【課題】紫外線を対象物の表面にライン状に照射するにあたって、ラインの幅内の強度変化を抑制するとともに、対象物との距離変化による強度変化も抑制することができる紫外線照射装置を提供する。
【解決手段】紫外線照射装置１は、複数のレーザダイオード２が並べて実装される２枚の基板３を備える。基板３の一面には、長手方向に沿ってレーザダイオード２が１列に並んで実装される。基板３は、長手方向を平行にして配置される。レーザダイオード２から放射される紫外線は、回折光学素子５により基板３の長手方向にのみ放射範囲が広がるように伝播方向が制御される。レーザダイオード２から放射される紫外線は回折光学素子５で回折されることにより所定の照射面にライン状の照射領域を形成し、この照射面において、各基板３に配置されたレーザダイオード２が形成する照射領域が重ね合わされる。 （もっと読む）

【課題】位置合わせが容易で、汎用や市販の発光素子や受光素子ないしは、汎用や市販の反射型フォトセンサ等を使用することができ、安価に構成可能な光送受信装置およびそれを用いた光送受信システムを提供する。
【解決手段】ＰＯＦ５の一端８を、ＰＯＦの中心軸９に垂直な面に対し角度を有する斜端面とし、この斜端面付近に発光素子１と受光素子３を配置し、ＰＯＦの他端１３付近に検出物体６を配置する。ＰＯＦからの光を、集光手段２を用いてＰＯＦの斜端面より入射し、ＰＯＦ中を伝送させて、ＰＯＦの他端から出射させる。この出射光の少なくとも一部を、他端付近に設置されている被検出体により、再度ＰＯＦの他端より入射させる。被検出体からの入射光はＰＯＦ中を伝送し、斜端面から出射される。出射光を、集光手段４を用いて受光素子にて検知し、その信号をデジタル化した後に閾値処理を含むデジタル信号処理を施す構成とする。 （もっと読む）

【課題】 光半導体装置表面に、所望の構造のレンズを安定的に形成することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 光透過性樹脂により封止されている光半導体装置の表面に、切削加工により、連続する凹状部で囲まれた中央に凸形状の台座部を形成し、この台座部上にＵＶ硬化樹脂を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることにより、レンズを形成する。 （もっと読む）

【課題】 光ピックアップ装置の小型化を可能にする半導体レーザ装置を提供し、小型化が可能な光ピックアップ装置を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ装置１０００Ａの青紫色発光点１１、赤外発光点３１および赤色発光点２１は、この順でＹ方向に沿って略直線上に並ぶように配置されている。青紫色発光点１１から出射される青紫色レーザ光および赤色発光点２１から出射される赤色レーザ光は、偏光ＢＳ９０２、コリメータレンズ９０３、ビームエキスパンダ９０４、λ／４板９０５、対物レンズ９０６、シリンダレンズ９０７および光軸補正素子９０８からなる光学系により光ディスクＤＩに入射し、光ディスクＤＩから帰還し、ともに光検出器９０９ａに導かれる。赤外発光点３１から出射される赤外レーザ光は、上記の光学系により光ディスクＤＩに入射し、光ディスクＤＩから帰還し、光検出器９０９ｂに導かれる。 （もっと読む）

第１の波長を有する出力ビームを放射する半導体レーザー、出力ビームを第２の波長に変換する波長変換素子、及び波長変換素子の入射面の導波路部分に出力ビームを光学的に接続する適応光学系を有する光学パッケージの位置合わせ方法であって、波長変換素子の入射面上を第１の走査軸に沿って半導体レーザーの出力ビームを走査したとき、波長変換素子のバルク結晶部分から放射又は散乱された第１の波長を有する光のパワーが測定される。次に、入射面上を第２の走査軸に沿って出力ビームを走査したとき、波長変換素子から放射された光のパワーが測定される。波長変換素子の端部に相対する第２の走査軸は、第１の波長を有する光の測定パワーに基づいている。次に、第２の波長を有する光の測定パワーに基づいて、出力ビームが入射面の導波路部分に位置合わせされる。 （もっと読む）

【課題】光ファイバと光半導体素子との間の光軸のずれを、簡易な構成で抑制することができる光半導体素子収納用パッケージ、および光半導体装置を提供する。
【解決手段】光半導体素子収納用パッケージは、基体２と、基体２の上面に接合され、一側部に貫通孔３ａが形成された枠体３と、枠体３の貫通孔３ａ周囲の外側面に接合され、光ファイバ５を保持するための保持部材４と、枠体３の貫通孔３ａ周囲の内側面から突出し、光ファイバ５と対応する位置に設けられるべき光半導体素子７を支持するための支持部材６とを備える。 （もっと読む）

