【課題】乾燥ガスが光透過部材から被処理基板上に滴下することを防止することにより、製品歩留まりの低下を防止することが可能な乾燥室、洗浄・乾燥処理装置、被処理基板を乾燥する乾燥処理方法、および記録媒体を提供する。
【解決手段】乾燥室１０は、被処理基板Ｗを収容する乾燥室本体１１と、乾燥室本体１１の内壁１１ａに設けられた光透過部材１２と、乾燥室本体１１の内壁１１ａと光透過部材１２との間に設けられた加熱用光源１３とを備えている。光透過部材１２の下方には、光透過部材１２側に向けて乾燥ガスを供給するガス供給部１４が設けられている。光透過部材１２の内面１２ａは、乾燥ガスがこの光透過部材１２の内面１２ａに液膜として付着するように表面処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】基板表面上の液膜を蒸発乾燥させることなく当該液膜を薄膜化する。
【解決手段】リンス工程においてＤＩＷ供給部から低温ＤＩＷを基板表面に供給して基板および液膜の温度が雰囲気の露点以下に調整し、基板表面上に形成された液膜を薄膜化する間（薄膜形成工程）、液膜および基板の温度が雰囲気の露点以下となっているため、基板表面上の液膜が蒸発乾燥することなく当該液膜を所望の厚さに薄膜化することができる。凍結工程を実行する際に冷却高湿度窒素ガスを凍結用冷媒として用いているが、単にＤＩＷの凝固点よりも低い温度まで冷やされた冷却ガスを用いるのではなく、水蒸気を飽和した高湿度状態のものを用いることで冷却高湿度窒素ガスの露点を凍結膜の温度とほぼ同一温度に調整している。したがって、液膜の薄膜化から凍結膜の形成に切り替わる際、凍結前の液膜が蒸発乾燥するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】タクトタイムの増大による生産性の低下を生じることなく、被洗浄物の表面にシミのない清浄な乾燥状態を得る。
【解決手段】搬送治具１３ａに載置された被洗浄物１３をＩＰＡ蒸気雰囲気４に浸漬して蒸気乾燥を行うＩＰＡ蒸気乾燥槽２の後段に余熱乾燥槽６を設け、ＩＰＡ蒸気乾燥槽２で蒸気乾燥を終え、ＩＰＡ蒸気雰囲気４の潜熱によって所定の温度まで加熱された状態にある被洗浄物１３および搬送治具１３ａを、余熱乾燥槽６に搬入し、当該被洗浄物１３および搬送治具１３ａ自体が持つ余熱によって乾燥を加速させ、ＩＰＡ蒸気乾燥槽２におけるＩＰＡ蒸気雰囲気４への反復浸漬等の煩雑な操作を必要とすることなく、被洗浄物１３や搬送治具１３ａの表面における液滴の残留に起因する被洗浄物１３のシミ等の欠陥の発生を確実に防止する。 （もっと読む）

