【課題】ＳＰＭ処理の際に、基板上における処理液の温度低下を抑制する。
【解決手段】基板処理装置１では、基板回転機構５により回転する基板９の上面９１に向けて処理液供給部３から液体が吐出される。処理液供給部３は、硫酸供給部３１、過酸化水素水供給部３２、混合液生成部３３およびノズル３４を備える。基板処理装置１では、硫酸供給部３１により加熱された硫酸がノズル３４から基板９に供給され、基板９に対する予備加熱処理が行われる。その後、硫酸供給部３１からの加熱された硫酸と過酸化水素水供給部３２からの過酸化水素水とが混合液生成部３３にて混合されてＳＰＭ液が生成され、ＳＰＭ液が基板９に供給されてＳＰＭ処理が行われる。予備加熱処理が行われることにより、ＳＰＭ処理の際に、基板９上に供給された高温のＳＰＭ液の温度低下を抑制することができる。その結果、ＳＰＭ処理の効率を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】薬液の除去性能を高く維持することができる半導体装置の製造方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】レジストパターン３をマスクとして絶縁膜２をドライエッチングすることにより開口部４を形成する。絶縁膜２のドライエッチングの際に開口部４の内面に付着した反応生成物５に波長が２００ｎｍ以下の紫外線を照射して、反応生成物５に含まれる有機成分を分解する。薬液を用いて、有機成分の分解後に開口部４の内面に残存している付着物６を除去する。付着物６が除去された開口部４内に導電膜７を形成する。 （もっと読む）

【課題】その表面にレジスト膜からなるマスクが形成され、周縁部のレジスト膜の膜厚が中央領域よりも厚い基板にダメージを与えずに、当該基板の表面に形成されたレジスト膜を確実に除去できる技術を提供すること。
【解決手段】前記基板の表面全体にレジスト膜を酸化するための酸化性の処理流体を供給し、レジスト膜を除去する第１の工程と、前記基板の周縁部に当該基板の辺に沿ってアルカリ性の処理液をノズルから吐出して、基板の端部のレジストを除去する第２の工程と、を実施することにより、基板の端部におけるレジスト膜の残留を防ぎ、基板に与えるダメージを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】ナノバブル水（ゼータ高電位水）の生成に適用される気体溶解液生成装置を提供する。
【解決手段】気体溶解液生成装置は、気体と液体とを混合する気液混合部１０１と、この気体を含む液体が流入し、この液体中に含まれる気体をマイクロバブルに変換するマイクロバブル生成部１０４と、このマイクロバブルを含む液体が流入し、この液体中に含まれるマイクロバブルをナノバブルに変換するナノバブル生成部１０５と、このナノバブルを含む液体を、気液混合部、マイクロバブル生成部、及びナノバブル生成部を介して循環させることで、この液体中の気体溶解濃度を高める循環機構２０１とを備える。 （もっと読む）

【課題】マイクロラフネス、ウォーターマーク、基板材料損失、デバイス構造の破壊といったウェット洗浄が有する技術的課題を回避しつつ、極低温エアロゾル照射手法に比べてより多様な汚染物を基板から除去することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】被洗浄物が付着したウェハＷを洗浄する基板洗浄装置に、洗浄剤分子が複数集合してなるクラスターをウェハＷに噴射するクラスター噴射手段と、前記洗浄剤分子のクラスターを噴射することによって除去された被洗浄物を吸引する吸引手段と、ウェハＷ及び前記クラスター噴射手段を、被洗浄物が付着したウェハＷの面に沿って相対移動させる手段を備える。 （もっと読む）

【課題】基板に付着した異物を取り除きつつ、基板や該基板上に形成された膜の劣化を防止することができる基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】異物２２が付着し且つほぼ真空の雰囲気中に配されるウエハＷに向けて０．３ＭＰａ〜２．０ＭＰａのいずれかの圧力で洗浄ガスを噴霧して複数のガス分子２０からなるクラスター２１を形成し、該クラスター２１をイオン化することなくウエハＷへ衝突させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面に微細な凹凸パターンを有するシリコンウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するためのシリコンウェハ用洗浄剤を提供することを課題とする。
【解決手段】シリコンウェハ用洗浄剤は少なくとも水系洗浄液と、洗浄過程中に凹凸パターンの少なくとも凹部を撥水化するための撥水性洗浄液とを含み、該撥水性洗浄液は、シリコンウェハのＳｉと化学的に結合可能な反応性部位と疎水性基を含む撥水性化合物と、少なくともアルコール溶媒を含む有機溶媒が混合されて含まれるものとすること。 （もっと読む）

