【課題】基板の表面上の水分を有機溶剤で置換させた後、基板の表面上の有機溶剤を蒸発させて基板を乾燥させる方式において、雰囲気遮断板を用いることなく、ガスノズルから基板表面へ乾燥用ガスを供給しつつガスノズルを走査する方法によらずに、基板の表面上にパーティクルが付着したりウォータマークが発生したりすることを抑えることができる方法を提供する。
【解決手段】スピンチャック１０に保持された基板Ｗの表面へ液体供給ノズル６２から有機溶剤を供給し、基板の表面上の水分を有機溶剤で置換させた後、基板の表面上の有機溶剤を蒸発させて基板を乾燥させる際に、カップ４４内へ気体供給ノズル６４から水蒸気より比重の大きい気体を供給する。水蒸気より比重の大きい気体でカップ内が満たされることにより、カップ内から水蒸気が排除され、カップ内方の基板の表面上の湿度が低くなる。 （もっと読む）

【課題】簡易な装置構成にて良好な乾燥性能を得ることができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】基板乾燥装置１はチャンバ１０内に処理槽２０を備える。また、基板乾燥装置１は乾燥ガス生成ユニット４５を備える。乾燥ガス生成ユニット４５は、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノールを成分とする水切り剤を加熱して蒸発させて蒸気を発生させる。その蒸気を窒素ガスをキャリアガスとしてガス供給ノズル４１に送給し、ガス供給ノズル４１から１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノールの蒸気を含む乾燥ガスをチャンバ１０内に供給し、乾燥ガスの雰囲気を形成する。処理槽２０にて純水による洗浄処理が終了した基板Ｗは昇降機構３０によって純水から乾燥ガスの雰囲気中に引き揚げられる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成された厚膜等の被乾燥物を乾燥むらなく短時間で乾燥させることができる基板の乾燥方法及び乾燥炉を提供する。
【解決手段】溶剤を含む被乾燥物が表面に形成された基板を、その被乾燥物形成面側を上方にして乾燥炉内に略水平に設置し、ガス供給手段から出力される溶剤ガスを加熱し、その加熱溶剤ガスを基板下部から供給して基板上の被乾燥物を乾燥させ、被乾燥物の上方近傍の溶剤ガスの溶剤濃度を測定し、溶剤濃度が所定の濃度となるように溶剤ガス供給手段の出力溶剤濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】パッシベーション層の水素含有量を増加させることで、効率を改善した太陽電池を提供する。
【解決手段】エッチングにより半導体ユニットの少なくとも１つの表面を洗浄する工程と、実質的に無酸素である又は酸素が欠乏した環境内で半導体ユニットの少なくとも１つの表面を乾燥させる工程と、少なくとも１つの表面上にパッシベーション層を堆積する工程とを含む、連続作業方生産ラインを用いて、少なくとも１つの半導体ユニットを有する光起電力素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】排気中の溶剤を回収することにより、排気中の溶剤濃度を低減して排気設備の負担を軽減できる。
【解決手段】処理槽１を囲うチャンバ１１内に溶剤ノズル１７を介して高濃度のイソプロピルアルコールの蒸気が供給される場合であっても、スタティックミキサ６３により排気が純水と混合される。したがって、気体にイソプロピルアルコールの蒸気が含まれていても、純水とともに気液分離部５３に送られるので、イソプロピルアルコールの蒸気は純水とともに排出される。その結果、気液分離部５３からの排気中のイソプロピルアルコールの濃度を低減できる。 （もっと読む）

【課題】水を含む高沸点、高蒸発潜熱の洗浄剤においても、再付着がなく、洗浄後の乾燥効率が高く、洗浄、乾燥時間を短縮でき、複雑な形状の被洗浄物でも乾燥シミを作ることなく乾燥させることができるベーパー洗浄を可能にする。
【解決手段】被洗浄物をベーパー洗浄するためのベーパー洗浄槽６と、ベーパー洗浄槽６内における下方部分に蓄えた洗浄剤１６と、ベーパー洗浄槽６に連通した乾燥槽５と、ベーパー洗浄槽６と乾燥槽５間を遮断又は開放可能とした遮断蓋１３と、被洗浄物を載置可能であるとともにベーパー洗浄槽６と乾燥槽５間を移動可能なキャリアと、を具備した装置本体２と、装置本体２に連結された、装置本体２の内部を加減圧する圧力調整手段３と、被洗浄物に付着した洗浄剤等を排液するための排液弁１７と、洗浄剤１６を加熱するための加熱システム１９と、を具備した。 （もっと読む）

