【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板保持部３４は液体により表面が濡れた状態の被処理基板Ｗを横向きに保持した状態で処理容器３１内に搬入し、このとき前記基板保持部３４と一体に形成され蓋部材３４１が処理容器３１の開口部３１１を塞ぐ。雰囲気形成部７１１、３９は前記処理容器内を超臨界流体の雰囲気とした後、姿勢変換機構６が処理容器３１の姿勢を変換して、当該処理容器３１内の被処理基板Ｗを縦に向ける。これにより被処理基板Ｗの上面の液体が流下して排出部から排出され、その後、排気部７３１より超臨界流体を排出することにより処理容器３１内を減圧して当該超臨界流体を気体とし、乾燥された被処理基板を得る。 （もっと読む）

【課題】装置の設置面積を増大させず単位時間当たりの処理能力を低下させずに、長時間の処理が可能で、処理時間を容易に変更できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】
第２剥離帯２内のフレームＦには、レーンＬ１、Ｌ２、Ｌ３が設けられ、それぞれにローラコンベアＬ１１、Ｌ２１、Ｌ３１と、上側液カーテンノズルＬ１２、Ｌ２２、Ｌ３２が設けられる。フレームＦが昇降して各レーンＬ１、Ｌ２、Ｌ３に基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３を順に搬入して、各基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３の上端に上側液カーテンノズルＬ１２、Ｌ２２、Ｌ３２から剥離液を供給する。所定時間の処理が終了するとフレームＦが昇降して処理済みの基板Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３を順に搬出する。 （もっと読む）

【課題】 処理液に溶解する二酸化炭素の量を、所望の濃度以上に維持し、かつ、二酸化炭素を無駄に消費しないようにした基板洗浄処理装置を提供する。
【解決手段】 比抵抗計８１が、所望の比抵抗値より高い値を検出するとコントローラ８２は開閉制御弁Ｖ５を開け二酸化炭素が供給される。すなわち、ポンプ２４が、吸込み管２５によって処理液タンク３１から吸い込んだ処理液は、処理液送出管２３、分岐管２７、開閉制御弁Ｖ４、戻し管２８、ミキシングユニット５０、撹拌ノズル６１を経て処理液タンクに戻る処理液循環路を循環する動作を行い、循環動作の途中のミキシングユニット５０にて二酸化炭素を混入する。 （もっと読む）

【課題】基板を清浄な状態で露光装置に搬入することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】裏面洗浄処理ユニットＲＳＷにより裏面洗浄された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１２により保持されて冷却ユニットＣＰに搬送される。冷却ユニットＣＰにより温度調整された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１１により保持されて露光装置に搬送される。露光装置により露光処理された基板Ｗがインターフェース用搬送機構ＩＦＲ１のハンドＨ１３により保持されて露光装置から基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送される。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストを除去するための溶液を均一に混合して定量を基板に提供する。
【解決手段】薬液供給ユニットは本体、第１供給管、第２供給管、及び回転防止部材を含む。本体は薬液を受け入れる円形断面を有する内部空間及び内部空間と連結されて薬液を下方に吐き出す吐出口を有する。第１供給管は本体の側面に備わって内部空間と接線形態で連結され、第１薬液が内部空間に沿って回転するように第１薬液を内部空間に供給する。第２供給管は本体を貫通して本体の中心側と隣接する端部を有し、第１薬液と混合するように第２薬液を内部空間に供給する。回転防止部材は吐出口に配置し、第１薬液と第２薬液の混合薬液が回転しながら吐き出すことを防ぐために混合薬液の回転を減少させる。 （もっと読む）

【課題】 可燃性の処理流体又はその蒸気を基板に供給して処理を行う装置において、基板周辺からの排気を冷却することにより排気中の引火性のガスの濃度を低下することを可能にした基板処理装置を提供する。
【解決手段】 スピンチャック２に保持され液体が付着した基板Ｗの表面Ｗｆに対し可燃性の処理流体であるＩＰＡを供給することにより、基板Ｗを洗浄等する装置において、スピンチャック２及び基板Ｗから飛散して処理カップ２０１により受け止められ、スピンチャック周辺に浮遊する液体の微粒子を含む雰囲気を排気する排気液ライン２０２に排気冷却部２０３を介挿し、排気冷却部２０３に冷却用の冷媒を供給することにより排気液ライン２０２内を流れる排気を冷却し、排気に含まれる可燃性の処理流体の蒸気の濃度を低減する。これにより、装置内の可燃性の処理流体の蒸気の濃度を低減する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の各液処理ユニットに処理液を供給するときに、流量の精度を落とすことなく流量制御機構をまとめることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理液が流れる供給流路６８ａと、供給流路６８ａに処理液を供給する処理液供給部７０と、供給流路６８ａ上に設けられ、供給流路６８ａの流量を制御する流量制御機構１３１と、流量制御機構１３１の下流側に接続される第１の経路６８ｃ又は第１の経路６８ｃと平行に接続される第２の経路６８ｄに切り替える切替機構１３５とを有する。流量制御機構１３１は、供給流路６８ａの流量を計測する流量計測部１３２と、内部に開閉可能な弁を備えた流量制御弁１３３と、流量設定値ＦＳと流量計測値ＦＭとが等しくなるように、流量制御弁１３３を制御する流量制御部１３４とを有する。 （もっと読む）

