【課題】複数のバッチ式洗浄処理槽を有する洗浄処理装置の洗浄処理効率を向上させることができる半導体基板洗浄生産管理システムを提供する。
【解決手段】洗浄管理装置２は、洗浄処理装置１で処理予定の複数の仕掛かりロットについて仕掛かりロット情報を取得するとともに、その時点での洗浄処理装置１の装置稼動情報を取得する検知部２１を備える。シミュレーション部２２は、検知部２１が取得した情報に基づいて洗浄処理装置１において各仕掛かりロットのいずれかに対する洗浄処理を開始する場合の、当該仕掛かりロットの各洗浄処理槽４への割り当てをシミュレーションし、当該シミュレーション結果に基づいて仕掛かりロットの処理完了時間または不処理時間を仕掛かりロットごとに算出する。処理順決定部２３は、各仕掛かりロットの処理完了時間または不処理時間が最短の仕掛かりロットを次処理ロットに決定する。 （もっと読む）

【課題】スラリーのような固形分を含んだ薬液であっても、生産に寄与しない使用を抑え且つ効率よく供給できる薬液供給装置および薬液供給方法を提供する。
【解決手段】本発明の薬液供給装置は、順次に交換して設置される先後のドラム1,2などから希釈・供給ユニット6への薬液受入量と、この希釈・供給ユニット6の薬液を生産設備8へ供給する薬液供給量とを基に、制御ユニット20により、現ドラム1(あるいは2)と生産設備8との間の全薬液中における先の薬液容器からの薬液の残存率を演算するとともに、この演算値が前記先の薬液の残存率について予め決めた閾値以下となるようにドレインバルブ13を通じて薬液ドレイン量を制御する。 （もっと読む）

【課題】薬液が所要の洗浄能力を維持していない状態になった場合に、これを即時に認識して不具合発生を防止することができるとともに、薬液交換のタイミングの最適化を図ることができる洗浄処理装置および洗浄処理方法を提供する。
【解決手段】薬液洗浄槽６内の薬液の劣化度合いを示すパラメータを計測する計測器２１〜２３を備える。判定部２４３は、薬液の劣化度合いを示すパラメータの計測結果が予め設定された許容範囲内であるか否かに基づいて薬液交換の要否を判定する。判定の結果が薬液交換要である場合、判定部２４３は薬液交換を実施する。また、薬液の劣化度合いを示すパラメータの計測結果が予め設定された許容範囲外であり、かつ先の薬液交換の実行時点からの経過時間が予め設定された規定時間未満である場合には、判定部２４３は、薬液交換をすることなく報知部２８に異常発生の報知を指示する。 （もっと読む）

【課題】装置設計、コスト、メンテナンス等の負担を軽減し、洗浄工程に要する時間を軽減することが可能な、噴射蒸気により被洗浄物の洗浄を行なうスチームジェット用ノズルを提供する。
【解決手段】ノズル本体１０は、蒸気室１２と、空気室１４と、蒸気室１２に通じる蒸気入力口１５と蒸気噴射口１６と蒸気排気口１７と、空気室１４に通じる空気入力口１８とを有し、蒸気室内１２には、噴射用バルブ２０と排気用バルブ３０を有し、空気入力口１８から入力される圧縮空気により、噴射用バルブ２０と排気用バルブ３０を制御し、洗浄処理時には、蒸気入力口１５から入力された蒸気を、蒸気噴射口１６から噴出させ、待機時には、蒸気排気口１７から排気させる。 （もっと読む）

