【課題】プラズマ処理において、プラズマ照射部の熱を効率的に利用し、処理効率を高める。
【解決手段】プラズマ照射部１０から処理位置Ｐに向けてプラズマを照射する。被処理物９を移動手段２０によって処理位置Ｐを横切るように一方向に移動させる。処理位置Ｐを挟んでプラズマ照射部１０側とは反対側に熱授受部材３０を設ける。熱授受部材３０の受熱部３０ａは、プラズマ照射部１０と対向するよう配置され、プラズマ照射部１０からの熱を受ける。この受熱部１０から前記移動方向の少なくとも上流側に放熱部３０ｂを延出する。放熱部３０ｂは、受熱部１０から伝播された熱を放射する。熱授受部材３０の裏面に凸条３２を設ける。 （もっと読む）

【課題】処理液の使用量を抑えつつ基板表面を良好に処理する。
【解決手段】基板Ｗを第１回転速度（例えば１０００ｒｐｍ）で回転させる一方、薬液吐出ノズル４から基板表面Ｗfにフッ酸を第１流量、例えば２（Ｌ／ｍｉｎ）で基板表面Ｗfに供給する。これにより、厚みＴ1のフッ酸液膜２７が基板表面Ｗf全体に形成され、基板表面Ｗf全体がフッ酸と馴染んだ状態となる。次に、薬液吐出ノズル４からのフッ酸の吐出流量を２（Ｌ／ｍｉｎ）に保ったまま、基板Ｗの回転速度を、第１回転速度よりも低速の第２回転速度、例えば１０ｒｐｍに減速する（第２工程）。このように回転速度を減速することにより、基板表面Ｗf上に厚さＴ2（＞Ｔ1）の液盛り２８が形成される。また、液盛り形成後の第３工程において、フッ酸をさらに継続してノズル４から吐出させて液盛り状態を継続して常にフレッシュなフッ酸が補給される。 （もっと読む）

【課題】洗浄液のランニングコストを低減する洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄液を循環させながら基板を洗浄する洗浄槽と、洗浄槽の排気中に含まれる気化している洗浄液を液化する凝縮器と、凝縮器により液化された洗浄液を洗浄槽に還流する還流手段とを備える。前記洗浄液は炭酸エチレンを含み、凝縮器は空気を冷媒としてもよく、気化している洗浄液の液化に伴って熱気として排出する。前記洗浄装置は、さらに、前記凝縮器から排出される熱気を、洗浄液の固化防止用熱源として洗浄装置の所定箇所に供給する。 （もっと読む）

【課題】処理槽に温度制御部を必要としない薬液処理槽及びそれを用いた薬液処理装置を提供することにある。
【解決手段】断熱材１２で覆われた処理槽１０の内部において、被処理物１９を単品又はバッチで処理を行う処理部６０と、所定の温度に設定された液３３を貯える低熱伝導材１１で形成された貯液部１４−１とを有し、処理槽１０の内部及び被処理物１９を、貯液部１４−１に蓄えられた液の熱放射により加熱又は冷却して、所定の温度に維持する。 （もっと読む）

【課題】処理槽に温度制御部を必要としない薬液処理槽及びそれを用いた薬液処理装置を提供することにある。
【解決手段】断熱材１２で覆われた処理槽１０の内部において、被処理物１９を単品又はバッチで処理を行う処理部６０と、所定の温度に設定された液３３を貯える貯液部１４−１とを有し、処理槽１０の内部及び被処理物１９を、貯液部１４−１に蓄えられた液の熱伝導又は熱放射により加熱又は冷却して、所定の温度に維持する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、シリコンウエハーの洗浄方法に関するものである。
【解決手段】本発明は、（Ｓ１１）シリコンウエハーの表面を標準洗浄１に従うＳＣ‐１洗浄液で洗浄する段階；（Ｓ１２）上記（Ｓ１１）段階で洗浄されたシリコンウエハーの表面を脱イオン水を用いてリンスする段階；（Ｓ１３）上記（Ｓ１２）段階でリンスされたシリコンウエハーの表面を塩酸、オゾン水及び脱イオン水を含んでなる洗浄液を用いて洗浄する段階；（Ｓ１４）上記（Ｓ１３）段階で洗浄されたシリコンウエハーの表面を脱イオン水を用いてリンスする段階；及び（Ｓ１５）上記（Ｓ１４）段階でリンスされたシリコンウエハーを乾燥させる段階；を含んで行うことを特徴とする。本発明によれば、洗浄工程とともにシリコンウエハーの表面に強い酸化力を持つ物質を用いて安定した表面酸化膜を形成することで、時間が経過しても外部の不純物がシリコンウエハーの表面に吸着されるなどの問題を解決することができ、かつ工程が簡単で安全に行える長所がある。 （もっと読む）

