【課題】電気調整装置およびその電源制御システムと方法を提供する。
【解決手段】検出装置２０１と電力調整装置２０２と、抵抗型負荷装置２０３とを備えた電源制御システムにおいて、検出装置２０１は抵抗型負荷装置２０２より送信されたフィードバック信号を受信できる。検出装置２０１より電圧または電流の信号のいずれかの制御信号を出力される。電力調整装置２０２によって制御信号を受信した後、比例方式により駆動電圧を出力する。比例方式は、連続出力時間間隔に、フルパワーの駆動電圧を出力し、連続出力しない時間間隔にフルパワーの駆動電圧の出力を中止させる。抵抗型負荷装置２０３によって駆動電圧を受信した後、フィードバック信号を検出装置２０１に出力する。比例方式により連続出力時間間隔にフルパワーの駆動電圧を出力させ、連続出力しない時間間隔にフルパワーの駆動電圧の出力を中止させる操作は、電力高調波の形成を有効に低減できる。 （もっと読む）

【目的】電圧検出回路を有するインバータ回路を搭載したパワー半導体モジュールにおいて、測定電圧のみを印加することで、インバータ回路の上下アームを構成する素子に流れる漏れ電流を簡便に正確に測定できるパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】分圧回路２３をインバータ回路５０からネジ部２７で切り離すことで、インバータ回路５０の上下アームを構成する素子（ＩＧＢＴ４ａ，４ｂ，ＦＷＤ５ａ，５ｂ）に流れる漏れ電流を簡便に正確に測定できる。 （もっと読む）

【課題】パワースイッチング素子Ｓ＃＊がオン状態であるときとオフ状態であるときとの双方においてそのゲートの電圧を適切に検出することが困難なこと。
【解決手段】パワースイッチング素子Ｓ＃＊のゲートおよびエミッタ間は、ゲート電圧が低下することをトリガとして、オフ保持用スイッチング素子４０によって短絡される。オフ保持用スイッチング素子４０は、集積回路（ドライブＩＣ２０）によってオン操作される。パワースイッチング素子Ｓ＃＊のゲートに電圧を印加する電源２８，３０はそれぞれ端子電圧が相違し、ゲート電圧が上昇することで端子電圧の低い電源３０から端子電圧の高い電源２８へと切り替える。パワースイッチング素子Ｓ＃＊がオフ状態であるときには端子Ｔ１の電圧を、また、オン状態であるときには端子Ｔ２の電圧を、それぞれゲート電圧として検出する。 （もっと読む）

【課題】実装の容易化とコストの低減を図ることができるコモンモードトランスを提供する。
【解決手段】電力線路（３ａ〜３ｃ）に発生するコモンモード電圧に対応した電圧を一次巻線（９１）に入力し、その二次巻線（９２〜９４）に生成される電圧をコモンモード電圧に対する相殺電圧として記電力線路（３ａ〜３ｃ）に重畳するコモンモードトランスである。ヘリカル状の第１のコア部分（９５Ａ）と、第１のコア部分（９５Ａ）の一端と他端間に介在する第２のコア部分（９５Ｂ）とを有するコア（９５）を備え、第２のコア部分（９５Ｂ）に一次巻線（９１）を巻着するとともに、第１のコア部分（９５Ａ）に電力線路（３ａ〜３ｃ）を貫通させて、その貫通部分を二次巻線（９２〜９４）として用いるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】待機電力を増加させることなく、メインスイッチがオフ状態となった場合に、迅速に、インバータのスイッチング素子を介して平滑コンデンサの残存電荷を放電させる。
【解決手段】主電源からの電力供給の有無に拘わらず、少なくとも残存電荷が放電する放電時間に亘り、放電制御装置１０が動作可能な電力を供給するバックアップ電源１と、インバータを構成するスイッチング素子３に対し、スイッチング素子３を飽和領域で動作させるスイッチング制御信号Ｓ１を印加するドライバ回路１２とは独立して備えられ、スイッチング素子３を活性領域で動作させる放電制御信号Ｓ２を生成して印加する放電制御部２とを備える。 （もっと読む）

【課題】回路の寄生インダクタンスとスイッチング素子の接合容量による高周波振動を抑制しつつ、スイッチング素子の損失の低減が可能な電力変換装置を提供する。
【解決手段】制御スイッチング素子4とダンピング抵抗3の並列接続で構成した振動制御部を電力変換回路の入力電源1と主スイッチング素子7の間に設置し、制御スイッチング素子4と主スイッチング素子7の間にはRon(S2)<E(Rg)x fsw /(D x I²)の関係を有しており、主スイッチング素子7がターンオフし、主スイッチング素子7の電流がゼロになった後に、制御スイッチング素子4をオフし、回路の寄生インダクタンス2と主スイッチング素子の接合容量間で発生する高周波振動をダンピング抵抗3で抑える。 （もっと読む）

