【課題】基板表面の平坦性を損なうことなく自然酸化膜や有機物を除去する表面処理が可能となる洗浄手法を提供する。
【解決手段】プラズマ中のラジカルをプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板（１１０）のラジカル通過孔（１１１）を通して処理室に導入し、処理室に処理ガスを導入して処理室（１２１）内でラジカルと混合し、そしてラジカルと処理ガスとの混合雰囲気により基板表面を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】洗浄部材の摩耗・汚染の状態をモニターすることで、その交換時期を判断して、常に洗浄部材を清浄で摩耗していない状態に保つ基板洗浄装置の洗浄部材交換時期判定方法及び基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄部材と基板の少なくとも一方を回転させた状態でこれらを当接させて洗浄部材と基板の相対運動により基板をスクラブ洗浄する際に、回転測定手段により洗浄部材の回転状態又は基板の回転状態を測定し、回転状態の変化から洗浄部材の表面状態を検知し、検知した表面状態の変化から洗浄部材の交換時期を判定する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の接地電極における噴出口の内面に異常放電が落ちるのを防止し、かつ処理ムラを防止する。
【解決手段】プラズマ処理装置の接地電極４０における電界印加電極３０を向く放電面４２上に誘電部材６０を配置する。誘電部材６０には複数の噴出導孔６１を形成する。接地電極４０には上記複数の噴出導孔６１の合計開口面積より大きな開口面積を有する噴出口４１を形成する。複数の噴出導孔６１を共に１つの噴出口４１に連ねる。噴出口４１は、好ましくは噴出導孔６１の並び方向に延びる長穴状にする。 （もっと読む）

【課題】基板を回転させながら基板に処理液を供給して該基板に対して所定の処理を施す基板処理装置および方法において、基板表面への処理液の再付着を効果的に防止する。
【解決手段】基板Ｗの下面周縁部に当接しつつ基板Ｗを支持する支持部７が複数個、スピンベース５の周縁部に上方に向けて突設され、この複数個の支持部７によって基板Ｗの下面と対向するスピンベース５から離間させた状態で基板Ｗが水平に支持されている。スピンベース５はモータ３により回転される。また、基板Ｗの上面と雰囲気遮断板９の対向面９ａとの間に形成される空間に対向面９ａに設けられた複数のガス噴出口９ｂから不活性ガスを噴出する。基板Ｗに働く遠心力より基板Ｗの下面と支持部７との間に発生する摩擦力が大きくなる押圧支持条件が満たされるように制御して、支持部７に押圧させた基板Ｗをスピンベース５に保持させながら回転させる。 （もっと読む）

【課題】異種の基板同士を貼り合わせることにより表裏面の性質が異なるハイブリッド基板を洗浄する際に、除去された汚染物の再付着を防止することができ、さらには洗浄後の基板の清浄度を間接的に確認できる洗浄方法を提供する。
【解決手段】活性層となる半導体基板と、活性層用半導体基板とは異種の支持基板とを貼り合せたハイブリッド基板の洗浄方法であって、少なくとも、洗浄液中でハイブリッド基板の支持基板表面のゼータ電位と反対符号の電位を有するダミー基板と、ハイブリッド基板を交互に配置した状態で、洗浄液中に浸漬させて洗浄するハイブリッド基板の洗浄方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】装置内に蓄積された金属汚染物質や有機汚染物質を除去することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板を薬液により洗浄する処理室と、前記処理室内で基板を支持する支持具と、前記処理室内の前記基板に対して薬液を供給する第１の配管と、前記処理室内の前記基板に対してリンス液を供給する第２の配管と、前記第１の配管内及び第２の配管内の少なくとも一方に配管洗浄液を供給する配管洗浄液供給系とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を速やかに、かつ高い信頼性をもってリンスおよび乾燥する装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るスピンドライヤ１０１は、スピンドライヤ内に配置された縦向きの基板２０１から移動した流体を受けるように配置されたシールドシステムを有する。このシールドシステムは、流体がシールドに衝突すると少なくとも部分的に流体を跳ね返すように配置された一以上のシールド２１３、２１５、２１７を有している。このシールドは、シールドに沿った流体の流れを促進するように傾斜しており、液滴が生じないように好ましくは親水性である。スピンドライヤの内部にわたって圧力勾配を加えることにより、流体をシールドシステムに沿って所望の方向に移動させる空気流を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】研削液などによって濡れた状態のウェーハ等のワークを、洗浄容易とするために乾燥させることなく洗浄手段まで搬送する。
【解決手段】円板状の支持プレート９１の下方に配した３つの保持部材８１を、支持プレート９１に放射状に形成した長孔９２に沿って移動自在に支持し、各保持部材８１を移動手段１００によって移動させる。各保持部材８１を、外周側に広げた状態でチャックテーブル３０上のワーク９の周囲に位置付け、ワーク９を浮上させてから各保持部材８１を内周側に移動させ、係合凹部８２にワーク９の外周縁を嵌め込んで保持する。チューブ１３０からウェーハ１の上面に水を供給しながらアーム７２を旋回させ、ワーク９をスピンナ式洗浄装置６０まで搬送する。 （もっと読む）