【課題】複数の液処理モジュール間で共有されている共通用力系の負荷を抑えた処理装置等を提供する。
【解決手段】処理モジュール群は、基板に対して各々同一の処理を行うための多数の処理モジュールを、ｎ個（ｎ≧２）を１組としてｋ組（ｋ≧２）備え、各組の処理モジュールには各組の処理モジュールに対して共通化されると共にその最大能力がｍ個（ｍ≦ｎ）分の大きさの共通用力系が設けられている。搬送機構は各組の処理モジュールに基板を順次１個づつ搬入する動作を繰り返し、このとき（１）共通用力系が使用されている一の処理モジュールにおける処理が終了した後にその組の他の処理モジュールへ基板を搬入するか、または（２）当該一の処理モジュールの処理の終了を待たずに他の処理モジュールへ基板を搬入してから当該一の処理モジュールにおける処理が終了した後に他の処理モジュールの処理を開始する。 （もっと読む）

【課題】
被加工試料の外周部で生じるシャワープレートからのガス供給不足を解決し、被加工試料での加工精度の面内均一性を向上させるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
真空容器と、真空容器内に設けられ被加工試料を載置する試料台と、試料台に対向し被加工試料直径よりも大きな直径のガス供給面を有するガス供給手段とを有し、被加工試料の表面処理を行うプラズマ処理装置において、ガス供給手段のガス供給面には、同一直径のガス噴出し孔が同心円状に設けられており、被加工試料直径またはそれよりも外側にあるガス噴出し孔の孔数密度は、被加工試料直径よりも内側にあるガス噴出し孔の孔数密度よりも高い。また、ガス供給手段のガス供給面には、ガス噴出し孔が同心円状に設けられており、被加工試料直径またはそれよりも外側にあるガス噴出し孔直径は、被加工試料直径よりも内側にあるガス噴出し孔直径よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】液体原料を加熱して気化させた液体原料ガスを使用する場合において、従来に比べてヒータによる加熱に必要な電力量を低減することができ、省エネルギー化を図ることのできる混合ガスの供給方法及び混合ガスの供給装置を提供する。
【解決手段】ガス供給源から気体の状態で供給される通常ガスと、液体原料供給源から供給される液体原料を気化ユニット付き流量制御機器１４で加熱して気化させた液体原料ガスとを同時に供給する際に、通常ガスより液体原料ガスをガスアウト部５１に近い位置に設けた個別ガス供給ライン１Ａから供給し、かつ、通常ガス中のパーティクルを除去するためのフィルタ５３の後段に液体原料ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】基板上に滞留した洗浄液を一定方向に流し去ることにより液切り効果を向上させることが可能となる洗浄基板の液切り装置を提供する。
【解決手段】基板３０上に滞留する洗浄液９０を排除する液切りローラー２０は、基板３０を搬送する搬送ローラー４０により洗浄工程を経て搬入されてきた基板３０を、接触して上下から挟み込んで配備され、且つ、基板３０上に滞留する洗浄液９０が一方向に流出するよう、基板３０の進行方向に対し直角を除く任意の角度で設置される。 （もっと読む）