【課題】光学素子と光ファイバとの相対位置を容易に調整することができる、光通信モジュールを提供する。
【解決手段】光送信モジュール１では、ガラスエポキシ基板２の表面およびＩＣチップ７を封止する樹脂パッケージ１１に、発光素子１５の配置用の凹部１２が形成されている。そして、凹部１２の底面には、ガラスエポキシ基板２の一部が発光素子１５との電気接続のための端子１３として露出している。そのため、凹部１２内に発光素子１５を配置することにより、発光素子１５とガラスエポキシ基板２との電気的な接続を達成することができる。そして、凹部１２内において発光素子１５の位置に自由度があるので、発光素子１５に対して光ファイバ１９を光学的に接続する際に、発光素子１５および光ファイバ１９の両方の絶対位置（樹脂パッケージ１１に対する位置）を調整して、それらの相対位置を容易に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】光集積デバイスにおける光半導体素子と光導波路との間の光結合効率を高めることができ、温度特性の向上をはかる。
【解決手段】基板上に光半導体素子と光導波路を集積化した光集積デバイスであって、基板１１上の一部に設けられた下部クラッド層１２と、基板１１上に設けられ、光出射端面又は光入射端面を下部クラッド層１２の一端面に対向させて配置された光半導体素子１５と、下部クラッド層１２上に設けられ、先端部分が下部クラッド層１２の一端部に向けてテーパー状に絞られた光導波路１３と、光半導体素子１５の光出射端面又は光入射端面と光導波路１３の先端部分とを結ぶ線に沿って、下部クラッド層１２上及び光導波路１３の先端部分上に設けられた、下部クラッド層１２よりも屈折率の大きな上部クラッド層１４とを備えた。 （もっと読む）

【課題】光素子とカバーガラスとの距離の精度を高めることのできる光モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】パッケージ１０内にＶＣＳＥＬ２０を有する光モジュール１の製造方法において、パッケージ１０は、開口部１１と、開口部１１が覆われた状態で内部に注入可能な第１注入口１２Ａ及び第２注入口１２Ｂとを有し、パッケージ１０の内部にＶＣＳＥＬ２０を設置する設置工程と、ＶＣＳＥＬ２０が設置されたパッケージ１０の開口部１１にカバーガラス４０を覆設する覆設工程と、カバーガラス４０が覆設されたパッケージ１０における第１注入口１２Ａ及び第２注入口１２Ｂのうち、一方の注入口から内部に樹脂３０を注入する注入工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】光素子とカバーガラスとの距離の精度を高めることのできる光モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】受光及び発光のうち少なくとも一方を行う受光部２１を有するＶＣＳＥＬ２０を内部に含む光モジュール１の製造方法において、開口部１１を有するパッケージ１０の内部に、発光部２１を開口部１１に向けてＶＣＳＥＬ２０を設置する設置工程と、パッケージ１０に所定熱量を付与する付与工程と、所定熱量が付与されたパッケージ１０の内部のＶＣＳＥＬ２０に、光透過性を有する樹脂３０を所定量塗布する塗布工程と、開口部１１をカバーガラス４０で封止する封止工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】面発光型半導体レーザの２次元アレイ素子を位置精度よく取付けし、発光源から射出される光ビームの射出角を容易に補正することができる発光装置、マルチビーム光源装置、マルチビーム走査装置及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】複数の発光素子が同一平面に垂直に光ビームを出射するように配列された発光素子アレイ２４５が、パッケージ２４６の主面３０１に垂直な光ビームを出射するようにパッケージ２４６に収容してなる発光装置２０１であって、発光装置２０１を取付ける取付部材にパッケージ２４６が当接されて取付けられる際の光ビームの光軸方向を補正するために、パッケージ２４６の取付部材側の面の複数の箇所に、光軸方向を補正する角度に応じた高低差を有する複数の凸部３１２が設けられることを特徴とする発光装置２０１、及びこの発光装置２０１を用いたマルチビーム光源装置、マルチビーム走査装置及び画像形成装置。 （もっと読む）

【課題】 自己形成光導波路の製造において、未硬化の光硬化性樹脂を取り除く工程を経ることなく、きわめて簡単に製造することが可能な自己形成光導波路の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 光硬化性樹脂１０へ照射する光５のエネルギ量を照射すべき部位によって差を設けることにより光硬化樹脂１０の硬化に伴う屈折率の変化に相違を生じさせ、それによってコア部１１とクラッド部１２を形成することを特徴とする。光硬化樹脂１０は照射する光５のエネルギによって硬化すると共に屈折率が上昇する。そこで、コア部１１になるべき部分により多くの光のエネルギを与え、それ以外の部分にはそれよりも少ない光のエネルギを与えることで屈折率に相違を生じさせ、それによってコア部１１とクラッド部１２をそれぞれ形成するものである。 （もっと読む）

