【課題】本発明は、基材上に中間層と酸化物超電導層と金属安定化層を少なくとも有する積層構造の酸化物超電導導体の内部側において金属安定化層に剥離部分などの欠陥が生じていてもその有無を確実に検査することができる検査方法と検査装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基材上に中間層を介し酸化物超電導層が形成され、この酸化物超電導層上に金属安定化層が積層されてなる酸化物超電導導体において内部欠陥の有無を検査する方法であって、前記酸化物超電導導体を超電導状態に維持可能な冷媒にて冷却し、冷却開始後、所定時間経過後に計測した第１の臨界電流値と、更に冷却を所定時間続行した後に測定した第２の臨界電流値との差分を検出し、この差分の検出により前記酸化物超電導導体の欠陥の有無を検出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イオンビームアシスト法（ＩＢＡＤ法）により形成される中間層の結晶配向性を高め、かつ、中間層の成膜条件が広範囲となるよう促す特性を有するベッド層を備えた酸化物超電導体用基材及びそれを用いた酸化物超電導導体の提供。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体用基材は、金属基材２１上に、Ｘ_２Ｏ_３酸化物（Ｘは、Ｙｂ、Ｇｄ、Ｈｏ、ＬａまたはＳｍを示す。）、又は、前記Ｘ_２Ｏ_３酸化物とＹ_２Ｏ_３から選択される２種以上が混合された混合酸化物よりなるベッド層２２と、ベッド層２２上にイオンビームアシスト法により成膜された中間層２３とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】交流損失の充分な低減を図ることができ、また優れた超電導特性を有する細線化された酸化物超電導薄膜が基板上で長さ方向に形成されている超電導線材の製造方法を提供する。
【解決手段】金属有機化合物溶液の塗膜の形成を回避する塗膜非形成部が、超電導線材用基板の長さ方向に沿って、幅方向に少なくとも１つ以上設けられている超電導線材用基板の表面に金属有機化合物溶液を塗布して、細線状の金属有機化合物溶液の塗膜を長さ方向に沿って、幅方向に複数設け、その後、金属有機化合物に含有される有機成分を熱分解して除去する仮焼熱処理を行い、さらに、結晶化を行う本焼熱処理を行うことにより、超電導線材を製造する。 （もっと読む）

【課題】塗布熱分解法で希土類超電導性複合金属酸化物膜を製造する際、特に大面積基板上に希土類超電導膜を製造する際に超電導特性の面内特性分布の均一性を向上させるのに有効な熱処理工程を提供する。
【解決手段】各種支持体・基板上に塗布された金属含有化合物の薄膜を、酸素分圧が０．２〜０．８ａｔｍであり、露点が２０℃以上の水蒸気をふくむ雰囲気中で、２００〜６５０℃で仮焼成を行うことで、塗布膜に含有された有機成分を均一に除去することが可能となり、超電導特性の面内特性分布の均一性を向上させる熱処理工程。 （もっと読む）

【課題】超電導限流器などの超電導機器に適用する酸化物超電導線同士を接続する際に、接続部の抵抗損失を低減して信頼性向上が図れるように改良した超電導線の接続方法を提供する。
【解決手段】安定化金属５にCuNiやCuZn、またはステンレスなどの比較的高抵抗を有する金属材を採用した酸化物超電導線Ａ，Ｂの接続方法において、その接続部における前記安定化金属５を選択的に除去した上で、該接続部に露呈した銀層４を互い向かい合わせて超電導線ＡとＢの接続部を重ね合わせ、この状態で銀層４の間をはんだ接合６して超電導線を接続する。これにより、接続部を通流する電流は高抵抗の安定化金属５を経由せずに流れて低抵抗損失，高信頼性の接続が達成できる。 （もっと読む）

