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Fターム[5F157DC84]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | その他の課題の解決 (1,637) | エネルギー節減、動力伝達ロス減 (608) | 洗浄液の再使用 (460) | 洗浄液の回収 (181)

Fターム[5F157DC84]に分類される特許

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【課題】洗浄処理において、基板への不必要なダメージや回路パターン倒れを防ぎつつ、特定箇所の異物を除去できる洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】洗浄処理に用いるための処理流体を基板5に噴出する処理流体ノズル7と、基板5から処理流体を回収する回収装置8とを具備している。基板5を処理流体ノズル7からの処理流体により局所的に洗浄処理することができるため、基板5に対して不必要なダメージ、回路パターン倒れを防ぎつつ、特定箇所の異物を除去できる。 (もっと読む)


【課題】処理室内に溜まった処理液の泡を、簡単な設備を用いて効果的に除去する。
【解決手段】吸引口30f及び排出口30gと、圧縮空気導入口30hとを有し、圧縮空気を圧縮空気導入口30hから排出口30gへ流し、吸引口30fと排出口30gとの間に生じた圧力差により吸引口30fから吸引した物を、圧縮空気と共に排出口30gから排出するエジェクタ30を用い、処理室20内に溜まった処理液の泡を、第1の配管31を介して吸引口30fから吸引し、吸引した処理液の泡を圧縮空気の圧力でつぶして液化し、液化した処理液を圧縮空気と共に排出口30gから第2の配管32を介して処理室20内へ吐出する。 (もっと読む)


【課題】 希少金属層が設けられている基板から希少金属を剥離処理して、当該希少金属を高い効率で回収できる金属回収機構を有する基板処理装置の提供。
【解決手段】 基板を載置するステージ部Fと、
水蒸気及び水を含む混相流体を前記基板に噴射して前記基板上の希少金属を剥離する、混相流体噴射部Eと、
槽壁171、前記混相廃物を排出する排出管172、を有するチャンバ部Iと、
前記排出管から送られる混相廃物を液相と気相とに分離する気液分離機構181、該気液分離機構により分離された液相から希少金属を回収する固液分離手段182を有する、混相廃物中の液相に存在する希少金属を回収する第一処理部Gと、
前記第一処理部の気液分離機構から送られる気相に含まれる希少金属を回収するサイクロン式分離機構191を有する、混相廃物中の気相に存在する希少金属を回収する第二処理部Hと、
を具備する基板処理装置100。 (もっと読む)


【課題】ノズルを支持するノズル支持アームに付着した汚れにより処理室内の基板が汚れてしまうことを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置10は、基板Wを保持する基板保持部21および当該基板保持部21の周囲に配設されるカップ40が内部に設けられた処理室20と、基板保持部21に保持された基板Wに対して流体を供給するためのノズル82aと、ノズル82aを支持するノズル支持アーム82とを備えている。液処理装置10には、ノズル支持アーム82の洗浄を行うためのアーム洗浄部88が設けられている。 (もっと読む)


【課題】ノズル支持アームをその長手方向軸を中心として回転させることができる場合でも、ノズルに接続される配管における配管抵抗を小さくすることができ、またこの配管の占めるスペースを小さくすることにより省スペース化を図ることができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置10において、ノズル支持アーム82は、当該ノズル支持アーム82の移動方向に沿った長手方向軸を中心として回転可能となっており、ノズル支持アーム82は、ノズル82aに流体を送るための配管83p〜83uを有し、配管83p〜83uは可撓性材料から形成されている。配管83p〜83uは、ノズル支持アーム82が退避位置にあるときにノズル支持アーム82の後端部で当該ノズル支持アーム82の延びる方向に直交する平面上で渦巻き形状となるよう構成されている。 (もっと読む)


