【課題】薬液循環型の基板洗浄処理装置の薬液中のＣｕイオン濃度の上昇を防止する。
【解決手段】被処理基板を薬液４を用いて洗浄する処理チャンバ１と、薬液４を循環させる循環機構とを有する洗浄処理装置において、循環機構又は処理チャンパ内に、薬液４に接触するアルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属板５を着脱可能に設置する。薬液４中のＣｕイオンが金属板５のＡｌと交換して、Ｃｕが金属板５表面に析出し、薬液中のＣｕイオンが除去される。金属板５は、塵埃を発生せず、安価かつ着脱容易であるから、製造コストが低減される。 （もっと読む）

【課題】処理槽に温度制御部を必要としない薬液処理槽及びそれを用いた薬液処理装置を提供することにある。
【解決手段】断熱材１２で覆われた処理槽１０の内部において、被処理物１９を単品又はバッチで処理を行う処理部６０と、所定の温度に設定された液３３を貯える貯液部１４−１とを有し、処理槽１０の内部及び被処理物１９を、貯液部１４−１に蓄えられた液の熱伝導又は熱放射により加熱又は冷却して、所定の温度に維持する。 （もっと読む）

【課題】塗布膜に対する洗浄液の浸透を抑制し、それにより有効領域における塗布膜の隆起や傾斜を抑制することができる洗浄液供給装置、端縁洗浄装置、端縁洗浄液、および端縁洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板の端縁からレジスト膜を除去するための洗浄液として、有機溶剤と純水との混合液を使用する。これにより、有機溶剤を単独で使用した場合と比べてレジスト膜に対する洗浄液の浸透が抑制される。したがって、基板の端縁に向けて吐出された洗浄液が有効領域のレジスト膜中に浸透することが抑制され、その結果、有効領域におけるレジスト膜の隆起や傾斜が抑制される。洗浄液中の純水の比率は、１．０重量％以上かつ５．０重量％未満とすればよく、３．０重量％以上かつ４．０重量％未満とすればより望ましい。 （もっと読む）

【課題】この発明はナノバブルよりも大径な気泡を含んでいない処理液を供給することができる処理液の製造装置を提供することにある。
【解決手段】ナノバブルだけを含む処理液を作る処理液の製造装置であって、
上記処理液に微細気泡を発生させるナノバブル発生器５と、ナノバブル発生器によって微細化された気泡を含む処理液を貯える貯液槽１と、貯液槽に貯えられた処理液に含まれる微細化された気泡のうち、ナノバブルよりも大きな気泡を分離除去する分離籠２及び遠心分離器２３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤の消費量を抑制しつつ、基板表面を良好に乾燥させることができる基板処理方法および装置を提供する。
【解決手段】乾燥前処理（基板表面Ｗfに高濃度ＩＰＡを供給する処理）を行うことで基板表面Ｗfに形成される液膜のＩＰＡ濃度は常に最終的に基板乾燥に適した値に調整されている。そして、その表面状態のまま基板乾燥が実行されるため、優れた乾燥性能で基板を乾燥させることができる。しかも、この実施形態では、リンス処理を受けた基板Ｗに対して乾燥前処理を直ちに行うのではなく、低濃度ＩＰＡを基板表面Ｗfに供給して基板表面Ｗfに付着しているリンス液（ＤＩＷ）をＩＰＡに置換した上で乾燥前処理を行っている。このように有機溶剤の供給を２段階で行っているため、ＩＰＡの消費量を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面の全域に、処理液を用いた処理を均一に施すことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】下プレート部４に保持されたウエハＷに対して、上プレート２の基板上対向面１９を対向させる。基板上対向面１９には、ウエハＷの中心に対向する位置に頂点を有する円錐状の凹部１８が形成されている。
ウエハＷの上面と上プレート２の基板上対向面１９とで挟まれた上処理空間４１に処理液が供給されて、上処理空間４１が処理液により液密状態にされる。上処理空間４１が、ウエハＷの中心から周縁部に向かうにつれて徐々に狭くなっているので、ウエハＷの上面の全域において、処理液の速度がほぼ等しい。 （もっと読む）

【課題】処理部から被処理体に対して供給される処理液に脈動が生じることなく、かつ、待ち時間が発生することなく被処理体を連続して処理すること。
【解決手段】処理液供給ユニットは、第一供給部１０と、第二供給部２０と、第一供給部１０および第二供給部２０内の処理液の流れを制御する制御部５０と、を備えている。制御部５０は、処理部６０への処理液の供給を第一供給部１０から第二供給部２０へ変更する際には、第二供給部２０内の処理液が圧送状態であり、かつ、第一供給部１０内の処理液が圧送状態であるときに、第一供給部１０から処理部６０に処理液を供給させ始めるよう第一圧送手段１３を制御し、その後、第一供給部からの処理部への処理液の供給を停止するようになっている。 （もっと読む）

