【課題】薬液供給装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による薬液供給装置は、それぞれ前後方向に移動可能な複数のノズルと、複数のノズルを内部に収容し、ノズルが出入り自在に一方の側が開放されたノズルカバー及びそれぞれのノズルを前後方向に移動させるノズル駆動部を備える。 （もっと読む）

【課題】基板支持部材、これを有する基板処理装置及びこれを用いた基板処理装置洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板支持部材は、基板が載置されるスピンヘッド、回転結合部、及び流体を供給する供給配管を含む。回転結合部は供給配管から流体を供給され、回転するスピンヘッドに流体を提供する。スピンヘッドは流体を噴射する少なくとも一つの噴射孔が形成され、回転すると共に流体を側面方向に噴射する。これにより、基板支持部材は流体を処理容器の内壁に提供できるので、処理容器の洗浄効率及び生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】高温のＳＰＭなどの処理液を用いる場合でも、基板の処理時に生じる廃液を工場の廃液ユーティリティラインなどに排出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷへの処理液の供給時に生じる高濃度廃液は、廃液配管７２および高濃度廃液導入管７３を通して希釈タンク８に導入され、ウエハＷの水洗時に生じる低濃度廃液は、廃液配管７２および一般廃液導入管７４を通して気液分離タンク９に導入される。希釈タンク８には、高濃度廃液を希釈および冷却するための冷却水が供給されるようになっている。希釈タンク８の底面には、希釈廃液オーバフロー配管８３が挿通されている。この希釈廃液オーバフロー配管８３の一端は、希釈タンク８内の所定高さの位置で開放されており、廃液オーバフロー配管８３の他端は、たとえば、基板処理装置が設置される工場の廃液ユーティリティラインに接続されている。 （もっと読む）

【課題】 ブラシアセンブリ及びこれを有する基板洗浄装置が開示される。
【解決手段】 ブラシを用いて基板を洗浄するための装置において、ブラシアセンブリは工程チャンバー内で回転可能に配置されるシャフトと、前記シャフトの中央部位に配置され、基板を洗浄するための洗浄液の供給を受け、基板の表面と接触して前記基板の洗浄を行うブラシと、前記基板を洗浄する間、前記ブラシに供給された洗浄液が前記シャフトに沿って前記シャフトの端部に向かって流れることを防止するために気流を発生させる送風ユニットを含む。従って、前記ブラシに供給された洗浄液が前記工程チャンバーの外部に漏洩することが防止されることができる。 （もっと読む）

【課題】基板を支持するスピンヘッドを提供する。
【解決手段】スピンヘッドは、回転可能なボディと、上部に突出し、かつ回転時ボディに置かれた基板の側部を支持するチャックピンとを有する。チャックピンは、上下方向にボディに提供された垂直ロッドを有する。基板が回転する時、垂直ロッドは基板から側方向に離隔するように位置される。支持ロッドは、流線型に提供された側面を有する。支持ロッドは、上部から見る時、幅が漸進的に減少する接触部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より円滑に剥離液を流通させる。
【解決手段】剥離装置は、第１処理部１Ａ及び第２処理部１Ｂから構成される。第１処理部１Ａの処理槽１０Ａ内には、傾斜姿勢の基板Ｓに剥離液を供給するノズル１２と、基板Ｓに沿って流下する剥離液を受けて排液する樋部材２２とが設けられる。樋部材２２の内底面は、その長手方向中間部に向かって先下がりに形成され、当該中間部には排液口が形成されている。また、樋部材２２の内底面には、剥離液中に含まれる被膜を絡ませることにより排液口側への被膜の流動を抑制する複数のピンが立設されている。 （もっと読む）

【課題】防爆対策が不要で、有機溶剤の消費量を低減することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部１０３は、基板Ｗを純水で洗浄する純水洗浄処理を行い、純水をＨＦＥで置換する置換処理を行った後、ＨＦＥよりも少量のＩＰＡを供給するとともにＮ−ブタノールを供給して、ＩＰＡによる純水の置換を促進する置換促進処理を行う。ＨＦＥだけでは、純水を置換し難いが、ＨＦＥよりも純水との相溶性が高いＩＰＡを少量であるが供給するので、純水を効率よく置換できる。Ｎ−ブタノールは、ＨＦＥとＩＰＡとを結びつけ、しかもＩＰＡと純水の溶解性を促進することができる。可燃性のＩＰＡを少量としているので、その消費量を低減することができるとともに、装置に防爆対策を施す必要がない。また、ＩＰＡが少量であるので、大量のＨＦＥで置換する必要がなく、ＨＦＥの消費量を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】処理槽の内部において硫酸と過酸化水素とを効率よく混合させ、処理槽の内部にＣａｒｏ酸を多量かつ均一に生成することにより、基板の表面から有機膜を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、内槽１１の内部に硫酸成分を含む液体を吐出する吐出管３６ａ，３６ｂと、吐出管３６ａ，３６ｂから吐出される液体に向けて過酸化水素水を吐出する吐出管５５ａ，５５ｂとを備えている。このため、硫酸と過酸化水素水とを効率よく混合させることができ、それにより、処理槽１０の内部においてＣａｒｏ酸を多量かつ均一に生成することができる。したがって、基板Ｗの主面からフォトレジスト膜を良好に剥離することができる。 （もっと読む）

