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Fターム[5F157BA14]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 工具、ブラシ、又は類似部材による清浄化 (892) | 摺接方式 (234) | 回転式 (194) | 横回転(回転軸が被清浄面と平行) (83)

Fターム[5F157BA14]に分類される特許

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ブラシボックス内に配置された円柱状ローラの処理表面をコンディショニングするための方法および装置を記載する。一実施形態では、ブラシボックスを記載する。ブラシボックスは、内部容積を有するタンクと、内部容積内に少なくとも部分的に配置された1対の円柱状ローラであって、円柱状ローラの各々が、それぞれの軸の周りを回転可能である、1対の円柱状ローラと、円柱状ローラが近接している第1の位置と円柱状ローラが互いに間隔を空けて離れている第2の位置との間でそれぞれの円柱状ローラを移動させるために円柱状ローラの各々に連結されたアクチュエータアセンブリと、円柱状ローラの各々のためのコンディショニング装置であって、各コンディショニング装置が内部容積内に配置されたコンディショナを含み、ローラが第2の位置にあるときに、コンディショナが円柱状ローラの各々の外側表面と接触する、コンディショニング装置とを含む。
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【課題】 本発明は、研磨工程由来の有機残渣除去性能、銅配線の腐食抑制効果(銅腐食抑制効果)に優れ、かつ腐食防止剤が残留しない銅配線半導体用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 有機アミン、4級アンモニウム化合物、ウレア基またはチオウレア基を含有する化合物、および水を必須成分とし、pHが7〜12であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤である。 (もっと読む)


本明細書で説明される諸実施形態は、ブラシ洗浄モジュールに利用できるローラアセンブリに関する装置および方法に関する。一実施形態では、ローラアセンブリが説明される。このローラアセンブリは、基板の周辺部に沿って基板の主要面と接触するように適合された少なくとも2つのほぼ平行に対向する側壁を有する環状溝を含み、対向する側壁のそれぞれは、基板の周辺部の厚さ未満の予圧寸法を有する圧縮性材料を含む。
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【課題】洗浄工程における洗浄性能の向上と、被洗浄体に与えるダメージの低減とを図る。
【課題手段】
スポンジローラ1は、湿潤状態で弾性を有するポリビニルアセタール系樹脂多孔質素材によって構成され、略円筒形状のロール体3と、ロール体3の外周面3a上に一体形成された複数の突起5とを有し、これら複数の突起5を被洗浄面に回転接触させて被洗浄面を洗浄する。スポンジローラ1を構成するポリビニルアセタール系樹脂は、アニオン性官能基を有する。 (もっと読む)


【課題】大面積極薄ウェハを洗浄するのに適したスクラブ洗浄装置を提供すること。
【解決手段】このスクラブ洗浄装置は、極薄ウェハ7の外周縁部が保持されてウェハを水平の状態で回転可能に支持する支持部材8と、支持部材を所定の回転数で回転させる駆動部と、ウェハ表面上に配置されかつウェハ表面に対して平行な回転軸を有するロールブラシ9と、ウェハ表面へ洗浄液10を供給する供給部を備え、ウェハ裏面側へ向け水流等の液体を噴射してウェハ表面の平面状態を維持させるウェハ平面維持手段としてのノズル11が設けられていることを特徴とする。そして、この装置によれば、ウェハ中心部に洗浄液が溜まり易いスクラブ洗浄中においても、ウェハ平面維持手段の作用によりウェハ表面の平面状態が維持されるため良好なスクラブ洗浄を安定して行うことができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、材料、粒子、または化学物質を基板から除去するためのブラシまたはパッドを作製する方法および材料を提供する。
【解決手段】ブラシまたはパッドは、多孔性パッド材料を支持するための回転可能ベースを含む。ベースは、内表面および外表面を含み、かつ多孔性パッド材料をベースと互いにかみ合わせるための複数のチャネルをベースに含む。多孔性パッド材料は、ベースの外表面の少なくとも一部を覆い、材料を様々な基板から除去するために使用される。多孔性パッド材料は、ベースのチャネルの1つまたは複数を充填し、多孔性パッド材料をベースと互いにかみ合わせる。チャネルは、ベースの前記内表面を外表面と流体接続し、多孔性パッド内における多孔性パッドノードの位置合わせおよび流体の分布を補助することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】改善されたイメージ品質を有するエピタキシャル被覆されたシリコンウェハ並びにエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの適切な製造方法の提供
【解決手段】丸められたエッジを備えたシリコンウェハのグループを準備する工程、前記シリコンウェハのエッジをポリシングする工程、前記シリコンウェハを洗浄する工程、欠陥及びエッジラフネスに関してシリコンウェハのグループのエッジ領域を調査し、前記シリコンウェハのグループから、10〜80μmの空間波長領域に関して1nm RMSよりも低い表面粗さを有するシリコンウェハを選択する工程、選択されたシリコンウェハを枚葉型エピタキシー反応器中で前処理し、その際、第1の工程で水素雰囲気中で1〜100slmの流量で処理を行い、更に第2の工程でエッチング媒体を0.5〜5slmの流量で前記水素雰囲気に添加し、ガス分配装置を用いて反応室中で分配する工程、前記シリコンウェハをエピタキシャル被覆する工程を有するエピタキシャル被覆されたシリコンウェハの製造方法 (もっと読む)