【課題】工程溶液の準備工程に要する時間を最小化して、工程効率を向上させることができる工程溶液処理方法及びこれを用いた基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理槽に基板処理用の工程溶液を提供するステップと、工程溶液を処理槽に連結した循環ラインを通して循環させる循環ステップと、を有し、循環ステップは工程溶液が循環ラインを移動するメイン循環ステップと、循環ラインの第１位置で分岐した後、第２位置で結合するバイパスラインを経由して工程溶液が移動するサブ循環ステップを含み、メイン循環ステップは第１位置と第２位置との間で工程溶液をフィルタリングするステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】全てのチャックピンが基板との接触を高速回転時にも維持でき、スピンヘッド本体の熱変形によるチャックピンの設定位置のずれを防止できるスピンヘッドを提供する。
【解決手段】本体と、本体から上方に突出して設置されるチャックピンと、本体上に置かれた基板の側部を支持する支持位置及び本体の中心から支持位置より離れた待機位置の間でチャックピンを移動させ、且つチャックピンが待機位置にある場合には本体上に基板を着脱可能に置く余地を与えるように、チャックピンと固定結合される移動ロッド、回転可能で支持位置に位置したチャックピンが待機位置に移動できるように外側面に突起を有するカム、及びチャックピン各々が互いに独立して待機位置から支持位置に向かう方向へ移動できるように、移動ロッド各々に独立して復元力を印加するチャックピン復元器を有するチャックピン移動ユニットと、を備える。 （もっと読む）

【課題】より円滑に剥離液を流通させる。
【解決手段】剥離装置は、第１処理部１Ａ及び第２処理部１Ｂから構成される。第１処理部１Ａの処理槽１０Ａ内には、傾斜姿勢の基板Ｓに剥離液を供給するノズル１２と、基板Ｓに沿って流下する剥離液を受けて排液する樋部材２２とが設けられる。樋部材２２の内底面は、その長手方向中間部に向かって先下がりに形成され、当該中間部には排液口が形成されている。また、樋部材２２の内底面には、剥離液中に含まれる被膜を絡ませることにより排液口側への被膜の流動を抑制する複数のピンが立設されている。 （もっと読む）

【課題】複雑な機構を用いることなく、効率的に薬液を回収することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置において、制御部１２１は、リンス液によるリンス処理後に薬液による薬液処理を制御する。この際に、最初に、リンス処理用の回転数以上の回転数で基板Ｗを回転させながら基板上に薬液を供給して排液カップを薬液により洗浄し、その際に排液カップ５１で受けた液を廃棄ライン１１３によって廃棄する。その後、薬液処理用の回転数で基板を回転させながら基板上に薬液を供給して基板の薬液処理を行い、その際に排液カップで受けた液を回収ライン１１２によって回収する。 （もっと読む）

【課題】フッ化水素（ＨＦ）を用いた表面処理における安全性を向上させる。
【解決手段】貯留容器１０に無水または含水の液体フッ化水素１１を貯留する。吸込加圧手段２０によって、容器１０内を大気圧以下または前記被処理物の配置環境の圧力以下にし、気化したＨＦガスを吸い込んで加圧し、被処理物Ｗへ供給して表面処理を行なう。氷を蓄熱剤３２とする温調手段３０によって、貯留容器１０内をＨＦの大気圧下での沸点（約２０℃）より低温に保つ。 （もっと読む）

