【課題】パターンの間隙内部に入り込んだ液体を凝固させることでパターンを構造的に補強した状態で基板表面を物理洗浄する、基板処理方法および装置においてパーティクル除去効率をさらに高める。
【解決手段】基板表面ＷｆにＤＩＷの液膜１１を形成し、パターンＦＰの間隙内部にＤＩＷを入り込ませた後、ＨＦＥ液が基板表面Ｗｆに供給されてパターンＦＰの間隙内部にＤＩＷを孤立して残留させながらパターンＦＰ上面を含む基板表面Ｗｆ全体にＨＦＥ液の液膜１２を形成している。このため、パターンＦＰ上面に付着するパーティクルＰはＨＦＥ液の液膜１２中に存在し、パターンＦＰの間隙内部のＤＩＷを凝固させた後も当該凝固体から完全に縁切りされる。したがって、パーティクルが凝固体に埋もれてしまうことがあった従来技術に比べて物理洗浄によりパーティクルを効率的に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】処理室内の試料台の結露を抑制し信頼性を向上させる。
【解決手段】真空容器内部に配置されガスが供給されてプラズマが形成される処理室２００と、前記処理室内に配置されウエハが載置される前記略円筒形の試料台２５０と、前記試料台の下方で前記ガスが排気される開口２０４と、前記試料台内部に配置され熱交換媒体が流れる媒体用通路３０４と、前記処理室内で水平方向に前記試料台を支持する梁２１６と、前記試料台内の前記通路の下方に配置され内部が大気圧にされた円筒形の空間２１４と、前記空間の内側壁と前記真空容器外とを連通する連結路３０９と、この連結路内に配置された前記熱交換媒体用管路と、前記空間内に配置された中央側のウエハ用ピンの駆動機構３０８及びこの外周側で複数の前記媒体用管路の前記試料台との接続部を覆う複数の金属製ブロックとの間から高温のガスを供給し前記連結路を通り前記空間内のガスが外部に排出する。 （もっと読む）

【課題】物質、そして好ましくはホトレジスト、を支持体から除去する。
【解決手段】３つのオリフィスノズルからの液体のスプレーの方向を変える。ａ）ｉ）十分な圧力下で液体源から液体を供給され、そこから液体の流れを噴出する第１オリフィス１２４；ii）ガス源からガスを制御された圧力で供給されてガスの流れを噴出し、少なくとも部分的に液体の流れを偏向させる、第１ガスオリフィス１３０；iii）第２ガス源から第２ガスを制御された圧力で供給されてガスの流れを噴出し、少なくとも部分的に液体の流れを偏向させる、第２ガスオリフィス１４０、を有するノズルを装備し；そしてｂ）中央オリフィス１２４からの液体の流れに方向を付与するように第１ガスオリフィス１３０及び第２ガスオリフィス１４０の少なくとも１つのガス流の流れを修正することにより、ノズル１２２からの液体のスプレー方向を調節する。 （もっと読む）

【課題】配管を介して供給される冷却流体によって基板を処理する基板処理装置において、低い温度に保たれた冷却流体を安定的に基板に供給する。
【解決手段】二重配管７１により冷却ガスが処理チャンバ１内の冷却ガス吐出ノズル３に供給される。二重配管７１は円環プレート８１に保持され、さらに円環プレート８１がベローズ８２により処理チャンバ１に対して移動自在に連結されている。このため、二重配管７１のうち処理チャンバ１内でノズル３と接続された冷却ガス供給管部７１Ｂは、冷却ガス吐出ノズル３の走査移動に伴い大きく移動変位するが、その移動に伴いプレート８１が移動して冷却ガス吐出ノズル３との距離がほぼ一定値に保たれて冷却ガス供給管部７１Ｂはほぼ直線状態を維持したまま変位する。このように冷却ガス供給管部７１Ｂが湾曲変形するのを抑制し、冷却ガス供給管部７１Ｂの移動により発生する負荷が抑制される。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波を使用する減圧処理容器内での昇華物再付着防止。
【解決手段】 減圧処理容器内部に、マイクロ波励起無電極ランプを挿入できる構成を設け、プラズマ生成用のマイクロ波発振器を使用し、第1の工程でプラズマを励起せず、ＵＶ発光によるオゾンクリーニングを実施し、第2の工程で処理対象物を入れ、通常のプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ガス流の圧力損失を制御することにより、被処理物に対する処理レートを調整可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部を真空とすることが可能な処理室１内に、被処理物Ｓに対向して、プラズマ処理用のガスの流路を構成する穴３０を有する第１のガスノズル３と、穴４０を有する第２のガスノズル４とが、互いの間に隙間を保持した状態で重なり合う位置に配置され、第２のガスノズル４は、穴３０及び穴４０を通過するガスの圧力損失が変化するように、駆動機構６によって回動可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板の汚染を抑制または防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平に保持するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持された基板Ｗの中央部上方に配置され、気体吐出口５５から基板Ｗに沿って窒素ガスを放射状に吐出して、基板Ｗを覆うための窒素ガスの流れを形成する気体吐出ノズル６とを含む。 （もっと読む）