【課題】溶液気化型のＣＶＤ装置を用いて超電導体等の薄膜を形成する際に有用な技術であって、気化器における気化状態の異常により良質な薄膜の形成が阻害されるのを回避するための技術を提供する。
【解決手段】気化室と、気化室内に原料溶液を導入する導入部と、気化室において気化された原料ガスを外部に導出する導出部と、気化室の外周に設けられ発熱体により気化室を加熱するヒータと、を備えた気化器において、発熱体の近傍の第１温度Ｔ_Ｍを測定する第１温度センサと、発熱体によって加熱される気化室の対応部分の第２温度Ｔ_ｂを測定する第２温度センサとを設け、発熱体の出力を前記第２温度Ｔ_ｂが一定となるように制御する。そして、第１温度Ｔ_Ｍの変動量に基づいて気化器における気化状態の異常を検出する。 （もっと読む）

【課題】 成長領域に供給された原料ガスが予熱領域へ侵入するのを防ぎ、均質で安定した組成の超電導薄膜を成膜可能なＣＶＤ装置、及びその成膜方法を提供する。
【解決手段】 ２枚の遮蔽板によってテープ状基材の走行方向に３分割された反応室と、これら２枚の遮蔽板で挟まれた成長領域に原料ガスを噴出する原料ガス噴出部と、反応室内のガスを排気するガス排気部と、テープ状基材を加熱するサセプタと、遮蔽板とサセプタの間に形成されたテープ状基材が走行するための開口部を備え、反応室内でサセプタ直上を走行するテープ状基材の表面に原料ガスを供給し化学反応させることにより、このテープ状基材の表面に超電導薄膜を成膜するＣＶＤ装置において、サセプタに略直角に遮蔽ガスを噴出する遮蔽ガス噴出部を備えている。 （もっと読む）

【課題】結晶化熱処理の昇温過程において水蒸気分圧を制御するとともに、酸化物超電導体中に磁束ピンニング点を導入する。
【解決手段】配向ＮｉーＷ基板１上にＧｄ_２Ｚｒ_２Ｏ_７層及びＣｅＯ_２層を形成した複合基板上に、Ｙ、Ｂａ、Ｃｕ及びＤｙの金属有機酸塩をＤｙ／Ｙ＝０．１のモル比で含む原料溶液を塗布し、仮焼熱処理を施し、次いで、５０Ｔｏｒｒ未満の圧力下で室温から結晶化温度７３０℃までの昇温過程と結晶化熱処理温度における恒温過程により結晶化熱処理を施した。昇温過程は、５００℃で水蒸気分圧１．０５ｖｏｌ％で炉内に導入され、６９０℃まで水蒸気分圧を４．２ｖｏｌ％に連続的に増加させることにより、磁束ピンニング点を均一に分散させることができ、このＹＢＣＯ酸化物超電導体は１００Ａ／ｃｍ−ｗｉｄｔｈのＩｃ値及びＪｃ,ｍｉｎ／Ｊｃ,ｍａｘ＝０．８（１Ｔ）の磁場印加角度依存性を示した。 （もっと読む）

【課題】幅広の金属基板上に中間層が形成された幅広の金属基材であっても、金属基板と中間層の熱収縮差による反りの発生を抑制することができ、その後の酸化物超電導層形成工程、安定化層形成工程、薄膜超電導線材細線化工程における不良の発生が抑制できる薄膜超電導線材用金属基材、その製造方法および薄膜超電導線材の製造方法を提供する。
【解決手段】金属基板の表面に配向性のセラミックス層を有し、金属基板の裏面に非配向性のセラミックス層を有している薄膜超電導線材用金属基材であって、金属基板を成膜装置内で加熱して金属基板の表面に配向性のセラミックス層を形成する工程と、金属基板を成膜装置内で加熱して金属基板の裏面に非配向性のセラミックス層を形成する工程と、これらの工程の間に介在して、配向性のセラミックス層または非配向性のセラミックス層が形成された金属基板を成膜装置から取り出して冷却する工程とにより製造される。 （もっと読む）