【課題】装置の省スペースを実現しつつ、基板の端面の汚染に起因した問題（欠陥の発生、トラックや露光装置へのクロスコンタミネーション等）を回避できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板の端面を洗浄する端面洗浄処理ユニットＥＣを備える洗浄処理部９３を、インデクサブロック９に配置する。インデクサブロック９に設けられたインデクサロボットＩＲは、カセットＣから取り出した未処理基板Ｗを、処理部である反射防止膜用処理ブロック１０に搬送する前に洗浄処理部９３に搬送する。洗浄処理部９３においては、基板Ｗの端面および裏面を洗浄する。すなわち、端面および裏面が汚れた基板Ｗが処理部に搬入されることがないので、基板の端面や裏面の汚染に起因した問題を回避できる。 （もっと読む）

【課題】露光装置において基板に付着した液体による動作不良および処理不良が防止された基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの洗浄後、基板Ｗが回転する状態で、液供給ノズル６５０がリンス液を吐出しつつ基板Ｗの中心部上方から外方に向かって移動する。この場合、リンス液が存在しない乾燥領域Ｒ１が基板Ｗ上で拡大する。液供給ノズル６５０が基板Ｗの周縁部上方まで移動すると、基板Ｗの回転速度が下降する。液供給ノズル６５０の移動速度はそのままで維持される。その後、リンス液の吐出が停止されるとともに液供給ノズル６５０が基板Ｗの外方に移動する。それにより、乾燥領域Ｒ１が基板Ｗ上の全体に広がり、基板Ｗが乾燥される。 （もっと読む）

【課題】露光装置において基板に付着した液体による動作不良および処理不良が防止された基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの洗浄後、基板Ｗの一面を覆うようにリンス液の液層Ｌが形成される。続いて、液供給ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方から外方に向かって移動する。液供給ノズル６５０は、基板Ｗの中心部上方から所定距離移動した時点で一旦停止する。この期間に、遠心力により液層Ｌが薄層領域内で分断され、液層Ｌの中心部に乾燥コアＣが形成される。その後、液供給ノズル６５０が再び外方に向かって移動することにより、乾燥コアＣを始点としてリンス液が存在しない乾燥領域Ｒ１が基板Ｗ上で拡大する。 （もっと読む）

【課題】被処理面以外の面に対する処理液の飛散を防止し、被処理面のみに処理液を用いた処理を施すことができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る表面処理治具１は、半導体ウエハ５０の被処理面５０ａと対向する対向面１ａに形成された環状の溝１０と、溝１０に連通するように形成された、処理液を回収する貫通孔１１とを有する処理液回収部１３を備えている。 （もっと読む）

【課題】 複数の処理液を用いる枚葉式のウエット処理装置において、高揮発性や反応性等の処理液について、その処理液及び処理液から発生するミストや気体の流出、及び、他の処理液の流入を防止することが可能なウエット処理装置を提案する。
【解決手段】第一のチャンバ１と、第一のチャンバ１の上方又は下方に位置する第二のチャンバ２とを備え、両チャンバ１，２には互いに対向する位置に開口部１ａ，２ａが設けられており、第一のチャンバ１と第二のチャンバ２の間にて二つの開口部１ａ，２ａを介して保持手段３を昇降させる昇降手段４と、第一のチャンバ１の開口部１ａを開閉する開閉手段１ｂと、第一のチャンバ１内に位置した保持手段３に保持される被処理物Ｗに処理液を供給する第一の供給手段６と、第二のチャンバ２内に位置した保持手段３に保持される被処理物Ｗに処理液を供給する第二の供給手段７とを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハに付着した不純物に対する洗浄力を向上させることができるシリコンウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】マイクロバブル生成装置５０がマイクロバブルを洗浄液内に生成し、スプレーノズル１２にマイクロバブルを含む洗浄液（マイクロバブル含有洗浄液）を圧送し、スプレーノズル１２から洗浄タンク１１内に載置された複数のシリコンウェハＷに均一に噴霧状のマイクロバブル含有洗浄液を吹き付けてシリコンウェハＷをスプレー洗浄する。また、洗浄液供給装置２３にマイクロバブル含有洗浄液を圧送し、洗浄液供給装置２３から噴霧状のマイクロバブル含有洗浄液をスクラビングブラシ２２に供給し、一方順次スプレー洗浄装置１０によって洗浄されたシリコンウェハＷを搬送し、各スクラビングブラシ２２のニップ部においてマイクロバブル含有洗浄液の存在下でブラシ２５によってシリコンウェハＷをブラシスクラビング洗浄する。 （もっと読む）