【課題】高温で不安定な過酸化水素水を使用せずに、硫酸を用いて基板表面のレジスト残渣を効率よく除去することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】硫酸を含む第１の処理液及び水よりなる第２の処理液を用いて基板を処理する基板処理装置であって、基板の少なくとも一方の面に常温より高温に保持された前記第１の処理液の液膜を形成する液膜形成手段１０、３１と、前記基板の前記第１の処理液の液膜が形成された面に、前記第２の処理液の蒸気又はミストを供給する蒸気・ミスト供給手段４０とを有することを特徴とする基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】高温で不安定な過酸化水素水を使用しながら、硫酸を用いて基板表面のレジスト残渣を効率よく除去することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】硫酸を含む第１の処理液及び過酸化水素水を含む第２の処理液を用いて処理容器５中で基板を処理する基板処理装置であって、第１の処理液を常温より高温の状態で貯留する処理槽１０と、処理槽１０と処理容器５との間で基板を昇降させる基板昇降機構３１と、基板昇降機構３１によって基板を処理槽１０から引上げるか又は処理槽１０に浸漬させる際に、基板の第１の処理液の液面近傍に、第２の処理液のミストを供給するミスト供給手段４０とを有することを特徴とする基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】装置価格の上昇を抑えつつ処理時間を短縮することのできるプラズマ洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマ洗浄装置１は、基板５０を搬送する搬送機構１５を備えた前チャンバ２と、主チャンバ入口１４に繋がっており、基板５０をプラズマ洗浄する高周波電極２５等を備えると共に、搬送機構１８を備えた主チャンバ３と、主チャンバ出口１７に繋がって、搬送機構２１を備えた後チャンバ４と、主チャンバ３に接続される主真空ポンプ７と、前チャンバ２および後チャンバ４に共通して接続される副真空ポンプ６とを備え、主真空ポンプ７によって真空引きされた主チャンバ３に前チャンバ２から基板５０を搬送するとき、および主チャンバ３から後チャンバ４に基板５０を搬送するときには、前チャンバ２、後チャンバ４を副真空ポンプ６で予め真空引きしておくものである。 （もっと読む）

【課題】最外周誘導壁によって容器の開口部を開閉することにより、占有面積の小型化、及び処理の短時間化を実現する。
【解決手段】回転式処理装置１に、容器１Ａ、回転保持機構７、処理液吐出アーム３０、誘導壁１６，１７、及びエアシリンダ２２，２３を設けた。回転保持機構７は、容器１Ａの開口部３７から搬入された被処理基板３を水平に保持して回転させる。誘導壁１６，１７は、回転保持機構７の外周側に同心状に配置され、処理液吐出アーム３０から吐出された処理液の廃液を分別して排液する。エアシリンダ２２，２３は、誘導壁１６，１７のそれぞれを上端部が回転保持機構に保持された被処理基板３よりも上方に位置する回収位置と下方に位置する退避位置との間で昇降させる。誘導壁１６，１７のうち最外周誘導壁１７は、回収位置で開口部３７を閉鎖し、退避位置で開口部３７を開放する。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度を低減した処理液で基板を処理できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを保持するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに対向する基板対向面３４を有し、基板対向面３４の周囲からスピンチャック３に向かって突出した周壁部３２が形成された遮断板６と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに処理液を供給する第１上側処理液供給管３５とを備えている。第１上側処理液供給管３５には、第２上側処理液供給管３８を介して第１配管内調合ユニット５１から薬液が供給される。この薬液は、薬液原液と、不活性ガス溶存水生成ユニット５０によって純水中の酸素が脱気され、当該純水中に不活性ガスが添加されて生成された不活性ガス溶存水とが第１混合部５９内で混合されることにより調合されたものである。 （もっと読む）

【課題】洗浄液により表面にパターンが形成された基板を洗浄するにあたって、洗浄液を除去あるいは乾燥させるときに、洗浄液の表面張力によりパターンの凸部の倒れを抑えながら当該基板を洗浄すること。
【解決手段】洗浄を行う基板と、洗浄液の液滴と、の間において当該液滴の蒸気が介在することによってライデンフロスト現象が起こるように基板を加熱して、この基板に洗浄液を供給して洗浄する。基板上に供給された洗浄液の液滴の下面から蒸気が下方に向かって噴き出すことにより、基板と液滴との間の表面張力がなくなるかあるいは極めて小さくなり、またこの蒸気により基板上の残渣などが上方に巻き上げられて液滴に取り込まれる。 （もっと読む）

