【課題】 基板を回転させながら所定の処理を施す基板処理装置において、基板を支持部材に均一に押圧させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 スピンベース３０の周縁部には、立設された支持ピン３１０が複数個設けられている。そして、支持ピン３１０に基板Ｗが略水平状態で支持されている。基板Ｗの表面Ｗｆに遮断部材５０を近接して対向配置された状態で、ガス吐出口５０２から所定の角度で基板Ｗにガスを吐出する。これにより、基板Ｗはその上面側に所定の角度で供給されるガスによって、支持ピン３１０に押圧されて確実にスピンベース３０に保持される。 （もっと読む）

【課題】 ニッケルを含む膜を形成する処理容器内をクリーニングすることが可能な半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器内に基板を搬入する工程と、処理容器内にニッケルを含む原料を供給し排気して基板上にニッケルを含む膜を形成する処理を行う工程と、処理容器内から処理済基板を搬出する工程と、処理容器内に基板がない状態で、処理容器内に一酸化炭素を供給し排気して処理容器内に付着したニッケルを含む堆積物を除去する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 高圧蒸気を微小領域に吹き付け、当該微小領域を拡大させることで被洗浄対象物の洗浄を行う洗浄装置を提供する。
【解決手段】 特定部に開口する槽形状の洗浄槽の開口部をエアカーテンにて閉鎖することとし、洗浄槽内に置かれた被洗浄物に対して高圧蒸気を吹き付けるノズルを、該エアカーテンを超えた洗浄槽内に配置することとする。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板を処理する処理液の濃度を求めることができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】薬液を希釈液で希釈した処理液によって基板を処理する基板の処理装置であって、
基板に供給された処理液の厚さを測定する撮像カメラ７と、測定された処理液の厚さと処理時間の関係から処理液に含まれる薬液の濃度を判定する制御装置８を具備する。 （もっと読む）

【課題】短い洗浄時間にて基板の全面を洗浄することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄ヘッド６０の底面には２０個の吐出孔を所定の配列間隔で一列に並べた孔列ＮＲを４列設けている。また、洗浄ヘッド６０の外壁面には圧電素子が貼設されている。洗浄ヘッド６０の内部に洗浄液を供給しつつ、圧電素子により洗浄液に振動を付与することによって、合計８０個の吐出孔６４から直径が一定である洗浄液の液滴を生成して一定速度にて連続して吐出する。洗浄ヘッド６０から液滴を吐出する際には、カバーリンスノズル８０から基板Ｗの上面にカバーリンス液を吐出して液膜を形成しつつ洗浄ヘッド６０を基板Ｗの中心部と端縁部との間でスキャンさせる。８０個の吐出孔６４から液滴を吐出することによって、短い洗浄時間にて基板Ｗの全面を洗浄することができる。 （もっと読む）

【課題】処理空間の開閉動作に伴う基板の汚染を抑制しつつ開閉動作を行うことが可能な高圧処理装置を提供する。
【解決手段】上部材２２と下部材２１とを重ね合わせることにより形成される処理空間２０内にて、基板Ｗに対して高圧の処理流体により処理を行う高圧処理装置において、係止用突起部２１１は前記処理空間２０の外側にて下部材２１に固定して設けられ、前記下部材２１の周方向に沿って互いに間隔をおいて複数配置されると共に、各々横方向に突出してその下面が係止面２１２を形成し、押圧部材２３は上部材２２を下部材２１側に押圧する。また被係止用突起部２３１は押圧部材２３に前記複数の係止用突起部２１１に夫々対応して設けられ、各々横方向に突出してその上面が前記係止面２１２に係止される被係止面２３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】処理部から排出される排液を回収して再利用するにあたりより多くの量の排液を回収することができ、このため純水の使用量を低減することができるのでコストを低減することができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体を提供する。
【解決手段】排出部４０の下流側には第１の排液ライン４２ｂおよび第２の排液ライン４４ｂが分岐して接続され、第１の排液ライン４２ｂおよび第２の排液ライン４４ｂからそれぞれ処理液供給部３０に排液が回収液として互いに独立して送られる。排出部４０から第１の排液ライン４２ｂまたは第２の排液ライン４４ｂへの排液の流れの切り替えを行う切り替え部４１が設けられている。処理液供給部３０は、第１の排液ライン４２ｂから送られた回収液および第２の排液ライン４４ｂから送られた回収液を選択的に処理部１０に供給する。 （もっと読む）

