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Fターム[5F157BH21]の内容

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Fターム[5F157BH21]に分類される特許

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【課題】 基板上の所望の部位を良好に洗浄することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】 アルコール液供給部40は、基板W上にアルコール液(例えば、イソプロピルアルコールやエタノール等)を含む処理液を供給し、基板W上には処理液の液膜LFが形成される。超音波付与部70は、基板W上に形成されている液膜LFに伝達面を接液し、超音波振動を付与する。この場合において、処理液に含まれるアルコール液の比率、基板W上に液盛りされる液膜LFの厚さ、超音波付与部70から付与される超音波振動の発信周波数および発振出力等のパラメータが適切に調整されると、基板W上の超音波付与部70の伝達面の対向部位ではパーティクルが良好に除去される。一方、対向部位以外の部位ではパーティクルの除去が抑制される。 (もっと読む)


【課題】被処理体の周縁部の処理空間の雰囲気を容易に制御し、かつ、水平方向における大きさを小さくし、さらに、ウエハを処理するための処理空間を小さくすること。
【解決手段】液処理装置は、第二筐体20と、第二筐体20に当接可能な第一筐体10と、被処理体Wを保持する保持部1と、保持部1によって保持された被処理体Wを回転させる回転駆動部60と、保持部1によって保持された被処理体Wの表面の周縁部に処理液を供給する表面側処理液供給ノズル51a,52aと、保持部1によって保持された被処理体Wの裏面側に配置され、被処理体Wを経た処理液を貯留する貯留部23と、を備えている。第一筐体10および第二筐体20の各々は一方向に移動可能となり、第一筐体10と第二筐体20とが当接および離隔可能となっている。 (もっと読む)


【課題】高エネルギーの電子やUV光によるガスの解離を抑制でき、予定通りの分子構造を有する良質な膜を形成することが可能な中性粒子照射型CVD装置を提供する。
【解決手段】中性粒子ビーム生成手段11は、希ガスを励起してプラズマを発生させ、このプラズマ中の荷電粒子に電界を与えて所定のエネルギーを付与するとともに、荷電粒子を中性化して中性粒子ビームNBを生成する。反応室10は、原料ガスが導入され、中性粒子生成手段により生成されたエネルギーが制御された中性粒子ビームにより原料ガスの一部が解離、重合されて基板14上に膜を堆積される。 (もっと読む)


【課題】筒状の放電空間を有するプラズマ処理装置において、処理空間の圧力に関わらず、放電空間より基端側の部分で異常放電が生じるのを防止する。
【解決手段】筒状の隔壁21の先端部に放電生成部30を設け、基端側空間21aと処理空間10aを隔壁21で仕切る。第1電極31を収容する筒状の誘電部材33の基端部33bの外周に環状閉塞部36を一体に接合する。第2電極32の基端部に設けた環状の連結部35を隔壁21の取り付け穴24aの周辺に連結する。環状閉塞部36と環状連結部35の間に第1シール部材91を挟み、これら環状閉塞部36及び環状連結部35を第1ボルト81で連結する。 (もっと読む)


【課題】安定したエッチングレートを得ることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマエッチング方法は、スパッタ用のターゲット材30が設置されたプラズマチャンバ内で、表面にマスクパターンが形成された基板Wをエッチングし、基板のエッチングの途中またはエッチング後に、プラズマチャンバ内で酸素系ガスのプラズマを発生させて、ターゲット材30の表面をアッシングする。ターゲット材の表面のアッシング工程は、プラズマチャンバ内で生成され、かつターゲット材の表面に付着した各種反応生成物の除去を目的とする。本発明では、このアッシング工程をエッチング途中またはエッチング後に実行することによって、ターゲット材の表面に堆積した反応生成物のスパッタ作用に起因するエッチングレートの低下を防止し、安定したエッチングレートを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】収容部材内の薬液ミストを含む雰囲気が処理室内に拡散することを防止できる、基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ2内において、ウエハWを保持するウエハ回転機構3は、カップ8内に収容された状態で設けられている。カップ8の上端部には、カーテン形成ノズル30が設けられている。また、処理チャンバ2内には、ウエハWの表面にSPMを供給するための移動ノズル14が設けられている。少なくともウエハWの表面へのSPMの供給中は、カップ8の上方に水カーテンWCが形成され、水カーテンWCによって、カップ8の内側の空間を含む水カーテンWCの内側の空間と水カーテンWCの外側の空間とが遮断される。 (もっと読む)


