【課題】極めて微細且つ高精度パターンを洗浄乾燥するための、フッ素イオンを遊離せず、且つ引火点を持たない洗浄乾燥剤、および基板の洗浄乾燥方法を提供する。
【解決手段】本発明の洗浄乾燥剤は、一般式（１）


で表される含フッ素３級アルコールまたは一般式（２）


で表される含フッ素３級ジオールを含む。 （もっと読む）

【課題】基板からフォトレジスト及びエッチング残渣を選択的に除去できる組成物であって、上記組成物に対して同様に露出している可能性のある金属に破壊的化学作用を及ぼさない組成物を提供することを課題とする、また、極微量の酸化シリコンを呈し、一般的に絶縁体に対するエッチング速度の低い組成物を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、フォトレジスト及びエッチング残渣を除去するのに適切な組成物であって、ａ）少なくとも約５０重量％の、テトラフルフリルアルコール、ジアセトンアルコール、１，４−シクロヘキサンジメタノール及びアルキレングリコールエーテルからなる群より選択される溶媒；ｂ）約０．００５〜約０．８重量％のフッ素ソース；ｃ）上限約４９．９重量％の水；及び、ｄ）上限約２０重量％の腐食抑制剤を含むことを特徴とする組成物を含む。また、本発明は、基板からフォトレジスト及び／又はエッチング残渣を除去する方法であって、上記の組成物と基板を接触させることを含むことを特徴とする方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、特に、IC、ウェーハ基板上のWLP回路、及びPCBから、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための組成物と方法を提供することによって、上記限界及び欠点を克服する。
【解決手段】配線、ウェーハレベルパッケージング、及びプリント回路基板からフォトレジスト、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための改良された組成物と方法を開示する。一方法は、有効量の有機アンモニウム化合物と、約２〜約２０質量％のオキソアンモニウム化合物と、任意的な有機溶媒と、水とを含有する混合物と前記基板を接触させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】表面に微細な凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコン元素を含むウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、撥水性保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】表面に微細な凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコン元素を含むウェハの洗浄時に、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、一般式Ｒ^１_ａＳｉ（Ｈ）_ｂ（Ｘ）_{４−ａ−ｂ}で表されるケイ素化合物Ａ及び酸、または、一般式Ｒ^７_ｇＳｉ（Ｈ）_ｈ（ＣＨ_３）_ｗ（Ｚ）_{４−ｇ−ｈ−ｗ}で表されるケイ素化合物Ｃ及び水の含有量が３５質量％以下の塩基を含み、前記薬液の出発原料中の水分の総量が、該原料の総量に対し５０００質量ｐｐｍ以下である、撥水性保護膜形成用薬液。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造において、表面に凹凸パターンを有し該凹凸パターンの凹部表面にチタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を有するウェハ（金属系ウェハ）のパターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】金属系ウェハの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、Ｇｒｉｆｆｉｎ法によるＨＬＢ値が０．００１〜１０であり炭素数が６〜１８の炭化水素基を含む疎水部を有する界面活性剤と、水を含み、薬液中の前記界面活性剤の濃度が、該薬液の総量１００質量％に対して０．００００１質量％以上、飽和濃度以下であることを特徴とする、撥水性保護膜形成用薬液。 （もっと読む）