【課題】低コストで貯留槽内の処理液の温度を調整することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理液タンクＴＢ内の処理液は、ポンプＰ２の動作により配管１８，１９，２３を通して簡易式熱交換器Ｓ２に導かれる。簡易式熱交換器Ｓ２により冷却された処理液は、配管２３，２５を通して処理液タンクＴＢに戻される。処理液の温度が予め定められた規定値Ｎ１以下になると、処理液タンクＴＢ内の処理液は、ポンプＰ２の動作により配管１８，１９，２１を通して処理液タンクＴＢに戻される。配管２１は処理液タンクＴＡ内を通過するので、配管２１を流れる処理液は、処理液タンクＴＡ内の処理液によって温調される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の基板の表面からレジスト膜を効果的に剥離する。
【解決手段】基板処理装置１は、硫酸１０３を貯留する硫酸槽１０２と、過酸化水素水１４３を貯留する過酸化水素水槽１４２とを備える。基板処理装置１では、過酸化水素水１４３に半導体ウエハＷを浸漬することにより半導体ウエハＷの表面に過酸化水素水の液膜を形成し、表面に過酸化水素水の液膜が形成された半導体ウエハＷを高温の硫酸１０３に浸漬することにより、混合直後の高温ＳＰＭを半導体ウエハＷに接触させる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハに付着した不純物に対する洗浄力を向上させることができるシリコンウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】マイクロバブル生成装置５０がマイクロバブルを洗浄液内に生成し、スプレーノズル１２にマイクロバブルを含む洗浄液（マイクロバブル含有洗浄液）を圧送し、スプレーノズル１２から洗浄タンク１１内に載置された複数のシリコンウェハＷに均一に噴霧状のマイクロバブル含有洗浄液を吹き付けてシリコンウェハＷをスプレー洗浄する。また、洗浄液供給装置２３にマイクロバブル含有洗浄液を圧送し、洗浄液供給装置２３から噴霧状のマイクロバブル含有洗浄液をスクラビングブラシ２２に供給し、一方順次スプレー洗浄装置１０によって洗浄されたシリコンウェハＷを搬送し、各スクラビングブラシ２２のニップ部においてマイクロバブル含有洗浄液の存在下でブラシ２５によってシリコンウェハＷをブラシスクラビング洗浄する。 （もっと読む）

【課題】処理液を用いた処理を、安定的に基板に施すことができる基板処理装置を提供すること、および、このような基板処理装置に適用可能な処理液成分補充方法を提供すること。
【解決手段】薬液キャビネット制御部７２は、処理ユニット４〜７の薬液バルブ３３の開時間を取得し、その薬液バルブ３３に関する累積開時間を算出するとともに、４つの処理ユニット４〜７の４つの薬液バルブ３３の累積開時間の合計を算出する。薬液バルブ３３の累積開時間の合計が予め定める時間に到達すると、成分補充ユニット３は予め定める量の第１成分、第２成分および第３成分を、それぞれ、薬液タンク４０に補充する。
【効果】薬液タンクに溜められている薬液の濃度をほぼ一定に保つことができる。 （もっと読む）

マイクロ電子デバイスからバルクフォトレジスト材料および／または硬化フォトレジスト材料を除去するための方法および鉱酸含有組成物を開発した。鉱酸含有組成物は、少なくとも１種の鉱酸と少なくとも１種の硫黄含有酸化剤と任意選択的に少なくとも１種の金属イオン含有触媒とを含む。鉱酸含有組成物は、下に位置するシリコン含有層に損傷を与えることなく硬化フォトレジスト材料を効果的に除去する。
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【課題】複数種類の液体を用いる基板処理方法において、液体を用いた処理の後に基板上に残留している当該液体を、次に使用される液体によって迅速かつより確実に置換することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、処理液によって基板Ｗを処理する工程と、基板上に置換液を供給し、基板上に残留する処理液を置換液で置換する工程と、を備える。置換する工程に用いられる置換液は、処理液の表面張力よりも小さい表面張力を有し、かつ、処理液の密度と同一の密度を有する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の底部と上部との雰囲気を遮蔽することにより、処理中に生じたパーティクルによって基板が汚染されることを防止して、基板を清浄に処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置において基板Ｗに対する処理が行われるが、処理槽１の外側壁７５とチャンバ２７の内側壁との間にある空間には、遮蔽部材７９が設けられているので、処理槽１から溢れ、チャンバ２７の底部に処理液が落下することで飛散したパーティクルは、チャンバ２７底部から上部へ向かうことなくチャンバ２７底部に抑え込まれる。したがって、処理中に生じたパーティクルによって基板Ｗが汚染されることを防止することができ、基板Ｗを清浄に処理することができる。 （もっと読む）

【課題】超音波の高周波化に伴う内槽の板厚を従来のように薄くすることなく、洗浄槽の内槽内における音圧を確保しつつ、超音波の高周波化に対応した超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法を提供することすること。
【解決手段】超音波振動を伝達する伝達媒体を貯留するための外槽５と、前記外槽５の内部に配置され、内部に貯留される洗浄液内に浸漬される前記被洗浄物を、前記伝達媒体を介して伝達される超音波振動により洗浄するための内槽３からなると洗浄槽とを備え、前記内槽の底板３ａは、超音波振動数の２分の１波長（半波長）の整数倍の板厚を有し、前記内槽の底板３ａと前記外槽の底板５ａとが平行とならないように前記内槽の底板３ａを傾斜するように配置する。 （もっと読む）