【課題】この発明は半導体ウエハを高い清浄度で洗浄することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板を回転させながら処理液によって処理する基板の処理装置であって、
基板を保持して回転駆動される回転テーブル１６と、回転テーブルの上方に設けられ基板を横切る方向に駆動されならが基板に処理液を供給する第１のノズル体４６と、基板の中心部に向けて処理液を供給し第１のノズル体によって基板の中心部以外の部分が処理されているときに基板の中心部が乾燥するのを防止する第２のノズル体５４を具備する。 （もっと読む）

【課題】乾燥処理中における基板の汚染を防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】薬液処理エリアＣＡの上方に設けられた乾燥処理エリアＤＡにおいて、ウエハＷに対して乾燥処理が施される。最終リンス処理が終了すると、回転部材昇降機構８７が駆動されて、基板保持部材４に保持されたウエハＷが薬液処理位置から乾燥処理位置（図に示す位置）まで上昇される。乾燥処理時においては、ＣＤＡバルブ２９が開かれて、ＣＤＡユニット２６の吐出口およびＣＤＡノズル１０９から、下方に向けてＣＤＡが吐出される。これにより、乾燥処理位置に位置するウエハＷの表面に、ＦＦＵ２の吐出口からのクリーンエアおよびＣＤＡが上方から吹き付けられる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハや熱処理炉内のシリコン系部材における汚染金属の濃度を十分に低減できる洗浄方法及びそれを用いたシリコンウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウエハ６１やシリコンダミーウエハ６５、熱処理炉６の内部に配置されるシリコンウエハボート６２等のシリコン系部材の洗浄方法であって、シリコンウエハ６１及びシリコン系部材を、１０００℃以上の酸化性雰囲気下で熱処理する酸化熱処理工程中に、シリコンウエハ及びシリコン系部材に対して塩化水素ガスを接触させる洗浄工程を行う。これにより、鉄等の汚染金属濃度を充分に低減できる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜や下地膜に与えるダメージを低減可能なプラズマ処理方法の提供。
【解決手段】処理室１の中心部側と側壁の近傍側にそれぞれ独立して処理ガスを供給するガス供給手段４１、４２と、被処理体Ｗを載置する試料載置電極１３と、プラズマ生成用高周波電源２１と、アンテナ１１と、処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段１７を有するプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、プラズマを用いて被処理体Ｗの絶縁膜エッチング処理を行ない、その後被処理体Ｗを試料載置電極１３に載置したまま処理室中央部から大流量の不活性ガスを処理室１の側壁近傍にのみ堆積物除去ガスを供給し、さらにプラズマ密度分布を制御することにより処理室中心部側のプラズマ密度と処理室側壁近傍のプラズマ密度を異ならせて処理室側壁の堆積膜を除去する堆積膜除去処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】洗浄液に含まれるパーティクルや金属不純物が半導体ウェーハの表面へ付着することを防ぎ、洗浄液に含まれるパーティクルや金属不純物が濯ぎ槽に貯留される濯ぎ液に混入することを防ぐことができる半導体ウェーハの洗浄装置及びその洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄装置１は、半導体ウェーハ８を洗浄する第１の洗浄液６が貯留される洗浄槽２と、洗浄槽２で洗浄された半導体ウェーハ８を濯ぐ濯ぎ液７が貯留される濯ぎ槽３と、洗浄槽２から半導体ウェーハ８を搬出して濯ぎ槽３へ搬送する搬送装置４と、搬送装置４により搬送される半導体ウェーハ８に第１の洗浄液６の温度に比して低い温度の第２の洗浄液１３を吹き付けるスプレーノズル５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】被処理体を処理した処理液を排出機構へと導く回転カップを被処理体に近接した位置に設け、かつ、支持された被処理体と回転カップとの間の間隙を均一にすること。
【解決手段】液処理装置は、被処理体Ｗの下面と側面を処理する。液処理装置は、被処理体Ｗに処理液を供給する処理液供給機構３７，３９と、被処理体Ｗを処理した処理液を排出する排出機構２０，２１と、被処理体Ｗの周縁外方に設けられ、被処理体Ｗを処理した処理液を排出機構２０，２１へと導く回転カップ１０と、回転カップ１０を回転させる回転駆動部６０と、を備えている。回転カップ１０には、周縁内方に突出し、被処理体Ｗの周縁部を支持する支持部１５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等の品質への悪影響を抑制しつつ、再付着の発生を有効に抑制することが可能な半導体基板等の洗浄装置および洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄装置１は、半導体または半導体を含む素材からなる被洗浄物であるＳｉＣ基板５０を洗浄する洗浄装置であって、洗浄液１６を保持する洗浄槽１１と、洗浄槽１１の内部に配置され、ＳｉＣ基板５０を保持する基板ホルダ１２と、洗浄液１６に対して磁界を加える電磁石コイル１３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】被処理体を処理している間にトッププレートに処理液が付着したとしても、当該処理液が処理済みの被処理体上に落ちたり、当該処理液によって次回以降に処理される被処理体に悪影響を及ぼしたりすることを防止すること。
【解決手段】液処理装置は、被処理体Ｗを支持する支持部１５と、支持部１５によって支持された被処理体Ｗを回転させる回転駆動部６０と、被処理体Ｗに処理液を供給する処理液供給機構３７，３９と、被処理体Ｗを処理した処理液を排出する排出機構２０，２１と、被処理体Ｗを処理した処理液を排出機構２０，２１へと導く回転カップ１０と、被処理体Ｗの上面側を覆うトッププレート４０と、を備えている。トッププレート４０は、回転カップ１０の上方まで延びた周縁外方突出部４０ｐを有している。周縁外方突出部４０ｐには、周縁外方突出部４０ｐに付着した処理液を吸引する吸引機構７０，７１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等の品質への悪影響を抑制しつつ、再付着の発生を有効に抑制することが可能な半導体基板等の洗浄装置および洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄装置１は、半導体または半導体を含む素材からなる被洗浄物であるＳｉＣ基板５０を洗浄する洗浄装置であって、洗浄液１６を保持する洗浄槽１１と、洗浄槽１１の内部に配置され、ＳｉＣ基板５０を保持する基板ホルダ１２と、洗浄液１６の温度を調整することにより、洗浄液１６を対流させるヒータ１３と、ＳｉＣ基板５０から脱落した付着物を捕集するフィルター１４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】
ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の配線工程におけるドライエッチング、アッシング後に残存するパターン側壁やパターン上部のバリアメタル上の残渣を低温、短時間で完全に除去でき、配線上部のバリアメタル上に粒状の異物が付着するのを抑制するレジスト剥離液組成物およびそれを用いた半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】
半導体素子や液晶パネル素子の製造工程において、ドライエッチング、アッシング後に残存するパターン側壁やパターン上部のバリアメタル上の残渣を剥離する際、フッ素化合物と1，10−フェナントロリン一水和物、1，10−フェナントロリン無水物、2，2’−ビピリジン、1，2，3−ベンゾトリアゾール、ピリジン、3，5−ジメチルピラゾール、ニトリロ三酢酸、プロピオン酸、および酢酸から選択される１種以上の水溶性化合物を含有することを特徴とするレジスト剥離液組成物で洗浄する（接触処理する）。 （もっと読む）