【課題】複雑な機構を用いることなく、効率的に薬液を回収することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置において、制御部１２１は、リンス液によるリンス処理後に薬液による薬液処理を制御する。この際に、最初に、リンス処理用の回転数以上の回転数で基板Ｗを回転させながら基板上に薬液を供給して排液カップを薬液により洗浄し、その際に排液カップ５１で受けた液を廃棄ライン１１３によって廃棄する。その後、薬液処理用の回転数で基板を回転させながら基板上に薬液を供給して基板の薬液処理を行い、その際に排液カップで受けた液を回収ライン１１２によって回収する。 （もっと読む）

【課題】ＣＦ_４等の安定なハロゲン化炭素を十分に分解し、処理効率を高め、排ガス処理の負担を軽減する。
【解決手段】一次反応部２０の前段電極２２間に１００〜３００００Ｐａ、好ましくは１０００〜３００００Ｐａの一次プラズマ空間２２ａを形成し、この一次プラズマ空間２２ａでＣＦ_４等の安定なハロゲン化炭素を含む原料ガスをプラズマ化し、ＣＯＦ_２等の不安定なハロゲン系成分を含む一次反応ガスを生成する。この一次反応ガスをより低圧の二次プラズマ空間４２ａでプラズマ化し、被処理物９０との反応性を有するフッ素ラジカル等の反応性ハロゲン系成分を含む二次反応ガスを生成し、この二次反応ガスを被処理物９０に接触させる。 （もっと読む）

【課題】乾燥装置において、ワーク乾燥室内に設ける移送ロッドによりワークの移送を可能とし、且つ当該移送を行うためにワーク乾燥室に形成される孔状部をシールする構造を実現することによって、乾燥室内の熱気が外部に放出することを防止して、乾燥時の熱効率の向上を図る。
【解決手段】本発明に係る乾燥装置のシール構造は、密閉された室内に収容されたワークを移送しながら乾燥するワーク乾燥室と、ワーク乾燥室を閉止する仕切プレートから室内に挿入され、ワークを支持したまま、仕切プレートに形成されたガイド孔に沿って往復動する移送ロッドと、ガイド孔に重ねて設けられ、移送ロッドが貫通して、該送ロッドと共にスライドするスライドプレートと、スライドプレートの両側に、該スライドプレートのスライド動作に伴い開口するガイド孔の開口部を覆うように従動する従動プレートとが設けられる。 （もっと読む）

【課題】ウエット洗浄装置において、洗浄液の消費量を抑えながら短時間で基板を効果的に洗浄する。
【解決手段】基板Ｓに対して洗浄液を供給することにより洗浄処理を施すウエット洗浄装置であって、このウエット洗浄装置は、洗浄液の供給口２４ａをもつ上下一対の対向面２２を有して形成される中空部２６を備え、この中空部２６を基板Ｓが通るように配備された液ノズル２０と、この液ノズル２０に所定流量の洗浄液を供給する供給系統とを有し、各対向面２２の間を基板Ｓが移動する間に、供給口２４ａから供給される洗浄液により基板Ｓの主面と前記対向面２２との隙間を液密状態とするように構成されている。なお、供給系統は、洗浄液としてオゾン水中に直径が１０^−６ｍ未満の微小気泡を含むオゾンナノバブル水を供給する。 （もっと読む）

プレート状物品の超音波湿式処理のための方法およびそれぞれの装置が開示され、この方法は、プレート状物品の表面に近接するトランスデューサに接続された固体要素を移送するステップであって、固体要素とプレート状物品との間に隙間が形成され、隙間は０．１ｍｍと５ｍｍとの間の距離ｄ２を有するような、ステップと、固体要素とプレート状物品との間の隙間を満たすための液体を分配するステップと、超音波を検出するおよび／または距離ｄ２を測定することによって距離ｄ２を制御するステップと、測定された距離を所望の距離ｄ０と比較し、それに応じて距離を調節するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】被処理物に処理流体を噴き付けて表面処理する装置において、処理流体が処理領域から外に漏れたり、外部の雰囲気ガスが処理領域に入ったりするのを効率的に防止する。
【解決手段】処理ヘッド１０の被処理物Ｗと対向すべき側部４０に、処理領域８０の画成部４１と、その両側の処理外領域８１，８２の画成部４２，４３とを設ける。第１処理外領域８１と処理領域８０との境に処理流体の噴き出し口５０ａを形成し、処理領域８０と第２処理外領域８２との境に吸い込み口５０ｅを形成する。検出手段７０にて第１処理外領域８１における処理領域８０に近い箇所と遠い箇所との差圧を検出する。吸い込み流量調節手段５４にて、上記検出差圧がゼロになるように吸い込み口５０ｅからの吸い込み流量を調節する。 （もっと読む）