【課題】高濃度オゾン水を用いたフォトレジスト除去装置において、基板表面の洗浄領域へのフォトレジストとオゾンの反応生成物の再付着を防止する。
【解決手段】洗浄対象の基板を支持して回転する支持台と、支持台の上方に、注水口を下方に向けて配設された洗浄ノズルと、洗浄ノズルに高濃度オゾン水を供給する高濃度オゾン水供給装置とを備えたフォトレジスト除去装置において、洗浄ノズルを、基板の回転中心からそれぞれ所定の距離をおいて配置された複数の単位洗浄ノズルで構成し、各単位洗浄ノズルを、各単位洗浄ノズルから吐出された高濃度オゾン水の基板上における流れの方向の重なりが少なくなるように基板の周方向にずらして配置する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、下地に与える影響を抑制することができるとともにレジストの剥離性を向上させることができるレジスト剥離装置およびレジスト剥離方法を提供する。
【解決手段】被処理物に形成されたレジストを剥離するレジスト剥離装置であって、前記レジストに亀裂液を供給する亀裂液供給手段と、前記レジストに供給された亀裂液を乾燥させて前記レジストに亀裂を発生させる乾燥手段と、前記亀裂が発生したレジストに剥離液を供給する剥離液供給手段と、を備えたことを特徴とするレジスト剥離装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】表面処理の高効率化を図ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】配管２２の吹き出し口から外部へ吹き出された水蒸気８０は、電子ビーム照射部１０の窓１４から出力された電子ビームが照射されて水分子が分解され、水素ラジカル、ＯＨラジカル、水素イオン、オゾン等の極めて活性な分子を含む活性水蒸気となる。この活性化された水蒸気８０は、モータ３１により回転させられている試料台３２に載置された処理対象物９０の表面に吹き付けられる。 （もっと読む）

【課題】基板に所望のプラズマ処理を適切に施すことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１内部をプラズマ生成室１２及びウエハ処理室１３に仕切るイオントラップ１４と、プラズマ生成室１２内に配置される高周波アンテナ１５と、プラズマ生成室１２内に処理ガスを導入する処理ガス導入部１６と、ウエハ処理室１３内に配置されてウエハＷを載置し且つバイアス電圧が印加される載置台１７とを備え、イオントラップ１４は、プラズマ生成室１２からウエハ処理室１３へ向けて二重に配置された板状の上側イオントラップ板２０及び下側イオントラップ板２１を有し、上側イオントラップ板２０及び下側イオントラップ板２１のそれぞれは設置された導電体２０ａ，２１ａと該導電体２０ａ，２１ａの表面を覆う絶縁体からなる絶縁膜２０ｂ，２１ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】物質、そして好ましくはホトレジスト、を支持体から除去する。
【解決手段】３つのオリフィスノズルからの液体のスプレーの方向を変える。ａ）ｉ）十分な圧力下で液体源から液体を供給され、そこから液体の流れを噴出する第１オリフィス１２４；ii）ガス源からガスを制御された圧力で供給されてガスの流れを噴出し、少なくとも部分的に液体の流れを偏向させる、第１ガスオリフィス１３０；iii）第２ガス源から第２ガスを制御された圧力で供給されてガスの流れを噴出し、少なくとも部分的に液体の流れを偏向させる、第２ガスオリフィス１４０、を有するノズルを装備し；そしてｂ）中央オリフィス１２４からの液体の流れに方向を付与するように第１ガスオリフィス１３０及び第２ガスオリフィス１４０の少なくとも１つのガス流の流れを修正することにより、ノズル１２２からの液体のスプレー方向を調節する。 （もっと読む）

【課題】立ち上げ期間の短縮の可能な温超純水製造装置のユースポイント配管の立上洗浄方法を提供する。
【解決手段】温超純水製造装置のユースポイント配管の立上洗浄方法は、サブシシテム３に供給された一次純水Ｗ１をサブシステム３の超純水加熱装置７で加熱する。このとき、通常は、運転時の温超純水Ｗ２と同じ温度の洗浄水により、立上洗浄を行うが、本実施形態においては、超純水加熱装置７では運転時にラインＬ３に供給される温超純水Ｗ２の温度よりも高い温度、温超純水Ｗ２の温度よりも５℃以上高い温度の洗浄水を供給する。 （もっと読む）

