【課題】狭額縁化かつ薄型化された表示装置を提供する。
【解決手段】この表示装置は、一方の面に配線を有し、配線に対向する位置に他方の面への貫通孔を有する表示基板と、表示基板の他方の面側に設けられ、貫通孔を介して配線と電気的に接続された配線基板とを備えている。配線基板は折り曲げられることなく、平面状のまま配線に接続される。配線基板の曲げの距離（曲率半径）が不要となり、狭額縁化かつ薄型化がなされる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタの作製工程において、ゲート電極を形成後、インライン装置にて、酸化アルミニウム膜と酸化シリコン膜と酸化物半導体膜を大気暴露することなく連続的に形成し、さらに同インライン装置にて加熱および酸素添加処理を行い、他の酸化アルミニウム膜でトランジスタを覆った後、熱処理を行うことで、水素原子を含む不純物が除去され、且つ、化学量論比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体膜を形成する。該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ）試験前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減されており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】大掛かりな製造装置を必要とすることなく、簡素、簡易な方法にて薄膜素子能動部を製造することができる薄膜素子の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜素子の製造方法は、支持基板２０上に樹脂材料から成る第１基材２１を塗布法にて形成した後、第１基材２１上に、熱によって又はエネルギー線の照射によって硬化する樹脂から成る第２基材２２を形成し、次いで、第２基材上に薄膜素子能動部３０を形成し、その後、支持基板２０を第１基材２１から剥離する各工程を備えており、第１基材２１を構成する樹脂材料のガラス転移温度は１８０゜Ｃ以上である。 （もっと読む）

【課題】電気泳動表示装置における表示体内部の水分量をより高い精度で調整可能とすること。
【解決手段】第１の基板の一方の面および第２の基板の一方の面の少なくとも一方に、電気泳動粒子および分散媒を含む分散液を収容する第１の収容部を有する第１の層を形成する第１の層形成工程と、第１の基板の一方の面および第２の基板の一方の面の少なくとも一方に、第１の収容部内の分散液よりも水分の多い液体を収容する複数の第２の収容部を有する第２の層を形成する第２の層形成工程と、第１の基板と第２の基板とを、第１の基板の一方の面と第２の基板の一方の面とが対向するように貼り合わせる封止工程と、複数の第２の収容部の少なくとも１つを破損させる破損工程と、を含むことを特徴とする電気泳動表示装置の製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いた半導体装置であるトランジスタにおいて、酸化物半導体膜から水素を捕縛する膜（水素捕縛膜）、および水素を拡散する膜（水素透過膜）を有し、加熱処理によって酸化物半導体膜から水素透過膜を介して水素捕縛膜へ水素を移動させる。具体的には、酸化物半導体膜を用いたトランジスタのゲート絶縁膜を、水素捕縛膜と水素透過膜との積層構造とする。このとき、水素透過膜を酸化物半導体膜と接する側に、水素捕縛膜をゲート電極と接する側に、それぞれ形成する。その後、加熱処理を行うことで酸化物半導体膜から脱離した水素を、水素透過膜を介して水素捕縛膜へ移動させることができる。 （もっと読む）

【課題】所望の保持容量を有すると共に、画素電極の表面における凹凸に起因する表示ムラが低減された電気光学装置、これを備えた電子機器、電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、素子基板１０上に、トランジスターと、トランジスターに対応して設けられた画素電極１５と、素子基板１０と画素電極１５との間に、画素電極１５と一部が対向するように設けられ、画素電極１５と誘電体層１４を介して保持容量を構成する容量配線３ｂと、を備え、容量配線３ｂは、素子基板１０と画素電極１５との間に設けられた絶縁膜１３に埋め込まれるように形成されており、絶縁膜１３と共に画素電極１５側の面が平坦化されてなる。 （もっと読む）

【課題】可撓性基板上に形成された電子回路等の損傷を防止し、歩留まりを向上させることが可能な電子デバイスおよび表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】固定層１２を介して積層された支持体１１を有する基板１３の表面に電子回路層１４，表示層１５，保護膜１６および光学膜１７をこの順に成膜する。基板１３から支持体１１を剥離して積層体１Ａを形成したのち、電子回路層１４等による段差部１３Ａが設けられた面と、吸着ステージ２１とを段差吸収層２２を介して固定する。吸着ステージ２１に固定された基板１３の裏面に支持基板３１を張り合わせたのち、吸着ステージ２１および段差吸収層２２を取り外すことで表示装置１を製造する。 （もっと読む）

