【課題】穴を有する洗浄対象物を洗浄した場合の洗浄性能を容易に評価することのできる洗浄性能評価用部材及び洗浄性能評価方法を提供する。
【解決手段】模擬的な穴部（５０）を形成した洗浄性能評価用部材（１０）を洗浄槽（７２）内の洗浄液（７０）に浸漬し、洗浄槽（７２）内の洗浄液（７０）に超音波を照射しながら洗浄槽（７２）内の減圧及び大気開放を繰り返して洗浄性能評価用部材（１０）を洗浄し、この洗浄工程終了後に洗浄性能評価用部材（１０）の洗浄性能を液浸透性能又は液交換性能に基づいて評価する。 （もっと読む）

【課題】基板が支持部に支持されることに起因する基板の未処理部分をなくすことができ、処理液のミストの発生も防止することができる液処理方法を提供する。
【解決手段】処理液により基板の下面を処理する液処理方法において、回転可能に設けられた、基板を下方より支持する支持部に支持されている基板を、支持部に対する基板の相対角度位置が変わらないように回転させ、回転する基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する第１の処理工程Ｓ１１と、第１の処理工程Ｓ１１の後、支持部を回転させる回転部の回転数を変更することによって、相対角度位置を変更する位置変更工程Ｓ１４と、位置変更工程Ｓ１４の後、支持部に支持されている基板を、相対角度位置が変わらないように回転させ、回転する基板の下面に処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する第２の処理工程Ｓ１５とを有する。 （もっと読む）

【課題】回転するウェーハの表面に噴射されミスト状に飛散した洗浄水及び洗浄屑が、ウェーハ表面上に再付着することのない洗浄装置を提供する。
【解決手段】回転テーブル３の上面に対向する位置に強制給気手段５を設け、回転テーブル３の外周を囲繞し回転テーブル３の上面と同じ高さ位置またはその上面より低い位置に環状排気手段７を配設し、環状排気手段７から吸引排気することにより、洗浄チャンバー２内において強制給気手段５から環状排気手段７に向かうダウンフロー１００を発生させ、ダウンフロー１００を利用して洗浄時に飛散したミスト状の洗浄水及び洗浄屑を効果的に環状排気手段７から排気し、ミスト等の被洗浄物Ｗの表面への再付着を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】エッチングガスの使用効率の高い洗浄装置、洗浄方法および太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】トレイクリーニング装置１は、トレイ２０を少なくとも１つ収容できる密閉可能な密閉容器２と、密閉容器２内にエッチングガスを供給できるガス供給口１０と、密閉容器２内のガスを排気できるガス排気口１１と、密閉容器２に収容されたトレイ２０の開口部を貫通可能に配設された軸部材３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】内部空間の容積を低減できる構造の密閉チャンバ内で、基板に良好な処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】密閉チャンバ２は、上部開口５を有するチャンバ本体６と、チャンバ本体６に対して回転可能に設けられて、上部開口５を閉塞する蓋部材７と、蓋部材７とチャンバ本体７との間を液体でシールする第１液体シール構造８とを備えている。蓋部材７は、回転可能に設けられており、蓋部材回転機構３２によって回転駆動される。密閉チャンバ２内には、スピンチャック３により保持されたウエハＷが収容される。このウエハＷに対して処理液ノズル４から処理液が供給される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等の部材に付着したＳｉ及びＣを含む膜を容易に除去でき、且つ部材にダメージを与えるおそれが少ない膜の除去方法、及びその除去方法において使用する膜除去用装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ及びＣを含む膜が形成された半導体基板２０をチャンバ１１内に配置する。また、チャンバ１１内に酸素ガスを導入するとともに、真空排気ポンプ１７によりチャンバ１１内の圧力を例えば１０Torr（約１．３３×１０³Ｐａ）に維持する。そして、真空紫外光ランプ１３により発生した真空紫外光を半導体基板２０に照射する。これにより、ＳｉとＣとの結合が切断され、Ｓｉと酸素とが結合して、Ｓｉ及びＣを含む膜がＳｉＯ膜に変質する。その後、フッ酸等によりＳｉＯ膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】 気液分離装置から排出される気体中の溶剤濃度を低減する。
【解決手段】この基板処理装置は、チャンバ２７内に一端側が接続され、チャンバ２７内から気体を排気する排気管６９と、チャンバ２７内に一端側が接続され、チャンバ２７内から処理液を排出する排液管６３と、排気管６９の他端側が接続され、チャンバ２７から排気された気体を取り込むとともに、排液管６９の他端側が接続され、排液管６９を介して排出された処理液を取り込み、気体と液体とを分離する気液分離部６１を備えている。
気液分離部６１の内部において、ノズル８１を上下に移動させると、第１金網７７の表面全体に純水が供給され、蒸気になっているイソプロピルアルコールを純水の液滴に溶解し、液体として排出する。 （もっと読む）