【課題】可燃性有機溶剤を基板に供給して所定の表面処理を施す基板処理装置および方法において、Ｘ線照射を用いた除電を効率的に行う。
【解決手段】基板処理装置が行う一連の処理のうち可燃性雰囲気が形成される処理はＩＰＡ液を用いた置換処理に限定されることから、Ｘ線照射を用いた除電処理を置換処理に限定して用いる。すなわち、Ｘ線照射の開始および停止をＩＰＡ液（可燃性有機溶剤）の供給タイミングに対応して設定している。したがって、Ｘ線照射が必要最小限に止められ、Ｘ線照射を用いた除電を効率的に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】微細パターンが形成された基板であっても乾燥不良を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部６７は、処理槽１に純水を処理液として供給して、処理位置にある基板Ｗを純水で処理した後、排出ポンプ５２によりチャンバ２７内を減圧するとともに溶剤ノズル３３からチャンバ２７内に溶剤蒸気を供給する。これにより基板Ｗの表面の純水は溶剤によって置換されるものの、微細パターンの奥に入り込んだ純水までは置換できない。基板Ｗを乾燥位置へ移動させた状態で、溶剤濃度が所定値に達した場合には、排出ポンプ５２によりチャンバ２７内を再び減圧する。これにより、微細パターンの表面にできた蓋状のものが取り除かれ、微細パターンの奥に入り込んだ純水が溶剤によって置換される。したがって、微細パターンが形成された基板Ｗであっても乾燥不良を防止できる。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物にダメージを与えないようにしつつ洗浄乾燥性能を向上する。
【解決手段】洗浄後でかつ乾燥前に、不活性ガスを洗浄槽内に供給して洗浄槽１２内を加圧する加圧ガス供給手段３２と、乾燥時に洗浄槽１２内の圧力を調整可能な圧力調整手段３８と、排出流路１６から排出される洗浄液の流量を検出可能な流量センサ１６ｂと、洗浄液の排出後にアンモニアガスを供給するアンモニアガス供給手段３６と、洗浄液の排出後にオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段３０と、洗浄液の排出後にアルゴンガスを供給するアルゴンガス供給手段３４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】複数種類の液体を用いる基板処理方法において、液体を用いた処理の後に基板上に残留している当該液体を、次に使用される液体によって迅速かつより確実に置換することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、処理液によって基板Ｗを処理する工程と、基板上に置換液を供給し、基板上に残留する処理液を置換液で置換する工程と、を備える。置換する工程に用いられる置換液は、処理液の表面張力よりも小さい表面張力を有し、かつ、処理液の密度と同一の密度を有する。 （もっと読む）

【課題】
温水槽の表面の波立ちと泡の発生を抑制することができる温水乾燥装置を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、温水槽の下に設けられた上に開いたコーン槽を有し、コーン槽の底にはその中心部に温水供給孔が設けられ、温水供給孔に被さるように温水供給孔の上部に温水供給孔からの吐出水を受ける下に開いた中空コーン部材が設けられ、中空コーン部材の最下端の外周がコーン槽の傾斜した壁面に所定の間隙をもって隣接し、中空コーン部材には吐出水により発生する泡を排出するために底にに排出管が結合されてこの排出管の端部が温水槽より上部に導出されているものである。 （もっと読む）

【課題】純水内に浸積され洗浄処理が行われた基板を乾燥させる基板乾燥において、上記基板に微細化されたパターンが存在するような場合であっても、確実に上記基板に付着した純水を除去して基板を乾燥させる基板乾燥装置及び方法を提供する。
【解決手段】純水内に浸積された基板を取り出した後、上記基板の表面に液状のイソプロピルアルコールを供給して、上記基板の表面に付着している上記純水を上記イソプロピルアルコールに置き換え、その後、上記基板の表面から上記イソプロピルアルコールを蒸発させることにより上記基板を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】洗浄処理された半導体ウェハの表面上でパーティクル、金属及び有機不純物の濃度をさらに改善する洗浄法及び乾燥法を提供すること
【解決手段】次の工程を記載の順序で有する、半導体ウェハを洗浄、乾燥及び親水化する方法
ａ） 前記半導体ウェハを、フッ化水素を含有する液体水溶液で処理し、前記半導体ウェハを少なくとも一時的にその中心軸を中心に回転させ、及び
ｂ） オゾン含有雰囲気中で、前記半導体ウェハを、その中心軸を中心に１０００〜５０００ｒｐｍの回転速度で回転させることによりこの半導体ウェハを乾燥させ、フッ化水素を含有する液体水溶液を前記半導体ウェハから回転により生じる遠心力に基づき流れ去らせ、半導体ウェハの表面をオゾンにより親水化する （もっと読む）

【課題】供給源から基板洗浄装置本体に至るまでの配管等から洗浄液又はリンス液に溶出される有機物による基板の有機汚染を防止することができる半導体装置の製造方法及び基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】 基板表面を洗浄する洗浄工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記洗浄工程は、基板に対して洗浄液を供給して基板表面を洗浄する工程（ステップＳ１６）と、基板に対してリンス液を供給して基板表面上の前記洗浄液を洗い流す工程（ステップＳ１８と、前記基板を乾燥させる工程（ステップＳ２０）と、を有し、前記洗浄液及び／又は前記リンス液には有機溶媒が加えられる。 （もっと読む）

