【課題】省スペースで、しかも処理液により基板の被処理面を均一に処理するとともに、乾燥不良の発生を防止しながら基板を良好に乾燥させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】直立状態に基板を保持し、その両面に対向部材を近接させ第１近接位置に配置する（ステップＳＴ１，ＳＴ２）。この状態で、薬液Ａ〜Ｃおよびリンス液による湿式処理を順次実行する（ステップＳＴ３〜ＳＴ６）。続いて、ＩＰＡ蒸気を供給しながら対向部材を第２近接位置へ移動させる（ステップＳＴ７，ＳＴ８）。第２近接位置における基板と対向部材との間隔は第１近接位置におけるそれよりも大きい。このため基板と対向部材との間に残留する処理液の流下が促進される。その後、窒素ガスを吹き付けて基板を乾燥させる（ステップＳＴ９）。 （もっと読む）

【課題】枚葉方式で基板の洗浄を行う場合に、基板表面からパーティクルや金属汚染物質を効果的に短時間で除去でき、基板表面のエッチング量が多くなることもない方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル８０により、塩酸を含むフッ酸からなるエッチング液と気体とを混合して生成される液滴を、表面に自然酸化膜が形成された基板Ｗの表面へ噴射し、基板表面をエッチングして洗浄する。 （もっと読む）

【課題】 帯状物体やベルトに固定した物体、或いは線状物体の表面を液体により処理するに際して、効率的な処理を行いまた装置全体を小型化する。
【解決手段】 帯状物体、またはベルトに固定した物体、或いは線状物体等の被処理物体を処理室の片側端面の入口開口から導入し、他側の端面の出口開口から導出するとき、前記片側端面側に設けた液体導入口から導入した液体を処理室内を移動する被処理物体との接触により前記出口開口側に流動させる。その際、前記出口開口側に流動する液体に対して前記被処理物体の移動方向と直角方向に対して傾斜する攪拌部により処理室内の液体流を攪拌する。また、被処理物体を処理室内において処理室中心から偏在して配置し、処理効果を促進する。 （もっと読む）

【課題】ベベル部の汚染に起因する基板の処理不良の発生を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、ベベル処理ブロック１０、反射防止膜用処理ブロック１１、レジスト膜用処理ブロック１２、現像処理ブロック１３、レジストカバー膜用処理ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。ベベル研磨部５０では、ベベル研磨ユニットにより基板Ｗのベベル部に研磨処理が施される。それにより、基板のベベル部に付着する汚染物が確実に取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】ＩＰＡを利用した基板乾燥装置及びその方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるＩＰＡを利用した基板乾燥方法は、回転する基板の上面に有機溶剤と前記有機溶剤の気化力の向上のための乾燥ガスを噴射すると同時に基板の温度の上昇のために基板の底面に加熱された流体を噴射するプレｐｒｅ-段階と、前記加熱された流体の噴射を中断し、基板の上面に前記有機溶剤と前記乾燥ガスを噴射する最終段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ノズル部材に付着した処理液が基板上に滴下するのを防止する。
【解決手段】基板処理装置１は、搬送中の基板Ｓの上面に、その搬送方向上流側から下流側に向かって斜め方向にリンス液を吐出する液ナイフ１６と、この液ナイフ１６に向けてエアを噴射するエアノズル３２を有する気体噴射手段とを有する。そして、コントローラ４０による制御に基づき、液ナイフ１６の下方に基板Ｓが存在しないときに、前記エアノズル３２から液ナイフ１６に対してエアが吹き付けられるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングを要する半導体装置の製造工程において、その安定性を向上させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、処理カップＷＣ内で半導体ウェハ１の被処理面Ｓに対し、所望の液体７，９を用いた処理を施す工程であって、はじめに、処理カップＷＣ内に載置した半導体ウェハ１を回転させた状態で、処理カップＷＣの開口部５から、液体供給ノズル６によって半導体ウェハ１に液体７，９を供給し、所望の処理を施す。続いて、半導体ウェハ１に回転を施すことで乾燥させるという、一連の工程からなる。そして、上記の工程中、処理カップＷＣの開口部５を塞ぐようなカバー８を設置することにより、そのカバー８を通じて、処理カップＷＣの外へ飛散しようとする液体７，９を処理容器ＷＣに備えられた液体回収部４に導くことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶物や剥離物等の異物を良好に捕捉する一方で、メンテナンスフリーやランニングコスト削減に貢献する。
【解決手段】剥離装置は、シャワーノズル１８を備えたチャンバ１０もつ処理部１と、薬液を貯溜するタンク２とを有し、このタンク２からシャワーノズル１８に薬液を送液しつつチャンバ１０内の使用済みの薬液をタンク２に回収して再使用するように構成される。チャンバ１０には、その内定部の一部に薬液の排出口１１が設けられ、さらに排出口１１と基板Ｓの処理位置（搬送ローラ１６の位置）との間の部分には、前記排出口１１よりも広い濾過面積をもつフィルタ部材２０が配備されている。 （もっと読む）

