【課題】銅配線に対する腐食性が低いこととともに、酸化銅系の化合物残渣やシリコン酸化物系の化合物残渣に対する除去能力が優れた、銅配線工程で使用されるフォトレジスト又はフォトレジスト残渣除去組成物を提供する。
【解決手段】リン酸、リン酸塩、硫酸及び硫酸塩からなる群から選択される少なくとも１種と、クエン酸、リンゴ酸、乳酸、コハク酸、マロン酸及び酢酸からなる群から選択される少なくとも１種と、組成物全量に対して０．０１〜２重量％のフッ化水素酸及び／又はフッ化アンモニウム等のフッ化水素酸塩と水とを含有するレジスト残渣除去組成物。 （もっと読む）

【課題】 金属配線を腐食することなく、化学的機械研磨工程で発生した結晶シリコンやアモルファスシリコンシリコン表面に残留した金属残渣や砥粒残渣を除去することができる洗浄剤を提供することを目的とする
【解決手段】 表面に単結晶シリコン、多結晶シリコンもしくはアモルファスシリコンと銅配線を同一面に有する半導体用洗浄剤であって、４級アンモニウムヒドロキシド（Ａ）、オキシエチレン鎖を有する脂肪族アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ｂ）および水を必須成分として含み、そのｐＨが１２．５〜１４．０であり、かつ単結晶シリコンの表面に滴下したときの接触角が３０°以下であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された凹部の内部を薬液により処理するにあたって、凹部の内部に速やかに薬液を侵入させること。
【解決手段】液処理方法は、薬液より表面張力が小さい有機溶剤を基板に供給して凹部の内部を濡らすプリウエット工程と、その後、薬液からなる洗浄液を基板に供給して、凹部の内部の液体を薬液で置換して、この薬液によって前記凹部の内部を洗浄する薬液洗浄工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板表面を腐食することなく微粒子付着による汚染、有機物汚染及び金属汚染を同時に除去することができ、しかも水リンス性も良好で、短時間で基板表面を高清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。
【解決手段】
半導体デバイス製造における化学的機械的研磨工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、以下の成分（Ａ）〜（Ｄ）を含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液。
（Ａ）有機酸
（Ｂ）スルホン酸型アニオン性界面活性剤
（Ｃ）ポリビニルピロリドン及びポリエチレンオキシド−ポリプロピレンオキシドブロック共重合体から選ばれる少なくとも１種の高分子凝集剤
（Ｄ）水 （もっと読む）

【課題】基板表面を水溶液が乾燥することなく、基板表面を均一に洗浄することができる基板洗浄方法及び基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄方法及び基板洗浄装置は、基板の洗浄に有効な成分を含んだ水溶液に、前記基板を浸漬して洗浄を行う洗浄工程と、洗浄工程と移動工程とを備え、洗浄と移動工程が行われる空間領域を加湿する加湿工程と洗浄の次工程として水洗工程を有し、基板洗浄装置は、基板を洗浄する洗浄部と洗浄後の基板を次工程に移動する移動部とを備え、洗浄部と移動部が備えられる空間領域を相対湿度６０％ＲＨ以上１００％ＲＨ未満に加湿する加湿部と洗浄後の基板を水洗する水洗部とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来は塗布の前処理として洗浄を行う製造ラインにおいて洗浄工程から塗布工程の間に設備間の移動が必要であった。そのため洗浄後の清浄部に空気中に浮遊しているゴミをかみこみ、濡れ性不足、接着強度不足、信頼性の低下を招く恐れがあった。
【解決手段】本発明は、被照射部にスポット照射を行い清浄化する洗浄ヘッド２１と、前記洗浄ヘッドと被照射体の相対位置関係において前記洗浄ヘッド２１の進行方向の後ろ側に配された前記塗布ヘッド２２を具備する洗浄塗布装置である。係る発明を用いることで、洗浄工程後、清浄部に汚染物質が再付着する前に塗布工程を行うことができる。また、洗浄工程と塗布工程の間に搬送工程を含まず、一つの装置で洗浄塗布工程が行えるため、工程及び設備の簡易化が可能である。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面に存在する有機物等の汚染物を高い効率で除去することができると共に、被処理物の表面の濡れ性を向上させることができ、被処理物の表面に高い密着性を有する薄膜を形成することができるドライ洗浄方法およびドライ洗浄装置を提供する。
【解決手段】被処理物１に大気圧プラズマを作用させることにより洗浄処理する第１洗浄工程と、この第１洗浄工程によって洗浄処理された被処理物１にエキシマランプから放射されたエキシマ光を照射することにより洗浄処理する第２洗浄工程とを有し、搬送される被処理物１に対して被処理物１の搬送方向の上流位置に大気圧プラズマ装置２０を配置し、被処理物１の搬送方向の下流位置にエキシマ光照射装置３０を配置する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、研磨工程由来の有機残渣除去性能、銅配線の腐食抑制効果（銅腐食抑制効果）に優れ、かつ腐食防止剤が残留しない銅配線半導体用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 有機アミン、４級アンモニウム化合物、ウレア基またはチオウレア基を含有する化合物、および水を必須成分とし、ｐＨが７〜１２であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤である。 （もっと読む）