本発明は、スペイン特許第２２５９９１９号にこれまで説明されている解決手段を出発点として利用して、１０％の最大のフッ素含有量を有している有機金属の前駆物質の溶液を得ることに言及する。この変更は、超伝導の分解層の熱処理（熱分解）、および結晶の成長を一段階において実施可能にする。さらに、低いフッ素含有量は毒性および腐食のリスクを低下させる。 （もっと読む）

【課題】 コイルの製作や運転によって超電導部材に生じる応力から超電導部材を構成す
る層を補強し、かつ補強手段によって超電導部材に生じる長手方向の応力を低減すること
ができる超電導線を提供することを目的とする。
【解決手段】 超電導線１は、可撓性を有する基板５上に、酸化物超電導層７が中間層６
を介して形成され、酸化物超電導層７上に保護層８が形成されることによりなる超電導部
材２と、超電導部材２の酸化物超電導層７が形成される側の面に摺接され、超電導部材２
を構成する層の補強を行う補強板３と、超電導部材２と補強板３とを長手方向に相互に摺
動可能に包囲して拘束する絶縁テープ４とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】超電導層膜に大きなダメージを発生させることがなく、切断工程において厳しい条件管理を必要としない、また、製品の歩留まりを低下させず、生産性の向上を図ることができる超電導薄膜線材の製造方法を提供する。
【解決手段】金属基板上に中間層膜、超電導層膜の順に積層する超電導薄膜線材の製造方法であって、所望する超電導薄膜線材の倍以上の幅を有する金属基板の上に、中間層膜を形成して金属基板／中間層膜複合線材とする中間層膜形成工程と、金属基板／中間層膜複合線材を、所望する超電導薄膜線材の幅に切断する切断工程と、切断された金属基板／中間層膜複合線材の中間層膜の上に超電導層膜を形成する超電導層膜形成工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】テープ状の超電導線材を用いた超電導コイルにおいて、コイル全体を大型化することなく、また、コイルの作製を困難とすることなく、超電導線材の広幅面に対して略平行な磁場がかかるようにして臨界電流の低下を防止し、運転電流の向上を図る。
【解決手段】超電導線材の少なくとも一部を、基板１、超電導層３及び安定化層２からなる断面形状が、円形、半円形、楕円形、もしくは、多角形状となっているものとして、この超電導線材が、コイル内の部位によって、超電導層の広幅面の方向が巻枠５の軸線に対する所定の方向となされて保持されるようにする。 （もっと読む）

【課題】優れた密着強度を銅の高配向と同時に実現できる超電導化合物用基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】圧下率９０％以上で加工された銅箔の表面をスパッタエッチングして表面の吸着物を除去し、非磁性の金属板をスパッタエッチングし、前記銅箔と前記金属板とを圧延ロールにより加圧して接合し、前記接合した積層体を加熱して前記銅を結晶配向させるとともに、前記銅を前記金属板に１０ｎｍ以上熱拡散させ、前記積層体の銅表面上に保護層を積層することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】交流損失の低減効果が高いマルチフィラメント型超電導線材を提供することを第１の目的とする。また、本発明は交流損失の低減効果が高いマルチフィラメント型超電導線材を、生産性良好に製造することのできる製造方法を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】長尺の基材１上に中間層２を介して形成された超電導層３と、超電導層３の上に形成された金属安定化層４とを具備してなる超電導線材Ａにおいて、（ｉ）基材１の長手方向に沿って、金属安定化層４から超電導層３を介し中間層２に達し、中間層２を露出させた溝２０が、基材１の幅方向にわたり、平行に複数形成されており、かつ、（ｉｉ）超電導層３下部の溝幅ｄ１と金属安定化層４下部の溝幅ｄ２との差δｄ（＝ｄ１−ｄ２）が１０μｍ以下であることを特徴とする低交流損失マルチフィラメント型超電導線材である。 （もっと読む）