【課題】排気口からの排気に大きな排気能力を必要とせずに、処理チャンバ内の雰囲気を良好に置換させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理チャンバ４内には、基板を水平に保持して回転させるスピンチャック１７と、スピンチャック１７の上方に配置された円板状の遮断板１４とが収容されている。遮断板１４の下面には、スピンチャック１７に保持される基板の表面と対向する基板対向面が形成されている。処理チャンバ４の上部に設けられた給気ユニットには、処理チャンバ４内に清浄空気を供給するための給気口６５が形成されている。給気口６５は、下向きの給気口であり、平面視において遮断板１４の周囲を取り囲む円環状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成で処理液の帯電を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板処理装置は、基板をほぼ水平に保持して回転するスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板に薬液を供給するための薬液供給路とを備えている。薬液供給路は、薬液供給ノズルに向けて送られる薬液の温度を処理に適した一定温度に調節する温度調節器２４に介装されている。温度調節器２４は、薬液流路を形成し、導電性を有する伝熱板２４２を備え、伝熱板２４２には、金属線２４２ａの一端が接続され、金属線２４２ａの他端は接地されている。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたパターンの倒壊をより確実に防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】キャリアから搬出された基板には、処理ユニットまでの搬送系路途中にてオゾンガスが吹き付けられて有機物汚染の除去処理が行われる。表面から有機物汚染が除去された基板が処理ユニットに搬入されて薬液表面処理が行われるため、基板の全面に対して均一な表面処理を行うことができる。薬液処理が終了した基板には純水リンス処理が行われ、その後基板の表面に疎水化剤としてのＨＭＤＳが供給されて疎水化処理が行われる。これにより、基板表面のパターン内に残留している液滴の毛管力はゼロに近くなり、乾燥処理時のパターン倒壊を防止することができる。疎水化された基板はキャリアに戻る搬送系路途中にて再度オゾンガスが吹き付けられて疎水化状態が解除される。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の高さが増大することを抑制しつつ、飛散した処理液を好適に回収することができる基板処理装置、および、カップ外に処理液が漏れることを好適に防止できるカバー部材を提供する。
【解決手段】基板を保持する基板保持部１１と、上部に開口Ａを有する略筒形状を呈して基板保持部１１の周囲を囲むカップ１２と、カップ１２の外側に設けられるカバー本体４１と、を備え、前記開口Ａの縁部は、高さ位置が比較的低い第１縁部ＥＬと高さ位置が比較的高い第２縁部ＥＨとを有する。カバー本体４１は、第２縁部ＥＨの高さ位置より低い範囲で前記第１縁部ＥＬの上方を覆う。これにより、処理液が第１縁部ＥＬの上方からカップの外側に漏れることを防止できる。第１縁部の上端は依然として第２縁部より低いので、基板処理装置の高さが増大することを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板をリンスした後、半導体基板を乾燥させるときに微細なパターンに及ぶ影響を著しく低減する。
【解決手段】洗浄液で半導体基板を洗浄する洗浄工程と、この洗浄工程の後にリンス水で前記半導体基板をリンスするリンス工程と、このリンス工程の後に前記半導体基板を乾燥させる乾燥工程とを行う半導体基板の洗浄方法であって、リンス工程の際、リンス水の温度を７０℃以上に設定すると共に、リンス水を酸性に設定する。 （もっと読む）

【課題】 基板上にエッチング液を液膜状に供給した後に、この基板をリンス処理する場合においても、エッチング液とリンス液とを個別に回収することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置は、ガラス基板１００をその主面が水平方向となる状態で支持するとともに、このガラス基板１００を水平方向に搬送する複数の搬送ローラ９と、ガラス基板１００にエッチング液を供給する処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃと、ガラス基板１００にリンス液を供給する処理・洗浄ユニット１ｄと、各処理・洗浄ユニット１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ毎に配設された回収トレー７１と、処理・洗浄ユニット１ｃと処理・洗浄ユニット１ｄとの間に配設されたエアナイフ７とを備える。 （もっと読む）