【課題】基板に対して、高温の処理液を用いた処理を良好に施すことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】内側成部材２０の案内部２４の外側壁面３７におけるＳＰＭ液の着液位置には、その外側壁面３７に着液するＳＰＭ液を冷却するための第１冷却管３８が配設されている。第１冷却管３８は、回転軸線Ｃを中心軸線とする螺旋形状に形成されている。外構成部材３０の内側壁面４７におけるＳＰＭ液の着液位置には、その内側壁面４７に着液するＳＰＭ液を冷却するための第２冷却管４８が配設されている。第２冷却管４８は、回転軸線Ｃを中心軸線とする螺旋形状に形成されている。
【効果】内構成部材２０および外構成部材３０の変形をそれぞれ防止することができる。 （もっと読む）

【課題】処理液を用いた処理を、安定的に基板に施すことができる基板処理装置を提供すること、および、このような基板処理装置に適用可能な処理液成分補充方法を提供すること。
【解決手段】薬液キャビネット制御部７２は、処理ユニット４〜７の薬液バルブ３３の開時間を取得し、その薬液バルブ３３に関する累積開時間を算出するとともに、４つの処理ユニット４〜７の４つの薬液バルブ３３の累積開時間の合計を算出する。薬液バルブ３３の累積開時間の合計が予め定める時間に到達すると、成分補充ユニット３は予め定める量の第１成分、第２成分および第３成分を、それぞれ、薬液タンク４０に補充する。
【効果】薬液タンクに溜められている薬液の濃度をほぼ一定に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】別の処理ユニットからのケミカル雰囲気の進入を抑制できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板を保持する基板保持部４２、及び基板に処理液を供給する供給ノズル６１と、この供給ノズル６１を待機位置から基板保持部４２の上方に旋回させるシャフト６３とを有する処理液供給部４１を備えた複数の基板処理部２２と、基板処理部２２の各々を互いに独立して収容する複数のチャンバ４３と、待機位置の各々に設けられ、供給ノズル６１から吐出される処理液を受ける排液ポート８２と、排液ポート８２の各々が接続され、複数の基板処理部２２で共有される主排液配管８１と、排液ポート８２と主排液配管８１との間の各々に設けられ、主排液配管８１からの気体の進入を防ぐ進入防止弁８５と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】複数種類の液体を用いる基板処理方法において、液体を用いた処理の後に基板上に残留している当該液体を、次に使用される液体によって迅速かつより確実に置換することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理方法は、処理液によって基板Ｗを処理する工程と、基板上に置換液を供給し、基板上に残留する処理液を置換液で置換する工程と、を備える。置換する工程に用いられる置換液は、処理液の表面張力よりも小さい表面張力を有し、かつ、処理液の密度と同一の密度を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の上方におけるミスト発生を抑制できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持部２と、基板保持部２を回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板保持部２の外側に、この基板保持部２に保持された基板を囲繞するように設けられ、基板保持部２とともに回転し、回転する基板から振り切られた処理液を受ける壁部３２を有する回転カップ４と、回転カップ４の外側に、この回転カッ４プ及び基板保持部２を囲繞するように設けられ、回転する基板から振り切られた処理液を収容する環状の液収容部５６と、この環状の液収容部５６よりも内側に設けられた内側環状空間９９ｂとを備えた排気及び排液カップ２０１と、排気及び排液カップ２０１の内側環状空間９９ｂに接続された排気機構２００と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された構造物を損傷することを回避しつつ、基板に付着したパーティクルを効果的に除去する。
【解決手段】基板処理装置１は、冷却した処理液に不活性ガスを溶解させたものに半導体ウエハＷを浸漬し、当該処理液に超音波振動を付与することにより、半導体ウエハＷに付着したパーティクルを微小気泡で除去する。基板処理装置１では、溶解部１２８において、チラー１２６により冷却された処理液に不活性ガスが溶解させられ、溶解部１２８により不活性ガスが溶解させられた処理液１０４が処理槽１０２に貯留される。超音波振動子１５６は、伝搬槽１５２の底部、伝搬水１５４及び処理槽１０２の底部を介して、処理液１０４に超音波振動を付与する。 （もっと読む）