【課題】高いスループットが得られる現像装置を提供すること。
【解決手段】処理雰囲気を形成する気密な処理容器と、この処理容器内に搬入された基板の表面に現像液を結露させて液膜を形成するために、当該処理容器内に現像液のミストを供給する雰囲気ガス供給部と、前記液膜による現像を停止するために基板を乾燥する乾燥部と、を備えるように現像装置を構成する。現像液とレジストとの反応を停止させることができるので、洗浄モジュールによる洗浄処理と並行して現像処理を行うことができ、高いスループットが得られる。 （もっと読む）

【課題】凸版印刷などの印刷装置に用いられる刷版を作業性よく簡単に洗浄することができる刷版の洗浄装置及び洗浄方法を提供すること。
【解決手段】容器２の上方に刷版５を吊り下げるための吊り下げ保持部３を設け、刷版５の側部に設けられた被係止部６を吊り下げ保持部３の空間Ｔ内に挿入して吊り下げる。そして昇降手段によって刷版５を吊り下げ保持部３とともに下降させ、洗浄液Ｗに浸漬させることによって刷版５に付着したインキを溶出して除去する。その後、昇降手段により洗浄液Ｗから刷版５を取り出したならば、第２のモータＭ２を駆動して、フレーム４１をナット４３及びスライダ４４を介して水平方向に往復移動させる。このとき、ノズル４２から洗浄水を刷版５の印刷表面に向かって噴射させながらフレーム４１を往復移動させる。これにより、刷版５に残存するインキを除去する。 （もっと読む）

【課題】基板表面の周縁部の処理幅を正確に制御することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。
【解決手段】この装置は、ウエハＷを保持して回転するスピンチャック１と、スピンチャック１の上方に配置された遮断板１０とを備える。遮断板１０は、ウエハＷの上面の周縁部に対向する位置に、環状部材３２を有する。環状部材３２は、ウエハＷの上面の周縁部に対向するウエハ対向面４５と、内側の空間と外側の空間とを連通させる気体流通路４９を有する。また環状部材３２の内側の空間に気体を供給する気体供給手段１８，３０を有する。中心軸ノズル５から、ウエハＷの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、エッチング液は、ウエハＷの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面４５に接触する液膜を形成する。この液膜は、環状部材３２の内周縁付近から内方へ入りこむことがない。 （もっと読む）

【課題】 可燃性の処理流体又はその蒸気を基板に供給して処理を行う装置において、基板周辺からの排気を冷却することにより排気中の引火性のガスの濃度を低下することを可能にした基板処理装置を提供する。
【解決手段】 スピンチャック２に保持され液体が付着した基板Ｗの表面Ｗｆに対し可燃性の処理流体であるＩＰＡを供給することにより、基板Ｗを洗浄等する装置において、スピンチャック２及び基板Ｗから飛散して処理カップ２０１により受け止められ、スピンチャック周辺に浮遊する液体の微粒子を含む雰囲気を排気する排気液ライン２０２に排気冷却部２０３を介挿し、排気冷却部２０３に冷却用の冷媒を供給することにより排気液ライン２０２内を流れる排気を冷却し、排気に含まれる可燃性の処理流体の蒸気の濃度を低減する。これにより、装置内の可燃性の処理流体の蒸気の濃度を低減する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上にエッチングによって形成されたパターンの間に成長した異物を除去して当該パターンの形状を回復させることのできるシリコン基板上のパターン修復方法及びシリコン基板上のパターン修復装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板上にエッチングによって形成されたパターンの間に成長した異物を除去して当該パターンの形状を回復させるシリコン基板上のパターン修復方法であって、シリコン基板をチャンバー内に収容し、シリコン基板を１６０℃以上に加熱する加熱工程を有する。 （もっと読む）

