【課題】 微細な接続孔内等に発生した酸化膜をドライエッチングにより効率良く除去できる表面処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 表面に酸化膜が発生している被処理体Ｗは、処理容器１０内に搬入され、該処理容器内は真空に維持され、Ｎ₂ とＨ₂ との混合ガスがプラズマ発生部３０に導入され、プラズマ化され、それぞれの活性ガス種が形成される。活性化ガス種は被処理体に向けてフローされ、これにＮＦ₃ ガスが添加され、活性化されたガスが形成される。被処理体は所定温度以下に冷却手段２２により冷却され、活性化されたＮＦ₃ ガスに曝され、該ガスと反応し、酸化膜は変質して反応膜が被処理体Ｗの表面に形成される。Ｎ₂ 、Ｈ₂ 及びＮＦ₃ ガスの供給が停止され、加熱手段１９で被処理体は所定の温度に加熱され、反応膜が昇華して除去される。 （もっと読む）

【課題】適用が容易で、標準のクリーニング手順との組合せが可能である、希ガスプラズマ反応を用いて水の残留物を除去する、改善した反応チャンバクリーニング処理を提供する。
【解決手段】水分子を破壊して電子励起した酸素原子を形成できる高エネルギーのＥＵＶフォトン（Ｅ＞２０ｅＶ）を放射する希ガスプラズマ（例えば、Ｈｅ）が、吸着された水を除去するために用いられる。該方法は、材料に吸収された水分子の光分解を引き起こすのに充分なエネルギーを有する、極端紫外及び／又は真空紫外のフォトンを放射して、酸素、水素及び／又は水酸基のラジカルを放出させることが可能である希ガスプラズマに対して該表面を露出することと、反応チャンバからラジカルを除去することとを含む。 （もっと読む）

【課題】被処理基板中の構造体に熱ストレスが加わり難いドライクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】 酸化銅、及び有機汚染物質の少なくともいずれか一方が基板表面に形成、もしくは付着した被処理基板をチャンバ内に設置する工程（ステップ１）と、チャンバ内の雰囲気を有機化合物ガス雰囲気として被処理基板の基板表面にガスクラスターイオンビームを照射し、基板表面に形成、もしくは付着した酸化銅、及び有機汚染物質の少なくともいずれか一方を除去する工程（ステップ２）とを具備する。 （もっと読む）

本発明の目的は、半導体基板の運搬および保管のための輸送支持具（１）の処理方法であって、場合によっては前記支持具（１）が液体を使用したクリーニング操作を初めに受けている方法を提供することである。当該方法は、輸送支持具（１）が真空ポンプ（５）に連結された密封チャンバ（４）内に置かれ、輸送支持具（１）の壁上の異物の除去に有利にはたらくように前記輸送支持具（１）が準大気圧と赤外線との複合作用にさらされる、処理ステージを含む。本発明は、また、当該方法を実施するための輸送支持具（１）のための処理ステーションに関する。
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【課題】洗浄効率が高く、被洗浄物に与えるダメージが小さい洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄装置１には、熱交換部材８と、熱交換部材８内に挿通された一次冷却ライン１１と、熱交換部材８内に挿通された二次冷却ライン１２と、二次冷却ライン１２から噴射された二次冷媒が接触する位置に被洗浄物である半導体基板Ｓを保持する保持部材９と、が設けられている。そして、一次冷却ライン１１に一次冷媒である液体窒素を流通させ、二次冷却ライン１２に二次冷媒であるヘリウムガスを流通させる。これにより、液体窒素により熱交換部材８を介してヘリウムガスを冷却し、十分に冷却され且つ液体飛沫を含まないヘリウムガスを真空雰囲気中で半導体基板Ｓに向けて噴射して、半導体基板Ｓを冷却する。 （もっと読む）

