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Fターム[5F157CF99]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 構成要素細部 (6,182) | 洗浄液槽 (174)

Fターム[5F157CF99]に分類される特許

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【課題】処理液の温度を再現性よく精密に調整することが可能な処理液供給装置を提供すること。
【解決手段】本発明の処理液供給装置は、処理ノズル30には、タンク11A、11B、11Cからの処理液をノズル吐出口32A、32B、32Cに導く往路配管30A、30B、30Cと、往路配管30A、30B、30Cに導かれた処理液をタンク11A、11B、11Cに戻す復路配管40A、40B、40Cと、往路配管30A、30B、30C内の処理液の流路をノズル吐出口32A、32B、32C又は復路配管40A、40B、40Cに切り換えるバルブ50A、50B、50Cとを有し、バルブ50A、50B、50Cの切り換えによって、ノズル吐出口32A、32B、32Cから処理液を吐出させないときには、往路配管30A、30B、30Cの処理液を復路配管40A、40B、40Cを経由してタンク11A、11B、11Cに戻すことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板の処理条件が変わっても、最適な発振周波数の超音波により、微小気泡を圧壊して基板の最適な処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置10は、微小気泡Hを含む液体L内に基板を浸漬して処理する処理槽23と、微小気泡Hを含む液体Lをサンプリングして微小気泡Hの粒径の度数分布を計測する微小気泡の粒径度数分布計測器18と、得られた微小気泡の粒径の度数分布から選択された微小気泡の粒径と固有周波数との相関近似式PLから選択された微小気泡の固有周波数を得る制御部100と、処理槽23に配置されて微小気泡Hを含む液体Lに対して超音波を付与する超音波振動子20と、制御部100からの微小気泡Hの固有周波数から発振周波数情報を得て、超音波振動子20を発振周波数で振動させて微小気泡Hに超音波を付与させる超音波発振器19と、を備える。 (もっと読む)


【課題】酸素濃度を低減した処理液で基板を処理できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置1は、基板Wを保持するスピンチャック3と、スピンチャック3に保持された基板Wに対向する基板対向面34を有し、基板対向面34の周囲からスピンチャック3に向かって突出した周壁部32が形成された遮断板6と、スピンチャック3に保持された基板Wに処理液を供給する第1上側処理液供給管35とを備えている。第1上側処理液供給管35には、第2上側処理液供給管38を介して第1配管内調合ユニット51から薬液が供給される。この薬液は、薬液原液と、不活性ガス溶存水生成ユニット50によって純水中の酸素が脱気され、当該純水中に不活性ガスが添加されて生成された不活性ガス溶存水とが第1混合部59内で混合されることにより調合されたものである。 (もっと読む)


【課題】 ベースから基板が落下することを低減し、十分な洗浄ができる基板の製造方法、を提供することを目的とする。
【解決手段】 ベース2に接着されたブロック1と、アルカリ液4と、を準備する工程と、ベース2に接着されたブロック1をスライスし、ベース2に接着された基板列とする工程と、基板列をアルカリ液4により洗浄する工程と、基板列をベース2から剥離し複数の基板1aとする工程と、を有し、アルカリ液はBrix値で管理される。 (もっと読む)


【課題】洗浄槽に純水を安定して供給でき、かつ、設備の大型化やコストアップを抑えることができるフープ洗浄乾燥装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽3に設けられたノズル27に、フープ洗浄用に純水を収容する水タンク32をバルブ46を介して接続し、水タンク32に水圧送用の圧気を供給するための圧気供給手段53を接続し、洗浄槽3に、フープ洗浄後に洗浄槽3内の水を排出すると共に、フープ乾燥時に洗浄槽3内の空気を排出するための排気排水口34を形成し、排気排水口34に気液分離器9を介して空気吸引手段42を接続し、空気吸引手段42と水タンク32を同一のケーシング47内に収容してユニット化したものである。 (もっと読む)


【課題】塩化物等の析出のおそれがなく、かつ配管の劣化を直ちに検出可能なウェーハ製造装置用の配管構造及びこの配管構造を備えたウェーハ製造設備を提供する。
【解決手段】ウェーハ製造装置に塩酸を供給する配管構造において、外管21と、外管21の内部に挿入されたフッ素樹脂からなる内管22とを備え、内管22が塩酸を流通させる酸流通路23とされ、外管21と内管22の間には隙間24が設けられてこの隙間24が析出防止用流体を流通させる流体通路25とされていることを特徴とする配管構造12、14を採用する。 (もっと読む)


【課題】ウェハの洗浄処理に用いる液体の不必要な使用を抑える。
【解決手段】洗浄装置1は、貯留槽10に貯留されている薬液を処理槽20に送液してウェハWの洗浄処理を行い、使用した薬液を回収ライン90で貯留槽10に回収し、その回収で不足する分を供給ライン30から補充する。この供給ライン30から補充される薬液流量を検出部41で検出し、演算部42によって単位時間当たりの積算流量を求め、それを判定部43によって閾値と比較して、供給ライン30からの薬液補充量を監視する。これにより、貯留槽10への薬液の回収不足、薬液から析出した結晶物による回収溝24aの閉塞を早期に発見し、不必要な薬液補充を抑えることが可能になる。 (もっと読む)