【課題】処理液の沸点以上に基板を加熱することにより、処理液の表面張力に起因する微細パターンの倒壊を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部６１は、ＨＦＥ中の基板Ｗを処理位置から上方位置へ下部保持機構２９及び上部保持機構４３により移動させる際に、ＨＦＥの液面よりも下方にある基板Ｗの一部位を加熱ユニット５５により加熱する。基板Ｗは、ＨＦＥの沸点以上の温度に加熱された状態であるので、基板Ｗ及び微細パターンに接触しているＨＦＥは沸騰して気化する。したがって、ＨＦＥから気中に基板Ｗが露出した状態では、基板Ｗに付着していたＨＦＥの大半が既に蒸発しているので、ＨＦＥの表面張力によって微細パターンに負荷がかかることがない。その結果、ＨＦＥの表面張力に起因する微細パターンの倒壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理品質を向上させつつ基板の処理コストを十分に低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理槽４から引き上げられる基板Ｗに気体供給ダクト６２から気体が供給され、基板Ｗの乾燥処理が行われる。気体供給ダクト６２は、主管１４１および２つの分岐配管１４２ａ，１４２ｂからなる配管１４０を介してドライエア発生装置１１０およびファンユニット１２０と接続されている。ドライエア発生装置１１０は分岐配管１４２ａを通して気体供給ダクト６２にドライエアを供給し、ファンユニット１２０は分岐配管１４２ｂを通して気体供給ダクト６２に大気を供給する。各分岐配管１４２ａ，１４２ｂには、制御バルブ１３０ａ，１３０ｂが介挿されている。制御バルブ１３０ａ，１３０ｂの開閉状態に応じてドライエアおよび大気のいずれか一方が気体供給ダクト６２に供給され、基板Ｗの乾燥処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、不揮発性記憶装置の表面に形成された壁体間に残留する液体の表面張力の影響を抑制することができるとともに、ガルバニック腐食を抑制することができる不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の状態と第２の状態との間を可逆的に遷移可能な記憶層を有する不揮発性記憶装置の製造方法であって、壁体が形成された基体の表面に水よりも表面張力が小さくかつ水と実質的に相溶性のない液体を供給し、前記基体の洗浄を行う工程を有すること、を特徴とする不揮発性記憶装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板の化学的変化を低減することができるスピン乾燥部を備える基板処理装置を提供する。
【解決手段】上部から第１の気体（例えばクリーンエアー）が導入されるスピン乾燥部４を備え、スピン乾燥部４が、基板７を保持する回転台９と、回転台９によって保持された基板９の中央及びその周辺部に第２の気体（例えば窒素ガス）を吹き付けるガス噴射部６と、回転台９を垂直軸周りに回転させる回転駆動部（例えばスピンドルモータ１０）と、前記回転駆動部の回転軸に取り付けられる同軸ファン１４とを有し、同軸ファン１４が回転すると、垂直方向下方に向かう気流が形成される基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】近年、半導体集積回路装置の製造プロセスにおいて、窒化シリコン膜等が有する応力に起因する歪を利用したキャリア移動度向上技術が活用されている。これに伴って、ウエハの表側における複雑なデバイス構造上の窒化シリコン膜を高選択で除去するため、熱燐酸によるバッチ方式ウエット処理が必須となっている。これによって、ウエハの裏面の窒化シリコン膜も除去され、一群の歪付与工程の後のプロセスにおいては、ウエハの裏側の表面はポリ・シリコン部材ということとなる。しかし、一般的なウエハの裏面等の洗浄に使用する方法は、裏面が窒化シリコン膜等であることを前提とするものであり、その特性の異なるポリ・シリコン主体の裏面を有するウエハでは洗浄の効果が十分といえない恐れがある。
【解決手段】リソグラフィ工程の前に、ＦＰＭ処理の後ＳＰＭ処理を実行する２工程を含むウエハ裏面に対するウエット洗浄処理を実行する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着した液体を大気圧雰囲気で除去して基板を良好に乾燥させることができる基板乾燥装置および基板乾燥方法を提供する。
【解決手段】凍結膜１２を構成するＤＩＷの凝固点よりも低温で、かつ凍結膜１２の温度よりも低い露点を有する凍結乾燥用窒素ガスが基板表面Ｗｆに向けて継続して供給される。このため、凍結乾燥用窒素ガス中の水蒸気の分圧は凍結膜１２の蒸気圧（昇華圧）よりも低く昇華乾燥が進行する。また、昇華により発生した水蒸気成分は凍結乾燥用窒素ガスの気流に乗って基板表面Ｗｆから取り除かれるため、水蒸気成分が液相や固相に戻り基板表面Ｗｆに再付着するのを確実に防止することができる。このように大気圧雰囲気で基板表面Ｗｆに付着したリンス液を良好に除去して基板Ｗを乾燥させることができる。 （もっと読む）