【課題】基板周辺部材の耐久性が劣化するのを防止しながら表面処理を良好に行うことができる基板処理装置および方法を提供する。
【解決手段】ノズル３から回転駆動される基板Ｗの端部（表面周縁部ＴＲおよび該表面周縁部ＴＲに連なる周端面ＥＦ）に対して局部的に薬液が供給される。また、基板Ｗの回転方向Ｒにおいてノズル３からの薬液が供給される供給位置ＬＰに対して上流側で薬液が供給される直前の直前位置ＡＰで基板Ｗの端部がレーザユニット７から照射されるレーザ光によって局部的に加熱される。これにより、基板Ｗの端部が薬液処理に応じた温度に昇温する。このため、基板Ｗの端部が薬液処理に応じた温度に昇温された直後に基板Ｗの回転により加熱昇温された基板Ｗの端部に薬液が供給される。 （もっと読む）

【課題】純水内に浸積され洗浄処理が行われた基板を乾燥させる基板乾燥において、上記基板に微細化されたパターンが存在するような場合であっても、確実に上記基板に付着した純水を除去して基板を乾燥させる基板乾燥装置及び方法を提供する。
【解決手段】純水内に浸積された基板を取り出した後、上記基板の表面に液状のイソプロピルアルコールを供給して、上記基板の表面に付着している上記純水を上記イソプロピルアルコールに置き換え、その後、上記基板の表面から上記イソプロピルアルコールを蒸発させることにより上記基板を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板のベベル部に付着した不要な堆積膜を、パターンが存在する被処理基板の内側部分にダメージを与えず、重金属汚染を引き起こさず、低コストで高効率に除去する。
【解決手段】被処理基板２の直径よりも小さい直径を有し、被処理基板を載置する回転ステージ１と、被処理基板２の上方に配置され、被処理基板上面に形成されたパターンを保護するためのガス流を形成するためのガス供給構造部３と、ガス供給構造部３に非反応性ガスを供給する第一のガス供給系１１と、不要な堆積物を除去するためのラジカルを被処理基板外周部に供給するノズルを備えた大気圧マイクロプラズマ源４と、大気圧マイクロプラズマ源４にガスを供給する第二のガス供給系１４と、大気圧マイクロプラズマ源４に電力を投入する高周波電源１３と、被処理基板２の外周部から反応生成物を吸引除去するための排気手段５を備えた基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、プラズマ発生ノズルの導波管への電気的な接触（接合）を安定させる。
【解決手段】ノズル本体３３と導波管の下面板１３Ｂとの接合部分に、導電性を有する弾性部材３７を介在する。前記弾性部材３７は、コイルばねが環状に連結されたＯリングによって形成されている。一方、前記下面板１３Ｂには、中心導電体（内側電極）が遊挿する開口１３１が形成されており、その開口１３１の回りに環状の突条１３３を形成しておく。また、ノズル本体３３には、前記中心導電体が遊挿する開口３４５が形成されており、その開口３４５の回りに環状の凹溝３４７を形成しておく。したがって、ノズル本体３３を下面板１３Ｂにねじ止めすると、前記Ｏリングが凹溝３４７と突条１３３とに挟み込まれて弾性変形し、前記電気的な接触（接合）を安定させることができる。 （もっと読む）