【課題】高いパーティクル除去能力を維持しつつも、基板に与える物理的ダメージを最小限に抑制することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄ヘッド６０の筒状体６１には８０個の吐出孔６４が穿設されている。各吐出孔６４の孔径は１０μｍ〜５０μｍである。高圧ポンプによって洗浄ヘッド６０の流路６２に洗浄液を加圧供給すると、洗浄ヘッド６０の内部の液圧が１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下に上昇することによって、各吐出孔６４から洗浄液が押し出される。吐出孔６４から押し出された洗浄液は連続した液流である液柱８０を形成し、吐出孔６４と基板Ｗとの距離ｄが１ｍｍ以上１０ｍｍ以下であれば、液柱８０の状態のまま基板Ｗの上面に供給される。これにより、洗浄ヘッド６０が基板Ｗに与える物理力は常に一定となり、高いパーティクル除去能力と物理的ダメージの抑制とを両立することができる。 （もっと読む）

【課題】強度が強く、耐食性に優れるスイングノズルユニット及びそれを有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板が置かれるスピンヘッドを含む基板支持部材と、前記スピンヘッドの周りを囲むように設置されて基板上から飛散する処理流体を回収する処理容器と、スイング方式で回転し、前記スピンヘッドに置かれた基板に処理流体を噴射するスイングノズルユニット等を具備する。前記スイングノズルユニットは、処理流体供給チューブが位置する内部通路を形成する内側樹脂パイプと、前記内側樹脂パイプを囲むように設置される金属パイプと、前記金属パイプを囲むように設置される外側樹脂パイプからなるノズル体を有するノズル部と、前記ノズル部のθ軸回転及び昇降移動のための駆動部を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置を検査するためのレシピを自動生成することによって、基板処理装置の検査工程を確実かつ簡単にする。
【解決手段】基板処理装置の制御装置１５は、コンピュータ１６と記憶装置１９とを備えている。記憶装置１９には、基板処理制御プログラムおよび検査レシピ自動生成プログラムが格納されており、さらに、レシピ、構成定義データおよび動作条件データを記憶できるようになっている。コンピュータ１６は、検査レシピ自動生成プログラムを実行することにより、基板処理装置が備える複数の構成要素を動作させるための処理手順を記述した検査レシピを生成して記憶装置１９に登録する。その際、コンピュータ１６は、構成定義データおよび動作条件データに基づいて、検査レシピを構成する処理手順を生成する。 （もっと読む）

【課題】基板のダメージを抑制または防止しつつ、不要になった膜を基板から除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、ウエハＷを保持するスピンチャック７と、光を照射することで活性化する光活性化成分を含む処理液をスピンチャック７に保持されたウエハＷに供給する薬液供給ユニット２２と、スピンチャック７に保持されたウエハＷに供給される光活性化成分を含む処理液に光を照射する照射ユニット４とを含む。 （もっと読む）

【課題】ノズルから吐出した液滴のミストをノズルの周囲の部位に付着するのを防いで、清浄度を保つことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板に対して液滴のミストを供給して前記基板を洗浄処理する基板処理装置１は、液滴のミストを吐出する二流体ノズル２１，２２と、二流体ノズル２１，２２を囲って二流体ノズルから吐出する液滴のミストの飛散を防止するカバー３０を有しており、カバー３０の先端外周部７０は、二流体ノズル２１，２２から吐出する液滴のミストを基板Ｗに供給するための開口部９０を有し、先端外周部７０と基板Ｗとの間には隙間Ｇが形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、溶剤の使用量を削減することができる。
【解決手段】本発明は、増感色素を吸着させた半導体層である多孔質半導体層７を透明基板である電極側基板２上に有する電極形成ワーク１２に対し、洗浄用のリンス液を噴射する。さらに本発明は、リンス液の噴射された電極形成ワーク１２に対し、リンス液をミスト状に噴射し、ミスト噴射された電極形成ワーク１２に対し、ガスとしての不活性ガスを噴射するようにした。 （もっと読む）

【課題】液の使用量を低減することができるとともに、被処理体間での処理の程度のバラツキを抑制することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、主配管２０と、主配管に接続した液供給機構４０と、主配管に設けられた主開閉弁２２と、主配管から分岐した複数の分岐管２５と、各分岐管と接続した複数の処理ユニット５０と、を有する。液供給機構は、主配管上に設けられた混合器４３と、第１液を供給する第１液供給管４１ｂと、第２液を供給する第２液源４２ａと、を有し、第１液と第２液とを混合器内で混合してなる混合液を、主配管に一側から供給する。主開閉弁は、処理ユニット内で被処理体が処理されている際、主配管を液供給機構に対して他側から閉鎖する。 （もっと読む）