【課題】誘電体磁器組成物において所定の材料組成をとることにより、−２５〜１０５℃の温度範囲において、２５℃における静電容量を基準とした静電容量変化率が、２５℃における静電容量を基準とした容量温度特性を示す傾きａを有する直線に対して、−１５〜＋５％の範囲内にある誘電体磁器組成物であって、前記傾きａが−７０００〜−３０００ｐｐｍ／℃であることを特徴とする誘電体磁器組成物および電子部品を提供すること。
【解決手段】（Ｂａ_{１−ｘ−ｙ} Ｓｒ_ｘ Ｃａ_ｙ ）_ｍ （Ｔｉ_１−ｚ Ｚｒ_ｚ ）Ｏ_３ の一般式で表される主成分と、Ｍｇの酸化物から成る第１副成分と、ＭｎまたはＣｒから選択される少なくとも１種の酸化物から成る第２副成分と、Ｒの酸化物（ただし、Ｒは、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、ＨｏおよびＹｂから選択される１種以上）から成る第３副成分と、Ｓｉを含む酸化物から成る第４副成分とを、有する誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】低温で焼成可能な誘電体磁器組成物及びそれを用いて作製した電子部品を提供する。
【解決手段】（ＢａＮｄＳｍ）ＴｉＯ_３系磁器組成物１００質量部を主成分として、これに対し、Ｂｉ_２Ｏ_３ ７〜１７質量部、ＳｉＯ_２ １〜５質量部、ＺｎＯ １〜５質量部、ＭｇＯ ０．５〜３．５質量部、Ｂ_２Ｏ_３ ０．５〜３．０質量部、Ｌｉ_２Ｏ ０．２〜１．０質量部及びＣｕＯ ０．２〜１．５質量部を含有する、誘電体磁器組成物である。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率ε_ｒが８〜２０で調整可能であり、Q×ｆｏ値も大きく、さらに共振周波数ｆｏの温度係数τ_ｆの絶対値が３０ｐｐｍ/℃以下で調整が容易な高周波用誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】 酸化スズ（ＳｎＯ₂）、フォルステライト（Ｍｇ₂ＳｉＯ₄）、ステアタイト（ＭｇＳｉＯ₃）、マグネシウムチタネート（ＭｇＴｉ₂Ｏ₅）からなる誘電体磁器組成物であって、組成式 aＳｎＯ₂−bＭｇ₂ＳｉＯ₄−cＭｇＴｉ₂Ｏ₅−dＭｇＳｉＯ₃で表したときに、前記組成式におけるａ，ｂ，ｃ，ｄ(ただし、ａ、ｂ、ｃ、ｄはモル％である)が、４≦ａ≦３７、２５≦ｂ≦９２、２≦ｃ≦１９、２≦ｄ≦１９、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００の範囲にある高周波用誘電体磁器組成物である。 （もっと読む）

【課題】誘電特性は改質前と同等以上で、ペロブスカイト型複合酸化物を改質する被覆成分からの被覆成分の溶出も実質的になく、ペロブスカイト型複合酸化物の比表面積の経時変化及びＡサイト金属の溶出を効果的に抑制すると共に、解砕性の良好な改質ペロブスカイト型複合酸化物を提供すること。
【解決手段】ペロブスカイト型複合酸化物の粒子表面を少なくともＡｌ₂Ｏ₃を含む被覆層で１次被覆し、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｒＯ₂及びＮｄ₂Ｏ₃からなる群から選択される少なくとも１種で２次被覆した改質ペロブスカイト型複合酸化物であって、前記１次被覆が、加水分解性Ａｌ₂Ｏ₃前駆体の加水分解生成物を焼成することにより形成されたものであり、且つ前記２次被覆が、加水分解性ＳｉＯ₂前駆体、加水分解性ＴｉＯ₂前駆体、加水分解性ＺｒＯ₂前駆体及び加水分解性Ｎｄ₂Ｏ₃前駆体の群から選択される少なくとも１種の加水分解生成物を焼成することにより形成されたものであることを特徴とする改質ペロブスカイト型複合酸化物である。 （もっと読む）