【課題】パターンの間隙内部に入り込んだ液体を凝固させることでパターンを構造的に補強した状態で基板表面を物理洗浄する、基板処理方法および装置においてパーティクル除去効率をさらに高める。
【解決手段】基板表面ＷｆにＤＩＷの液膜１１を形成し、パターンＦＰの間隙内部にＤＩＷを入り込ませた後、ＨＦＥ液が基板表面Ｗｆに供給されてパターンＦＰの間隙内部にＤＩＷを孤立して残留させながらパターンＦＰ上面を含む基板表面Ｗｆ全体にＨＦＥ液の液膜１２を形成している。このため、パターンＦＰ上面に付着するパーティクルＰはＨＦＥ液の液膜１２中に存在し、パターンＦＰの間隙内部のＤＩＷを凝固させた後も当該凝固体から完全に縁切りされる。したがって、パーティクルが凝固体に埋もれてしまうことがあった従来技術に比べて物理洗浄によりパーティクルを効率的に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】樹脂容器の表面およびその内部に含まれる不純物を洗浄する樹脂容器の洗浄方法およびその方法により洗浄された樹脂容器を提供する。
【解決手段】本発明は、樹脂の表面張力の値よりも１０ｍＮ／ｍ以上低い表面張力の値を有する溶剤を用いて、樹脂または樹脂からなる樹脂容器を浸漬洗浄することを特徴とする樹脂容器の洗浄方法である。 （もっと読む）

【課題】超微細パターンの溝を有する回路基板でも洗浄及び乾燥を効率よく行なうことができる回路基板の製造装置を提供する。
【解決手段】回路基板１４を保持する基板保持部１６を有するロータ１８と、上面に開閉蓋２２が配設され、側部に通気隙間２４を有する内側タンク２６と、超音波発信機３０と、分離可能なカバー３２を有する外側タンク３４と、回路基板１４を真空吸着するバキュームパッド３６を有する基板昇降機構４４と、回路基板１４を真空引きする真空ポンプ４６と、開閉蓋２２を磁気吸着するマグネットパッド４８を有する開閉蓋昇降機構５８と、内側タンク２６内に洗浄液を供給する洗浄液供給機構６２と、内側タンク２６内に窒素ガスを噴射するガス噴射機構と、内側タンク２６と外側タンク３４との間の空間を減圧化する真空ポンプ６６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ＣｏＷＰが露出したパターン化ウェハを、ＣｏＷＰの完全性を維持したままで洗浄することのできる優れた湿式洗浄方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ＣｏＷＰフィーチャーを有する半導体基板から発生するエッチング後残渣および灰化後残渣を除去するための湿式洗浄処方物であって、脱イオン水；有機酸；アミンおよび／または水酸化４級アンモニウム；からなり、前記処方物はＣｏＷＰフィーチャーと適合性があり、かつ、（ａ）アミンおよび／または水酸化４級アンモニウムの有機酸に対するモル比によってｐＨが７〜１４の値をとる；あるいは、（ｂ）前記処方物は腐食防止剤を含む、のいずれかであることを特徴とする。前記処方物を使用した方法についても記載する。 （もっと読む）

【課題】基板の汚染を抑制または防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平に保持するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持された基板Ｗの中央部上方に配置され、気体吐出口５５から基板Ｗに沿って窒素ガスを放射状に吐出して、基板Ｗを覆うための窒素ガスの流れを形成する気体吐出ノズル６とを含む。 （もっと読む）

【課題】熱酸化シリコン膜、非ドープＣＶＤ酸化シリコン膜、多結晶シリコン膜、窒化シリコン膜を含む積層膜に対して、常温において洗浄時の各種膜に対するエッチング量差を低減し、また、各種膜に対するエッチング速度を適度に制御することを可能とする。
【解決手段】半導体基板の主面上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の上に導電層を堆積する工程と、前記導電層の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記絶縁層および前記導電層をエッチングすることによってゲート素子を形成する工程と、前記フォトレジスト膜を除去した前記半導体基板の主面を半導体洗浄用組成物によって洗浄する工程と、前記半導体洗浄用組成物のリンス処理および乾燥処理を行う工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記半導体洗浄用組成物は、フッ化アンモニウムと、フッ化水素酸と、過酸化水素と、脂肪族第１級アミンとを含む２０℃〜２８℃の混合水溶液からなる。 （もっと読む）