【課題】洗浄品質の高い枚葉式ウェーハ洗浄装置を提供する。
【解決手段】チャンバー11内においてウェーハ1を支持する回転テーブル12と、ウェーハ1の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル13と、回転テーブル12の外周部に設けられたスピンカップ14と、回転テーブル12の外周部に設けられた排気口15と、スピンカップ14を昇降制御するスピンカップ昇降機構16と、チャンバー11の側面側に設けられた排気口17と、排気口17を開閉するシャッター18とを備え、シャッター18は、スピンカップ14に連動して昇降し、スピンカップ14が上昇して排気口15を開放しているときには排気口17を閉止し、スピンカップ14が降下して排気口15を閉止しているときには排気口17を開放する。これにより、チャンバー11の内圧をほぼ一定に保持することができる。 (もっと読む)


【課題】基板から飛散した処理液の回収率を向上させることができる基板液処理装置の提供。
【解決手段】基板液処理装置は、基板保持台12に保持されて回転する基板Wから飛散した処理液を下方へ案内する第1案内カップ31および第2案内カップ41と、基板保持台12と、第1案内カップ31および第2案内カップ41との間の位置関係を調整する位置調整機構と、第1案内カップ31および第2案内カップ41により案内された処理液を回収する第1処理液回収用タンク61および第2処理液回収用タンク62と、を備えている。第1処理液回収用タンク61と第2処理液回収用タンク62との間には、排気部材71が設けられている。第2案内カップ41の下端部41bに、第1案内カップ31からの処理液を第1処理液回収用タンク61に案内すると共に、第2案内カップ41からの処理液を第2処理液回収用タンク62に案内する案内部材81が設けている。 (もっと読む)


【課題】基板を支持するスピンヘッドを提供する。
【解決手段】スピンヘッドは、回転可能なボディと、上部に突出し、かつ回転時ボディに置かれた基板の側部を支持するチャックピンとを有する。チャックピンは、上下方向にボディに提供された垂直ロッドを有する。基板が回転する時、垂直ロッドは基板から側方向に離隔するように位置される。支持ロッドは、流線型に提供された側面を有する。支持ロッドは、上部から見る時、幅が漸進的に減少する接触部を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高圧流体を使用した被処理基板の処理を行う際に、この処理が行われる処理容器に設けられた配管を介した他の機器への高圧流体の流れ込みを防止することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】処理容器31では、超臨界状態または亜臨界状態である高圧流体により、被処理基板Wに対して処理を行い、この処理容器31には流体の流れ方向に第1の配管部材71及び第2の配管部材72に分割され、流体が通流する配管406、408、411が接続されている。接離機構70は、第1の配管部材71と第2の配管部材72とを互いに接続する位置と、離間させる位置との間で、これら第1、第2の配管部材71、72の少なくとも一方側を移動させ、開閉弁741、742は第1、第2の配管部材71、72に各々設けられ、これら配管部材71、72を離間させるときに閉じられる。 (もっと読む)


【課題】処理液を効率的に利用しつつ処理性能を向上させることのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
【解決手段】
処理液を基板Pの表面に向けて吐出して基板Pの全幅にわたって処理液を吹付ける第1ノズルユニット10と、第1ノズルユニット10より基板Pの搬送方向の下流側に当該第1ノズルユニット10と向き合うように配置され、処理液を基板Pの表面に向けて吐出して当該基板の全幅にわたって処理液を吹付ける第2ノズルユニット20とを有し、相互に向き合う第1ノズルユニット10及び第2ノズルユニット20から吐出される処理液が基板Pの表面上でぶつかりあって基板Pの幅方向に延びる処理液の盛り上がり部分Mが形成されるように第1ノズルユニット10及び第2ノズルユニット20からの処理液の吐出方向が設定された構成となる。 (もっと読む)


