【課題】露光前のウェハの裏面全面を効率よく洗浄する。
【解決手段】処理容器１１０の一の側面には、搬送機構１０１の搬送アーム１２０に保持されたウェハＷを搬入出させる搬入出口１１１が形成されている。処理容器１１０内には、搬送アーム１２０に保持されたウェハＷの裏面の付着物を静電気によって捕集するために帯電可能な帯電部材１３０と、当該ウェハＷの裏面に気体を噴射できる気体噴射ノズル１４０が設けられている。処理容器１１０の底面であって、帯電部材１３０の周囲には、処理容器１１０内の雰囲気を排気する排気口１５０が形成されている。処理容器１１０内であって、搬入出口１１１側の内側面には、ウェハＷの裏面の付着物を検査する検査機構１６０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】量産用の常圧プラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】直流パルスまたは交流電源に連結される電源電極と、前記電源電極から離れて設けられ、プラズマガスが通過可能な噴射通孔を有する接地電極と、前記電源電極と接地電極を収容固定するフレームと、前記フレームの外部から電源電極と接地電極との間にガスを供給するガス供給部と、前記ガス供給部から配管により連結されてフレームの内部に流入するガスの温度を調節するガス恒温調節装置と、を備えてなる量産用の常圧プラズマ発生装置。本発明によれば、プラズマ発生装置の初期から前記プラズマ発生装置を量産に必要とされる所定の温度以上に昇温することができることから、初期段階から量産可能なプラズマ発生装置を提供することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】基板の主面に対向部材を極めて微小な間隔を隔てて対向配置させて基板に処理を施すことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】遮断板４の対向面には、中央部吐出口１２と多数個の周縁部吐出口１９とが形成されている。遮断板保持体１７は、ボールブッシュ機構２３を介してアーム１０に取り付けられている。そのため、遮断板保持体１７および遮断板４は、アーム１０に対して上下方向に変位可能に保持される。周縁部吐出口１９からの不活性ガスの吐出によって、遮断板４に、鉛直上向きの離反方向力が作用し、遮断板４はアーム１０に対して鉛直上向きに相対変位する。遮断板４は、この離反方向力と遮断板４等に働く重力とが釣り合う位置に保持される。 （もっと読む）

【課題】プラズマの電気アークと異常な放電を抑制し、基板の表面処理の質を改善するジェットプラズマ銃とそれを用いたプラズマ装置を提供する。
【解決手段】ジェットプラズマ銃は、基板１３０の表面を処理するためのプラズマ１１０を噴出させる。前記ジェットプラズマ銃は、プラズマ生成部１７１と、プラズマノズル１７３と、障壁２７５とを有しており、プラズマ生成部１７１はプラズマを生成し、基板１３０とプラズマ生成部１７１の間に配設されたプラズマノズル１７３は、プラズマ生成部１７１に対向する第１の開口部と、基板１３０に対向する第２の開口部を備えている。プラズマノズル１７３と基板１３０との間に配される絶縁体とされる障壁２７５は、前記第２の開口部に連通する通孔を有する。プラズマ１１０は前記通孔とプラズマノズル１７３を介して基板１３０に到達する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェーハ、フラットパネル基板、ソーラーパネル等の基板を処理するための、ｉｎ‐ｓｉｔｕプラズマ洗浄機構を含む基板処理チャンバを提供する。
【解決手段】 前記チャンバ本体は、それ自体の側壁上に設けられた少なくとも１つのプラズマ源開口を有する。前記チャンバ本体内には、前記基板が前記プラズマ源開口の下方に配置されるときに、前記チャンバのｉｎ‐ｓｉｔｕプラズマ洗浄用の第１の位置をとり、前記基板が前記プラズマ源開口の上方に配置されるときに、基板処理用の第２の位置をとる可動基板ホルダが設置される。前記プラズマ源開口には、プラズマ源が結合される。 （もっと読む）

【課題】銅を含む配線の腐食を抑制できる洗浄工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず半導体基板１上に銅を含む配線５ｗが形成される（（Ａ）工程）。配線５ｗ上にエッチングストッパ膜６ｅｓが形成される（（Ｂ）工程）。エッチングストッパ膜６ｅｓ上に絶縁層６が形成される（（Ｃ）工程）。絶縁層６に、エッチングストッパ膜６ｅｓに達するビアホール６ｖが形成される（（Ｄ）工程）。ビアホール６ｖおよび絶縁層６の表面が有機溶剤Ｃで洗浄される（（Ｅ）工程）。配線５ｗが露出するようにエッチングストッパ膜６ｅｓが除去される（（Ｆ）工程）。露出した配線５ｗに電気的に接続する配線６ｗがさらに形成される（（Ｇ）工程）。 （もっと読む）