【課題】表面に微細な凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコンを含むウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、ウェハの凹凸パターン部の毛細管力を低減させる保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】表面に微細な凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコンを含むウェハの洗浄時に、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、一般式Ｒ^１_ａＳｉ（Ｈ）_ｂＸ_{４−ａ−ｂ}で表されるケイ素化合物Ａを０．０１〜３０質量％、および、非プロトン性有機溶媒を含む保護膜形成用薬液。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造において、表面の微細な凹凸パターンの少なくとも一部にチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、ルテニウム、及びシリコンからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質を含むウェハのパターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】表面に微細な凹凸パターンを形成されたウェハにおいて該凹凸パターンの少なくとも凹部表面の一部がチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、ルテニウム、及びシリコンからなる群から選ばれる少なくとも１種の物質を含むウェハの洗浄時に、少なくとも前記凹部表面に撥水性保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤を含む薬液であり、該撥水性保護膜形成剤が非水溶性の界面活性剤であることを特徴とするウェハの撥水性保護膜形成用薬液。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板の表面から金属キャッピング層の腐食生成物を洗浄するための方法およびシステムが提供されている。一実施形態によると、処理溶液は、界面活性剤、錯化剤、および、ｐＨ調整剤を含む。界面活性剤は、ウエハ表面を湿潤を改善し、キャッピング層のさらなる腐食を抑制するよう構成される。錯化剤は、基板表面から脱着した金属イオンと結合するよう構成される。ｐＨ調整剤は、基板表面からの腐食生成物の脱着を促進するために、ｐＨを所望のレベルに調整するよう構成される。 （もっと読む）

【課題】フッ素化合物を用いて高度な洗浄効果が得られるようにした洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくともフッ素化合物を含有する洗浄液（フッ素系溶剤）３に、被洗浄物１を浸す浸漬工程を有する洗浄方法であって、浸漬工程における、洗浄液３の温度ｔが、洗浄液３に含まれるフッ素化合物の１気圧における標準沸点または１００℃のいずれか低い方の温度以上であり、かつ雰囲気圧力が温度ｔにおいてフッ素化合物が液体状態となる圧力であることを特徴とする洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】フッ素含有ガスを用いたプラズマエッチング工程で発生するプラズマ重合物を有する被洗浄物を、良好に除去できる洗浄方法を提供する。
【解決手段】フッ素含有ガスを用いたプラズマエッチング工程で発生するプラズマ重合物を有する被洗浄物を、含フッ素化合物を含有する洗浄液に浸す浸漬工程を有する洗浄方法であって、前記含フッ素化合物が、炭素数５以上の直鎖または分岐構造のパーフルオロアルキル基を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の表面特性の変化を抑えながらレジスト膜上の付着物を除去することが可能な洗浄除去液を提供する。
【解決手段】本発明に係る洗浄除去液は、非極性ポリマーを含有する保護膜形成用材料を用いてレジスト膜上に形成された保護膜など、レジスト膜上の付着物を除去するために用いられるものであり、炭化水素系非極性溶剤と極性溶剤とを含有する。極性溶剤の含有量は、炭化水素系非極性溶剤と極性溶剤との合計量に対して１〜５０質量％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト等の残留物を選択的に除去し、かつこの組成物にさらされる場合がある高誘電率の誘導性材料、低誘電率の誘導性材料、及び／又は範囲の金属領域の望ましくない攻撃をすることなく、基板から残留物を処理することができる組成物を提供すること。
【解決手段】製品から残留物を除去するための組成物であって、当該組成物が、グリコールエーテルを含む１種以上の水溶性有機溶媒；水；フッ化物含有化合物がアンモニウムフルオライドである場合に、追加のフッ化物含有化合物を当該組成物に添加しないことを条件とするフッ化物含有化合物；そして随意選択的な第４級アンモニウム化合物；
を含む、残留物を除去するための組成物。 （もっと読む）

【課題】重大な金属腐食を伴わずにマイクロエレクトロニクスのデバイスを洗浄するのに有用であり、ＩＬＤに適合する洗浄製剤を提供する。
【解決手段】（ａ）フッ化物イオンを提供する少なくとも１種のフッ化物化合物、（ｂ）アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物のアミンまたはアンモニウム化合物とのオリゴマー型またはポリマー型結合体である少なくとも１種の「褐変」アルファ−ヒドロキシカルボニル化合物、および（ｃ）水を含有する、半水性洗浄製剤を提供する。かかる製剤は、（ｄ）少なくとも１種の極性、水混和性有機溶媒、（ｅ）ｐＨ７以上、好ましくはｐＨ約９.５ないし約１０.８の最終組成物を産生するのに十分な量の、少なくとも１種の金属イオン不含塩基、および、１種またはそれ以上の（ｆ）多価アルコール、および（ｇ）界面活性剤を含む他の任意成分も含み得る。 （もっと読む）