【課題】 微細化したパーティクルや有機物の洗浄力に優れると共に基板上の金属汚染が低減でき、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする電子材料用洗浄剤を提供する。
【解決手段】 スルファミン酸（Ａ）、分子内に少なくとも１個のスルホン酸基又はその塩基を有するアニオン性界面活性剤（Ｂ）、キレート剤（Ｃ）及び水を含有してなる電子材料用洗浄剤であり、２５℃でのｐＨが３以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】洗浄時において微細化したパーティクルや有機物の洗浄力に優れ、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする電子材料用洗浄剤を提供する
【解決手段】 炭素数２〜８の脂肪族第１級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ）を含有してなり、前記（Ａ）の２級アミン価と３級アミン価の合計（Ｙ）に対する２級アミン価（Ｘ）の比率［（Ｘ）／（Ｙ）］が、０．５以下であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】複数の被処理物又は長尺の被処理物の表面処理を連続して効率よく行うことができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置１００は、第１の電極１０６と第２の電極１１４との間への電気パルスの繰り返しの印加により間隙１０２２にストリーマ放電を発生させながらワーク１９０に間隙１０２２を通過させる。処理ガス供給体１１８は、吹き出し口１１８９から処理ガスを噴出し、搬送経路上流側から間隙１０２２に処理ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】研削液などによって濡れた状態のウェーハ等のワークを、洗浄容易とするために乾燥させることなく洗浄手段まで搬送する。
【解決手段】円板状の支持プレート９１の下方に配した３つの保持部材８１を、支持プレート９１に放射状に形成した長孔９２に沿って移動自在に支持し、各保持部材８１を移動手段１００によって移動させる。各保持部材８１を、外周側に広げた状態でチャックテーブル３０上のワーク９の周囲に位置付け、ワーク９を浮上させてから各保持部材８１を内周側に移動させ、係合凹部８２にワーク９の外周縁を嵌め込んで保持する。チューブ１３０からウェーハ１の上面に水を供給しながらアーム７２を旋回させ、ワーク９をスピンナ式洗浄装置６０まで搬送する。 （もっと読む）

【課題】洗浄液に含まれるパーティクルや金属不純物が半導体ウェーハの表面へ付着することを防ぎ、洗浄液に含まれるパーティクルや金属不純物が濯ぎ槽に貯留される濯ぎ液に混入することを防ぐことができる半導体ウェーハの洗浄装置及びその洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄装置１は、半導体ウェーハ８を洗浄する第１の洗浄液６が貯留される洗浄槽２と、洗浄槽２で洗浄された半導体ウェーハ８を濯ぐ濯ぎ液７が貯留される濯ぎ槽３と、洗浄槽２から半導体ウェーハ８を搬出して濯ぎ槽３へ搬送する搬送装置４と、搬送装置４により搬送される半導体ウェーハ８に第１の洗浄液６の温度に比して低い温度の第２の洗浄液１３を吹き付けるスプレーノズル５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、環境負荷が低く、洗浄対象物の層間絶縁膜、金属、窒化金属、および、合金を腐食することなく、短時間、低温度で、フォトレジスト、反射防止膜、エッチング残渣、および、アッシング残渣などの洗浄対象物表面上にある付着物の除去を行うことができる洗浄液と、その洗浄方法を提供することを課題とする。
【解決手段】還元剤および界面活性剤を含み、ｐＨが１０〜１４である半導体デバイス用洗浄液。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の表面特性の変化を抑えながらレジスト膜上の付着物を除去することが可能な洗浄除去液を提供する。
【解決手段】本発明に係る洗浄除去液は、非極性ポリマーを含有する保護膜形成用材料を用いてレジスト膜上に形成された保護膜など、レジスト膜上の付着物を除去するために用いられるものであり、炭化水素系非極性溶剤と極性溶剤とを含有する。極性溶剤の含有量は、炭化水素系非極性溶剤と極性溶剤との合計量に対して１〜５０質量％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクルや有機物の汚染、金属汚染及び有機物と金属による複合汚染の除去性と再付着防止性に優れ、基板表面を腐食することなく、高度に清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。特に、疎水性のため薬液をはじき易く、パーティクル除去性が悪い低誘電率（Ｌｏｗ−ｋ）材料の洗浄性に優れた洗浄液を提供する。
【解決手段】（Ａ）有機酸、（Ｂ）界面活性剤、及び（Ｃ）無機酸を含有することを特徴とする半導体デバイス用の基板の洗浄液。 （もっと読む）

【課題】剥離対象物の層間絶縁膜、金属、窒化金属、及び、合金を腐食することなく、短時間、低温度でフォトレジスト、反射防止膜、及び、エッチング残渣よりなる群から選ばれた少なくとも１つの付着物を除去できる剥離液とその剥離方法を提供すること。
【解決手段】第４級アンモニウム水酸化物、酸化剤、アルカノールアミン、及び、アルカリ金属水酸化物を含む水溶液からなることを特徴とする半導体デバイスの剥離液、並びに、前記剥離液を調製する剥離液調製工程、及び、前記剥離液調製工程により得られた剥離液により、フォトレジスト、反射防止膜、及び、エッチング残渣よりなる群から選ばれた少なくとも１つの付着物を除去する剥離工程を含むことを特徴とする剥離方法。 （もっと読む）

【課題】製造中に生じる半導体デバイスの欠陥、特にパターンのつぶれを、スループットを犠牲にすることなく低減するための方法とそのための処理溶液を提供すること。
【解決手段】１種以上の界面活性剤を含む処理溶液を使用して、半導体デバイス製造時の欠陥数を低減する。この処理溶液は、特定の好ましい態様において、パターニングしたホトレジスト層の現像の際又はその後でリンス液として使用すると、パターンのつぶれのような現像後の欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

アニオンＮ−置換フッ素化スルホンアミド界面活性剤ならびにクリーニング溶液および酸エッチング溶液中での該界面活性剤の使用が記載されている。クリーニング溶液およびエッチング溶液は、例えば、酸化シリコン含有基材のクリーニングおよびエッチングにおいて多様な基材と合わせて用いられる。 （もっと読む）