【課題】処理槽の上方に乾燥処理部を備えた処理装置において、乾燥処理部に薬液雰囲気が流入することを防止でき、さらに、乾燥処理部から処理ガスを確実に排気できる基板処理装置、基板処理方法、記録媒体およびソフトウエアを提供する。
【解決手段】基板処理装置１は基板Ｗを処理液によって処理する処理槽３と、処理槽３の上方に配置された乾燥処理部６と、処理槽３と乾燥処理部６との間で基板Ｗを移動させる移動機構８とを備えている。乾燥処理部６は、移動機構８によって基板Ｗが処理槽３内に移送されたとき、外気と連通する状態と、外気と遮断した状態とをとることができる。乾燥処理部６は制御部６５によって外気と連通する状態と、外気と遮断した状態とに切り換えられる。 （もっと読む）

【課題】洗浄槽及び乾燥槽を薄型化することができ、これにより洗浄装置及び乾燥装置の占める面積を小さくするとともに、洗浄及び乾燥に用いる流体の量を減少させることができ、さらにウオーターマークがつきにくい洗浄装置及び乾燥装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽内の洗浄用流体により、前記洗浄槽に配設された板状の被処理物を洗浄またはリンスする洗浄装置であって、前記洗浄槽は、一側壁と装置躯体が当接することによって扁平ボックス状に構成されて内部空間が密閉され、前記一側壁は、前記洗浄槽において被処理物の表面又は裏面が臨む面であり、かつ、洗浄槽内に臨む面に隙間形成部材を配してなり、前記被処理物は、前記隙間形成部材に接触しつつ起立した状態で保持され、洗浄槽の一側壁と、一側壁に対向する側壁との間で両側壁から離間した位置で洗浄されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液状被膜中へのガス成分の改善された拡散で半導体ウェーハを湿式化学的処理するのに特に効果的な方法を提供する。
【解決手段】ａ）半導体ウェーハを回転させ；ｂ）１００μｍまたはそれ以下の直径を有する気泡を有する清浄化液体を、回転する半導体ウェーハに適用し、こうして液状被膜を半導体ウェーハ上に形成させ；ｃ）回転する半導体ウェーハを、反応性ガスを有するガス雰囲気に晒し；ｄ）液状被膜を除去する。
【効果】改善された粒子の清浄化がマイクロバブルとシリコン表面を腐蝕する清浄化化学薬品との組合せによって達成され、清浄化液体中への反応性ガスの改善されたガス輸送（拡散）は、有機汚染物質および金属含有汚染物質の酸化および除去を簡易化し、ウェーハの中心での液状被膜の隆起は、マイクロバブルの使用によって減少される。 （もっと読む）

【課題】主表面上に少なくとも１層の３種類以上の元素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させても高い特性を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体デバイスが得られるＧａＡｓ半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ半導体基板１０は、主表面１０ｍが（１００）面１０ａに対して６〜１６°の傾斜角θを有し、主表面１０ｍにおける塩素原子濃度が１×１０¹³ｃｍ^-2以下である。また、ＧａＡｓ半導体基板１０の製造方法は、ＧａＡｓ半導体ウエハを研磨する研磨工程と、研磨されたＧａＡｓ半導体ウエハを洗浄する１次洗浄工程と、１次洗浄後のＧａＡｓ半導体ウエハの厚さおよび主表面１０ｍの粗さを検査する検査工程と、検査後のＧａＡｓ半導体ウエハを塩酸以外の酸およびアルカリのいずれかにより洗浄する２次洗浄工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スペース効率が良好でコンパクトな基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハにスパッタリングを施すスパッタリング室１２と、スパッタリング室
１２内に収納されウエハ１を保持するウエハチャック２０と、ウエハ１を保持したウエハ
チャック２０を回転させる回転機構２１と、ウエハ１に向けてイオンビーム３６を照射す
るミリング用イオン源３０とを備えており、ミリング用イオン源３０のミリング用電極３
２を短辺側がウエハの外径より小さい矩形形状に形成し、このミリング用電極３２の開口部３３の開口率をウエハの中心側より周辺側が大きくなるように設定する。ミリング加工時にウエハを回転させつつイオンビームをウエハに照射すると、ミリング加工量をウエハ全面で均一化できる。ミリング用イオン源のサイズを小さくできるので、スペース効率を向上させてスパッタリング装置を小型化できる。 （もっと読む）