【課題】各工程で使用する薬液に乾燥残留後に問題となる有機物等が大気中から混入することによる洗浄工程内でのウエハへの有機汚染物質の付着を防ぐことができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板を薬液により洗浄する処理室と、前記処理室内で基板を支持する支持具と、前記処理室内の前記基板に対して薬液を供給する配管と、前記基板に対して供給する前記薬液を収容する容器と、前記容器内または前記容器内の前記薬液液面上方の空間を排気する排気配管内に有機物非含有ガスを導入する有機物非含有ガス供給系とを有する。
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【課題】所定の間隔を隔てて配置される容器内方に効率よく気体を導入しうるノズルの提供。
【解決手段】容器２００と非接触状態で容器２００の内方に気体を導入するためのノズル１００であって、第一流量の気体が吐出される主吐出口１０１と、主吐出口１０１を囲む環状であり、第二流量の気体が、主吐出口１０１が吐出する気体と同方向に吐出される副吐出口１０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハや熱処理炉内のシリコン系部材における汚染金属の濃度を十分に低減できる洗浄方法及びそれを用いたシリコンウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウエハ６１やシリコンダミーウエハ６５、熱処理炉６の内部に配置されるシリコンウエハボート６２等のシリコン系部材の洗浄方法であって、シリコンウエハ６１及びシリコン系部材を、１０００℃以上の酸化性雰囲気下で熱処理する酸化熱処理工程中に、シリコンウエハ及びシリコン系部材に対して塩化水素ガスを接触させる洗浄工程を行う。これにより、鉄等の汚染金属濃度を充分に低減できる。 （もっと読む）

【課題】表面に酸化銅が形成された銅膜を有する基板に対し、有機酸にてドライクリーニングを施して酸化銅を除去する際に、その終点を簡便にかつ高精度で、迅速に検出することができる終点検出方法を提供すること。
【解決手段】処理室内に有機酸ガスを導入してドライ洗浄処理を行っている際の処理室内のガスまたは処理室から排出されたガスの分析を行って、酸化銅が形成されている際と酸化銅が除去された際との所定のガス成分の濃度変化に基づいて終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】この発明は、洗浄液を、第２処理槽内に滞留させることなく効率よく排出及び濾過することができる被処理物洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】被処理物Ａの浸漬洗浄処理が完了した際に、第２処理槽２Ｂに貯留されたフッ素系溶剤Ｃを、そのフッ素系溶剤Ｃの自重を利用して第２処理槽２Ｂの底部に接続された排出路２ｆから下方へ排出して貯液槽７へ供給する。第２処理槽２Ｂと貯液槽７との間に重力に沿ったフッ素系溶剤Ｃの流れを作ることができるので、フッ素系溶剤Ｃの全体を、第２処理槽２Ｂ内の角隅部等に滞留させることなく貯液槽７へ供給することができる。これにより、フッ素系溶剤Ｃの全体を排出及び濾過する際に要する時間が短縮され、作業の能率アップ及びレベルの高い濾過が行える。 （もっと読む）

【課題】同一の基板において微小異物の検出と成分分析を行うことができる異物検出方法を提供する。
【解決手段】光学式異物検査装置１３、電子ビーム照射装置１４、水蒸気供給ユニット１５及び圧力制御バルブ１７を備える異物検出装置１０において、ウエハＷの温度及び該ウエハＷの表面を取り巻く雰囲気中の水蒸気圧を制御することによってパーティクルＰの周りに選択的に水分を結露させ、その後、ウエハＷの温度を低下させながら、上記水蒸気圧がウエハの表面にパーティクルが付着していない場合の飽和蒸気圧曲線を越えないように制御して結露した水分から氷の結晶Ｔを発生・成長させ、ウエハＷの表面を光学的に検査し、検査対象のパーティクルＰの位置を特定し、氷の結晶Ｔを蒸発させて除去し、さらに、特定されたパーティクルＰの成分をエレクトロンビームを用いて分析する。 （もっと読む）

【課題】 この発明はカップ体内に設けられた仕切体を上昇させた状態及び下降させた状態のいずれであってもカップ体内を確実に排気できる処理装置を提供することにある。
【解決手段】 カップ体２内に設けられた回転テーブル３と、カップ体内の雰囲気を排出する第１の排気ブロア２１と、回転テーブルの外周とカップ体の内周との間に周方向全長にわたって設けられる固定仕切体１１及び上下駆動手段１３によって上下方向に駆動される可動仕切体１２を有し、上昇方向に駆動されたときに基板から飛散する処理液を内周面に衝突させる仕切体と、仕切体の内周面に衝突してカップ体の内底部に落下した処理液を回収する気液分離器２２と、仕切体の周壁に設けられ仕切体を上昇させて処理液を回収するときに第１の排気ブロアによる排気経路が仕切体によって遮断されるのを阻止する気体を通過して液体の通過を阻止する材料によって形成された通気性部材１２ａを具備する。 （もっと読む）