【課題】基板に熱による悪影響を与えず、基板を効率良く加熱して基板表面のドライクリーニングを行うことができ、装置上の問題も生じないドライクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】減圧排気可能な処理室内に設けられた載置台に基板を載置し、基板表面をドライクリーニングするドライクリーニング方法は、処理室内にクリーニングガスを導入し、クリーニングガスを基板上に吸着させる工程と、クリーニングガスを基板上に吸着させた後、処理室内に、熱エネルギーが与えられたエネルギー媒体ガスを導入し、該エネルギー媒体ガスから基板上の前記クリーニングガスに熱エネルギーを供給して、前記基板表面でクリーニング反応を進行させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された絶縁膜や金属膜などの膜減りを生じることなく、その基板の表面からポリマーを良好に除去することができる、ポリマー除去方法およびポリマー除去装置を提供する。
【解決手段】基板の周囲の雰囲気が窒素ガス雰囲気に置換された後、その窒素ガス雰囲気下において、基板の表面にポリマーをエッチング作用により除去するためのふっ酸ベーパが供給される。そして、そのふっ酸ベーパの供給と並行して、基板が回転されるとともに加熱される。 （もっと読む）

【課題】歩留まりが高く製造コストが低い半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造装置１において、欠陥検査部３がウェーハＷの表面に存在している欠陥Ｄの位置を検出して位置記憶部４に記憶させ、作用部２が欠陥Ｄに対して力を作用させ、その後、欠陥検査部３が欠陥Ｄの位置を再び検出して位置記憶部４に記憶させる。そして、位置比較部５が力の作用の前後間で欠陥Ｄの位置を比較し、位置が変化した欠陥のうち少なくとも一部の欠陥を欠陥除去部６が除去する。 （もっと読む）

処理チャンバの中で基板のはす縁をエッチングするための方法を提供する。該方法は、基板の中心領域より上側で画定される処理チャンバの中心領域に、不活性ガスを流し込むステップと、基板のエッジ領域の上に不活性ガスおよび処理ガスの混合物をエッジ領域流すステップとを含む。該方法は、エッジ領域でプラズマを発生させるステップをさらに含み、不活性ガス流および混合物流は、処理ガスの質量分率を実質的に一定に維持する。基板のはす縁を洗浄するように構成される処理チャンバも提供する。
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【課題】自然酸化膜を除去するドライクリーニングプロセスにおいて、プロセスの効率を向上させ、さらに処理された基板表面へのフッ素原子の吸着量を最小化する。
【解決手段】被処理基板表面にフッ素ラジカルを供給すると共に水素ラジカルを供給し、フッ素ラジカルと水素ラジカルとの反応により、被処理基板表面を処理する。 （もっと読む）

本発明は概して、クリーンかつダメージのない表面を半導体基板上に形成するための装置および方法を提供する。本発明の一実施形態は、エピタキシャル層を形成する前にプラズマ洗浄プロセスに基板の表面を暴露するように適合された洗浄チャンバを含有するシステムを提供する。一実施形態において、洗浄プロセスを基板に実施する前に、該洗浄チャンバの内部表面にゲッタリング材料を堆積することによって、該洗浄チャンバで処理された基板の汚染物を減少するための方法が用いられる。一実施形態において、酸化およびエッチングステップが洗浄チャンバにおいて基板に繰り返し実施されて、エピタキシャルを配置可能な基板にクリーンな表面を暴露および生成する。一実施形態において、低エネルギプラズマが該洗浄ステップ時に使用される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板のベベル部に付着した不要な堆積膜を、パターンが存在する被処理基板の内側部分にダメージを与えず、重金属汚染を引き起こさず、低コストで高効率に除去する。
【解決手段】被処理基板２の直径よりも小さい直径を有し、被処理基板を載置する回転ステージ１と、被処理基板２の上方に配置され、被処理基板上面に形成されたパターンを保護するためのガス流を形成するためのガス供給構造部３と、ガス供給構造部３に非反応性ガスを供給する第一のガス供給系１１と、不要な堆積物を除去するためのラジカルを被処理基板外周部に供給するノズルを備えた大気圧マイクロプラズマ源４と、大気圧マイクロプラズマ源４にガスを供給する第二のガス供給系１４と、大気圧マイクロプラズマ源４に電力を投入する高周波電源１３と、被処理基板２の外周部から反応生成物を吸引除去するための排気手段５を備えた基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面や周縁部に付着した異物を完全に除去することができる基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板処理システム１０が備える基板洗浄装置としてのプロセスモジュール１５は、ウエハＷを収容するチャンバ３８と、該チャンバ３８内の底部に配置されてウエハＷを載置するステージ３９と、チャンバ３８内の天井部に配置されてステージ３９に対向するシャワーヘッド４０とを備え、ステージ３９はウエハＷの裏面や周縁部に向けて液相及び気相の２つの相状態を呈する洗浄物質、例えば、純水と、不活性ガス、例えば、窒素ガスとが混合された洗浄剤を噴出し、シャワーヘッド４０はウエハＷの表面に向けたダウンフローを発生させる。 （もっと読む）