【課題】熱可塑性樹脂を主成分とし、ハロゲン化物を含まず、耐熱性・耐摩耗性を確保し、無機系難燃剤を配合しても架橋後の架橋度を維持できて、加工性、生産性に優れた難燃性熱可塑性樹脂組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】無機系難燃剤表面に多官能性モノマーを付着させる表面処理工程、得られた表面処理物と熱可塑性樹脂とを混合する工程を含むことを特徴とする難燃性架橋樹脂組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 比誘電率が低く作製が容易かつ低コストの低温焼成セラミック組成物を製造することを課題とする。
【解決手段】 目標組成となるように原料粉末を秤量、混合して得られる混合粉末を、前記混合粉末の溶融温度以下の温度で仮焼し、微粉砕して得られた低温焼結化材と、比誘電率が６以下の無機フィラーとの混合比率が、低温焼結化材と無機フィラーの合計に対して１５体積％より大きく４０体積％より小さくなるように混合して作製した粉末を用いることを特徴とするガラスセラミック基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】２２０ＭＰａ以上の強度値、０．１％以下の低誘電損失と高品質係数を有し、誘電率が６〜１０、共振周波数の温度係数が−５０〜＋５０ｐｐｍ／℃で可変性を持っている低温焼成用低誘電率誘電体セラミック組成物を提供する
【解決手段】低温焼成用低誘電率誘電体セラミック組成物は、ホウケイ酸塩系ガラスフリットと、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、コーディエライト、ムライト、ＭｇＡｌ₂Ｏ₄、ＺｎＡｌ₂Ｏ₄、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄、ＺｒＳｉＯ₄、ＭｇＴｉＯ₃、ＭｇＳｉＯ₃、ＣａＳｉＯ₃及びＺｎ₂ＳｉＯ₄とからなる単一酸化物と複合酸化物の中から選択された少なくとも１種の充填材と、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃及びＢａＴｉＯ₃の中から選択された少なくとも１種のセラミックと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ガラス成分の含有量を比較的に減らしつつ、低温（たとえば９５０℃以下）での焼結を可能とし、しかも良好な特性（比誘電率、ｆ・Ｑ値、絶縁抵抗）を示し、異材質同時焼成をも可能とする誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】主成分として、Ｚｎの酸化物単独ならびにＭｇの酸化物およびＺｎの酸化物から選ばれる１つと、Ｃｕの酸化物と、Ｓｉの酸化物と、副成分として、Ｓｉの酸化物、Ｚｎの酸化物、Ｂａの酸化物、Ｃａの酸化物、Ｓｒの酸化物およびＬｉの酸化物から選ばれる少なくとも１つと、Ｂの酸化物と、を含み、ガラス軟化点が７５０℃以下であるガラス成分と、を含有し、前記ガラス成分の含有量が、前記主成分１００重量％に対して、１．５〜１５重量％である誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】高周波領域における低い誘電損失と高い熱伝導率を有する低損失緻密質誘電体材料、その製造方法及び部材を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素を主体とし、アルカリ土類金属元素化合物、周期律表第３ａ族化合物、及び不純物的酸素を含有する窒化ケイ素質焼結体からなり、該焼結体の粒界が結晶化され、かつ２ＧＨｚと３ＧＨｚにおける誘電損失が５×１０^−４以下であり、熱伝導率が５０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上であり、気孔率が３％未満の高周波用低損失緻密質誘電体材料、その製造方法及び部材。
【効果】半導体ないし液晶製造装置において、主にマイクロ波などの高周波を使用してプラズマを発生させる装置に用いられる高熱伝導・低誘電損失の高周波用緻密質誘電体材料及び部材を提供することができる。 （もっと読む）

【目的】ポリアルキレンテレフタレート樹脂を主体とした、難燃性及び電気安全性に優れた樹脂組成物を提供する。
【構成】
（Ａ―１）ポリアルキレンテレフタレート樹脂 ４０〜９６．５重量部
（Ａ―２）ポリスチレン系樹脂 ３．５〜５０重量部
（Ａ―３）相溶化剤 ０〜１０重量部
から成る樹脂成分（Ａ）１００重量部に対して，下記の難燃化剤（Ｂ）
（Ｂ−１）ホスファゼン化合物及びホスフィン酸塩より成る群から選ばれたリン系難燃剤 １０〜６０重量部
（Ｂ−２）アミノ基含有トリアジン類の塩から成る窒素系難燃剤 ２０〜７０重量部
（Ｂ−３）硼酸金属塩 ０〜２０重量部 （但し、これらの難燃剤の合計は４０〜１００重量部である）
（Ｃ）無機充填剤 ０〜２００重量部
を配合して成り、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、及びフェノール樹脂のいずれも最大で１重量％以下しか含有していない樹脂組成物 （もっと読む）