【課題】たとえCMP後洗浄の場合等、残留物が基板に強固に付着して、既存の二流体ジェット洗浄を単に適用するだけでは十分な洗浄性能が得られない場合であっても、二流体ジェット洗浄をより有効に利用して、洗浄能力を高めた洗浄を行うことができるようにする。
【解決手段】基板に付着した汚染物を洗浄する基板の洗浄方法において、基板と基板上に付着している汚染物のゼータ電位の絶対値を増加させる処理を行い、しかる後、基板の表面に洗浄具を接触させて基板の表面を洗浄する接触洗浄と、ガスと液体を基板表面に向け同時に噴射して基板表面を洗浄する二流体ジェット洗浄とを行う。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板の表面に付着した研磨剤や不純物を除去する洗浄工程において、ガラス基板の表面にキズをつけてしまうのを防止可能な洗浄用ブラシを提供すること。
【解決手段】この洗浄用ブラシ1は、被洗浄体を洗浄するための洗浄用ブラシであり、回転軸4を中心に回転する円筒形状のブラシ本体2と、ブラシ本体2の外周面上に配列された複数のブラシ片3とを具備する。各ブラシ片3は、短辺3aと長辺3bとからなる長方形の先端面3dを有し、短辺3aは、回転軸4に対して垂直な辺であり、長辺3bは、回転軸4に対して平行な辺であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板面内に、洗浄ブラシの回転方向と基板の回転方向とが同じとなる部分の割合が非常に少なく、回転方向の同じ部分と反対の部分とが存在することに起因する基板面内での洗浄能力のばらつきが小さく、高い洗浄効果が得られる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板1を保持し、基板1を回転させる基板回転手段30と、基板面と平行で基板回転軸aと交差するブラシ回転軸の延在方向に並べて配置された2つの洗浄ブラシ7、8(10)を備え、2つの洗浄ブラシ7、8(10)がブラシ回転軸を中心として相反する方向に回転されるものであって、各洗浄ブラシ7、8、10が基板1の回転方向と反対方向に回転される一対のブラシ40(50)と、一対のブラシを回転させるとともに、ブラシ回転軸の延在方向に一対のブラシを往復移動させるブラシ駆動手段12とを備える基板洗浄装置20とする。 (もっと読む)


【課題】稼働停止時における電力等のユーティリティを低減する。
【解決手段】CMP装置1の回転定盤17に取り付けた研磨パッド16とトップリング18との間に半導体ウエハWを保持して相対回転させてウエハWを研磨する。リンス水供給管11にリンス水流量調整弁13を設けて、研磨部2内の研磨パッド16に間欠的に純水を供給して湿潤状態に保つ。洗浄部3には研磨した半導体ウエハWを洗浄用スポンジローラ26,27で挟持して洗浄して搬送する。リンス水供給管12a、12bにリンス水流量調整弁14、14を設けて、洗浄用スポンジローラ26,27に間欠的に純水を供給して湿潤状態に保つ。純水の供給間隔をt分とし、1回毎の純水の供給継続時間をdt秒として、下記の(1)式と(2)式を満足する。dt=20{1.6−exp(−0.01783t)} ……(1)、10≦t≦30 ……(2) (もっと読む)


【課題】本発明は、洗浄装置、洗浄方法及び半導体装置の製造方法等に関し、半導体ウエハのエッジ部に形成された膜を除去するための洗浄装置及び洗浄方法、及び半導体装置の製造方法等に関する。
【解決手段】本発明に係るの洗浄装置は、半導体ウエハ3の最外端から内側に5mm以内の部分を挟んで押し当てる第1及び第2のブラシ1a、1bと、第1及び第2のブラシを保持する第1及び第2のブラシ軸2a、2bと、第1及び第2のブラシ軸を回転させる回転機構と、半導体ウエハを回転させる回転機構と、洗浄液を供給する機構と、制御機構とを具備し、制御機構は、半導体ウエハの最外端から内側に5mm以内の部分に第1及び第2のブラシを押し当て且つ半導体ウエハの最外端から内側に5mmより更に内側の表裏面には第1及び第2のブラシを押し当てないことにより、半導体ウエハのエッジ部に成膜された膜を除去するように制御する機構であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェハの端部に形成された薄膜または異物を、確実にかつ効率的に除去することができるウェハ端部処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハ端部処理装置において、複数枚のウェハを起立状態にて互いに平行にかつウェハの中心を同軸上に配列させて支持するとともに、ウェハの中心を回転中心として複数のウェハを同時に回転駆動させるウェハ支持回転ユニットと、ウェハ支持回転装置により回転される複数のウェハの端部に接触しながら洗浄液を供給して、洗浄液により端部の薄膜または異物を除去する洗浄液供給ユニットと、洗浄液供給ユニットにより複数のウェハの端部に供給された洗浄液を除去する洗浄液除去ユニットとを備えさせ、複数枚のウェハを起立状態の姿勢にて端部にて対する処理を同時的に行う。 (もっと読む)