【課題】省スペースで、しかも処理液により基板の被処理面を均一に処理するとともに、乾燥不良の発生を防止しながら基板を良好に乾燥させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】保持ローラ１１により直立姿勢に立てた状態で保持された基板Ｗの表裏面Ｗｆ，Ｗｂにそれぞれ、対向部材１２Ａ，１２Ｂが近接しながら離間配置される。間隙空間Ｓ１１，Ｓ１２に処理液（薬液およびリンス液）が液密に満たされた状態に供給され、基板Ｗの表裏面Ｗｆ，Ｗｂが処理液により均一に処理される。また、基板Ｗを乾燥させる際に、処理液が自然落下する状態に基板Ｗが直立姿勢で保持されているので、乾燥ガスの吐出により処理液（リンス液）を押し出すとともに該処理液に作用する重力を利用して基板Ｗの表裏面Ｗｆ，Ｗｂからリンス液が除去される。このため、乾燥不良の発生を防止しながら基板を良好に乾燥させることができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で且つ短時間で、多数のウェーハ形状材料のエッジの不純物回収、洗浄、及びエッチングが可能な装置及び方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ形状材料を実質的に垂直で保持しながら回転させるウェーハ回転手段を備えたウェーハ回転装置と、ウェーハの保持装置と、ウェーハを浸漬させてウェーハエッジ部分から不純物を回収する装置とを備えているウェーハエッジの不純物回収装置であって、ウェーハを浸漬させてウェーハエッジ部分から不純物を回収する手段としての薬液ホルダーと、少なくともウェーハの一部を前記薬液ホルダーの薬液に浸漬させた状態でウェーハをシーケンシャルに、ウェーハの所定部分を所定の回転速度で回転させるウェーハ回転手段を備え、薬液にウェーハを接触させた状態で回転させることにより、ウェーハのエッジ部から不純物を溶出させ、回収する。 （もっと読む）

【課題】ウォーターマークの発生を抑制することができる液処理装置を提供すること。
【解決手段】洗浄処理装置１は、ウエハＷを保持するスピンチャック５９と、ウエハＷに処理液および乾燥ガスを吐出口から吐出方向に吐出する吐出ノズル７５と、吐出口よりも上流側で吐出ノズル７５に接続された吐出ノズルへ処理液を供給する処理液供給機構と、吐出口よりも上流側で吐出ノズル７５に接続された吐出ノズルへ乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給機構と、吐出口よりも上流側で吐出ノズルに接続され、ウエハＷに処理液を吐出させた後で乾燥ガスを吐出する前に、吐出ノズルの内部に残留する処理液を吐出方向と逆方向に吸引する処理液吸引機構１０３ａと、処理液吸引機構に接続され、処理液供給機構と乾燥ガス供給機構から処理液および前記乾燥ガスの一方が吐出ノズルへ供給されるように、処理流体を切り替える開閉バルブ１０２ａ・１０２ｂ・１０２ｄとを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された複雑な構造（トレンチやホール）による乾燥不良を防止する。
【解決手段】処理槽３１において基板９に対する純水による洗浄処理を終了した後に、アルコール供給部３７から処理槽３１にアルコールを供給することにより、処理槽３１内の処理液９１をアルコールで置換する。また、チャンバ４０内の処理槽４１において基板９に対するフッ素系溶媒の液体による洗浄を行い、その後、処理槽４１から基板９を引き上げて、チャンバ４０内でフッ素系溶媒のガスで乾燥処理する。 （もっと読む）

ウエハ(W)から膜(66)を除去する間に処理液体循環システム(73,73’)へ放出される膜の残骸物(66a)の量を減少させることによってフィルタ(80)の洗浄又は交換の頻度を減らす方法が供される。当該方法は、基板処理システム(1)の処理チャンバ(46)内で、上に膜(66)が形成されたウエハ(W)を、処理液体(64)に曝露する工程を有する。前記ウエハ(W)は、回転しないか、又は第1速度(608a,908a,1208a)で回転される。前記処理液体(64)は、前記処理チャンバ(46)から処理液体循環システム(73)へ放出される。その結果、前記処理液体(64,64a,64b)への前記ウエハ(W)の曝露は中断され、前記ウエハ(W)は前記第1速度(608a,908a,1208a)よりも速い第2速度(608b,908b,1208b)で回転することで、該ウエハ(W)から前記膜(66)の残骸物(66a)が遠心状に除去される。それに続いて、前記ウエハ(W)は同一又は異なる処理液体(64,64a,64b)に曝露され、かつ前記処理液体(64,64a,64b)は、前記処理チャンバ(46)から処理液体廃液管(78)へ放出される。
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【課題】フットプリントを小さくすることができ、排気と排液との分離機構を特別に設ける必要がなく、排気カップの全周に亘って均一に排気することが可能な液処理装置を提供すること。
【解決手段】回転カップ４をウエハＷと一体的に回転させるように構成するとともに回転カップ４の外側を囲繞するように環状の排液カップ５１を設け、さらにこの排液カップ５１を収容するように同心状に排気カップ５２を設け、排気カップ５２に取り入れられた気体成分の気流がほぼ全周から排気口７０に向けて流れるように気流を調整する気流調整機構９９ａ，９７を設けて、ウエハＷに処理液を供給しながら液処理を行う液処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセス機器から排出される使用済みの半導体プロセス流体を効率よく回収して有効に再生することができるプロセス流体回収方法およびプロセス流体回収装置を提供する。
【解決手段】 半導体プロセス機器の排出口から再生ラインに使用済みプロセス流体を通流させ、前記半導体プロセス機器の排出口から前記使用済みプロセス流体を再生し、 前記再生ラインに接続された流体センサで前記使用済みプロセス流体の状態を測定し、前記流体センサから制御器へ前記プロセス流体の状態を表わす信号を送るとともに、該信号が所定範囲内にあることを設定し、前記信号が前記所定範囲内に入る場合は前記半導体プロセス機器に前記使用済みプロセス流体を回収し、また前記信号が前記所定範囲から外れる場合は前記使用済みプロセス流体の少なくとも一部をシステムドレインに流す。 （もっと読む）