【課題】微粒子の除去率を高め、露光装置のスループットを維持し、被洗浄面の損傷を低減する洗浄装置及び方法、並びに洗浄装置を有する露光装置を提供する。
【解決手段】真空環境下に配置されたレチクル２のパターンを投影光学系５を介してウエハ１に露光すると共に、真空環境下でレーザー光Ｌをレチクル２に照射することによってレチクル２を洗浄する洗浄装置を有する露光装置１００において、洗浄装置は、レーザー光Ｌをレチクル２のパターン面２ａに対して１°以上４５°以下の範囲の角度で照射する照射手段を有し、前記照射手段が、レーザー光Ｌのパターン面２ａに対する入射角度を前記範囲内に維持した状態で、レーザー光Ｌをパターン面２ａの法線周りの入射方向が互いに異なる複数の入射方向から入射させることを特徴とする露光装置１００を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、マイクロ波の伝搬に導波管を用いるにあたって、マイクロ波発生手段の交換を容易に行うことができるとともに、前記マイクロ波発生手段の導波管への取付けの信頼性を向上する。
【解決手段】マグネトロンから成るマイクロ波発生装置２０を、その一方側に形成したフック２１１をＵ字状の係合片１１２に引掛け、他方側に取付けたばね式キャッチクリップ２１２をフック１１３に引掛けることで、第１導波管ピース１１の上面板１１Ｕに、脱着自在に取付ける。したがって、工具を使わないで容易にマイクロ波発生装置２０の交換（脱着）を行うことができる。また、温度によるストレスなどに対しても、前記ばね式キャッチクリップ２１２の弾発力によって、マイクロ波発生装置２０は上面板１１Ｕに押圧して取付けられ、接合部分にガタを生じることはなく、取付けの信頼性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、点状の吹出し口を有する低コストで制御が容易な小径のプラズマ発生ノズルを用いても、広い面積の被照射対象物に均等なプラズマ照射を行えるようにする。
【解決手段】プラズマ発生ノズル３１の先端に、前記点状の吹出し口を長手状の吹出し口３８７に変換するアダプタ３８を装着し、さらに複数のプラズマ発生ノズル３１を覆うカバー部材９３を設け、そのカバー部材９３とワークとの間に狭小な空間を形成し、吹出し口から吹出され、ワークに当って跳ね返されたプラズマを再び押し返して、前記空間内に滞留させるようにする。したがって、広い面積のワークに均等なプラズマ照射を行うことができるとともに、前記空間でプラズマの冷却を抑え、比較的長い時間プラズマを生存させることができ（消失する割合が小さくなり）、照射効率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、プラズマ発生ノズルにマイクロ波発生手段からのマイクロ波が導波管を介して伝搬され、前記プラズマ発生ノズルが内側電極と外側電極とが同心状に配置されて構成される場合、消耗する前記内側電極の交換を容易に行えるようにする。
【解決手段】内側電極となり、アンテナとなる中心導電体３２を外側電極の中心に保持する絶縁性の保持部材３５において、前記中心導電体３２を内部に収容して筒状に延長し、把持部３５１とする。一方、前記導波管（１３）のプラズマ発生ノズルが取付けられる壁面とは反対側の壁面（１３Ｂ）には、前記保持部材３５に保持された中心導電体３２が遊挿可能な大きさの点検口１３５を形成しておき、キャップ部材１３６を締付けることで固定する。したがって、ワーク側から交換を行う場合に比べて、容易に交換を行える。 （もっと読む）

【課題】遠心分離による半導体基板の洗浄乾燥時において半導体基板表面にウォータマークが形成されないようにする。
【解決手段】回転盤１１と共に回転する半導体基板１２に洗浄水Ｗを吹き付ける洗浄ノズル２０、２１を備え、回転盤１１及び洗浄ノズル２０、２１は開閉可能な上カバー４を有するチャンバ２内に設置し、上カバー４には半導体基板１２に窒素ガスＮ２を吹き付ける窒素ガス供給ノズル２２を設け、チャンバ２内に窒素ガスＮ２を充満・増圧させた状態で半導体基板１２を洗浄乾燥させる。又、窒素ガスＮ２は半導体基板１２の上面中央部に吹き付け可能とし、窒素ガスＮ２の圧力又は流速は可変調整可能にする。更に、チャンバ２の下底部には開度調整可能な開閉弁６付きのドレーン５を設ける。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生部のメンテナンス作業を容易に行うことが可能なワーク処理装置を提供する。
【解決手段】このワーク処理装置Ｓは、供給される所定のガスをプラズマ化するプラズマ発生部１８を有し、このプラズマ発生部１８からプラズマ化したガスを放出するプラズマ発生装置６と、プラズマ発生部１８の下方で処理対象であるワークＷを支持する搬送装置２とを備え、ワークＷに対してプラズマ化したガスを照射することにより所定の処理を施与するものであって、プラズマ発生部１８がワークＷ上に位置するようにプラズマ発生装置６を据え付けるための据付枠４を備えている。そして、プラズマ発生装置６は、プラズマ発生部１８がワークＷ上に配置される据付位置から水平方向に引き出し可能に据付枠４に対して取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】水分量が１ＰＰＢ以下というこれまで実現しえなかった環境下での脱水を行うことができ、これにより、脱水時間を顕著に短縮し、残留水分を低減化する顕著な効果が得られ、また、極めて水の少ない環境下で半導体装置の製造を行い、半導体装置に不純物として残留する水を極限まで低減させることが可能となる処理システムを提供する。
【解決手段】酸素分子排出時に電圧印加をＯＮにし、酸素分子排出装置の電極間に電圧を印加して中空を通過するガス中の酸素分圧を制御する酸素分圧制御装置と、を備えるガス中の水分量を１ＰＰＢ以下に生成する極低水分ガス生成装置と、その極低水分ガス生成装置で生成された前記ガス中の水分量が１ＰＰＢ以下の極低水分ガスが導入され、該装置内部の水分が除去されてなる処理装置と、を備える処理システムとした。 （もっと読む）