【課題】従来に比べて効率良く洗浄作業を行うことができ、かつ、高い洗浄効果を得ることのできる半導体製造装置の洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置の洗浄装置100は、純水から純水スチームを生成する純水スチーム生成容器2と、純水スチームを被洗浄部位へ供給する供給口5と、純水スチーム生成容器と供給口とを接続する供給ライン4と、洗浄に使用された使用済みスチームを被洗浄部位から回収する回収口6と、使用済みスチームを凝縮させて回収する回収容器8と、回収口6と回収容器8とを接続する回収ライン7とを備えている。 (もっと読む)


【課題】この発明は、洗浄液を、第2処理槽内に滞留させることなく効率よく排出及び濾過することができる被処理物洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】被処理物Aの浸漬洗浄処理が完了した際に、第2処理槽2Bに貯留されたフッ素系溶剤Cを、そのフッ素系溶剤Cの自重を利用して第2処理槽2Bの底部に接続された排出路2fから下方へ排出して貯液槽7へ供給する。第2処理槽2Bと貯液槽7との間に重力に沿ったフッ素系溶剤Cの流れを作ることができるので、フッ素系溶剤Cの全体を、第2処理槽2B内の角隅部等に滞留させることなく貯液槽7へ供給することができる。これにより、フッ素系溶剤Cの全体を排出及び濾過する際に要する時間が短縮され、作業の能率アップ及びレベルの高い濾過が行える。 (もっと読む)


【課題】この発明は、洗浄処理に使用される洗浄液の損失が少なくて済み、消費量及びコストの低減を図ることができる被処理物洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】被処理物洗浄装置1により被処理物Aを浸漬洗浄処理する際に、第1処理槽1B内に放出されたフッ素系溶剤Cの蒸気Caを、第2処理槽2Bより下方に配置された冷却ジャケット3の冷却作用によって沸点より低い温度に冷却する。被処理物Aを、第1処理槽1B内の第2処理槽2Bに貯留されたフッ素系溶剤Cに浸漬して浸漬洗浄処理する。浸漬洗浄処理から蒸気洗浄処理へ移行する際に、被処理物Aを第2処理槽2Bに収容したまま位置を変更せずに、第2処理槽2Bに貯留されたフッ素系溶剤Cを蒸気Caに入れ替えて蒸気洗浄処理する。蒸気洗浄処理から浸漬洗浄処理へ戻る際に、第2処理槽2Bに放出された蒸気Caをフッ素系溶剤Cに入れ替えて浸漬洗浄処理する。 (もっと読む)


【課題】フィルタの交換頻度を抑制することが可能な洗浄システム及び洗浄液循環方法を提供する
【解決手段】硫酸及び過酸化水素水が含まれる洗浄液101を収容する洗浄槽11と、洗浄液101が、洗浄槽11の排出口から排出され、加熱装置21を通過して、フィルタ25またはバイパスライン28を通過して、洗浄槽11の導入口に戻される洗浄循環ライン29と、加熱された洗浄液101が、洗浄槽11の排出口から排出され、冷却装置33を通過した後、加熱することにより硫酸濃度を所定の濃度に高める再生槽35の導入口に導入され、再生槽35の排出口から排出され、冷却装置41を通過して、バッファ槽51に貯留され、バッファ槽51から洗浄槽11の導入口に戻される再生循環ライン55とを有する。 (もっと読む)


【課題】基板に供給される複数種の処理液を分離して回収することができるスピン処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板に複数種の処理液を順次供給して処理するスピン処理装置であって、カップ体1と、カップ体内に設けられ基板を保持して回転駆動される回転テーブル8と、上面が開口したリング状をなしていて、カップ体の内周と回転テーブルの外周との間に上下方向に駆動可能に設けられ回転する基板から飛散する処理液を受ける処理液受け体16と、基板に供給される処理液の種類に応じて処理液受け体を上下方向に駆動してその高さを設定するリニアモータ21と、カップ体に設けられ処理液受け体が受けた処理液を処理液受け体がリニアモータによって設定された高さに応じて分離して回収する第1乃至第3の分離流路27a〜27cを具備する。 (もっと読む)


【課題】高濃度オゾン水中のオゾン濃度の減衰を抑制して、オゾン濃度の高い加熱オゾン水を効率的に製造することができる加熱オゾン水の製造方法を提供する。
【解決手段】純水又は炭酸ガス含有純水にオゾンガスを溶解させたオゾン水を加熱する加熱オゾン水の製造方法において、オゾン水を、液体を加熱媒体とする熱交換手段2により昇温速度6.0〜10.0℃/秒で60〜90℃に加熱する加熱オゾン水の製造方法。 (もっと読む)