【課題】半導体基材から不要な有機および無機の残渣および汚染物質を除去するのに用いられる半水性の洗浄組成物を提供する。
【解決手段】この洗浄組成物は、ｐＫａ値が約５〜約７の少なくとも３つのカルボン酸基を有する多塩基酸を含む緩衝系を含んでなる。この洗浄組成物はまた、グリセロールなどの多価溶媒を含む。フッ化物イオン源が本発明の洗浄組成物にさらに含まれ、主として基材からの無機残渣の除去に関与する。本発明の洗浄組成物は毒性が低く、環境にやさしい。 （もっと読む）

【課題】 マイクロエレクトロニクス基板の洗浄のためのマイクロエレクトロニクス洗浄組成物、特にＡｌまたはＡｌ（Ｃｕ）金属被覆基板と同様に、二酸化珪素、高感度低κおよび高κの誘電体、および、銅、タングステン、タンタル、ニッケル、金、コバルト、パラジウム、白金、クローム、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、ハフニウム、チタン、モリブデン、錫、及びその他の金属被覆が特色であり、かつ相互接続技法が進んだものである、マイクロエレクトロニクス基板との適合性を改良した、それらの洗浄に有用な洗浄組成物を提供する。
【解決手段】 ハロゲン酸素酸、それらの塩および誘導体を含むマイクロエレクトロニクス洗浄組成物を使用する。 （もっと読む）

本発明は、フッ素化オレフィンと、少なくとも１つのアルコール、ハロカーボン、ハイドロフルオロカーボン、またはフルオロエーテルおよびそれらの組み合わせとを含む組成物に関する。一実施形態では、これらの組成物は共沸または共沸様である。別の実施形態では、これらの組成物は、オイルおよび／または他の残渣を表面から除去するための脱脂剤またはフラックス除去剤としてクリーニング用途に有用である。 （もっと読む）

（ａ）選択された１種以上のフッ素化物類と（ｂ）選択された１種以上の有機試薬とを混合することによって得られる反応生成物（未反応構成成分を包含するもの）から本質的に成る組成物であって、その場でのフッ化物イオン類の発生を提供する、前記組成物。更には、かかる組成物を形成するためのキット類、およびかかる組成物の使用方法。 （もっと読む）

残渣を表面から除去する方法であって、表面を、式Ｅ−またはＺ−Ｒ^１ＣＨ＝ＣＨＲ^２を有する化合物（式中、Ｒ^１およびＲ^２は独立に、Ｃ_１〜Ｃ_６ペルフルオロアルキル基、またはＣ_１〜Ｃ_６ヒドロフルオロアルキル基である）からなる群から選択される少なくとも１つの不飽和フッ素化炭化水素を含む組成物と接触させるステップと、表面を組成物から回収するステップとを含む方法が開示されている。フッ素系潤滑剤を表面に被着させる方法、および少なくとも水の一部分を濡れた基板の表面から除去する方法において、フッ素化炭化水素は溶媒組成物としても使用される。 （もっと読む）

本発明は、不飽和フッ素化炭化水素類を含む清浄組成物に関する。本発明はさらに、清浄、脱脂、脱フラックス、脱水、およびフッ素系潤滑剤を被着する方法における前記清浄組成物の使用に関する。本発明はさらに、新規不飽和フッ素化炭化水素類、および上記に列挙する方法における清浄組成物としてのその使用に関する。 （もっと読む）

硬化フォトレジスト、エッチング後フォトレジスト、および／または下層反射防止コーティングをマイクロエレクトロニクス素子から除去するための方法および組成物が記載される。組成物は、濃厚流体、例えば、超臨界流体と、補助溶媒と、任意にフッ化物供給源と、任意に酸を含有する濃厚流体濃縮物とを含有することができる。濃厚流体組成物は、後続の加工前に汚染残渣および／または層を前記マイクロエレクトロニクス素子から実質的に除去し、したがって前記マイクロエレクトロニクス素子のモルフォロジー、性能、信頼性および収量を改善する。
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