物体の統合されたクリーニングのための方法及び装置は、同じプロセスチャンバにおける一連の湿式クリーニング及び真空乾燥を含む。本発明の統合されたクリーニングプロセスは、部材の移動を排除することができ、システム信頼性を高める。クリーニングされた物体を脱気及び汚染除去するために、真空汚染除去を提供することができる。１つの実施の形態において、クリーナシステムは、例えばスループットを高めるために、様々な移動を、ロボットによって行われる統合された移動に組み合わせる。例えば、統合されたロボット移動は、閉鎖された容器をインプットロードポートから取り上げ、蓋及び本体を一緒に移動させ、次いで、本体及び蓋を別々に、クリーニングされるためにクリーナの適当な位置へ配置することを含む。
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【課題】露光装置の露光空間を構成する部材を良好に洗浄することにより、露光不良によるデバイスの欠陥を低減する露光装置及び露光装置の洗浄方法を得ることを課題とする。
【解決手段】露光装置の投影光学系の最終面とこの最終面に対向する基板ステージの表面との間の空間を形成する部材を洗浄するために、洗浄液又はリンス液を吐出する洗浄ノズルと、この洗浄ノズルに前記洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記洗浄ノズルに前記リンス液を供給するリンス液供給手段と、前記洗浄液供給手段及び前記リンス液供給手段の供給を制御する制御手段とを備え、この制御手段は、前記洗浄ノズルから洗浄液を吐出する前後に、前記リンス液を洗浄液の吐出に連続して供給するように制御することができる。 （もっと読む）

【課題】薬液の使用量を抑えながら、基板の処理を均一に行う。
【解決手段】基板１を移動しながら、薬液タンク２３から薬液ノズル２１へ薬液２を供給し、薬液ノズル２１から基板１へ薬液２を吐出し、薬液ノズル２１から基板１へ吐出した薬液２を回収して薬液タンク２３へ戻す。薬液タンク２３から薬液ノズル２１へ供給する薬液２の濃度を検出し、薬液２の濃度の検出結果に基づき、基板１の移動速度を変更する。そして、薬液ノズル２１から基板移動方向側に離して配置された洗浄液ノズル３１から基板１へ洗浄液を吐出して、基板１から薬液２を洗い流す。 （もっと読む）

【課題】液化炭酸ガスの蒸留過程における加熱および冷却に必要なエネルギーを、相互に交換して利用することにより、工程全体に必要なエネルギーを低減することのできる炭酸ガス洗浄装置および炭酸ガス洗浄方法を提供する。
【解決手段】クリーニングブロックＡの蒸発器４および凝縮器５を用いた炭酸ガスの蒸留操作により、洗浄槽１から回収された液化炭酸ガスに混入した不純物を除去して、この蒸留後の液化炭酸ガスを洗浄に再使用する炭酸ガス洗浄装置において、炭酸ガス蒸留工程の蒸発器４に温熱を供給する温熱供給手段の一部である加熱用熱交換器１２と、同じ炭酸ガス蒸留工程の凝縮器５に冷熱を供給する冷熱供給手段の一部である冷却用熱交換器１３と、圧縮機１０および膨張弁１１を備えたヒートポンプを構築し、このヒートポンプ内の作動流体を通じて、上記蒸発器４側で必要な熱量（温熱）と、上記凝縮器５側で必要な熱量（冷熱）とを輸送・交換する。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を含んだ二酸化炭素を超臨界状態の洗浄剤として、この洗浄剤を洗浄チャンバー内に配された被洗浄物に接触させることにより、前記被洗浄物の洗浄を行う洗浄方法及び洗浄装置において、洗浄時間の短縮化を図ること。
【解決手段】界面活性剤と有機溶剤と超臨界状態の二酸化炭素を混合し、混合流体を被洗浄物に接触させて洗浄する洗浄方法において、前記混合を管内混合手段で行い、該管内混合手段の直後に被洗浄物を配置するとともに、前記混合流体においての重量割合は、二酸化炭素に占める有機溶剤の重量割合を２０％以下とし、かつ界面活性剤の重量比率を有機溶剤と略同重量としたことを特徴とする洗浄方法及び洗浄装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、不揮発性記憶装置の表面に形成された壁体間に残留する液体の表面張力の影響を抑制することができるとともに、ガルバニック腐食を抑制することができる不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の状態と第２の状態との間を可逆的に遷移可能な記憶層を有する不揮発性記憶装置の製造方法であって、壁体が形成された基体の表面に水よりも表面張力が小さくかつ水と実質的に相溶性のない液体を供給し、前記基体の洗浄を行う工程を有すること、を特徴とする不揮発性記憶装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の平面度を維持しながら洗浄を行い、被洗浄物の反り、破損及び被洗浄物の下面側に洗浄液が液侵するのを抑制しつつ、被洗浄物の支持体との接触部分の洗浄残の発生を抑制できる枚葉式洗浄装置。
【解決手段】円筒状の凹部及び該凹部の内壁面に沿って気体を吐出する吐出口を有する旋回流形成部を上面部に複数有し、被洗浄物の直下に配設される吸着浮上テーブルと、吸着浮上テーブルの周辺に配設され、吸着浮上テーブルの直上の被洗浄物の側面を支持する支持体を有し、支持体で支持した被洗浄物を中心軸で回転させるスピンテーブルとを具備し、被洗浄物を非接触な状態で吸着浮上させつつ、支持体で被洗浄物の側面を支持し、スピンテーブルによって前記被洗浄物を中心軸で回転させて上面を洗浄するものであることを特徴とする枚葉式洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】基板から離脱した汚染物質による処理槽の汚染を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理槽１０の下方に下部タンク４０を設けている。リフター５０によって基板Ｗを投入する前に、排液バルブ１５を開放して処理槽１０の底部から下部タンク４０に一旦全ての処理液を排出する。下部タンク４０から処理槽１０に処理液が再供給される過程において、全ての処理液が循環ライン２０に設けられたフィルタ２３を通過することとなるため、処理液に含まれている全ての汚染物質がフィルタ２３によって取り除かれる。このため、基板Ｗから処理液中に離脱した汚染物質が処理槽１０に付着して汚染するのを防止することができる。また、そのような汚染物質が基板Ｗに付着するのを防止することもできる。 （もっと読む）