【課題】 ＰＤ等の光デバイスに対する厳密な位置合わせを必要とする光配線の位置ズレトレランスを上げ、より光結合効率の高い自己形成光導波路を簡易且つ安価に製造する方法、及びそのような自己形成光導波路を備えた光デバイスを提供する。
【解決手段】 光硬化性樹脂４０に光５を照射することにより光５を透過させた部分を硬化させ、それによって光接続手段である光導波路を形成する自己形成光導波路３の製造方法において、レンズ３５によって屈折させた光５を光硬化性樹脂４０に照射することによって略テーパ形状の光接続手段である自己形成導波路３を形成することを特徴とするとし、光デバイスはそのような自己形成光導波路３を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コスト化を実現すると共に装置構成を簡略化し、更に、小型化を可能にした光源装置及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】光源装置２は、レーザ発振時にレーザ光２０を発光面２２に対して垂直に射出する少なくとも一つの発光素子２４を有する発光部１０と、特定波長の光を選択的に発光素子２４に戻すことによって、発光素子２４を特定波長でレーザ発振させる外部共振器１６と、発光部１０、及び、外部共振器１６が固定されたベースプレート１８と、発光素子２４と外部共振器１６との間で、且つ、発光素子２４の表面より離れたレーザ光２０の光路上に配置固定され、レーザ光２０の進行方向を変える光学素子１２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能で、かつ、半導体発光素子とレンズとの距離を設計値通りに一定に保つことができ、更に、組立の効率化を図ることができる光半導体モジュール用金属ステム、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属ステム１ａのベース部１１ａ外周部には、環状溝部１５が形成されている。光透過キャップ３ａを金属ステム１ａに抵抗溶接する際には、金属キャップ３ａのフランジ部３３の端面３５が金属ステム１ａのベース部１１ａの表面１６に当接する。したがって、受／発光素子２の光軸に対するレンズ４の光軸の傾斜を抑制することができ、かつ、受／発光素子２とレンズ４の中心との距離を一定に保つことができる。 （もっと読む）

【課題】実装時の歩留まりを高くすることにより、安定して生産することを可能とした光並列伝送モジュール及び光並列伝送システムを提供する。
【解決手段】光並列伝送モジュール１は、発光素子アレイ１０を気密的に封止したカンパッケージ１１と、光ファイバアレイ２０を保持固定した光ファイバコネクタ２１と、光素子アレイ１０と光ファイバアレイ２０とを光学的に結合する単一の球レンズ３０を保持固定した鏡筒３１とにより構成されている。 （もっと読む）

【課題】部品点数増加や構造の複雑化を抑制することができる光モジュールを提供する。
【解決手段】発光モジュール１は、箱型のパッケージ３と、当該パッケージ３の前側壁７ａから延び出す円筒状のスリーブ部５と、を備えている。このスリーブ部５は、レンズ３１を保持するレンズホルダ３３を有している。そして、レンズホルダ３３とパッケージ３の前側壁７ａとは、プロジェクション溶接によって接続されている。 （もっと読む）

【課題】光源と回路基板の組付け構成において、機械的および電気的な信頼性を向上、また構成や組立性の自由度を向上させ、簡易な構成で低コストで光学性能の高い装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ３０を制御駆動する回路基板４０にはシート部材４２が一体的に形成されており、リードピン３１はシート部材４２を介し取付け孔４１に挿入されて、回路基板４０と組付けられる。これにより、リードピン３１の挿入時、リードピン３１が取付け孔４１の内周面などに接触することがない。また、シート部材４２により取付け孔４１とリードピン３１の隙間を略閉塞することができ、リードピン３１との隙間からハンダ材４５が洩れることがない。 （もっと読む）

【課題】接続部分での機械的強度を損なうことなく、かつインピーダンスの不整合を抑えたリードピンとフレキシブル基板の接続方法を用いた光送信モジュールを提供する。
【解決手段】一部に導体のない孔状部を持つ裏面ＧＮＤ導体パタン３０４を形成したフレキシブル基板３０を用いることにより、信号線路３０１のインピーダンスが５０Ωより高い領域と低い領域を交互に配置し、各々の領域の長さを適切に設定することで信号線路のインピーダンスの不整合を抑える。 （もっと読む）

【課題】 マウント時にサブマウントと窒化物半導体レーザチップとの間からはみ出したハンダが窒化物半導体レーザチップの側面に這い上がるのを抑制する窒化物半導体レーザ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 チップ用コレット４２が吸着した窒化物半導体レーザチップ２０を、サブマウント１５の窒化物半導体レーザチップ２０を搭載する面に対して垂直に移動させる時のチップ搬送速度を、少なくとも窒化物半導体レーザチップ２０とサブマウント１５上のチップ接合用ハンダ１７とが接触する瞬間に２０００μｍ／秒以下とする。これにより、窒化物半導体レーザチップ２０とサブマウント１５との間からはみ出したチップ接合用ハンダ１７が窒化物半導体レーザチップの側面に這い上がるのを抑制することができる。 （もっと読む）