【課題】水を含む高沸点、高蒸発潜熱の洗浄剤においても、再付着がなく、洗浄後の乾燥効率が高く、洗浄、乾燥時間を短縮でき、複雑な形状の被洗浄物でも乾燥シミを作ることなく乾燥させることができるベーパー洗浄を可能にする。
【解決手段】被洗浄物をベーパー洗浄するためのベーパー洗浄槽６と、ベーパー洗浄槽６内における下方部分に蓄えた洗浄剤１６と、ベーパー洗浄槽６に連通した乾燥槽５と、ベーパー洗浄槽６と乾燥槽５間を遮断又は開放可能とした遮断蓋１３と、被洗浄物を載置可能であるとともにベーパー洗浄槽６と乾燥槽５間を移動可能なキャリアと、を具備した装置本体２と、装置本体２に連結された、装置本体２の内部を加減圧する圧力調整手段３と、被洗浄物に付着した洗浄剤等を排液するための排液弁１７と、洗浄剤１６を加熱するための加熱システム１９と、を具備した。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本明細書に記載の様々な実施形態は、処理歩留まりを改善するために、ベベルエッジ上の望ましくない堆積物を除去するための改良されたメカニズムを提供する。実施形態は、ベベルエッジの銅を、銅に比べて高いエッチング選択比で流体によって湿式エッチングできる銅化合物に変換するために、銅メッキ基板のベベルエッジを処理する装置および方法を提供する。一実施形態において、銅に対して高い選択比で銅化合物の湿式エッチングを行うと、湿式エッチング処理チャンバ内で基板ベベルエッジの不揮発性の銅を除去することが可能になる。ベベルエッジでのプラズマ処理は、正確な空間制御で、基板のエッジ面から約２ｍｍ以下（例えば、約１ｍｍ、約０．５ｍｍ、または、約０．２５ｍｍ）の範囲まで、ベベルエッジの銅を除去することを可能にする。さらに、ベベルエッジの銅を除去する上述の装置および方法では、デバイス領域に銅エッチング流体が飛び散って銅薄膜の欠陥および薄化を引き起こす問題が起こらない。したがって、デバイスの歩留まりを大幅に改善することができる。 （もっと読む）

【課題】ＢＳＰをより確実に除去することが可能なＢＳＰ除去方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板のベベル面、及び裏面に付着した無機層、及び有機層を含む多層ベベル／バックサイドポリマー（ＢＳＰ）を除去するＢＳＰ除去方法であって、多層ＢＳＰを機械的に破壊する第１工程（ステップ２）と、機械的に破壊された多層ＢＳＰの残渣を加熱する第２工程（ステップ３）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】マガジン挿入基板や石英ボード挿入シリコンウエハ等を均一且つダメージレスに短時間でバッチ洗浄処理するマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】左右に分岐した導波管より導入されたマイクロ波がそれぞれ左右対向したスロット板を通した誘電体に伝播し減圧された処理室内に中空孔加工したガス噴出口から供給された反応ガスを励起し高密度で安定したプラズマ放電を実現する。 （もっと読む）

【課題】エキシマランプと被処理体との間での不所望の放電を防止して、被処理体に損傷をあたえることのない紫外線照射処理装置を提供すること。
【解決手段】 隅部に湾曲部を有する扁平筒状放電容器を有するエキシマランプを備えた紫外線照射処理装置において、高圧電極と接地電極間の沿面放電距離を、高圧電極と被処理体間の最短放電距離より小さくなるようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上できる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板処理方法は、被処理基板の周縁部の一部が挿入される溝を備えた処理部の該溝内に、被処理基板を挿入して相対的に移動させながら該被処理基板の周縁部を処理する基板処理方法において、前記処理部は、前記溝内に流速３０〜１０００ｍ／ｓｅｃの処理液を含む気体の高速気流を発生させて、該高速気流を相対的に移動する前記被処理基板の周縁部に接触させて処理する。 （もっと読む）

【課題】操作画面にレシピのステップ毎に必要なステータスを視覚的に分かりやすく表示させる。
【解決手段】複数のステップから構成されるレシピの作成を行う操作画面を有し、この操作画面上からの指示で前記レシピを実行させることにより、基板の処理を行う基板処理装置であって、前記レシピの各ステップ名を順番に表示すると共に、各ステップに対応する内容を示すアイコンを前記操作画面に表示し且つガス配管図Ｇ２を前記操作画面に表示する表示手段を備える。 （もっと読む）

【課題】 基板の上部面と下部面を効率的に洗浄またはエッチングできる基板加工方法を提供する。
【解決手段】 基板加工方法によると、基板を支持し、支持された基板を回転させる。薬液、洗浄液、及びガスのうち、少なくとも１つを回転する基板の下部面に選択的に噴射する。基板の下部面に噴射される薬液、洗浄液、及びガスと同一の薬液、洗浄液、及びガスのうち、少なくとも１つを回転する基板の上部面に選択的に噴射する。従って、基板の下部面を洗浄またはエッチングするために基板の下部で薬液、洗浄液、及びガスを噴射することで、基板の上部面と下部面に対する工程を同時に進行することができる。 （もっと読む）

【課題】隣接する処理室への処理液（ミスト）の侵入をより確実に防止する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｓに薬液処理を施すウエット処理部２と、その前処理としてドライ洗浄等の処理を基板Ｓに施す前処理部１とを有する。各処理部１，２のチャンバ１０，２０は開口部１１ａを介して連通しており、この開口部１１ａは、前処理部１側に設けられるシャッタ装置１４と、ウエット処理部２側に設けられるシャッタ本体２５とにより開閉可能に設けられている。また、前処理部１のチャンバ１０内には、開口部１１ａの開放中、ウエット処理部２側に向かって開口部１１ａにエアを吐出するエアノズル１９ａ，１９ｂが配備されている。 （もっと読む）