【課題】ゲッタリング能力を向上させることができ、かつ基板表面にエピタキシャル層を形成しても、積層欠陥が生じることを防止することのできるエピタキシャルシリコンウェハの製造方法を提供すること。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造され、窒素をドープして引き上げられたシリコン単結晶を切り出して得られる基板上に、エピタキシャル層を形成したエピタキシャルシリコンウェハの製造方法は、基板表面に基板洗浄装置１のバブリングタンク１１で気化させたフッ酸を噴射して、該基板Ｗの表面を洗浄するフッ酸洗浄工程と、洗浄された基板Ｗの表面上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル層形成工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板を幅方向に傾斜させて搬送するとともに、その上面全体を処理液によって均一に処理することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】所定の角度で傾斜しその傾斜方向と交差する方向に搬送される基板の上面を処理液供給装置３１から供給される処理液によって処理する基板の処理装置であって、
処理液供給装置は、基板の傾斜方向に沿って配置され内部に処理液が供給貯留される容器本体３２と、容器本体の下面に開口形成され内部に供給貯留された処理液を基板の搬送方向と交差する方向に沿って直線状に流出させるノズル孔４０と、容器本体の下面側に設けられ基板の搬送方向下流側に向かって低く傾斜した傾斜面４５を有するとともに、傾斜面の下端縁４５ａが搬送される基板の傾斜した上面と平行に離間対向するよう傾斜して形成されていて、ノズル孔から流出する処理液を傾斜面で受けて傾斜面の下端縁から基板の上面に供給するガイド部材４２を具備する。 （もっと読む）

【課題】過酸化水素水の濃度の測定精度が高く、測定方法及び測定構造が簡単である。更に、半導体洗浄装置の構造が簡単である。
【解決手段】薬液槽１０内に取り付けられた過酸化水素水の濃度測定装置２０は、薬液２中の過酸化水素水２ａが分解する際に発生する酸素Ｏ２の気泡２ｂの発生量を、気泡２ｂが付着し易い棒状部材２１により捕獲し、付着した気泡量の浮力により棒状部材２１が上昇するので、この上昇量を測定することにより、過酸化水素水２ａの濃度を測定する。そのため、過酸化水素水２ａの気泡２ｂによる液面変動や液面定義が検出精度を劣悪にすることが無く、過酸化水素水２ａを直接計測することができて測定精度が高く、測定方法及び測定構造が簡単である。従って、半導体洗浄装置の構造を簡単化できる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に処理液を物理的に作用させることによって基板に対する処理を実行するにあたり、どのような処理液を用いた場合であっても、基板にダメージを与えることなく処理を実行することを可能とする基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、複数の基板を、処理液中に浸漬させることにより基板Ｗに対する超音波洗浄処理を実行する処理部１を備える。制御部５は、処理液供給部２から処理部１に対して処理液の供給を開始するに先だって、当該供給される処理液が基板にダメージを与えにくい適正処理液であるか否かを、当該処理液の分子密度の値と分子密度閾値との比較によって判断する。処理液が適正処理液でないと判断された場合には、処理液調整部３において処理液に窒素ガスを溶解させる。 （もっと読む）

【課題】処理液の供給形態を工夫することにより、清浄度高く処理することができ、かつ乾燥不良を防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】左側の噴出管７からは純水の供給が停止され、右側の噴出管７のみから純水が供給される。これにより、ドライエアの供給方向と液面付近における純水の流れとが一致するので、純水の流れに澱みが生じにくく、洗浄時に基板Ｗから剥離されて純水中に漂うパーティクルが効率的に排出される。その結果、引き上げられる基板Ｗにパーティクルが付着するのを防止することができ、基板Ｗを清浄度高く処理することができる。また、液面の中央部が盛り上がることがなく、ドライエアにより液面中央に波立ちが生じるのを防止することができるので、引き上げ中の基板Ｗに飛沫が付着することを防止でき、基板Ｗの乾燥不良を防止することができる。 （もっと読む）

フルウエハ処理モジュールと、組み合わせ処理モジュールとを備える、統合処理ツールを記載する。組み合わせ処理モジュールで使用するための化学物質は、一式の第１の多岐管を含む送達システムから供給される。各第１の多岐管の産出は、少なくとも１つの混合容器に連結される。各混合容器の産出は、一式の第２の多岐管のうちの２つ以上に供給する。各一式の第２の多岐管の産出は、組み合わせ処理モジュールの複数の部位単離リアクタのうちの１つに供給する。
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【課題】基板の裏面洗浄の際に基板の裏面側中心部に位置する液吐出口の周囲部分を十分洗浄することができる洗浄装置を提供すること。
【解決手段】中心部に孔１１ａを有する水平配置された回転プレート１１の上方に適長離間してウエハＷを一体的に保持し、回転プレート１１の孔１１ａに、中心部に吐出口２４ａを有する液吐出プレート２４を設け、制御機構１２１により、ウエハＷを回転させた状態で裏面側液供給ノズル６から処理液を吐出させてウエハＷの裏面に液膜を形成させてウエハＷ裏面の洗浄処理を行い、その後、リンス液に切り替え、次いでリンス液の供給を一旦停止させ、その後再びリンス液を吐出させて液吐出プレート２４の表面にも液膜を形成させてウエハＷ裏面をリンスするとともに液吐出プレート２４を洗浄し、その後乾燥処理を行うように制御する。 （もっと読む）