【課題】ＬＴＣＣと、ガラス成分を少なくしても陽極接合できる低温焼結用磁器組成物の提供。
【解決手段】可動イオンを含む陽極接合可能なガラス粉末とセラミック粉末とを含み、前記セラミック粉末が焼結時にガラス成分と反応結晶相を形成しない純度および組成を有する低温焼結用磁器組成物。前記セラミック粉末は、ガラス粉末のガラスよりも熱膨張係数の大きなセラミック粉末と熱膨張係数の小さなセラミック粉末との混合物とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】より低温で焼成を行っても所望の比誘電率やＱ値を得ることができ、かつ焼成後の機械的強度が良好な高周波用誘電体磁器組成物、及び低温焼成と電極の密着強度の両立が可能な誘電体部品を実現する。
【解決手段】高周波用誘電体磁器組成物は、主成分が、一般式ｘＭｇＯ・ｙＳｉＯ_２（ただし、ｘはＭｇＯのモル数、ｙはＳｉＯ_２のモル数を示す。）で表されると共に、前記ｘとｙの比ｘ／ｙが、１．８≦ｘ／ｙ＜２．０を満足し、かつ、Ｂａ及びＳｒのうちの少なくともいずれか一方が、前記主成分１００重量部に対し、炭酸塩に換算して総計で３．０重量部を超え、かつ１０．０重量部以下の含有量で含まれている。また、誘電体部品としての誘電体アンテナは、磁器素体１が高周波用誘電体磁器組成物で形成され、また電極部２はめっき形成されている。 （もっと読む）

【課題】必要上十分な機械的強度、耐熱性、耐油性、電気特性を有し、フッ素系材料との置き換えが低コストで可能な耐熱耐油絶縁組成物及びそれを用いた電線、チューブを提供する。
【解決手段】アクリルゴムとポリオレフィンを９９：１〜６１：３９（重量比）の範囲で混和したポリマー分１００重量部に対し、シリカ粉末を１０〜１００重量部配合した耐熱耐油絶縁組成物。上記ポリオレフィンが、ポリエチレン、更には、高密度ポリエチレンである耐熱耐油絶縁組成物。上記アクリルゴムが、エチレン−アクリル酸エステル共重合体ゴムである耐熱耐油絶縁組成物。上記耐熱耐油絶縁組成物が、架橋されている耐熱耐油絶縁組成物。この耐熱耐油絶縁組成物からなる絶縁電線、チューブ。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低熱膨張係数を有し、且つ銅との接着力に優れる絶縁樹脂組成物、及びその半硬化物を支持体表面に形成してなる支持体付き絶縁フィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁樹脂組成物の全固形分中、（Ａ）エポキシ樹脂が１０〜３０質量％、（Ｂ）フェノール性水酸基含有ポリアミドイミドが３５〜６５質量％、（Ｃ）フェノキシ樹脂が３〜２０質量％、及び（Ｄ）無機フィラーが５〜３８質量％含まれる絶縁樹脂組成物。さらに（Ｅ）架橋ゴム粒子を含有しても良い。
及び前記絶縁樹脂組成物の半硬化状態のフィルムが支持体の表面に形成されている支持体付絶縁フィルム。 （もっと読む）