【課題】遠心分離による半導体基板の洗浄乾燥時において半導体基板表面にウォータマークが形成されないようにする。
【解決手段】回転盤１１と共に回転する半導体基板１２に洗浄水Ｗを吹き付ける洗浄ノズル２０、２１を備え、回転盤１１及び洗浄ノズル２０、２１は開閉可能な上カバー４を有するチャンバ２内に設置し、上カバー４には半導体基板１２に窒素ガスＮ２を吹き付ける窒素ガス供給ノズル２２を設け、チャンバ２内に窒素ガスＮ２を充満・増圧させた状態で半導体基板１２を洗浄乾燥させる。又、窒素ガスＮ２は半導体基板１２の上面中央部に吹き付け可能とし、窒素ガスＮ２の圧力又は流速は可変調整可能にする。更に、チャンバ２の下底部には開度調整可能な開閉弁６付きのドレーン５を設ける。 （もっと読む）

【課題】純水使用量を節減しつつ研磨後のウェハに処理速度を高めた洗浄処理を施し、複数の洗浄処理槽を洗浄処理プロセス等に応じて、より最適な配列に入れ替え並べ替えることを可能とした装置構成の洗浄装置を提供する。
【解決手段】それぞれ複数の洗浄処理槽２ａ〜２ｄ，２ｅ〜２ｈを備えた洗浄ライン２Ａ，２Ｂを下層及び上層の２段に構成するとともに、下層及び上層の各洗浄処理槽２ａ〜２ｈに対し、被処理ウェハを搬入する機能及び処理されたウェハを搬出する機能を持つ中央搬送手段６と、下層及び上層の各洗浄ライン２Ａ，２Ｂにおいて隣合う洗浄処理槽へウェハを順次搬送する槽間搬送手段１６と、上層の洗浄ライン２Ｂにおける精密洗浄を行う洗浄処理槽で使用した純水を、下層の洗浄ライン２Ａにおける粗洗浄を行う洗浄処理槽に当該粗洗浄用の洗浄水として導入する導入手段とを具備する洗浄装置を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】水分量が１ＰＰＢ以下というこれまで実現しえなかった環境下での脱水を行うことができ、これにより、脱水時間を顕著に短縮し、残留水分を低減化する顕著な効果が得られ、また、極めて水の少ない環境下で半導体装置の製造を行い、半導体装置に不純物として残留する水を極限まで低減させることが可能となる処理システムを提供する。
【解決手段】酸素分子排出時に電圧印加をＯＮにし、酸素分子排出装置の電極間に電圧を印加して中空を通過するガス中の酸素分圧を制御する酸素分圧制御装置と、を備えるガス中の水分量を１ＰＰＢ以下に生成する極低水分ガス生成装置と、その極低水分ガス生成装置で生成された前記ガス中の水分量が１ＰＰＢ以下の極低水分ガスが導入され、該装置内部の水分が除去されてなる処理装置と、を備える処理システムとした。 （もっと読む）

【課題】基板を汚染することなく基板の周端面を良好に処理することができる基板処理装置および方法を提供する。
【解決手段】支持ピンによりスピンベース１５から上方に離間させた状態で基板Ｗを略水平姿勢で支持する。支持ピンに支持された基板Ｗの表面Ｗｆに対向部材５が配置され、対向部材５の下面５０１と基板表面Ｗｆとの間に形成される間隙空間ＳＰに窒素ガスが供給される。これにより、基板Ｗが支持ピンに押圧されてスピンベース１５に保持される。また、対向部材５のノズル挿入孔５２に第１ノズル３が挿入された状態で、第１ノズル３から回転する基板Ｗの表面周縁部ＴＲに向けてフッ硝酸を吐出させて該表面周縁部ＴＲに連なる周端面ＥＦに供給する。これにより、基板Ｗの周端面ＥＦが全周にわたってエッチング処理される。 （もっと読む）

【課題】処理液から引き上げられる複数の基板の全面を短時間で効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ドライエア供給ダクト１０Ａ上に設けられた仕切板駆動部１３は、複数の通気路１１０の一部を閉塞するための仕切板１２をドライエア供給ダクト１０Ａの内側と上部外側との間でスライド可能に保持している。乾燥処理の開始から外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられるまでの間、仕切板１２はドライエア供給ダクト１０Ａの上部外側に位置する。外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられると、仕切板１２はドライエア供給ダクト１０Ａの内側にスライドする。この場合、仕切板１２が最下部の通気路１１０を除く全ての通気路１１０を閉塞する。これにより、ドライエア供給ダクト１０Ａ内に供給されるドライエアＤＦが仕切板１２により絞り込まれ、最下部の通気路１１０に導かれる。 （もっと読む）

【課題】ウォータマークを発生させず，レジストの溶解もなく安全に処理することができる，基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理槽６０の下部から第１の処理液を供給して、処理槽６０内において第１の処理液中に基板Ｗを浸漬させて処理する工程と、処理槽６０の下部から第１の処理液よりも比重が重い第２の処理液を供給しつつ、処理槽６０の上部から第１の処理液を排液して、処理槽６０内の第１の処理液を第２の処理液に置換し、処理槽６０内において第２の処理液中に基板Ｗを浸漬させて処理する工程と、処理槽６０内から処理槽６０の上方に設けられた乾燥室に基板Ｗを引き上げる工程を有している。 （もっと読む）