【課題】電源から流れる電流を検出するための電流検出器の接続状態が正常であるか否かを正確に判断（誤判断を防止）することができる高調波対策機器などを得る。
【解決手段】商用電源１に係る高調波を補償するための高調波対策機器３であって、商用電源１の相間電圧のゼロクロスポイントを基準位相として検出する線間電圧ゼロクロス検出手段１１と、電源から流れる電流を検出する電流検出器４Ｒ、４Ｔの検出に係る電流検出値に基づいて、電流不平衡状態に係る係数を検出する電流アンバランス状態検出手段１２と、電流検出器４Ｒ、４Ｔの検出に係る電流の基本波成分を算出する基本波成分算出手段１７と、基準位相、電流不平衡状態及び電流の基本波成分に基づいて、電流検出器４Ｒ、４Ｔの接続異常の有無を判定する位相角判定手段１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】電力変換を行う複数の半導体素子の温度を正確に検知することができ、これを安価で小型な回路で実現すること。
【解決手段】複数のスイッチング素子３５ａ，３５ｂの温度検出回路１００として、各スイッチング素子３５ａ，３５ｂに対応付けられた複数のダイオード１２２ａ，１２２ｂの各々の電圧発生側に個別に接続され、各々の発生電圧をパルス幅変調により各々デューティが異なるデューティ信号ＡＤ，ＢＤに変換する複数のデューティ変換部１０６ａ，１０６ｂと、これらデューティ変換部１０６ａ，１０６ｂで変換された各々デューティの異なるデューティ信号ＡＤ，ＢＤを選択する切替スイッチ１０４と、この切替スイッチ１０４で各々デューティの異なるデューティ信号が交互に選択されるように制御する制御部１１０とを備えて構成する。 （もっと読む）

【課題】電力変換を行う複数の半導体素子の温度を正確に検知することができ、これを安価で小型な回路で実現すること。
【解決手段】各スイッチング素子３５ａ，３５ｂに対応付けられた複数のダイオード１２２ａ，１２２ｂの発生電圧を選択する切替スイッチ１０３と、その選択電圧をＰＷＭ変調でデューティ信号に変換するデューティ変換部１０６と、デューティ信号と周期が異なる固有のヘッダ信号ＨｄＡ，ＨｄＢを、複数の発生電圧の数に対応した種類だけ並列に生成するヘッダ生成部１０８ａ，１０８ｂと、それらヘッダ信号ＨｄＡ，ＨｄＢの１つを選択する切替スイッチ１０４と、この選択されたヘッダ信号ＨｄＡ又はＨｄＢと、デューティ信号とを選択する切替スイッチ１０５とを備える。制御部１１０で各発生電圧が交互に選択され、切替スイッチ１０５で１つのヘッダ信号ＨｄＡ又はＨｄＢと、１つのデューティ信号との一対の組が選択されるように制御する。 （もっと読む）

【課題】電力変換を行う複数の半導体素子の温度を正確に検知することができ、これを安価で小型な回路で実現すること。
【解決手段】各スイッチング素子３５ａ，３５ｂに対応付けられた複数のダイオード１２２ａ，１２２ｂの発生電圧を選択する切替スイッチ１０３と、その選択された電圧をＰＷＭ変調により所定デューティ比のデューティ信号に変換するデューティ変換部１０６と、そのデューティ信号と周期が異なる固有のヘッダ信号を生成するヘッダ生成部１０８と、このヘッダ信号とデューティ信号とを選択する切替スイッチ１０４とを備える。制御部１１０で、切替スイッチ１０３で各ダイオード１２２ａ，１２２ｂの発生電圧が交互に選択され、切替スイッチ１０４で、ヘッダ信号の後に上記の交互に選択されたデューティ信号が順次配列され、このヘッダ信号及びデューティ信号の配列順が繰り返される選択が行われるように制御する。 （もっと読む）

【課題】複数のスイッチング素子のスイッチング状態が同時に切り替わることを回避する場合、スイッチング状態の切替を遅延させる時間が必要以上に長くなること。
【解決手段】Ｕ相のパワースイッチング素子の操作信号Ｕｐｉがオフ状態への切替指令を示すことで、このタイミングから所定時間ΔＴ１に渡って他相のパワースイッチング素子のスイッチング状態の切替指令の出力を禁止する。また、上記オフ状態への切替指令から遅延時間Ｔｄ経過後の所定時間ΔＴ２に渡って、他相のオン状態への切替を禁止する。これにより、Ｗ相の操作信号Ｗｐｉのオン状態への切替指令は所定時間ΔＴ２の終了タイミングまで補正される。 （もっと読む）

【課題】装置を複雑化させず、ＩＧＢＴ等の電圧駆動型半導体スイッチング素子のスイッチングノイズを低減するインバータ装置やインバータ制御装置を提供する。
【解決手段】ゲート駆動回路２３１の電源電圧Ｖｇｓを、電圧指令装置（マイコン）２３４からの指令により制御可能とし、素子の温度情報に応じて変化させ、ＩＧＢＴ２１１のゲート電圧Ｖｇを調整する。すなわち、素子の冷却水の温度が低く、熱的に余裕がある場合、ゲート電圧を高く設定し、スイッチングノイズを低減する。 （もっと読む）