【課題】稼動中に装置が使用する電力、エア、純水の消費量を、待機中のとき大幅削減し、且つ、再稼動において、直ちに洗浄を開始することができる液晶枚葉洗浄装置を提供する。
【解決手段】搬送手段１５を具備するロードバッファ部１０とアンロードバッファ部５０と、ブラシ洗浄手段２５を具備するロールブラシ部２０と、バブルジェット手段３５を具備するバブルジェットアクアナイフ部３０と、エア噴射手段４５を具備するエアナイフ部４０と、純水供給制御手段６４を具備する純水供給部６０と、装置コントロール手段７５を具備する装置制御部７０とを有し、装置コントロール手段７５は、待機のとき、待機信号により純水供給機能以外の全ての機能を停止させ、純水供給制御手段６４は、待機信号を受けて純水供給手段６２の純水の供給を制御する。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバ内で基板表面に向けて電子ビームを照射して所定の基板処理を行う際に汚染物質が発生する基板処理装置において、処理チャンバから汚染物質を良好に、しかも低コストでクリーニング除去する。
【解決手段】電子ビーム照射を停止している間、オゾンガス供給ユニット４８Ｂにより処理空間４１ａにオゾンガスが初期充填された後に循環ファン４９ａが作動してクリーニング用流路（給排気流路）の両端部を処理空間４１ａに連通してなる循環経路に沿ってオゾンガスが循環する。この循環流動するオゾンガスによって処理チャンバ４１内に付着した汚染物質が分解されて処理チャンバ４１の内壁面全体がクリーニング除去される。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の状況に応じて温調度合いを変えることにより、乾燥不良を防止しつつも消費電力を抑制できる。
【解決手段】制御部６５は、チャンバ１１内の測定圧力に応じた限界濃度データと測定温度とに基づいて処理ガスの限界濃度を求め、この限界濃度に対応する温度よりも若干高くなるようにチャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３を操作する。したがって、チャンバ１１内の圧力が低下するにつれてチャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３の温度を下げてゆくことができるので、処理ガス中の有機溶剤蒸気がチャンバ１１及び処理槽１に結露することを防止しつつも、チャンバヒータ７１及び槽ヒータ６３への供給電力を必要最小限にできる。その結果、基板Ｗの乾燥不良を抑制しつつも消費電力を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】紫外線を安定的に照射することができ、且つ紫外線照射時の熱の発生を抑えることができるドライ洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明のドライ洗浄装置は、半導体ウエハ等の被洗浄物が収容される反応容器１１の内部に紫外線を照射する発光ダイオード１４と、前記反応容器１１内にオゾンを含む洗浄用ガスを導入するガス導入手段を備えている。発光ダイオード１４が発光する紫外線は強度が安定しているため、被洗浄物の表面を斑なく洗浄することができる。また、発光ダイオード１４は、発光する紫外線照度の立ち上がりが早いため、洗浄装置１０の処理能力を高めることができる。さらに、発光ダイオードは紫外線ランプに比べて輝度を容易に調整することができる。さらにまた、発光ダイオードは熱の照射が極めて少ないため、被処理物が熱で変形することがなく、材料選択の自由度が大きい。 （もっと読む）

【課題】 洗浄の高速化に確実に対応でき、しかも洗浄時の装置の振動を抑制でき、均一で効率的な洗浄を可能にする高圧水噴射洗浄装置を提供する。
【解決手段】 ケーシング３３の先端に高圧水噴射ノズルｎを設けたホルダー３０を備え、ケーシング３３の内部に回転自在に支持した支持軸２７を設け、この支持軸２７の先端側に軸心のずれた偏心部を形成し、この偏心部と前記支持軸２７とに軸受面が揺動可能な軸受２６を設け、この軸受２６に前記ホルダー３０の基部側を回転自在に支持し、ホルダー３０に高圧水チューブ３１を連結した高圧水噴射洗浄装置であって、高圧水噴射ノズルｎに３つの高圧水噴射孔ｎｋを設けている。 （もっと読む）

【課題】低エネルギーで不純物から二酸化炭素を分離させることが可能であって、簡単に二酸化炭素の分離速度を高めることが可能な二酸化炭素の分離方法を提供する。
【解決手段】洗浄装置１の分離装置２００に用いられる二酸化炭素の分離方法は、不純物が含まれる超臨界または加圧された液体状態の二酸化炭素に遠心力を与えることによって不純物から二酸化炭素を分離することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】乾燥媒体の再利用を図ることにより、乾燥媒体の消費を抑制することができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】密閉されたチャンバ１内の処理槽９に基板Ｗを収容した後、シャワーノズル１７から乾燥媒体をシャワー状に供給する。基板Ｗに付着している液摘は、乾燥媒体の液滴の物理力によって除去される。このとき基板Ｗは乾燥媒体によって完全に覆われた状態である。チャンバ１内にシャワーノズル１７から加熱空気を供給すると、チャンバ１内には乾燥媒体の気相が充満するが、排気管６５により排気されるとともに、冷却器６９によって冷却されて凝縮される。凝縮された乾燥媒体は、回収配管７５により乾燥媒体タンク２１に戻される。したがって、乾燥媒体を再利用することができ、乾燥媒体の消費を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】暖気を行うラインを別途設けることにより、プロセスの再現性が良好な基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部９１は、純水などの液滴が付着した基板Ｗを処理槽９に載置した後、シャワーノズル１７から乾燥媒体を供給させる。基板Ｗに付着している純水などの液摘は、乾燥媒体の液滴の物理力によって除去される。このとき基板Ｗは乾燥媒体によって完全に覆われた状態である。次に、空気をインラインヒータ５９で加熱しつつシャワーノズル１７に供給して基板Ｗを乾燥させる前に、インラインヒータ５９を作動させた状態で気体をガス排気管７７に排出させる。したがって、加熱された空気はチャンバ１内に供給されずガス排気管７７を介して排出されるので、チャンバ１の温度が自然に上昇することがなく、プロセスの再現性を良好にすることができる。 （もっと読む）

