レーザパルス整形技術は、調整されたレーザパルススペクトル出力（６４，６６）を生成する。レーザパルスは、所望のパルス幅とパルス形状（例えば、サブナノ秒から１０ｎｓ〜２０ｎｓのパルス幅で立ち上がりエッジの立ち上がり時間は１ｎｓ〜数ナノ秒）を有するようにプログラムすることができる。望ましい実施形態は、入射パルスレーザ出射（１０６，１１２，１１４）の量を選択的に変更して調整されたパルス出力を形成する駆動信号を受け取る１以上の電気光学変調器（２５０，２５４）を用いて実装することができる。駆動信号をパルスレーザ出射からトリガすることにより、リンク加工システムの他ステージに関連するジッタを抑制し、パルスレーザ出射に関連するジッタを実質的に除去することができる。 （もっと読む）

光学的に透明な材料の超短パルスレーザ処理のための方法、デバイス、及びシステムが、スクライビング、マーキング、溶接、及び接合における例示的な用途に関して開示される。例えば、超短レーザパルスは、材料にわたるレーザビームの１回のパスによってフィーチャをスクライブし、スクライブフィーチャの少なくとも１つのフィーチャは材料の表面下に形成される。超短パルスレーザ処理条件をわずかに修正することによってサブ表面マークを生成する。適切に配列されると、これらのマークは正しく位置合わせされた照明によって明瞭に見える。反射マークもまた、レーザパラメータの制御によって形成される可能性がある。ガラス以外の透明材料を使用し得る。透明材料を溶接する方法は超短レーザパルスを使用して局在化した加熱を通して接合を生成する。透明材料処理の一部の実施形態では、多焦点ビーム発生器は透明材料に対して深さ方向に離間した複数のビームウェストを同時に形成し、それにより処理速度を高める。
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【課題】 レーザー核融合炉用ドライバーとして好適なレーザー装置を提供する。
【解決手段】 レーザー装置１においては、レーザー媒質１８のレーザー光入出射面１８ａが沿う正多角形がｎ辺からなり、レーザー光が出射したレーザー媒質１８からｋ辺目のレーザー媒質１８にレーザー光が入射するとき、ｋ辺目のレーザー媒質１８のレーザー光入出射面１８ａに対するレーザー光の入射角θ（度）は、０．９×９０×（ｎ−２ｋ）／ｎ≦θ≦１．１×９０×（ｎ−２ｋ）／ｎ、ここで、「ｎ＞３，ｋ≧１」、「ｋ＜ｎ／２」、「ｋ＞１のとき、ｎ／ｋは整数でなく且つ（ｎ及びｋの最小公倍数）≧ｎ×ｋ」なる関係式を満たしている。これにより、レーザー媒質１８の全てを利用して、レーザー媒質１８間においてレーザー光を行き来させ、レーザー光を増幅して出力することができる。 （もっと読む）

【課題】直接変調された半導体レーザを種光源として使用したＭＯＰＡ構造のパルス光源であって、サブナノ秒のパルス幅を有するパルス光を容易に出力することができるパルス光源を提供することを目的とする。
【解決手段】パルス光源１は、種光源１０、ＹｂＤＦ（Yb-Doped Fiber）２０、バンドパスフィルタ３０、ＹｂＤＦ４０およびＹｂＤＦ５０等を備えていて、ＭＯＰＡ構造を有している。バンドパスフィルタ３０は、種光源１０から出力され第１段のＹｂＤＦ２０により増幅されたパルス光を入力して、その入力したパルス光の波長帯域のうちの短波長側および長波長側の一方を他方より減衰させて出力する。ＹｂＤＦ４０およびＹｂＤＦ５０は、バンドパスフィルタ３０から出力されたパルス光を増幅して出力する。 （もっと読む）

本明細書では、発振器キャビティ長Ｌ₀を有して発振器経路を定める発振器と、発振器経路を含んで長さＬ_combinedを有する結合光キャビティを確立するために発振器に結合された多重通過光増幅器とを含むことができる装置を説明し、ここで、Ｌ_combined＝（Ｎ＋ｘ）×Ｌ₀であり、「Ｎ」は整数、かつ「ｘ」は、０．４と０．６の間の数である。 （もっと読む）