【課題】 ［（ＣａＳｒ）Ｏ］_ｍ［（ＴｉＺｒＨｆＭｎ）Ｏ_２］系の誘電体磁器組成物が有する優れた諸特性を有しつつ、誘電体層の厚みを薄く、たとえば２μｍ以下にしても、クラックの発生を防止できる誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】〔（Ｃａ_１−ｘＳｒ_ｘ）Ｏ〕_ｍ〔（Ｚｒ_{１−ｙ−ｚ−α}Ｔｉ_ｙＨｆ_ｚＭｎ_α）Ｏ_２〕ただし、０．９９１≦ｍ≦１．０１０、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦０．１、０＜ｚ≦０．０２、０．００２＜α≦０．０５で示される組成の誘電体酸化物を含む主成分と、
主成分１００モル部に対して、
０．１〜０．５モル部のＡｌ_２Ｏ_３、および
０．５〜５．０モル部のＳｉＯ_２を含む誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】測定周波数１ＭＨｚ〜ＧＨｚ帯における誘電正接を小さくできるアルミナ質焼結体および半導体製造装置用部材ならびに液晶パネル製造装置用部材を提供する。
【解決手段】ＡｌをＡｌ_２Ｏ_３換算で９９．３質量％以上、ＳｉをＳｉＯ_２換算で０．０５〜０．３質量％、ＳｒをＳｒＯ換算で０．０１〜０．１６質量％含有するとともに、アルミナ結晶粒子１を主結晶粒子とし、該アルミナ結晶粒子１で構成される３重点２にＳｉ、Ａｌ、ＳｒおよびＯの各元素を含有する結晶相が存在し、かつアルミナ結晶粒子１の平均粒径が１０μｍ以上である。これにより、Ｓｉ、Ａｌ、ＳｒおよびＯの各元素を含む低損失の結晶相が存在するため、またアルミナ結晶粒子１の平均粒径が１０μｍ以上であるため粒界の数が少なくなり、周波数１ＭＨｚ〜８．５ＧＨｚにおける誘電正接を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】温度特性を損なうことなく高誘電率を維持し、かつ所望の信頼性やＡＣ電界特性を確保することができるようにする。
【解決手段】本発明の誘電体セラミックは、結晶粒子１と結晶粒界２とを備えている。そして、任意の断面で観察したとき、７０％以上の結晶粒子１が、ＢａＴｉＯ_３を主成分とする第１の領域３と、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３を主成分とする第２の領域４とを有する。さらに、第１の領域３の結晶粒界２への露出部分の周縁長Ｌ１が、第２の領域４の結晶粒界２への露出部分の周縁長Ｌ２よりも長く形成されている。第２の領域４が第１の領域３で取り囲まれている。必要に応じ、副成分としてＳｉ、Ｍｇ、Ｍｎ、及びＶの群から選択された少なくとも１種の元素、更にはＳｍ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｙ、及びＺｒの群から選択された少なくとも１種の元素を添加するのも好ましい。 （もっと読む）

【課題】 ７００℃近傍といった高温下においても高耐電圧特性を有するスパークプラグ用絶縁体及びそれを備えるスパークプラグを提供する。
【解決手段】 スパークプラグ１００に用いられるアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）を主成分とするスパークプラグ用絶縁体２であって、少なくともケイ素（Ｓｉ）成分と、１種類以上の希土類元素（以下、ＲＥ．と表す）成分とを含有し、かつ、理論密度比が９５％以上であるアルミナ基焼結体により構成する。かかる構成により、スパークプラグ用絶縁体２は、アルミナ結晶粒界に存在する残留気孔や低融点ガラス相の影響による絶縁破壊の発生を抑制し、７００℃程度の高温下における耐電圧特性に優れた絶縁体を有するものとなる。 （もっと読む）

【課題】 優れた高温負荷寿命および容量温度特性を有するとともに、電歪現象が抑制された誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】 チタン酸バリウムを含む主成分と、ＭｇＯを含む第１副成分と、ＳｉＯ_２ 系の焼結助剤を含む第２副成分と、Ｖ_２ Ｏ_５ 、Ｎｂ_２ Ｏ_５ およびＷＯ_３ の少なくとも一つを含む第３副成分と、Ｒ^Ａの酸化物（ただし、Ｒ^Ａは、Ｔｂ、ＧｄおよびＤｙから選ばれる少なくとも１種）を含む第４Ａ副成分と、Ｒ^Ｂの酸化物（ただし、Ｒ^Ｂは、Ｈｏ、ＹおよびＹｂから選ばれる少なくとも１種）を含む第４Ｂ副成分と、ＭｎＯまたはＣｒ_２ Ｏ_３ を含む第５副成分とを、有する誘電体磁器組成物である誘電体磁器組成物。
（もっと読む）

【課題】ＣｕＯを含有させなくても、低温での焼成が可能であり、且つＱ・ｆ値を向上させることができる誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】本発明の誘電体磁器組成物は、主成分として、ＢａＯ−Ｎｄ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂系化合物、及び２ＭｇＯ・ＳｉＯ₂を含み、副成分として、亜鉛酸化物、ホウ素酸化物、アルカリ土類金属酸化物、及びリチウム化合物を含み、リチウム化合物の質量をＬｉ_２Ｏに換算した場合に、リチウム化合物の含有量ｃが、主成分１００質量部に対して、０．０４質量部＜ｃ＜３．２４質量部である。 （もっと読む）