【課題】洗浄処理時に外方に飛散する洗浄液によるミストの発生を抑制し、基板への再付着の防止を図れるようにした基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハＷを水平に保持し、鉛直軸回りに回転するスピンチャック２０と、鉛直軸回りに回転可能な洗浄部材３０と、洗浄部材を鉛直軸回りに回転するサーボモータ３９と、洗浄部材をウエハの被洗浄面に沿って移動させる移動機構６３と、を具備する基板洗浄装置において、洗浄部材は、ベース部３２にスポンジ状の洗浄基部３１を接合してなり、ベース部及び洗浄基部の中心部に、洗浄液供給源に接続する吐出口３３を設け、洗浄基部の表面に、基端が洗浄液吐出口に連通すると共に、先端が洗浄部材の外周縁部手前まで延びる複数の連通溝３５を設け、ベース部における連通溝が位置する部位に、連通溝と連通する排出孔３６を設ける。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の裏面と洗浄装置との接触によって発生する被洗浄物間の相互汚染を防止し、洗浄液、および洗浄した汚れが被洗浄物に再付着することを抑制することができる枚葉式洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、前記被洗浄物の側面を保持するチャックピンと、前記被洗浄物の直下に配設され、液体を吐出する吐出口を有したフランジと、前記フランジの外側に配設され、前記フランジから吐出される液体の液はねを防止する液はね防止板とを具備し、前記フランジにより前記被洗浄物の裏面を非接触な状態で液体浮上させ、前記チャックピンで該被洗浄物の側面を保持して該被洗浄物を洗浄するものであることを特徴とする枚葉式洗浄装置。 （もっと読む）