【課題】双安定機構を含み、かつ、削減された電力消費のために低電圧で駆動されることが可能な機械的に作動可能なディスプレイを提供する。
【解決手段】本発明は、ＭＥＭＳベースのディスプレイ装置に関する。特に、ディスプレイ装置は、２つの機械的にコンプライアントな電極を有するアクチュエータを含んでもよい。さらに、ディスプレイ装置に含まれる、双安定シャッタ組立体と、シャッタ組立体内でシャッタを支持するための手段とが開示される。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施例は非晶質酸化物薄膜トランジスタ及びその製造方法、ディスプレイパネルを開示する。
【解決手段】前記非晶質酸化物薄膜トランジスタは、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体活性層、ソース電極及びドレイン電極を含む。前記半導体活性層はチャネル層とオーミック接触層を含み、前記チャネル層は前記オーミック接触層に比べ酸素含有量が高い。また、前記チャネル層は前記ゲート絶縁層と接し、前記オーミック接触層は二つの独立したオーミック接触領域に分けられ、かつ前記二つの独立したオーミック接触領域はそれぞれ前記ソース電極、ドレイン電極と接する。 （もっと読む）

【課題】在庫管理が楽になったり、かかる工数やコストを抑えたりすることが可能なフレキシブル配線基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】液晶パネル１００に接続されるフレキシブル配線基板２００は、フレキシブル配線基板２００の第１辺に沿って配置された複数の接続端子部を有する外部接続端子部５２と、第１辺に対向する第２辺と外部接続端子部５２との間に配置され、複数の接続端子部にそれぞれ電気的に接続された複数の第１接続端子を有する第１ＦＰＣ接続端子部４５と、第２辺と第１ＦＰＣ接続端子部４５との間に配置され、第１ＦＰＣ接続端子部４５と電気的に接続されると共に、複数の第１接続端子の端子数より少ない数の複数の第２接続端子を有する第２ＦＰＣ接続端子部４６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】タッチセンサ内蔵型液晶表示装置を提供する。
【解決手段】複数のゲートラインとデータラインとが交差配列されて画素領域が画定される下部基板と、液晶層を介して前記下部基板と対向配置される上部基板と、前記上部基板における、前記下部基板との対向面で実質的に前記ゲートラインと対応する位置に形成される第１のタッチ信号線２２と、前記上部基板における、前記下部基板との対向面で実質的に前記データラインと対応する位置に形成され、前記第１のタッチ信号線２２と絶縁されて交差形成される第２のタッチ信号線２４と、前記第１のタッチ信号線２２及び前記第２のタッチ信号線２４によって区画される領域に前記画素領域と対応するように形成されるカラーフィルタとを備え、前記第１のタッチ信号線２２および前記第２のタッチ信号線２４は、遮光のための遮光膜であり、かつ、タッチセンシングのための信号線である。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の穴内に設けたプラグ電極によって導電層同士の導通を行うにあたって、研磨時間やプラグ電極形成用導電膜の成膜時間を短縮することのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置の素子基板において、第２電極層７ａと画素電極９ａとを層間絶縁膜４８の穴４８ａ内に設けたプラグ電極８ａを介して電気的に接続するにあたって、第１絶縁膜４６に設けたコンタクトホール４６ａを埋めるようにプラグ電極８ａを形成した後、第２絶縁膜４７を成膜する。そして、第２絶縁膜４７を表面側から研磨してプラグ電極８ａを露出させた後、第２絶縁膜４７の表面側に画素電極９ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】寸法安定性に優れたディスプレイ用フィルム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】バリア層を設ける前の段階において、プラスチックフィルムに張力を加えることなくガラス転移温度より低い温度であって、前記ディスプレイ用フィルム基板上にカラーフィルタまたは駆動素子等のディスプレイ部材を形成する工程の温度以上の所定の温度で加熱処理して、歪みを解消し、その後の工程での寸法安定性を維持可能とした。そして、プラスチックフィルムの両面にバリア層を設けるようにして、さらに寸法安定性を増すとともに、ガス透過の防止をした。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行い、その後、酸化物半導体膜及び酸化物半導体膜上に設けられた酸化アルミニウム膜に対して熱処理を行うことで、化学量論的組成比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体膜を形成する。該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減されており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】遮光部を備えた保護部と画像表示部との間に樹脂を介在させた薄型の画像表示装置を製造するにあたり、画像表示部の変形に起因する表示不良を生じさせることなく、高輝度及び高コントラストな表示を可能とし、かつ、遮光部の形成領域の樹脂も十分に硬化させる。
【解決手段】液晶表示パネル８等の画像表示部を有する基部２と、遮光部５を有する透光性の保護部３との間に光硬化型樹脂組成物を介在させ、光硬化させて樹脂硬化物層１５を形成する工程を有する画像表示装置の製造方法において、光硬化型樹脂組成物として、硬化収縮率が０〜２％、硬化物の２５℃における貯蔵弾性率が１．０×１０^７Ｐａ以下、樹脂硬化物層の可視光領域の光透過率を９０％以上とする樹脂組成物を使用する。さらに、少なくとも遮光部５と基部２との間に熱重合開始剤を含有する硬化型樹脂組成物１１を介在させ、該硬化型樹脂組成物１１を加熱する工程を設ける。 （もっと読む）