【課題】液交換予定を柔軟に配置することにより、ライフタイムの無駄を抑制して処理液の利用効率を向上することができる。
【解決手段】制御部は、まずライフタイムＴ１がアップする時点ｔ１，ｔ３で薬液処理部ＣＨＢ１のリソースを使用する液交換予定ｅｘを配置する。次に、配置した液交換予定ｅｘに対して、各ロットの各リソースの使用タイミングを配置してゆく。そして、液交換予定ｅｘと薬液処理部ＣＨＢ１のリソースの使用タイミングｔ２ａとの間に待機時間ｗｔが生じている場合には、その液交換予定ｅｘを薬液処理部ＣＨＢ１のリソースの使用タイミングｔ２ａに合わせて後ろにずらすように位置を調整する。よって、液交換が終わった直後に薬液処理部ＣＨＢ１でロットの処理が行われるので、ライフタイムに無駄が生じることがなく、処理液の利用効率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】乾燥時間を短縮することができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部９１は、純水などの液滴が付着し、処理槽９に載置された基板Ｗに対して供給ノズル１７から乾燥媒体を供給させる。基板Ｗに付着している純水などの液摘は、乾燥媒体の液滴の物理力によって除去される。このとき基板Ｗは乾燥媒体によって完全に覆われた状態である。次に、乾燥媒体の供給を停止させるとともに、処理槽９内に滞留している乾燥媒体を排出・回収させた後、ガス供給管７７から乾燥気体を供給ノズル１７に供給して、基板Ｗに付着している乾燥媒体を乾燥させる。したがって、チャンバ１内の気体の置換や減圧に要する時間が不要であるので、基板Ｗの乾燥時間を短縮することができる。また、基板Ｗを処理槽９から引き上げた位置にて乾燥処理を行わないので、装置の高さ方向の寸法を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】処理液の再利用を好適に図ることができ，しかも排気量を低減させることができる，基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハＷを洗浄するウェハ洗浄装置５であって，ＡＰＭ及び純水を供給する供給ノズル３４と，ウェハＷを保持するスピンチャック３１と，スピンチャック３１を収納する容器３０とを備え，容器３０は内処理室４２と外処理室４３を備え，スピンチャック３１に対して容器３０を昇降自在に構成し，内処理室４２にＡＰＭ及び室内雰囲気を排出する第１の排出回路５０を接続し，外処理室４３に純水及び室内雰囲気を排出する第２の排出回路５１を接続し，ＡＰＭを供給ノズル３４から再びウェハＷの表面に供給するように構成した。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの乾燥プロセスで発生した有機溶剤を効率よく除去してＶＯＣガスの発生を抑制する。
【解決手段】ウェーハＷを洗浄するウェーハ洗浄装置３０Ａ〜３０Ｃと、洗浄された前記ウェーハＷをＩＰＡにより乾燥させる乾燥機ＤＳと、を備える半導体製造装置１に、乾燥処理で用いられたＩＰＡを除去するスクラバーとして機能する気液分離タンクＤＴを内蔵させる。 （もっと読む）