【課題】過硫酸を用いた洗浄システムなどに対し、高濃度の過硫酸イオンを含む溶液を安定して供給可能な過硫酸供給システムを提供する。
【解決手段】電解反応により溶液に含まれる硫酸イオンから過硫酸イオンを生成する電解反応装置（電解反応槽５、直流電源６）と、硫酸イオンを含む溶液を貯留する貯留槽１と、該貯留槽１から前記溶液を被電解液として前記電解反応装置へ移送し、前記電解反応装置から電解された溶液を前記貯留槽１へ移送する循環ライン（送り管２ａ、戻り管２ｂ）と、前記電解反応装置で生成された過硫酸イオンを含む溶液を過硫酸使用側に供給する過硫酸供給ライン７と、電解反応装置に移送する前記被電解液を補給する補給ライン８を備える。 （もっと読む）

【解決手段】一実施形態において、流体を使用して基板を処理するように構成された半導体処理装置を少なくとも部分的に収容することを可能にするチャンバボディが開示される。チャンバボディは、チャンバボディを形成するベース材料からなり、チャンバボディ上方における基板の処理中に流体の溢れを捕らえることを可能にするために、少なくとも、底面と、該底面に一体的につながれた壁面とによって画定される。また、ベース材料は、金属性である。チャンバボディは、また、ベース材料の上方および上に配された下塗り材料も有する。下塗り材料は、ベース材料との一体化結合を形成するための金属成分を、非金属成分とともに有する。チャンバボディは、さらに、下塗り材料の上方および上に配された本塗り材料を含む。本塗り材料は、非金属成分によって特徴付けられ、本塗り材料の非金属成分は、下塗り材料との一体化結合を形成する。本塗り材料は、下塗りの金属成分の全部を完全に覆うように特徴付けられる。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセス機器から排出される使用済みの半導体プロセス流体を効率よく回収して有効に再生することができるプロセス流体回収方法およびプロセス流体回収装置を提供する。
【解決手段】 半導体プロセス機器の排出口から再生ラインに使用済みプロセス流体を通流させ、前記半導体プロセス機器の排出口から前記使用済みプロセス流体を再生し、 前記再生ラインに接続された流体センサで前記使用済みプロセス流体の状態を測定し、前記流体センサから制御器へ前記プロセス流体の状態を表わす信号を送るとともに、該信号が所定範囲内にあることを設定し、前記信号が前記所定範囲内に入る場合は前記半導体プロセス機器に前記使用済みプロセス流体を回収し、また前記信号が前記所定範囲から外れる場合は前記使用済みプロセス流体の少なくとも一部をシステムドレインに流す。 （もっと読む）

【解決手段】基板の表面の処理に使用される溶液を作成する方法を提供する。方法は、連続媒体を提供する工程を含み、連続媒体には重合体材料が追加される。重合体材料を有する連続媒体に脂肪酸が追加され、重合体材料は、脂肪酸が受ける浮力を克服する力を溶液中に及ぼす物理ネットワークを定め、これにより、付加された攪拌が重合体材料の降伏応力を上回るまで、脂肪酸が溶液中で移動するのを防止する。付加された攪拌は、溶液を容器から、基板の表面に溶液を付与する処理ステーションへ輸送することによるものである。 （もっと読む）

【課題】ナノスケールの半導体処理のためにバブルフリーの液体を生成するためのシステムおよび方法
【解決手段】バブルフリーの液体を生成するためのシステムは、連続液体ソースと非バブル化チャンバとを含む。非バブル化チャンバは、出口と入口とを含む。入口は、供給管によって連続液体ソースの出口につながれる。非バブル化チャンバは、また、非バブル化チャンバの側壁内に少なくとも１つの口を含む。少なくとも１つの口は、非バブル化チャンバの入口から少なくとも長さＬの位置にある。バブルフリーの液体を生成するための方法も説明される。 （もっと読む）

可動プラテンに搭載された基板（５）を清浄化する装置である。例示的な実施形態では、装置は、プラテンが基板を搬送するときに基板表面（５）を溶剤（７）で湿潤化する溶剤吐出ノズル（２５）を有する第１のチャンバ（２０）を備える。プラテンは、基板をプロセスチャンバの中へ搬送するときに、所定の方向へ所定の走査速度で移動する。プロセスチャンバは基板表面（５）から所定の高さ（ｈ）に高温ソース（３０）を有し、高温ソースは基板表面へ向けられた熱エネルギーを供給し、熱エネルギーが基板表面に吐出された溶剤（７）を蒸発させ、プラテンが基板を第１のチャンバ（２０）からプロセスチャンバの中へ搬送するときに、溶剤蒸発が基板表面から微粒子（３５）を除去する。清浄化された基板は、精密フォトマスク、又は、ウェハを含む。
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集積回路（「ＩＣ」）基板を洗浄するための発明の方法、システム、および組成が説明される。本発明の洗浄方法は、帯電した溶液を生成するためにＩＣ基板の洗浄を促進するように選択された少なくとも１つの溶質を含む溶液を帯電させる段階であって、溶質の少なくとも一部が帯電した溶液中でクラスタとして存在する段階と、ＩＣ基板の洗浄のために帯電した溶液を移送する段階とを含む。本発明の洗浄システムは、集積回路基板の洗浄を促進するように選択された少なくとも１つの溶質を含む溶液を保有するための帯電チャンバと、帯電した溶液を生成するために帯電チャンバ中の溶液を振動させることができる第１の音響エネルギー源であって、溶質の少なくとも一部が帯電した溶液中でクラスタとして存在する第１の音響エネルギー源を備える。
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