【課題】基板にリンス液を供給する工程の終了後に、基板に薬液ミストが付着することを防止できる、基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板に対するレジスト剥離処理においては、処理室内において、基板にSPMが供給される。このとき、基板でのSPMの跳ね返りやSPM中の水分の蒸発などによるSPMのミストが生じ、SPMのミストが処理室内の空間に浮遊して拡散する。基板へのSPMの供給の終了後、基板にSPMを洗い流すための純水が供給される。この純水の供給と並行して、処理室内の空間に微細な水滴が噴射される。これにより、処理室内の空間に拡散したSPMのミストに微細な水滴がかかり、SPMのミストが微細な水滴に吸収され、SPMのミストが処理室内の雰囲気中から排除される。 (もっと読む)


【課題】被処理物の表面に到達する紫外光の強度の低下を抑制しつつ、被処理物の表面における静電気の発生を抑制することのできる紫外光照射処理装置を提供する。
【解決手段】搬送される被処理物Wに紫外線ランプ32を備えたランプハウス30からの紫外光を照射することで被処理物Wの表面の洗浄を行う紫外光照射処理装置20であって、被処理物Wの周囲に不活性ガス及び電子親和性分子を混合した混合ガスを供給するガス供給ダクト37を備えることを特徴とする。前記混合ガス中における前記電子親和性分子の濃度は、1.0%以上6.0%以下であることが好ましい。前記不活性ガスは、窒素ガスであることが好ましい。前記電子親和性分子は、酸素分子であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】本発明は、輸送管内部の金属付着物の状況を知ることができるプラズマ処理装置の検査方法、検査装置、プラズマ処理装置、プラズマ処理装置のクリーニング方法、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】放電管とマイクロ波導入手段とを有し、前記放電管内に導入されたガスにマイクロ波を作用させてプラズマを生成するプラズマ発生室と、被処理物を収容し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能なプラズマ処理室と、前記プラズマ発生室と前記プラズマ処理室とを接続する輸送管と、を有するプラズマ処理装置の検査方法であって、前記放電管内に検査ガスを導入し、前記放電管内にマイクロ波を導入して前記検査ガスのプラズマを生成し、前記プラズマ処理室における光の強度を測定すること、を特徴とするプラズマ処理装置の検査方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】基板処理装置の稼働率の低下を防止することができるクリーニング基板及びクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プロセスモジュール11のチャンバ17内に、円板状のシリコン基材43と、該シリコン基材43上に設けられた不織布44とを有するクリーニング基板45を搬入し、チャンバ17内を排気する排気システムによりチャンバ17内を真空引きすると共に、チャンバ17の壁面や構成部品の表面に付着しているパーティクルを剥離させて、チャンバ17内のパーティクルをクリーニング基板45の不織布44に入射させ、その後、不織布44内にパーティクルを捕捉したクリーニング基板45をチャンバ17内から搬出する。 (もっと読む)


【課題】基板表面に形成された金属薄膜を腐食させることなく、基板表面を良好に洗浄することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面Wfに銅配線81が形成された基板Wに対してポリマー除去成分を含む処理液による洗浄処理に続けてDIWによるリンス処理が行われる。このリンス処理中においては、ヴィアホール83a内に入り込んだ処理液を短時間でリンス液に置換することは難しく、ヴィアホール83a内に処理液とリンス液が並存し、このことが銅配線81のうちヴィアホール83aの底部に位置する部分に腐食を発生させる主要因のひとつと考えられるが、処理液の酸化還元電位とリンス液の酸化還元電位の差を20mV以下とすることで処理液とリンス液の相互作用を抑えて腐食発生を効果的に防止することができる。 (もっと読む)


【課題】基板の上面に対向し近接して押付部材を配置し基板の処理を行う場合に、高温の処理液を使用するときでも、基板の面内温度の均一性を高め、押付部材の下面と基板上面とで挟まれる空間における温度の上昇を抑えることができる装置を提供する。
【解決手段】基板Wの上面に対向し近接して配置される雰囲気遮断板のプレート部60の内部に、その中央領域から周辺領域の気体噴出口80に向かって気体を流通させる気体通路84を形成し、気体通路の途中を部分的に狭隘にし、その狭隘通路部分126とプレート部の下面側とを連通させる吸引細孔128を形成して、気体通路にエジェクタ部116を設け、吸引細孔の、プレート部の下面に開口する吸い込み口130を、気体噴出口よりプレート部下面の中心寄りに配置する。 (もっと読む)