【課題】アンモニア過水処理以降に、硫酸過酸化水素水のミストが基板に付着することを防止できる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理部ＰＣは、４つの硫酸過水処理チャンバ１と、４つのアンモニア過水処理チャンバ２とを備えている。硫酸過水処理チャンバ１内において、ウエハＷに対して、ＳＰＭを用いた硫酸過水処理が行われる。硫酸過水処理後のウエハＷは、硫酸過水処理チャンバ１からアンモニア過水処理チャンバ２へ移送され、アンモニア過水処理チャンバ２内において、ＳＣ１を用いたアンモニア過水処理を受ける。アンモニア過水処理チャンバ２は、硫酸過水処理チャンバ１から隔離されているので、アンモニア過水処理チャンバ２内には、ＳＰＭのミストが存在しない。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理において、プラズマ照射部の熱を効率的に利用し、処理効率を高める。
【解決手段】プラズマ照射部１０から処理位置Ｐに向けてプラズマを照射する。被処理物９を移動手段２０によって処理位置Ｐを横切るように一方向に移動させる。処理位置Ｐを挟んでプラズマ照射部１０側とは反対側に熱授受部材３０を設ける。熱授受部材３０の受熱部３０ａは、プラズマ照射部１０と対向するよう配置され、プラズマ照射部１０からの熱を受ける。この受熱部１０から前記移動方向の少なくとも上流側に放熱部３０ｂを延出する。放熱部３０ｂは、受熱部１０から伝播された熱を放射する。熱授受部材３０の裏面に凸条３２を設ける。 （もっと読む）

【課題】廃液処理の問題がなく設備費などを抑えながら、清浄効率や効果に優れた表面清浄化方法及び装置を提供する。
【解決手段】水中燃焼による表面清浄化方法であり、被洗浄物を保持しかつ被洗浄物表面を冠水ないしは水中に浸すとともに、燃焼炎を被洗浄物表面に該表面上の水を排除しながら照射し、該燃焼炎及び該燃焼炎にて発生する活性種に被洗浄物表面を曝すことにより該被洗浄物表面の汚染物を除去するようにした。また、前記燃焼炎は、保炎器を介して前記被洗浄物側へ照射されるとともに、前記被洗浄物が所定温度となるよう制御されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】液状被膜中へのガス成分の改善された拡散で半導体ウェーハを湿式化学的処理するのに特に効果的な方法を提供する。
【解決手段】ａ）半導体ウェーハを回転させ；ｂ）１００μｍまたはそれ以下の直径を有する気泡を有する清浄化液体を、回転する半導体ウェーハに適用し、こうして液状被膜を半導体ウェーハ上に形成させ；ｃ）回転する半導体ウェーハを、反応性ガスを有するガス雰囲気に晒し；ｄ）液状被膜を除去する。
【効果】改善された粒子の清浄化がマイクロバブルとシリコン表面を腐蝕する清浄化化学薬品との組合せによって達成され、清浄化液体中への反応性ガスの改善されたガス輸送（拡散）は、有機汚染物質および金属含有汚染物質の酸化および除去を簡易化し、ウェーハの中心での液状被膜の隆起は、マイクロバブルの使用によって減少される。 （もっと読む）

【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上できる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板処理方法は、被処理基板の周縁部の一部が挿入される溝を備えた処理部の該溝内に、被処理基板を挿入して相対的に移動させながら該被処理基板の周縁部を処理する基板処理方法において、前記処理部は、前記溝内に流速３０〜１０００ｍ／ｓｅｃの処理液を含む気体の高速気流を発生させて、該高速気流を相対的に移動する前記被処理基板の周縁部に接触させて処理する。 （もっと読む）

【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハＷを回転させながら保持する基板保持機構とウェーハＷの周縁部の一部が挿入される溝を有する処理ヘッド７とを備えており、処理ヘッド７は、一対の第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂと第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂの一端を連結する連結部８Ｃとからなり、第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂと連結部８Ｃとで囲まれた部分が溝（Ｓ）を形成し、第１、第２鍔辺部８Ａ、８Ｂの他端間がウェーハＷの周縁部の一部が挿入される開口９Ａを形成し、さらに、供給口１０Ａ及び吸引口１１Ａを設けて、溝内にウェーハＷの周縁部を挿入して処理する基板処理装置１において、処理ヘッド７は、処理液供給装置１５Ａに連結した供給口１０ＡをウェーハＷの周縁部が侵入する侵入側に設け、吸引装置１５Ｂに連結した吸引口１１ＡをウェーハＷの周縁部が脱出する脱出側に設けた。 （もっと読む）

【課題】 超音波振動生成装置及び方法、そしてウエハー洗浄装置及び方法が開示される。
【解決手段】 超音波振動生成装置及び方法は、振動発生部から発生された超音波振動が伝達部材の物質層を通過するようにして、超音波振動の強度及び方向を調節する。ウエハー洗浄装置及び方法は、洗浄液供給部から洗浄液をウエハーに供給し、超音波振動発生部が超音波振動を発生し、超音波振動を伝達部材の物質層を通過するようにして超音波振動の強度及び方向を調節して、強度及び方向が調節された超音波振動が洗浄液に伝達される。 （もっと読む）