【課題】酸化膜を湿式エッチング処理する際に、レジスト変質物が残ることのない良好なエッチングが行える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に酸化膜１を形成する工程と、上記酸化膜１上にレジストパターン２を形成する工程と、上記基板を薬液に浸漬することにより上記レジストパターン２をマスクとして上記酸化膜１をエッチングする工程と、上記基板を水洗および乾燥する工程と、上記レジストパターン２を除去する工程と、を備えた半導体装置の製造方法において、上記レジストパターン２を除去する工程は、上記基板を水洗する工程の後、乾燥することなく直ぐに、基板を硫酸と過酸化水素水との混合液に浸漬する工程であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マルチオキサイドプロセスを用いた場合においてトランジスタ特性の安定した半導体装置を得ることの可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板１２表面に第１絶縁膜１６が形成された第１領域２０と、半導体基板１２表面が露出した第２領域２２とを形成する工程と、第２領域２２において露出する半導体基板１２の表面を洗浄液により洗浄する工程と、第２領域２２の半導体基板１２表面に前記洗浄液により形成された化学酸化膜２４を、除去する工程と、第２領域２２の半導体基板１２表面に第１絶縁膜１６とは膜厚の異なる第２絶縁膜２６を形成する工程と、その上にゲート電極膜を形成してそのゲート電極膜（とその下の第１絶縁膜１６および第２絶縁膜２６）にパターンを形成する工程とを含み、前記酸化膜を除去する前記工程は、水素ガスの存在下、温度９４０℃以上９９０℃以下、圧力３０Ｔｏｒｒ以上１５０Ｔｏｒｒ以下で前記半導体基板を処理することにより前記酸化膜を除去するものである。 （もっと読む）

【課題】紫外線照度及びオゾン濃度を安定化し被洗浄物に対して面内均一な洗浄を実施できるドライ洗浄装置及びドライ洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄槽２内において、気体３の上流側から順に整流板５、紫外線ランプ６及び被洗浄物７を配置する。紫外線ランプ６は、２５４ｎｍ及び１８４ｎｍの波長を有する紫外線を照射する。気体３中の酸素と１８４ｎｍの紫外線により発生したオゾン及び２５４ｎｍの紫外線により被洗浄物７を洗浄する。オゾン濃度及び２５４ｎｍの紫外線照度は、オゾン濃度計９及びＵＶ照度計１０により夫々測定され、この測定結果に基づき流量制御１９により気体３の流量を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板周辺部材の耐久性が劣化するのを抑制しながら基板表面に凍結膜を生成することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】冷却ノズル３から窒素ガスに酸素を混合させた混合流体を冷媒として吐出させながら冷却ノズル３を待機位置Ｐｓから基板Ｗの回転中心位置Ｐｃに移動させる。このとき、冷却ノズル３が基板表面Ｗｆ上に対向すると冷媒温度（吐出冷媒温度）が急激に低下する。そして、回転駆動されている基板Ｗの表面Ｗｆに向けて冷却ノズル３を基板Ｗの端縁位置Ｐｅに向けて移動させていく。これにより、基板表面Ｗｆの表面領域のうち液膜１１が凍結した領域（凍結領域）が基板表面Ｗｆの中央部から周縁部へと広げられていく。冷媒温度の低下は冷却ノズル３が基板表面Ｗｆ上をスキャンしている間維持される。 （もっと読む）