レーザ光源は、パルス動作用に適合される半導体レーザと、部分伝達型で波長選択性の光反射器とを具える。半導体レーザは前面ファセットと後面ファセットとを具える。前面ファセット及び後面ファセットは内部レーザキャビティを規定する。内部レーザキャビティはレーザ活性媒体を具える。部分伝達型で波長選択性の光反射器は前記レーザ活性媒体の利得帯域幅内にピーク反射率を有する。波長選択性の光反射器及び後面ファセットは外部レーザキャビティを規定する。外部レーザキャビティ中の光の往復時間は約２０ナノ秒又はそれ未満である。波長選択性の光反射器の全幅半値帯域幅は、少なくとも１２の内部レーザキャビティの縦モードと、少なくとも２５０の外部レーザキャビティの縦モードとを収容するように適合される。 （もっと読む）

ポンプレーザビーム入力（１２）と、非線形のレーザ媒質（１３）と、複数の共振器ミラー（Ｍ）と、第１の出力結合器ミラー（ＯＣ１）と、第２の出力結合器ミラー（ＯＣ２）とを有し、出力結合器手段は、第１の分光特性を有するレーザ放射を結合出力するように配置され、第２の出力結合器ミラー（ＯＣ２）は、第１の分光特性と異なる第２の分光特性を有するレーザ放射を結合出力するように配置されることを特徴とするモードロック短パルスレーザ共振器（２）。 （もっと読む）

１ｐｓ〜１マイクロ秒の間の範囲のパルス幅を有するコヒーレントなパルス紫外光を生成するための装置は、可視光または近赤外周波数範囲の１つ以上の光源レーザを含む。本装置はまた１つ以上のＦＣ段を含み、１つ以上のＦＣ段の少なくとも１つは、非線形ＦＣデバイスと１つ以上の光学素子とを含む。光学素子は反射器、集束素子、偏光制御光学系、波長分離器、または光ファイバ部品を含む。ＦＣデバイスは、１９０〜３５０ｎｍの間の波長を有するＦＣ光を生成するように構成されたハンタイト型アルミニウム複合ホウ化物の非線形光学材料を含む。非線形光学材料は１９０〜３５０ｎｍの波長範囲で７０％より高い光透過率によって特徴付けられる。 （もっと読む）

【課題】狭帯域発振段レーザからのシード光のほとんどを増幅段レーザの注入光とすることができる露光用狭帯域レーザ装置を提供すること。
【解決手段】狭帯域発振段レーザ（ＭＯ）１０と共振器を配置した増幅段レーザ（ＰＯ）２０とからなる注入同期式放電励起レーザ装置において、狭帯域発振段レーザ（ＭＯ）１０と増幅段レーザ（ＰＯ）２０の間に一方向ビーム発散装置５を設ける。一方向ビーム発散装置５は、シード光を線状に集光させたり、増幅段レーザ（ＰＯ）のＯＣの手前の位置に虚像の集光点を形成させ、集光点から一方向に発散したＭＯレーザ光をシード光として、増幅段レーザ（ＰＯ）の共振器に注入する。これにより、狭帯域発振段レーザ（ＭＯ）１０からのシード光のほとんどを増幅段レーザ（ＰＯ）への注入光として使用することができ、シード光の注入効率を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】光パルスの線型チャープを維持しながら増幅及び広帯域化をするのに適した媒質を容易に得ることができ、設計が容易で低コストのパルス増幅器及びそれを用いたパルス光源を提供する。
【解決手段】パルス光源は、種パルスとしての入力パルス１０を出力する種パルス発生器１と、パルス増幅器２と、パルス増幅器２から出力される光パルスを分散補償する分散補償器３と、を備える。パルス増幅器２は、交互に多段接続されたDCF４及びEDF５を備え、入力パルス１０を、線形チャープを有する光パルスにして出力する。DCF４の分散の絶対値がEDF５の分散の絶対値よりも大きい。 （もっと読む）