【課題】処理液で濡れた基板表面をIPAなどの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板表面にウォーターマークが発生したり、基板表面上のパターンが倒壊するなどの不具合を防止する。
【解決手段】基板表面Wfに付着しているリンス液をIPA液に置換する間、低露点空気(CDA)が間隙空間SPに供給されて基板表面Wfの周囲雰囲気が低湿度雰囲気に保たれる。これによって、IPA液吐出口97aから吐出されたIPA液への水分の吸湿が抑制される。そして、IPA液への置換後に、基板表面WfからIPA液が除去されて基板表面Wfが乾燥されるが、上記したようにIPA液への水分吸湿が抑制されていることから、当該乾燥処理によりIPA液中の水分が基板表面Wfに残留するのが確実に抑えられてウォーターマークやパターン倒壊を効果的に抑制している。 (もっと読む)


【課題】基板上における気流の乱れを抑制または防止できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハWを所定の回転軸線C1まわりに回転させる基板回転手段と、基板回転手段により回転されるウエハWの主面に向けて、かつ基板回転手段によるウエハWの回転方向下流側に向けて、気体を吐出し、ウエハWの主面上にウエハWの回転方向に沿う気流を形成するための複数の気体吐出ノズルとを含む。ウエハW上に形成される気流の流速は、ウエハWの回転軸線C1からの距離が異なる各位置において、ウエハWの周速と一致されている。 (もっと読む)


【課題】基板の表面からリンス液を良好に除去することができる、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハWの表面に純水が供給され、ウエハWの表面に対するリンス処理(ウエハWの表面を純水で洗い流す処理)が行われた後、純水よりも表面張力の低いIPA液がウエハWの表面に供給される。また、IPA液の供給と並行して、ウエハWの表面と反対側の裏面に温水が供給される。 (もっと読む)


【課題】不活性ガスの使用量を低減して被照射物の洗浄及び表面改質のコスト削減可能な紫外線照射装置を提供する。
【解決手段】紫外線を放射する光源2と光透過窓3とを有するランプハウス4と、光透過窓3と被照射物Pとの間の空間Sに少なくとも不活性ガスと酸素とが含まれる混合ガスを導入するためのガス導入手段5とを備え、ランプハウス4は、不活性ガスを導入するためのガス導入口7と、不活性ガスを排出するためのガス排出口8とを有しており、ガス排出口8から排出された不活性ガスをガス導入手段5に送る回送流路6が備えられていることを特徴とする紫外線照射装置1。 (もっと読む)


【課題】「パターン剥がれ」が生じない条件で、高いパーティクル除去比を期待できる半導体基板等の洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄槽として、主洗浄槽1を用意し、主洗浄槽1内において、洗浄対象となるウェーハ2の表面に、導入口3からエッチング液を供給してエッチングを行い、その後、pH調整用媒体として、pHが9.5〜10.5未満に保たれたアルカリイオン水を供給して洗浄を行い、次いで、洗浄媒体として、pHが10.5〜12.5に保たれたアルカリイオン水を供給して洗浄を行う。 (もっと読む)


【課題】基板の表面に形成された絶縁膜や金属膜などの膜減りを生じることなく、その基板の表面からポリマーを良好に除去することができる、ポリマー除去方法およびポリマー除去装置を提供する。
【解決手段】基板の周囲の雰囲気が窒素ガス雰囲気に置換された後、その窒素ガス雰囲気下において、基板の表面にポリマーをエッチング作用により除去するためのふっ酸ベーパが供給される。そして、そのふっ酸ベーパの供給と並行して、基板が回転されるとともに加熱される。 (もっと読む)


【課題】 半導体基板を製造する装置に関することで、さらに詳しくは半導体基板を加工するための基板製造方法に関する。
【解決手段】基板製造方法は、まず、フォトレジストが形成される基板を加熱させた後に、1次プラズマアッシング処理する。 続き、基板の温度を大気圧状態で降下させた後、もう一度基板を2次プラズマアッシング処理する。このように、プラズマアッシング処理過程で、基板の温度を大気圧状態でしばらく降下させるので、フォトレジストの化学結合変化を減少させ、ポッピング及び残留物の発生を減少させ、製品の収率を向上させる。 (もっと読む)


【課題】被処理物の処理スピードを高め、しかもランプハウスへの白粉の付着によって処理ムラ等が発生することを防止できる紫外光洗浄装置を提供する。
【解決手段】ランプハウス30には、紫外線ランプ32群全体を四周から囲んで下面側を開放させた開放ハウジング33が設けられている。開放ハウジング33の天井部には、例えばステンレス板に1〜3mmの孔を多数形成した多孔のガス拡散板35を配置してあり、ここから清浄な窒素ガス(不活性ガス)を供給して、紫外線ランプ32の周囲からワークWの紫外線照射空間Xにかけて全体が窒素で満たされ、酸素がほとんど存在しない不活性ガス雰囲気に維持される。 (もっと読む)


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