【課題】平流し方式において被処理基板に気体を吹き付ける乾燥処理に際して基板表面より発生するミストの基板への再付着を効果的に防止して、処理品質を向上させる。
【解決手段】この乾燥処理室Ｍ5は隔壁１９４により搬送方向に沿って２つの室Ｍ5a，Ｍ5bに分割されており、隔壁１９４には搬送路１１４上の基板Ｇがわずかな隙間を空けて通り抜けできる開口部１９２が設けられている。搬送路１１４上で基板Ｇが隔壁１９４の開口部１９２を通り抜ける時、基板Ｇと開口部１９２との間にはわずかな隙間Ｋが形成され、この隙間Ｋを通って下流側の高圧室Ｍ5bから上流側の低圧室Ｍ5aに向って空気流Ａが吹き抜けることにより、基板Ｇの表面に付着している液Ｒa，Ｒbは空気流Ａの風圧によって基板後方へ払い落とされると同時に、一部がミストｍとなって上流側の室Ｍ5a内で飛散ないし拡散する。 （もっと読む）

開示されているのは、プレート状物体の湿式処理用装置であり、以下のように構成されている：第一プレート、前記第一プレートと実質的に平行な単一のプレート状物体を保持するための保持手段、処理時に前記第一プレートとプレート状物体の間の第一ギャップに液体を導入するための第一分配手段、この場合、第一プレートは少なくとも９９重量％のシリコンから成っているシリコン・プレート、そのプレート状の物体を処理している時に、そのシリコン・プレートが処理液と接触していること、それに関連した方法がさらに開示されている。
（もっと読む）

本発明は、ガス放電ランプを駆動する適応ドライバと、永久的な最適化モードで、適応ドライバによって駆動されるガス放電ランプ、とりわけ容量性ガス放電ランプ、更にとりわけ誘電体バリア放電（ＤＢＤ）ランプを動作させる方法であって、ドライバの出力（電流、電力、電圧、周波数）の重要な値を表す信号を測定、検知及び／又は検出するステップと、ランプの放電の質に関して少なくとも１つの実際の基準値を計算するステップと、ランプの最適化動作モードに関する少なくとも１つの所定値と実際の基準値とを比較するステップと、その比較の結果に従って電源を調整するステップとを有する方法とに関する。
（もっと読む）

本発明は、インジェクションタイプのプラズマ処理装置に関し、常圧条件で誘電体バリア放電（ＤＢＤ；Dielectric Barrier Discharge）を利用して多様な面積、多様な大きさ、及び多様な形状を有する処理対象物を微細アークストリーマによる損傷なしに処理することができるインジェクションタイプのプラズマ処理装置を提供することをその目的にする。本発明に係るインジェクションタイプのプラズマ処理装置は、誘電体が形成された状態で、反応チャンバに提供される電源電極板と、前記電源電極板に交流電力が印加される時に前記電源電極板との間でプラズマを形成する、前記反応チャンバの壁の一部を構成し且つ複数のホールが形成された接地電極板と、前記反応チャンバ内に反応ガスを注入して、反応チャンバ内のプラズマを前記接地電極板のホールを介して外部に噴射させるガス供給ユニットとを含む。
（もっと読む）

マルチ・チャンバ・ツールとの関係でオゾン濃度を制御する改良型のシステム及び方法である。このシステム及び方法は、オゾン発生器と組み合わされた第１及び第２の濃度コントローラを含む。第１の濃度コントローラは、イベント（すなわち、マルチ・チャンバ・ツールにおける１つのチャンバがオン・ラインになる又はオフ・ラインになること）を検出し、それに応答して、予測制御アルゴリズムに従いオゾン発生器に電力指示を提供する。第１の濃度コントローラは、高速（すなわち、約１秒）の応答時間を有する。第２の濃度コントローラは、イベントの間はオゾン発生器からマスクされているが、それ以外の場合には、イベントの発生からある時間間隔が経過した後で発生器を制御する。第２の濃度コントローラは、第１の濃度コントローラよりも低速の応答時間を有するが、システムに長期的な安定性を提供し、予測制御アルゴリズムに更新されたデータを提供するのに用いられる。
（もっと読む）