【課題】中間層の成膜工程を改善することで、所望の超電導特性（例えば臨界電流特性）を実現できるとともに、中間層の薄膜化により超電導線材の生産性を向上できる技術を提供する。
【解決手段】金属基板上１０にイオンビームアシスト蒸着法により配向層２１を形成し、この配向層の上に緩衝層２２を形成する超電導線材用テープ基材２の製造方法において、配向層に所定の熱履歴を与えることにより配向層の格子歪みを緩和する。具体的には、配向層を２００℃以上１０００℃以下、好ましくは４００℃以上６００℃以下で加熱することにより、配向層に所定の熱履歴を与える。 （もっと読む）

【課題】ベッド層をＭＯＤ法により形成することによりＩＢＡＤ層の配向性を向上させる。
【解決手段】電解研磨基板１上に、酸素雰囲気中でＭＯＤ−ＣＺＯ層２、ＩＢＳ−ＧＺＯ３、ＩＢＡＤ−ＭｇＯ層４、ＬＭＯ層５、ＰＬＤ−ＣｅＯ_２層６及びＰＬＤ−ＧｄＢＣＯ超電導層８を順次成膜した超電導線材１０において、ＣｅＯ_２層はΔφ＝４．２ｄｅｇ．と機械研磨基板の場合と同程度の配向性を示し、ＧｄＢＣＯ超電導層はＩｃ＝２４３Ａ（Ｊｃ〜５ＭＡ／ｃｍ^２）と機械研磨基板を用いた場合と同程度のＩｃ値を示す。 （もっと読む）

【課題】優れたＪｃ（臨界電流密度）やＩｃ（臨界電流値）を有する高温超電導線材を製造することができる酸化物超電導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】配向金属基板上１に、中間層２および超電導層３が形成されている酸化物超電導薄膜の製造方法であって、配向金属基板を、真空雰囲気あるいは還元雰囲気に設けた熱処理室２２内で、配向金属基板上に形成された酸化層を還元除去する温度で加熱し、その後、１００℃以下まで冷却する熱処理工程と、熱処理工程後の配向金属基板を、熱処理室より取り出して大気中に曝露する曝露工程と、成膜室２３内で、曝露工程後の配向金属基板上に、酸化物薄膜層を形成させる中間層形成工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化物超電導層の下地となる高配向度のキャップ層において従来必要とされていたＬＭＯの下地層を用いることなく優れた結晶配向性を得ることができる技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基板１と、該金属基板１上にイオンビームアシスト法（ＩＢＡＤ法）により形成したＭｇＯの中間層３と、該中間層３上に直接形成されて前記中間層３の結晶配向性よりも優れた結晶配向性を示すキャップ層５とを具備してなる酸化物超電導導体用基材Ａであって、前記ＭｇＯの中間層３に前記キャップ層５の形成前に加湿処理が施され、該キャップ層５が優れた自己配向性を備えて前記中間層３の結晶配向性よりも優れた結晶配向性を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ベッド層をＭＯＤ法により形成することによりＩＢＡＤ層の配向性を向上させる。
【解決手段】電解研磨基板１上に、ＭＯＤ−ＣＺＯ層２、ＩＢＳ−ＧＺＯ３、ＩＢＡＤ−ＭｇＯ層４、ＬＭＯ層５、ＰＬＤ−ＣｅＯ_２層６及びＰＬＤ−ＧｄＢＣＯ超電導層８を順次成膜した超電導線材１０において、ＣｅＯ_２層はΔφ＝４．１ｄｅｇ．と機械研磨基板の場合と同程度の配向性を示し、ＧｄＢＣＯ超電導層はＩｃ＝２４９Ａ（Ｊｃ〜５ＭＡ／ｃｍ^２）と機械研磨基板を用いた場合と同程度のＩｃ値を示す。 （もっと読む）