【課題】電気光学パネルに対して防塵部材を精度よく位置決めすることが可能な電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】治具フレーム２００に電気光学パネルを挿入する第１工程と、治具フレーム２００に開口部４０１を有するスペーサー４００を挿入し、スペーサー４００を電気光学パネル上に配置する第２工程と、電気光学パネルのスペーサー４００の開口部４０１から露出した部分に接着部材４１０を配置する第３工程と、スペーサー４００の開口部４０１に防塵部材３０を嵌め込む第４工程と、防塵部材３０を電気光学パネルに向けて押圧して接着部材４１０を硬化させる第５工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造過程における静電気対策が強化され、歩留まりよく製造可能な電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。
【解決手段】第１基板１２上に設けられたデータ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４と、データ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４における電源配線（信号配線２９、第１外部接続用端子２３ａ及び第２外部接続用端子２３ｂ）をスクライブライン６５より外側において接続させる短絡配線６６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】係合突出部が形成されたカバーが係合突出部の突出方向とは反対方向に移動した場合に、係合突出部が形成されたフレームと係合穴部が形成されたフレームとの係合状態を維持することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】この液晶テレビジョン装置（表示装置）１００では、樹脂フレーム１２の係合突出部１２２は、樹脂フレーム１２の外縁部から矢印Ｘ１方向に突出するとともに、樹脂フレーム１２がリアフレーム６に対して離間する矢印Ｚ１方向に移動するのを規制するように係合穴部６２に係合する第１係合部分１２２ａと、樹脂フレーム１２がリアフレーム６に対して取り付けられる矢印Ｚ２方向に突出するとともに、樹脂フレーム１２がリアフレーム６に対して矢印Ｘ２方向に移動するのを規制するように係合穴部６２に係合する第２係合部分１２２ｂとを含む。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ高品質の印刷が可能な気泡排出構造並びにそれを用いた反転印刷用版および表示装置並びに印刷方法および表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】反転印刷用版１は基板１０の表面に印刷領域１１ａおよび非印刷領域１１ｂを有する。印刷領域１１ａには印刷パターンに応じた凹部１１が形成されている。非印刷領域１１ｂには凹部１１に連通するよう気泡排出路１２が設けられ、この気泡排出路１２は基板１０の端部に開口を有している。反転印刷用版１のパターンを平板状ブランケットに押し当てる際に、印刷領域１１ａに閉じ込められた気泡は、気泡排出路１２を経て大気中に放出される。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板上に設けたボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、製造プロセスを簡略化することにより、高品質で低コストの薄膜トランジスタとその製造方法及び画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ボトムゲート型の薄膜トランジスタは、樹脂基板と、樹脂基板の同一面上に設けられたゲート電極と絶縁性密着層と、ゲート電極と絶縁性密着層との上に設けられたゲート絶縁層とを、少なくとも備える。また、ゲート電極は、金属を含む。また、絶縁性密着層は、ゲート電極に含まれる金属のオキシ水酸化物を含むことを特徴とする。また、金属は、Ａｌを含む金属であり、ゲート電極の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。 （もっと読む）