【課題】エッチング形成したパターンが倒壊しないように埋め込み絶縁膜を形成する。
【解決手段】所定のパターンにエッチング加工した被加工物に対してパターン間に絶縁膜を埋め込み形成する半導体装置の製造方法である。前記被加工物のエッチング加工された前記パターン間のエッチング残渣を第1の薬液により洗浄する工程と、前記第1の薬液による洗浄の後前記被加工物をリンス液でリンスする工程と、前記リンスの後前記被加工物に絶縁膜形成用の塗布液を塗布する工程とを備える。前記第1の薬液による洗浄から前記塗布液の塗布までを、前記被加工物が前記パターン間で液体を保持した状態を維持するように同一の処理室内で実施することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】被処理基板の乾燥に利用される高温高圧流体の消費量が少ない基板処理装置等を提供する。
【解決手段】第1の原料収容部41では加熱機構42により液体状態の原料を高温高圧流体状態とし、原料供給路411の供給用バルブ412を開いて処理容器31に当該高温高圧流体を供給し、この高温高圧流体による被処理基板Wの乾燥を行う。第2の原料収容部41は、第2の冷却機構43a、43bにより前記原料の凝縮温度以下に冷却されることにより、回収用バルブ412を開き、原料回収路処理容器31内の高温高圧流体を当該第2の原料収容部41に回収する。回収された原料は第1の原料収容部41から処理容器31に供給される原料として再利用される。 (もっと読む)


【課題】エッチング処理の精度を維持しつつ、フィルタの目詰まりを抑制する半導体製造装置および処理方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置100は、半導体ウエハをエッチング処理するための所定処理液を収容するエッチング処理槽2と、エッチング処理にて前記所定処理液中に生じるパーティクルを捕捉する第1および第2フィルタ5a,5bと、前記パーティクルを溶解する液体として、前記所定処理液と同じ液体の予備液を収容する予備槽7と、処理槽2内の処理液を第1フィルタ5aに通して循環させるとともに予備槽7内の液体を第2フィルタ5bに通して循環させ、その後、処理槽2内の処理液を廃棄した後、該処理槽に予備槽7内の液体を供給し、かつ、該予備槽に新たな予備液を供給して、処理槽2内の液体を第2フィルタ5bに通して循環させるとともに予備槽7内の液体を第1フィルタ5aに通して循環させる制御部90と、を含む。 (もっと読む)


【課題】鉛直方向の省スペース化が実現できる基板液処理装置のミスト回収機構を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板を保持する載置台と、前記載置台を回転させる回転駆動部と、前記載置台に載置される基板に液体を供給する液体供給部と、前記載置台に載置されて回転する基板から飛散する液体を下方へ案内するために、上から順に設けられた、液体案内上部カップと、液体案内中央カップと、液体案内下部カップと、前記液体案内中央カップを昇降させるための駆動機構と、を備え、前記駆動機構が前記液体案内中央カップを昇降させることによって、液体案内上部カップと液体案内中央カップとの間の間隔、及び/または、液体案内中央カップと液体案内下部カップとの間の間隔が変化するようになっていることを特徴とする基板液処理装置。 (もっと読む)


【課題】鉛直方向の省スペース化が実現できる基板液処理装置のミスト回収機構を提供すること。
【解決手段】ミスト案内カップの周縁端領域の上方に設けられた液体案内上部カップと、ミスト案内カップの周縁端領域に対してその下方から上方まで鉛直方向に移動可能に設けられた液体案内中央カップと、ミスト案内カップの周縁端領域に対してその下方から上方まで鉛直方向に移動可能に設けられた液体案内下部カップと、を備える。各カップの鉛直方向位置は、3つの回収状態を選択的に実現できるように制御される。各回収状態で回収される液体は、第一ドレイン用タンク乃至第三ドレイン用タンクにそれぞれ案内されるようになっている。第一ドレイン用タンク乃至第三ドレイン用タンクは、径方向に並ぶように配置されている。 (もっと読む)