【課題】少ない薬品の使用量で、ウェーハ表面に付着した有機物および金属等の微粒子をより精度高く除去することができるシリコンウェーハの表面浄化方法を提供する。
【解決手段】オゾンガスをウェーハ表面に接触させ、ウェーハ表面に酸化膜を形成させ（ステップＳ１）、フッ化水素ガスをウェーハ表面に接触させ、ウェーハ表面に形成された酸化膜を除去し（ステップＳ２）、シュウ酸またはクエン酸のジカルボン酸の薬液を用いてウェーハ表面を洗浄し、微粒子の再付着防止と金属粒子の除去とを行い（ステップＳ３）、さらに、オゾン水を用いてウェーハ表面を洗浄して微粒子を除去するとともに、更なる酸化膜の形成を行う（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面に存在する有機物等の汚染物を高い効率で除去することができると共に、被処理物の表面の濡れ性を向上させることができ、被処理物の表面に高い密着性を有する薄膜を形成することができるドライ洗浄方法およびドライ洗浄装置を提供する。
【解決手段】被処理物１に大気圧プラズマを作用させることにより洗浄処理する第１洗浄工程と、この第１洗浄工程によって洗浄処理された被処理物１にエキシマランプから放射されたエキシマ光を照射することにより洗浄処理する第２洗浄工程とを有し、搬送される被処理物１に対して被処理物１の搬送方向の上流位置に大気圧プラズマ装置２０を配置し、被処理物１の搬送方向の下流位置にエキシマ光照射装置３０を配置する。 （もっと読む）

【課題】 活性状態とされた酸素による処理をした後でも、金よりなる構造体の表面に、ボンディングワイヤーの形成や電着膜の形成が正常に行えるようにする。
【解決手段】 制御電極１１８及び可動部電極１０９の表面に残渣するカーボン系汚染物（有機物）を除去するために、これらの酸素プラズマが照射された状態とする。次に、この酸素プラズマによる処理がなされた基板１０１を、例えば、真空、不活性、もしくは還元性の雰囲気において加熱処理する。この加熱処理により、金からなる制御電極１１８及び可動部電極１０９の表面に、酸素を含むプラズマが照射されたことにより形成された酸化金が、除去されるようになる。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ低コストでウエハ表面に形成されたレジスト膜を除去する方法及び装置を提供する。
【解決手段】表面上にレジスト膜が形成された複数のウエハを所定の間隔で平行配置するとともに、前記洗浄槽内にオゾン水を供給する。次いで、前記洗浄槽内で、前記ウエハの前記表面に沿うようにして前記オゾン水の上下流を形成し、前記レジスト膜を除去して洗浄する。次いで、洗浄後の前記オゾン水を排出する。 （もっと読む）

【課題】スループットの向上を図り、不具合が発生した場合でも、装置全体の稼働率の低下を抑えることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】キャリアＣに対してウエハの受け渡しを行う搬入出アームＢを備えた基板搬入ブロックの後段側に、第１の処理ブロック３１と第２の処理ブロック３２と第３の処理ブロック３３とを順に配置する。基板搬入ブロックに、前記搬入出アームＢから第１の処理ブロック３１にウエハを受け渡すための受け渡しステージ（２１ａ ２１ｂ）と、第２の処理ブロックにウエハを受け渡すための受け渡しステージ２２と、第３の処理ブロックにウエハを受け渡すための受け渡しステージ２３と、を設け、受け渡しステージ２２上のウエハを第１直接搬送機構Ａ１により第２の処理ブロック３２に直接搬送し、受け渡しステージ２３上のウエハを第２直接搬送機構Ａ２により第３の処理ブロック３３に直接搬送する。 （もっと読む）

【課題】装置内部の部品の劣化を抑制しつつ、装置内部に付着した付着物を除去することができる薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】熱処理装置１の制御部１００は、反応室内を、水が液膜として存在し得る温度、例えば、室温に維持する。また、制御部１００は、反応室内を５３２００Ｐａに設定する。反応管２内が所定の圧力及び温度で安定すると、制御部１００は、処理ガス導入管１７からフッ化水素と窒素とからなるクリーニングガスを反応管２内に導入し、装置内部に付着した反応生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】基板表面の全域に対して、処理液による処理を均一に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【解決手段】この基板処理装置１は、スピンチャック４と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面に向けて、高温（たとえば８０℃）のＳＣ１を供給するためのＳＣ１ノズル５と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面に水蒸気を供給するための蒸気ノズル６と、スピンチャック４を収容するカップ８とを備えている。ＳＣ１ノズル５から吐出された高温のＳＣ１は、ウエハＷの中央部に供給される。蒸気ノズル６から吐出された水蒸気は、ウエハＷの中間位置Ｍに供給される。 （もっと読む）

【課題】基板のダメージを抑制または防止しつつ、不要になった膜を基板から除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、ウエハＷを保持するスピンチャック７と、光を照射することで活性化する光活性化成分を含む処理液をスピンチャック７に保持されたウエハＷに供給する薬液供給ユニット２２と、スピンチャック７に保持されたウエハＷに供給される光活性化成分を含む処理液に光を照射する照射ユニット４とを含む。 （もっと読む）