【課題】 材料ガスの分圧が変動したとしても、混合ガスにおける材料ガスの濃度を一定に保つことができ、応答性が良く、バブリングシステムに容易に取り付けて濃度制御を行うことができる材料ガス濃度制御装置を提供する
【解決手段】 材料Ｌを収容するタンク１３と、収容された材料を気化させるキャリアガスを前記タンクに導入する導入管１１と、材料が気化した材料ガス及び前記キャリアガスの混合ガスを前記タンク１３から導出する導出管１２とを具備した材料気化システム１に用いられるものであって、前記導出管１２に接続され、前記混合ガスを流すための内部流路Ｂ１を有した基体Ｂと、前記内部流路Ｂ１を流れる混合ガスにおける材料ガスの濃度を測定する濃度測定部ＣＳと、前記内部流路Ｂ１において前記濃度測定部ＣＳよりも下流に設けられ、前記濃度測定部ＣＳによって測定された測定濃度を調節する第１バルブ２３とを具備しており、前記濃度測定部ＣＳと前記第１バルブ２３は前記基体Ｂに取り付けた。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の状況に応じて温調度合いを変えることにより、乾燥不良を防止しつつも消費電力を抑制できる。
【解決手段】制御部６５は、チャンバ１１内の測定圧力に応じた限界濃度データと測定温度とに基づいて処理ガスの限界濃度を求め、この限界濃度に対応する温度よりも若干高くなるようにチャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３を操作する。したがって、チャンバ１１内の圧力が低下するにつれてチャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３の温度を下げてゆくことができるので、処理ガス中の有機溶剤蒸気がチャンバ１１及び処理槽１に結露することを防止しつつも、チャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３への供給電力を必要最小限にできる。その結果、基板Ｗの乾燥不良を抑制しつつも消費電力を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】基板に対する処理液の再付着を抑制または防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを水平に保持するための支持リング９を有するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに処理液を供給する洗浄液ノズル４およびリンス液ノズル５と、基板Ｗの外方に向かって飛散する処理液の液滴を受け止めるためのスプラッシュガード６とを備えている。支持リング９は、基板Ｗの上面から外方へと処理液が流れていくように、基板Ｗの全周を取り囲んで基板Ｗの外周縁を外方に拡張するように設けられた環状の拡張面６１を有している。また、スプラッシュガード６は、スピンチャック３に保持された基板Ｗの外方において、拡張面６１の全周縁部を上方から覆う環状の上壁部４５を有している。 （もっと読む）

【課題】基板からの処理液の排出性を向上させることができ、基板の周囲に飛散する処理液の液滴の粒径を小さくすることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平に保持するための支持リング８を有するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに処理液を供給する洗浄液ノズルおよびリンス液ノズルとを備えている。支持リング８は、支持リング８に保持された基板Ｗの上面から外方へと処理液が流れていくように、当該基板Ｗの全周を取り囲んで当該基板Ｗの外周縁を外方に拡張するように設けられた環状の拡張面３６を有している。拡張面３６は、処理液に対する親液性が基板Ｗよりも高い親液面とされている。 （もっと読む）

【課題】基板上の液膜を短時間で凍結させることができる基板処理方法および装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂに液膜１１ｆ、１１ｂを形成するために基板Ｗの表面Ｗｆおよび裏面Ｗｂに供給するＤＩＷを熱交換器６２３Ａにより常温より低い温度に冷却しているため、凍結膜１３ｆ、１３ｂを生成するのに要する時間を短縮することができる。また、液膜形成前において、スローリーク処理を実行することで液膜形成時の流量よりも小さな微小流量で冷却ＤＩＷを配管６２１Ａから流出させて配管６２１Ａ内に冷却ＤＩＷを流通させる。このため、配管６２１Ａ内の冷却ＤＩＷの温度上昇が防止され、液膜形成のためにノズル２７、９７からＤＩＷの吐出を開始すると、短時間で冷却ＤＩＷの液膜が形成される。 （もっと読む）