【課題】スループットを低下させることなく基板搬送部材に付着した異物を完全に除去することができる基板搬送部材の洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板処理システム１０が備える基板搬送装置としてのトランスファモジュール１１は、チャンバ４１と、該チャンバ４１内に配置された基板搬送ユニット２９と、フォーク３１の斜め上方に配置された洗浄剤噴出ノズル４３とを備え、洗浄剤噴出ノズル４３は、フォーク３１の表面、特にテーパパッド３２の切頭円錐状部に向けて液相及び気相の２つの相状態を呈する洗浄物質、例えば、純水と、不活性ガス、例えば、窒素ガスとが混合された洗浄剤を噴出する。 （もっと読む）

【課題】電力を可変であるエッジ電極
【解決手段】実施形態は、ポリマ副生成物および堆積膜の蓄積を回避してプロセス歩留まりを向上させるために基板ベベルエッジの上および付近ならびにチャンバ内部のエッチング副生成物、誘電体膜、および金属膜を除去するための構造とメカニズムとを提供する。代表的実施形態では、基板のベベルエッジをクリーニングするように構成されたプラズマ処理チャンバが提供される。プラズマ処理チャンバは、基板を受けるように構成されたボトム電極を含み、該ボトム電極は、高周波（ＲＦ）電源に接続される。プラズマ処理チャンバは、また、ボトム電極と向かい合う絶縁体板を取り囲むトップエッジ電極を含む。トップエッジ電極は、電気的に接地される。プラズマ処理チャンバは、さらに、ボトム電極を取り囲むボトムエッジ電極を含む。ボトムエッジ電極は、トップエッジ電極と向かい合う。トップエッジ電極、ボトム電極の上に配された基板、およびボトムエッジ電極は、基板のベベルエッジをクリーニングするためにクリーニング用プラズマを生成するように構成される。ボトムエッジ電極とボトム電極とは、ボトム電極の上に配された基板とボトムエッジ電極とトップエッジ電極との間を流れるＲＦ電流の量を調整するように調節可能であるＲＦ回路を通して、互いに電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】従来技術の欠点を改善する、第１および第２の基板のそれぞれ２つの自由表面の分子接合のための方法を提供すること。
【解決手段】例えば単結晶シリコン・ウエハによって形成される、第１および第２の基板の自由表面の分子接合による接着は、少なくとも連続して、自由表面を疎水性にするための、気相のフッ化水素酸での自由表面の洗浄ステップと、３０秒以下の時間の、脱イオン水での前記自由表面のすすぎステップと、前記自由表面を接触させるステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板処理におけるスループットの低下が抑制されつつ、露光装置内の汚染が十分に防止されるとともに、小型化が可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、レジストカバー膜用処理ブロック１２、現像処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５およびインターフェースブロック１６を含む。これらのブロック９〜１６は上記の順で並設される。インターフェースブロック１６に隣接するように露光装置１７が配置される。露光装置１７においては、液浸法により基板Ｗの露光処理が行われる。洗浄／乾燥処理ブロック１５は、洗浄／乾燥処理部８０を有する。洗浄／乾燥処理部８０には、基板の表面および端部を洗浄する表面端部洗浄／乾燥ユニットが設けられる。 （もっと読む）