【課題】使用済みの薬液について、再生に有用な薬液と洗浄液が混入して再生に適さない薬液とを、効率よく、かつ簡易な装置構成により分別して回収することができる薬液回収装置及び薬液回収方法を提供する。
【解決手段】薬液が流入する薬液流入口と、薬液流入口から流入した薬液の所定量を貯留することができる薬液貯留部と、薬液貯留部の所定量を超えた薬液を排出する薬液排出口と、を有する薬液受け部材1と、薬液貯留部に貯留した回収薬液を吸引する薬液回収ポンプ23と、薬液回収ポンプで吸引した回収薬液を収容する回収タンク24と、薬液排出口から排出される廃棄薬液を収容する廃棄タンク25と、を有する薬液回収装置21。 (もっと読む)


【課題】プリディスペンスに要する時間の短縮、および加熱または冷却される第1流体の消費量の低減を図ることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】硫酸過水ノズル4に接続される硫酸供給配管14の上流端は、処理液キャビネット2内の循環配管22に分岐接続されている。処理液キャビネット2内において、硫酸供給配管14には、第1配管継手30が介装されている。また、処理室1内のノズルアーム10の先端部において、硫酸供給配管14には、硫酸過水ノズル4に近接して配置された第2配管継手31が介装されている。第1および第2配管継手30,31の間において、循環配管22および硫酸供給配管14は、循環配管22内に硫酸供給配管14が挿通されることにより二重配管構造を形成している。 (もっと読む)


【課題】過硫酸の自己分解を抑制するとともに、電極で生成する気体による電解効率の低下を抑制することができる過硫酸製造装置を提供する。
【解決手段】陽極12および陰極14が隔膜10側の面と集電体16,18側の面に通ずる少なくとも1つの流路を有し、集電体16,18が電極12,14側の面に電解液の流れる方向と略平行な少なくとも1つの溝を有することにより、あるいは、陽極12および陰極14が隔膜10側の面に電解液の流れる方向と略平行な少なくとも1つの溝を有することにより、過硫酸の自己分解を抑制するとともに、電極で生成する気体による電解効率の低下を抑制することができる過硫酸製造装置1。 (もっと読む)


【課題】アンモニア過水処理以降に、硫酸過酸化水素水のミストが基板に付着することを防止できる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理部PCは、4つの硫酸過水処理チャンバ1と、4つのアンモニア過水処理チャンバ2とを備えている。硫酸過水処理チャンバ1内において、ウエハWに対して、SPMを用いた硫酸過水処理が行われる。硫酸過水処理後のウエハWは、硫酸過水処理チャンバ1からアンモニア過水処理チャンバ2へ移送され、アンモニア過水処理チャンバ2内において、SC1を用いたアンモニア過水処理を受ける。アンモニア過水処理チャンバ2は、硫酸過水処理チャンバ1から隔離されているので、アンモニア過水処理チャンバ2内には、SPMのミストが存在しない。 (もっと読む)


【課題】過硫酸の自己分解を抑制し、少量の薬品で高濃度の過硫酸をオンタイムで供給することができる過硫酸製造装置を提供する。
【解決手段】陽極12と、陰極14と、陽極12と陰極と14の間に設けられた隔膜10と、陽極12および陰極14の隔膜10と反対側の面に接触して設けられた集電体16,18とを有し、陽極12側および陰極14側に電解液として硫酸溶液を流し、陽極12と陰極14との間に電圧を印加して過硫酸を電解生成させる電解槽4を備え、10〜96重量%濃度の硫酸溶液を電解液として、1回の流通で0.001mol/L〜0.2mol/Lの範囲の濃度の過硫酸を生成させる過硫酸製造装置1。 (もっと読む)


【課題】基板処理装置を長期間使用したときに加熱部における複数の加熱器または全ての加熱器が同時に使用することができなくなるというトラブルを抑制することができ、また加熱器に断線が生じてしまうことを防止することができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記録媒体を提供する。
【解決手段】基板処理装置1に設けられた制御部50は、各加熱周期において加熱部24における各加熱器24aを予め設定された加熱器オン時間分だけ交互にオンとするよう各加熱器24aのオンオフをそれぞれ制御する。この制御部50は、処理液の温度が予め設定された所定の温度に維持されるようフィードバック制御を行うことにより0〜1の範囲内にある操作量を算出し、加熱器オン時間を操作量で割り算することにより加熱周期の期間を算出する。 (もっと読む)


【課題】レジスト被膜の除去性を低下させないで、長期間に渡る剥離液の繰返し再使用が可能であるばかりか、導電性高分子の表面抵抗や導電性高分子と基材との密着性も悪化さず、さらに、経済性や安全性にも優れており、廃棄物が少なくできるため環境にも悪影響を及ぼさない導電性高分子膜上のレジスト被膜の除去方法を提供。
【解決手段】レジスト被膜を除去後の剥離液を、細孔径2〜5nmであって、分画分子量が1000〜4000のセラミックフィルターを用いて膜濾過することにより、レジスト被膜を該剥離液から取り除き、導電性高分子膜上のレジスト被膜の除去に再使用する。 (もっと読む)


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