誘導ビリルアン散乱に対するしきい値を増大するための方法およびシステム。シード源は、パルス持続時間τおよび周波数チャープを特徴とする１つ以上のチャープド・シード・パルスを生成することができる。このパルス持続時間は、約２ナノ秒より長くてもよい。フォトニック結晶増幅器は、約１キロワットより大きいピーク電力Ｐを特徴とする１つ以上の増幅パルスを生成するためにシード・パルスを増幅する。パルス持続時間τ、周波数チャープおよびフォトニック結晶ファイバは、フォトニック結晶ファイバの誘導ビリルアン散乱（ＳＢＳ）に対するしきい値が、ピーク電力Ｐより大きくなるように選択することができる。
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【課題】より高性能な並列演算をより高速に行うことができる光並列演算素子を提供する。
【解決手段】本光並列演算素子は、隣接して設けられる複数の光学セル１１を有する。各光学セル１１は、上部に光の入射部を有するとともに、隔壁１２と底部１３で区画化された空間に、光の情報を受けたときに応答する光応答性物質１４を収容し、隔壁１２には規定波長以上の光は透過し規定波長以下の光は遮断する光学窓１５を備え、底部１３には上方から入射した光を反射して隔壁１２の光学窓１５を介して隣接した光学セル１１に導くためのミラー１６が設けられている。光学セル１１への波長の異なる光の照射を制御することにより、隣接する光学セルとの光の遣り取りを行い、両光学セル間のアナログ演算を行う。 （もっと読む）

フォトリソグラフィにおける集積回路製造のためのレーザ光源としてのような線狭化用途におけるような使用されるエキシマ又は分子フッ素レーザシステムのようなＤＵＶガス放電レーザシステムにおけるような帯域幅の能動制御の技術を提供する。開示の主題の実施形態の態様により、誤差信号に基づいて帯域幅制御に向けて又はいかなるビーム倍率制御を利用することなく帯域幅以外の別のレーザ作動パラメータの制御に向けて、シードレーザ及び増幅器レーザにおけるガス放電間の差動タイミングを調節する段階、又は誤差信号に基づいて帯域幅制御に向けて又は帯域幅制御以外に対してビーム倍率制御を利用しながら帯域幅以外の別のレーザ作動パラメータの制御に向けて、シードレーザ及び増幅器レーザにおけるガス放電間の差動タイミングを調節する段階、及び誤差信号に基づいて帯域幅制御に向けて又は誤差信号に基づく帯域幅制御に向けたビーム倍率制御を利用しながら帯域幅以外の別のレーザ作動パラメータの制御に向けて、シードレーザ及び増幅器レーザにおけるガス放電間の差動タイミングを調節する段階を含むことができる方法及び装置を開示する。 （もっと読む）