【課題】基板上に滞留した洗浄液を一定方向に流し去ることにより液切り効果を向上させることが可能となる洗浄基板の液切り装置を提供する。
【解決手段】基板30上に滞留する洗浄液90を排除する液切りローラー20は、基板30を搬送する搬送ローラー40により洗浄工程を経て搬入されてきた基板30を、接触して上下から挟み込んで配備され、且つ、基板30上に滞留する洗浄液90が一方向に流出するよう、基板30の進行方向に対し直角を除く任意の角度で設置される。 (もっと読む)


【課題】稼動中に装置が使用する電力、エア、純水の消費量を、待機中のとき大幅削減し、且つ、再稼動において、直ちに洗浄を開始することができる液晶枚葉洗浄装置を提供する。
【解決手段】搬送手段15を具備するロードバッファ部10とアンロードバッファ部50と、ブラシ洗浄手段25を具備するロールブラシ部20と、バブルジェット手段35を具備するバブルジェットアクアナイフ部30と、エア噴射手段45を具備するエアナイフ部40と、純水供給制御手段64を具備する純水供給部60と、装置コントロール手段75を具備する装置制御部70とを有し、装置コントロール手段75は、待機のとき、待機信号により純水供給機能以外の全ての機能を停止させ、純水供給制御手段64は、待機信号を受けて純水供給手段62の純水の供給を制御する。 (もっと読む)


【課題】第1ロール及び第2ロールが基板に接触する位置を正確に検知し、第1ロール及び第2ロールの押し付け量を適正に設置できる基板処理装置のロール間隙調整方法を提供すること。
【解決手段】基板治具50と、第1ロール治具40−1と、第2ロール治具40−2を用意し、基板治具50の外周部をコマ12の円周溝12aに挿入して支持し、基板治具50の裏面と第2ロール治具40−2の間の間隙が所定値になるように調整して位置決めし、該位置決めして第2ロール治具40−2に第1ロール治具40−1を対向させ、第2ロール治具と該第1ロール治具の間の間隙が所定値になるよう調整して位置決めし、しかる後、第1ロール治具40−1を保持する第1ロール回転機構17に第1ロールを、第2ロール治具40−2を保持する第2ロール回転機構18に第2ロールを保持させる。 (もっと読む)


【課題】この発明は基板を洗浄ブラシで洗浄する際、洗浄効果を向上させることができるようにした洗浄ブラシを提供することにある。
【解決手段】基板の板面を洗浄するための洗浄ブラシであって、
ブラシ軸15と、ブラシ軸に設けられた太さの異なる複数種の毛材16a,16bとを具備する。 (もっと読む)


【課題】基板の上面側縁部と端部と下面側縁部とからなる基板の縁部全体を良好に洗浄できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板(2)の上面側縁部と端部と下面側縁部を洗浄するための基板処理装置(1)において、基板(2)を保持する基板保持手段(19)と、基板(2)の上面側縁部を加圧した洗浄液で洗浄するための第1洗浄手段(25)と、基板(2)の端部及び下面側縁部を洗浄部材に接触させた状態で洗浄するための第2洗浄手段(26)とを有し、第1洗浄手段(25)で基板(2)の上面側縁部を洗浄するとともに、第2洗浄手段(26)で基板(2)の端部及び下面側縁部を洗浄するように構成することにした。 (もっと読む)


【課題】基板洗浄プロセスにおける金属汚染物質を除去する方法を提供する。
【解決手段】ウェット・センド・インデクサ・ステーション110では、基板の表面状態が、疎水性から親水性に変化させられる。このプロセス・ステップにおいて表面金属汚染の増加なしに基板の表面状態を変化させるよう、本発明を使用する。これを行うには、クエン酸・過酸化水素溶液に基板を浸漬させる。前記溶液のpHレベルは、水酸化アンモニウムとコリンおよびテトラメチル水酸化アンモニウムから選択された塩基混合物の添加により約6.5ないし14に調整される。両面ブラシスクラバに関して説明される。 (もっと読む)


【課題】半導体基板の表面に洗浄液を供給しながら当該表面をブラシを用いて洗浄する際に、基板表面にスクラッチが形成されてしまうことを防止しつつ、基板上の異物を十分に除去できるようにする。
【解決手段】半導体基板100の表面に洗浄液402を供給しながら当該表面をブラシ300を用いて洗浄する際に、半導体基板100の表面におけるブラシ300と最初に接触する箇所に予め洗浄液402を供給しておく。 (もっと読む)


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