【課題】大型化することなく、処理室内からの処理流体を含む排気を、所望の個別排気管に良好に導くことができる基板処理装置を提供すること。また、３つの個別排気管が全て閉塞することを確実に防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理室からの排気が集合管４５に導入される。排気切換器５０は、集合管４５から排気が導入される排気導入室５４と、排気導入室５４の内部に回転可能に設けられた回転板５５とを備えている。排気導入室５４の側壁５９には、３つの導出接続孔６２，７２，８２が、回転軸線Ｃを中心とする円周上に等角度間隔に貫通して形成されている。各導出接続孔６２，７２，８２には、個別排気管６０，７０，８０の上流端が接続されている。回転板５５の回転軸線Ｃまわりの回転に伴って、選択孔４９が３つの導出接続孔６２，７２，８２と順に対向する。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面の汚染に起因するパターン不良を十分に防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面に膜が形成される前に、密着強化ユニットＡＨＬにより基板Ｗの密着強化処理が行われる。密着強化ユニットＡＨＬにおいては、基板Ｗが基板載置プレート９３１上に載置される。この状態で、基板Ｗの裏面は複数の球体ＰＵおよび環状部材９３５により支持される。基板Ｗの裏面の周縁部は環状部材９３５に当接する。基板Ｗの裏面と基板載置プレート９３１の上面との間に隙間空間ＢＳが形成される。基板Ｗの表面に密着強化剤が供給される際には、第１の排気装置９９０により隙間空間ＢＳの内部の雰囲気が排気され、隙間空間ＢＳの外周部が環状部材９３５により閉塞される。密着強化処理後の基板Ｗの表面には膜が形成される。その後、基板Ｗの裏面が洗浄される。裏面が洗浄された基板Ｗは露光装置へ搬送される。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で実施可能であり、微細パターンが形成されている基板をその微細パターンに悪影響を与えることなく短時間で洗浄するための基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】微細パターンが表面に形成された基板としてのウエハＷの洗浄処理を、ウエハＷの表面に所定の加工を施す処理チャンバからウエハＷの洗浄を行う洗浄チャンバへ搬送する搬送ステップと、洗浄チャンバ内においてウエハＷを所定温度に冷却する冷却ステップと、超流動体としての超流動ヘリウムをウエハＷの表面に供給し、ウエハＷの表面から超流動ヘリウムを流し出すことによって微細パターン内の汚染成分を押し流す超流動洗浄ステップにより行う。 （もっと読む）

【課題】減圧に伴って樹脂成形体等の被処理体が発泡してしまう問題を解決する技術を提供する。
【解決手段】高圧処理チャンバー内で、被処理体と高圧流体とを接触させることで被処理体の高圧処理を行った後、大気圧まで減圧するための高圧処理方法であって、複数の減圧工程を含み、高圧処理直後の第１減圧工程では、上記チャンバー内の高圧流体の密度を略同等に維持しつつ減圧することを特徴とする高圧処理方法である。 （もっと読む）

【課題】一定の条件の下で基板を処理することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、複数のガード１４〜１７と、各ガード１４〜１７を個別に昇降させる昇降機構４０〜４３と、制御部１０とを備えている。各ガード１４〜１７は、スピンチャック２の周囲を取り囲む筒状部１８ｅ、１９ａ、２０ａ、２１ａと、筒状部１８ｅ、１９ａ、２０ａ、２１ａの上端部全周から内方に延びる環状の延設部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂとを有している。各延設部１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂは、他の延設部と内径Ｄ１が揃えられ、他の延設部と上下に重なり合うように配置されている。制御部１０は、いずれのガード１４〜１７を基板Ｗの周端面に対向させるときでも、スピンチャック２による基板保持位置Ｐ１からの内周部１８ｃ、１９ｃ、２０ｃ、２１ｃの高さが等しくなるように昇降機構４０〜４３を制御する。 （もっと読む）