【課題】 枚葉式の回転式基板処理装置において、使用した薬液の回収率を高める。装置価格を引き下げる。振動を抑える。薬液と廃液の雰囲気分離を行う。
【解決手段】 基板１を水平に支持して回転させる回転機構１０の周囲に、基板１から飛散する液体を受けるカップ２０を設ける。カップ２０に、筒状で昇降式の上段液体ガイド３０及び下段液体ガイド４０を組み合わせる。上段液体ガイド３０は、下方の待機位置で下段液体ガイド４０に重なって、両ガイド間に形成される液体導入口を閉じ、待機位置から上方への回収位置へ移動して、基板１から飛散する第１の液体をカップ２０の外へ導く。下段液体ガイド４０は、待機位置から上方への回収位置へ移動して、基板１から飛散する第２の液体をカップ２０内へ導く。 （もっと読む）

【課題】 回転式基板処理装置において、使用した薬液の回収率を高める。装置価格を引き下げる。振動を抑える。薬液と廃液の雰囲気分離を行う。
【解決手段】 基板１を水平に支持して回転させる回転機構１０の周囲に、筒状で昇降式の上段液体ガイド３０及び下段液体ガイド４０を設ける。上段液体ガイド３０は、下方の待機位置で下段液体ガイド４０に重なって、両ガイド間に形成される液体導入口を閉じ、待機位置から上方の回収位置へ移動して、基板１から飛散する第１の液体を下方に導いて回収する。下段液体ガイド４０は、待機位置から上方の回収位置へ移動して、基板１から飛散する第２の液体を下方に導いて回収する。 （もっと読む）

【課題】 枚葉式の回転式基板処理装置において、使用した薬液の回収率を高める。装置価格を引き下げる。振動を抑える。薬液と廃液の雰囲気分離を行う。
【解決手段】 基板１を水平に支持して回転させる回転機構１０の周囲に、基板１から飛散する液体を受けるカップ２０を設ける。カップ２０に、筒状で昇降式の上段液体ガイド３０及び下段液体ガイド４０を組み合わせる。上段液体ガイド３０は、下方の待機位置で下段液体ガイド４０に重なって、両ガイド間に形成される液体導入口を閉じ、待機位置から上方の回収位置へ移動して、基板１から飛散する第１の液体をカップ２０の外へ導く。下段液体ガイド４０は、待機位置から上方の回収位置へ移動して、基板１から飛散する第２の液体をカップ２０内へ導く。 （もっと読む）

【課題】化学的分離のための装置及び方法を提供する。
【解決手段】処理化学物質又は他の流体が基板の上面又は他の表面上で使用され、脱イオン化水（ＤＩ）又は他の流体の洗浄がそれに続くシリコンウェーハのような基板を処理するための装置及び方法。使用された処理化学物質又は流体は、洗浄流体から２つの流体間の相互汚染が非常に僅かであるか又は全くなく分離される。装置は、環状回収チャンバ及びスピンチャックから成る。化学処理中に、流体は、回転するウェーハの上面又は他の表面上で実質的に水平に流れ、回収チャンバによってその周囲で回収される。化学処理が完了した状態で、回収チャンバは、図２に示すように閉鎖位置まで下方に移動する。次に、ＤＩ水又は他の流体が分注され、チャンバに回収された化学物質又は他の処理流体と混合することなくウェーハを洗浄することができる。 （もっと読む）

（ａ）選択された１種以上のフッ素化物類と（ｂ）選択された１種以上の有機試薬とを混合することによって得られる反応生成物（未反応構成成分を包含するもの）から本質的に成る組成物であって、その場でのフッ化物イオン類の発生を提供する、前記組成物。更には、かかる組成物を形成するためのキット類、およびかかる組成物の使用方法。 （もっと読む）