【課題】フットプリントを小さくすることができ、排気と排液との分離機構を特別に設ける必要のない液処理装置を提供すること。
【解決手段】排気・排液部6は、主にウエハWから振り切られた処理液を取り入れて排液する環状をなす排液カップ41と、排液カップ41の外側を囲繞するように設けられ、回転カップ3およびその周囲からの主に気体成分を取り入れて排気する排気カップ42とを有し、回転カップ3は環状の庇部材32を含み、排液カップ41は、庇部材32の下側で回転カップ3に形成された排出孔33,34を通してウエハWから振り切られた処理液を取り入れて排液口43から排液し、排気カップ42は、庇部材32の上側で排気カップ42に形成された導入口42bを通して回転カップ3の周囲からの気体成分を取り入れて排気口45から排気し、排液カップ41からの排液と排気カップ42からの排気が独立して行われる。 (もっと読む)


【課題】ウエハ等の被乾燥物表面の水分を効率よく、かつ、再現性良く除去し、被乾燥物へのパーティクルの付着、および、ウォータマークや乾燥不良の発生を抑制することができ、且つ、装置のセットアップを容易に行うことのできる蒸気乾燥装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、水で洗浄された被乾燥物を有機溶剤の蒸気中に曝し、前記被乾燥物の表面で前記蒸気を凝縮させることにより、前記被乾燥物の表面に残留する水分を前記有機溶剤で置換した後に、前記被乾燥物の表面の前記有機溶剤を揮発させることによって、前記被乾燥物を乾燥する蒸気乾燥方法に用いられ、前記被乾燥物および前記蒸気を収容する処理槽と、該処理槽内に設置され、前記蒸気を前記被乾燥物の表面に導入するための孔を有する蒸気導入部材とを備えることを特徴とする蒸気乾燥装置である。 (もっと読む)


【課題】汚れの除去と乾燥を同じ工程で行う洗浄であって、洗浄時間の高速化と洗浄処理物面積の広域化を可能とする省エネルギー型で、小型で高速の洗浄乾燥を可能にする、洗浄乾燥方法および装置を提供する。
【解決手段】洗浄除去すべき物質を含む被処理物11の洗浄乾燥方法であって、該被処理物11を大気圧下の洗浄乾燥室18に搬入する工程、加圧過熱液体または加圧過熱蒸気の状態にある洗浄溶剤を該洗浄乾燥室18内に噴射する工程、および洗浄乾燥された該被処理物11を該洗浄乾燥室18から搬出する工程を含み、該洗浄乾燥室18内に噴射された該洗浄溶剤から発生する該洗浄溶剤の蒸気の大気圧での体積が、該被処理物11を該洗浄乾燥室18に搬入した際の該洗浄乾燥室18内における空隙容積の100倍以上であることを特徴とする、洗浄乾燥方法、およびその方法を実施するための洗浄乾燥装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板保持部34は液体により表面が濡れた状態の被処理基板Wを横向きに保持した状態で処理容器31内に搬入し、このとき前記基板保持部34と一体に形成され蓋部材341が処理容器31の開口部311を塞ぐ。雰囲気形成部711、39は前記処理容器内を超臨界流体の雰囲気とした後、姿勢変換機構6が処理容器31の姿勢を変換して、当該処理容器31内の被処理基板Wを縦に向ける。これにより被処理基板Wの上面の液体が流下して排出部から排出され、その後、排気部731より超臨界流体を排出することにより処理容器31内を減圧して当該超臨界流体を気体とし、乾燥された被処理基板を得る。 (もっと読む)


【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】液槽32は、被処理基板Wを液体に浸漬した状態で保持し、処理容器31では、この液槽32を内部の処理空間310に配置し、当該液槽32内の液体を超臨界状態の流体に置換して被処理基板を乾燥する処理を行う。移動機構352、353は、液槽32を、前記処理容器31内の処理位置と当該処理容器の外部の準備位置との間で移動させ、当該処理容器31に設けられた加熱機構312は、前記流体を超臨界状態としたり、その超臨界状態を維持する一方、冷却機構334、335は、前記処理容器31の外部の準備位置に移動した液槽32を冷却する。 (もっと読む)


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