超短パルスを発生させるレーザヘッドが、ヘッド内で能動的ビームステアリングデバイスと一体化されている。適切なインターフェースプロトコルを用いた照射システムとの直接結合により、能動素子を照射システムによって直接に制御することが可能になる。
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本発明の様々な実施形態は、フォトニック格子を使用する電磁波増幅システムに関する。本発明の一実施形態では、電磁放射増幅システム（９００，１３００，１６００）は、フォトニック格子（２００〜５００）とポンプ源（９０２，１３０２，１６０２）とを有する。フォトニック格子は、スラブ（２０２〜４０２）内の穴の平面周期格子で構成される。ポンプ源は、フォトニック格子に結合され、フォトニック格子の電子エネルギー状態を励起する電子的刺激を出力し、それにより、フォトニック格子に入射する電磁放射コヒーレントビームが、電磁放射コヒーレントビームを増幅するコヒーレント電磁放射の放出を刺激する。
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光導波路（１００）は、コア（ＣＯＲ１）と、コア（ＣＯＲ１）を囲むバッファ（ＢＵＦ１）と、バッファ（ＢＵＦ１）を囲むクラッド（ＣＬＤ１）とを備え、コア（ＣＯＲ１）、バッファ（ＢＵＦ１）およびクラッド（ＣＬＤ１）は石英ガラスから成り、バッファ（ＢＵＦ１）の屈折率（ｎ_ＢＵ）は、純アモルファス石英ガラスの屈折率に実質的に等しい。バッファ（ＢＵＦ１）は製造中の気泡形成を減少させ、光導波路（１００）の接合を容易にし得る。光導波路（１００）の開口数は、コア（ＣＯＲ１）の屈折率（ｎ_ＣＯ）の変化を補償するために、バッファ（ＢＵＦ１）の半径寸法（ｂ１）を調整することによって微調整され得る。
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【課題】簡易な構成で安定動作を行うことができるノイズライクレーザ光源および広帯域光源を提供する。
【解決手段】ノイズライクレーザ光源２は、ミラー１１およびファラデ回転ミラー１２からなるファブリペロ型の共振器の共振光路上に、ファラデ回転子１３、増幅用光ファイバ２１、分散シフト光ファイバ２２、分散調整用光ファイバ２３、偏光ビームスプリッタ３１、１／２波長板３２、１／４波長板３３〜３５、レンズ４１および光カプラ５２を備え、更に、レンズ４２、励起光源５１および光増幅器６１を備える。ファラデ回転ミラー１２およびファラデ回転子１３は、増幅用光ファイバ２１から放出された光の２つの偏光モードが共振器内を伝搬する間に生じる位相差を補償する位相補償手段として作用する。 （もっと読む）

【課題】所望のスペクトル幅を有するレーザ光を所望の強度で出力することができるレーザ装置を提供すること。
【解決手段】所定の波長帯域の光を選択的に反射する反射手段を少なくとも一端に備えた光共振器と、前記光共振器内に配置した光増幅媒体とを有し、出力光強度に応じてスペクトル幅が変化するレーザ光を出力するレーザ光源部と、前記レーザ光源部に接続し該レーザ光源部が出力した前記レーザ光を増幅して増幅レーザ光を出力する光増幅部と、前記レーザ光源部と前記光増幅部とに接続し、前記光増幅部が出力する前記増幅レーザ光が所望のスペクトル幅を有するように前記レーザ光源部が出力する前記レーザ光の強度を制御するとともに該増幅レーザ光を所望の強度に制御する光出力制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
オシレータおよびアンプを備えた多段増幅型レーザ装置でオシレータおよびアンプのチャンバを効率よく利用することによって作業労力や交換部品を低減する。
【解決手段】
一定期間が経過するタイミングでオシレータおよびアンプのチャンバを交換する際に、オシレータおよび１以上のアンプのうちチャンバの劣化許容限度が低い箇所からチャンバを取り外し、そのチャンバをオシレータおよび１以上のアンプのうちチャンバの劣化許容限度が低い箇所以外の箇所に取り付ける。こうしてオシレータおよび１以上のアンプのうちチャンバの劣化許容限度が低い箇所で使用したチャンバの劣化度の余裕分を、オシレータおよび１以上のアンプのうちチャンバの劣化許容限度が低い箇所以外の箇所で消費する。 （もっと読む）

【課題】レーザパルスのキャリアエンベロープ位相を安定化させる。
【課題手段】レーザ装置１００を用いて生成されるレーザパルスのキャリアエンベロープ位相を安定化させる方法であって、光源部１０を用いてレーザパルスを生成する工程と、増幅器２０を用いてレーザパルスを増幅させる工程と、増幅器２０を用いて増幅されたレーザパルスから得られた増幅器出力信号を生成する工程と、増幅器出力信号に基づき増幅器のループ５０を用いてレーザパルスのキャリアエンベロープ位相を制御する工程とを含む。該制御工程は増幅器出力信号に従って増幅部２０の光路を調整する工程を含む。該調整工程は増幅部２０の光路内に分散性物質を位置させることを含む。さらにレーザパルスのキャリアエンベロープ位相を安定化させるための安定化装置と共に、少なくとも一の安定化装置からなるレーザ装置についても記述されている。 （もっと読む）