【課題】シリコン製若しくはガラス製の基板表面、または基板表面に形成された無機系被膜表面に強固に付着している無機系の異物を表面粗さの増加を抑えながら容易に除去することができ、しかも一度除去された異物が基板表面に再付着することが防止された異物除去方法の提供。
【解決手段】シリコン製若しくはガラス製の基板表面または該基板表面に形成された無機系被膜表面から無機系異物を除去する方法であって、前記基板材料、前記無機系被膜材料および前記無機系異物のうち少なくとも１つに対して０．０１／ｃｍ以上の光吸収係数となる波長域の光線を、酸素若しくはオゾン含有雰囲気下にて前記基板表面若しくは前記無機系被膜表面に照射量１０Ｊ／ｃｍ²以上で照射した後、負の表面電位を有する前記基板表面若しくは前記無機系被膜表面にｐＨ≦６の酸性溶液を曝すことを特徴とする基板表面若しくは該基板表面に形成された無機系被膜表面から無機系異物を除去する方法。 （もっと読む）

ＳＯＩ技法において使用される界面結合エネルギーを促進するための方法が提供される。一実施形態では、界面結合エネルギーを促進するための方法は、酸化シリコン層が形成され且つ劈開面が画成されたような第１の基板及び第２の基板を準備し、上記酸化シリコン層の表面及び上記第２の基板の表面に対してドライクリーニング処理を行い、上記第１の基板の上記クリーニングされた酸化シリコン表面を上記第２の基板の上記クリーニングされた表面に対して結合することを含む。 （もっと読む）

基板（１３）の表面からパーティクルを除去するのに十分な力でもって水及び張力活性化合物を含む液体エーロゾル小滴を該表面と接触させることを含む方法により、パーティクルが基板（１３）の表面から除去される。
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フッ素と、窒素および／またはアルゴンのような不活性ガスとの混合物を、半導体、ソーラーパネル、およびフラットパネル（ＴＦＴおよびＬＣＤ）をエッチングするため、ならびに半導体表面およびプラズマチャンバーをクリーニングするために使用することができる。二元混合物の中にフッ素が、１５〜２５容積％の量で含まれているのが好ましい。それらのガス混合物は、ＮＦ_３を含むそれぞれの混合物に対する、代替物またはドロップインとして使用することが可能であり、プラズマ装置の運転を極めてフレキシブルとすることができる。たとえば、ＮＦ_３／Ａｒ混合物用に調整された装置を、さらなる調整をすることなく、フッ素とアルゴン、場合によっては窒素も加えて使用して運転することが可能である。フッ素、窒素およびアルゴンの三元混合物を使用する場合、そのフッ素含量は、１〜５容積％の範囲とするのが好ましい。 （もっと読む）

ガスクラスターイオンビーム処理プロセスの適用により、集積回路の相互接続構造に使用される、銅の相互接続配線層の表面上で、層をキャップ化する、改良された集積相互接続、集積回路の構造を形成する方法ならびに機器である。銅の拡散が抑制され、電気泳動寿命が向上し、選択金属キャップ化技術の使用、およびそれに付随した問題が解消される。銅のキャップ化処理、清浄化処理、エッチング処理、および膜形成処理用の、ガスクラスターイオンビーム処理モジュールを含む、各種クラスターツール構成について示した。
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基板を処理する方法及びシステムは、上に酸化物を有する基板を処理チャンバ内に供する工程、処理チャンバと結合するリモートプラズマ源内で水素含有ガスを励起する工程、及び約９００℃よりも低い第１基板温度の基板を励起された水素ガスに曝露することによって基板から酸化物を除去する工程を有する。基板は第１基板温度とは異なる第２基板温度に維持され、第２基板温度に基板上にシリコン含有膜が形成される。
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加圧・排出サイクルを用いて基材に化学種を挿入および除去する方法が本発明の実施形態において開示される。様々な実施形態が圧力を高いレベルに設定しながら基材を含む容器に流体を導入する。圧力はあらかじめ決定した時間にわたり高いレベルに維持され、容器から流体を除去することによって下げられる。流体を導入し、圧力を維持し、また圧力を下げるステップが少なくとも１回繰り返される。本発明の実施形態では、基材のボイドから化学種を除去することを可能にし、ボイド内に新しい化学種を挿入することを可能にする。特定の実施形態では、前調整、活性化、および／または、ガス精製基材再生のまたは半導体基材に対して化学種を除去および／または送達することに特定の適用例も有する。本発明の実施形態では、パージまたは充てん流体の少ない使用量で、基材へ、また基材から化学種を迅速に移動することを可能にする。 （もっと読む）

本発明は、電子デバイスを製造する際に使用される堆積チャンバの内部などの表面から表面堆積物を除去するための改良されたリモートプラズマクリーニング方法に関する。改良は、遠隔チャンバから表面堆積物までの経路の内面のフルオロカーボンリッチプラズマ前処理を伴う。
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