含む。これらのブロック９〜１６は上記の順で並設される。インターフェースブロック１６に隣接するように露光装置１７が配置される。露光装置１７においては、液浸法により基板Ｗの露光処理が行われる。洗浄／乾燥処理ブロック１５は、洗浄／乾燥処理部８０を有する。洗浄／乾燥処理部８０には、基板の表面および端部を洗浄する表面端部洗浄／乾燥ユニットが設けられる。 （もっと読む）

【課題】 パーティクル管理用基板及び電子デバイス製造ラインのパーティクル発生管理方法に関し、ウェーハプロセスの変動に起因するブラシスクラブ工程におけるパーティクルの発生状況の把握を精度良く且つ低コストで行う。
【解決手段】 基板１上に複数の区画領域２を設けるとともに、各区画領域２において規則的に配列した凹凸パターン３を設ける。 （もっと読む）

【課題】被加工物を保持するチャックテーブルの保持面に付着している塵埃等を確実に除去することができる清掃装置を備えた加工機を提供する。
【解決手段】チャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に移動可能に支持されたローラ支持枠体２１と、ローラ支持枠体に回転可能に支持された第１の粘着ローラ２２と、第１の粘着ローラと接触して配設されローラ支持枠体に回転可能に支持され第１の粘着ローラの粘着力より大きい粘着力を有する第２の粘着ローラ２３と、ローラ支持枠体を第１の粘着ローラがチャックテーブルの保持面に接触する作用位置と保持面から離隔する退避位置に移動させる進退手段２４と、ローラ支持枠体をチャックテーブルの保持面と平行に移動させる移動手段２５とからなる。チャックテーブル上の塵埃は第１の粘着ローラの外周面に粘着し、さらに第１の粘着ローラに粘着した塵埃は第２の粘着ローラの外周面に粘着転移する。 （もっと読む）

【課題】境界面の工学設計のための制御雰囲気システム
【解決手段】１つまたは複数の湿式基板処理モジュールに結合された実験室雰囲気制御搬送モジュールを含むクラスタアーキテクチャ。実験室雰囲気制御搬送モジュールと、１つまたは複数の湿式基板処理モジュールとは、第１の雰囲気環境を管理する。クラスタアーキテクチャは、実験室雰囲気制御搬送モジュールおよび１つまたは複数のプラズマ処理モジュールに結合された真空搬送モジュールを有する。真空搬送モジュールと、１つまたは複数のプラズマ処理モジュールとは、第２の雰囲気環境を管理する。真空搬送モジュールおよび１つまたは複数の雰囲気処理モジュールに結合された制御雰囲気搬送モジュールは、第３の雰囲気環境を管理する。クラスタアーキテクチャは、したがって、第１、第２、または第３の雰囲気環境のいずれかにおけるおよび関連の移行の最中における基板の制御式処理を可能にする。実施形態は、また、基板のトレンチを充填するための効率的な方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】装置のイニシャルコスト、ランニングコストを低くでき、広い設置スペースを必要とせず、短い処理時間で銅又は銅合金による回路配線を形成でき、且つクロスコンタミネーションの原因となるエッジ・ベベル部に銅膜が残ることのない半導体基板処理装置を提供する。
【解決手段】回転軸線を中心に回転する回転部材と、回転部材の前記回転軸線を中心とした同一円周方向に沿って配置され該回転部材の回転に伴って公転する保持部材とを有し、保持部材は、該保持部材の軸心を中心に回動するように構成された回転保持装置で保持した半導体基板を洗浄する洗浄ユニットを有する。 （もっと読む）

【課題】平流し方式において被処理基板に気体を吹き付ける乾燥処理に際して基板表面より発生するミストの基板への再付着を効果的に防止して、処理品質を向上させる。
【解決手段】この乾燥処理室Ｍ5は隔壁１９４により搬送方向に沿って２つの室Ｍ5a，Ｍ5bに分割されており、隔壁１９４には搬送路１１４上の基板Ｇがわずかな隙間を空けて通り抜けできる開口部１９２が設けられている。搬送路１１４上で基板Ｇが隔壁１９４の開口部１９２を通り抜ける時、基板Ｇと開口部１９２との間にはわずかな隙間Ｋが形成され、この隙間Ｋを通って下流側の高圧室Ｍ5bから上流側の低圧室Ｍ5aに向って空気流Ａが吹き抜けることにより、基板Ｇの表面に付着している液Ｒa，Ｒbは空気流Ａの風圧によって基板後方へ払い落とされると同時に、一部がミストｍとなって上流側の室Ｍ5a内で飛散ないし拡散する。 （もっと読む）

【課題】各スピンドルの保持回転部による基板の周縁部を保持する保持力を均等にでき、保持した基板の回転を安定させることができる基板保持回転機構を提供すること。
【解決手段】基板Ｗの周縁部を保持し回転する複数のスピンドル５０を、各々二本ずつのスピンドル５０からなるスピンドル群５３，５４として基板保持位置の対向する両側部に配置し、各スピンドル群５３，５４が取り付けられたベース部材１７，２５を基板保持位置の両側部で直線移動させる第１移動機構１０と第２移動機構２０を備えると共に、第１移動機構１０にベース部材１７を水平面内で回動自在にする回動機構を設けた。これにより、スピンドル群５３，５４が基板Ｗを保持する際に、回動機構によってベース部材１７が回動して、その上のスピンドル５０，５０が基板Ｗの周縁部を保持する保持力が自動調整されて互いに均等になる。 （もっと読む）

【課題】基板表面の必要な範囲に均一なめっき処理を行うためのめっき前処理を確実に行うことができるようにする。
【解決手段】基板Ｗの表面に無電解めっきを施すに先だって、めっき前処理としての洗浄処理と触媒付与処理を行うにあたり、触媒付与処理によって基板Ｗ表面に触媒を付与する範囲より広範囲に洗浄処理を行う（触媒付与範囲Ｓ_１＜洗浄範囲Ｓ_２）。触媒付与処理によって基板表面に触媒を付与する範囲は、例えば、基板Ｗ表面の均一にめっき処理を行う必要がある範囲と同じ範囲である。 （もっと読む）

シリコンウェーハーの表面処理する装置は、シリコンウェーハーを移送するための移送ローラと少なくとも１つの給送装置を有しており、その給送装置は移送ローラによって定められる移送平面内でシリコンウェーハーの表面を液状の処理媒体によって湿潤するために設けられており、給送装置は、移送平面内に配置された、シリコンウェーハーの下を向いた表面上に処理媒体を塗布するように形成されている。給送装置の周囲からガス状、および／または、霧状に分配された処理媒体を吸い出すために複数の吸引パイプが設けられており、吸引パイプが移送平面の垂直方向下方に配置されている。
（もっと読む）

多孔性パッド（５００）用の回転可能なベース（１００）は、基板全体にわたるベース（１００）における液体の改善した流れの分散を提供する開口部（１２６、１３０、１３４）を有する。回転可能なベース（１００）は、２個構成成形型から成形され得、成形工程を容易にするために、開口部（１２６、１３０、１３４）は、抜き勾配を有することができる。
（もっと読む）