【課題】パワースイッチング素子Ｓｗのゲートと電源２０との間を開閉する充電用スイッチング素子３０を操作することでパワースイッチング素子Ｓｗをオン操作するに際し、過電流が流れる場合に問題が生じること。
【解決手段】パワースイッチング素子Ｓｗのオン操作に伴って、切替回路２４のａ端子を選択した状態で、充電用スイッチング素子３０をオン操作する。その後、センス端子Ｓｔの出力電流による抵抗体４４の電圧降下量に基づきコンパレータ４８によってパワースイッチング素子Ｓｗに過電流が流れるか否かを判断する。過電流が流れていない場合、切替回路２４のｂ端子を選択することで、ゲート印加電圧を電源２０の電圧Ｖ１から電源２０，２２の直列による電圧Ｖ１＋Ｖ２に切り替える。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチ素子の動作状態の情報を外部装置へ伝送するにあたって、情報の数を減らすことなく絶縁素子の使用個数を低減し、装置の小型化と低コスト化、及び、故障率の低減を実現する。
【解決手段】異なる基準電位に基づいてスイッチング動作を行う半導体スイッチ素子（１ａ、１ｂ）を２個以上直列接続して構成された半導体電力変換装置（１００）であって、それぞれの半導体スイッチ素子の異常検出要因および所定の物理量を状態検知情報として検知し、外部装置へ伝送する情報伝送回路部（４ｂ）を備え、情報伝送回路部（４ｂ）は、検知した状態検知情報に応じて、異常検出要因および所定の物理量を識別可能な二値論理信号を生成し、生成した二値論理信号を単一の絶縁素子（７ｂ）を介して外部装置へ伝送する。 （もっと読む）

【課題】電圧駆動素子のスイッチ時のサージ電圧とリンギングを抑制して、ノイズ放射による誤動作を防止する。
【解決手段】電圧駆動素子であるＩＧＢＴ（Ｑ１１）に、誘導性負荷Ｌ１１とユニポーラ型の還流ダイオードＤ１２が接続されている。Ｑ１１のターンオフ時に、Ｑ１１のコレクタからコンデンサＣ１１とダイオードＤ１１及び抵抗Ｒ１９を介して、ベース抵抗Ｒ１２へ電流が流れ、ベース抵抗Ｒ１２で電圧が発生し、ＰＮＰトランジスタＱ１２のベース電圧Ｖｂは上昇する。この電圧上昇速度は、コンデンサＣ１１とベース抵抗Ｒ１２及び抵抗Ｒ１９によって決まる時定数により決定され、上昇電圧はベース抵抗Ｒ１２と抵抗Ｒ１９で分圧される。これによりＱ１２のベース電圧Ｖｂの変化速度、即ちＱ１１のゲート電圧Ｖｇの変化速度を制御する。 （もっと読む）

【課題】隣接するパワー半導体素子からの伝熱の影響を受けても寿命であるとの誤認識を防止することができるパワーモジュールを提供する。
【解決手段】パワー半導体素子であるＩＧＢＴ２の表面中央部および表面周辺部の２箇所にダイオード６ａ，６ｂを取り付けてそれらの温度を検出し、温度勾配監視手段７が表面中央部の温度と表面周辺部の温度との温度勾配（温度差）を監視する。動作状態検出手段８がＩＧＢＴ２の動作状態、すなわち、オン状態かオフ状態かを検出し、素子電流検出手段９がＩＧＢＴ２の大電流動作を検出し、寿命推定手段１０は、動作状態検出手段８がＩＧＢＴ２のオン状態を検出し、素子電流検出手段９がＩＧＢＴ２の大電流動作を検出しているときだけ、温度勾配監視手段７の監視結果に基づいた寿命の推定を行う。これで、寿命推定時に、他のパワー半導体素子からの熱の影響による誤認識を防止できる。 （もっと読む）

【課題】雷によって発生する電力系統の瞬低の需要家に対する影響を低減することが可能な配電系統操作システムを提供する。
【解決手段】本発明に係る配電系統操作システムでは、電力系統の瞬低を引き起こす原因となる雷の発生情報に基づいて、電源系統上の雷影響範囲を認識し、瞬低の発生が予測される需要家を検索して、事前に需要家へ電力を供給するための経路を切替える。 （もっと読む）

【課題】電流がダイオードを介して還流しても、それに影響されることなく、トランジスタのオープン故障を検出することができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】モータ制御装置は、複数のスイッチング素子を有する昇圧コンバータ回路、３相インバータ回路と、オープン故障回路とを備えている。スイッチング素子は、ＩＧＢＴと、ＩＧＢＴに並列接続されるダイオードと、ＩＧＢＴの温度を検出する温度センサとを有している。オープン故障判定手段は、温度センサの検出したＩＧＢＴの温度を取り込む。そして、ＩＧＢＴ間の温度差がオープン故障判定温度差より大きいとき、温度が低いＩＧＢＴがオープン故障していると判定する。従って、電流がダイオードを介して還流しても、それに影響されることなく、トランジスタのオープン故障を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】逆回復電流に起因するスイッチング損失ならびに発熱損失を減少することができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】電力変換装置において、ノーマリーオン型スイッチング素子４とノーマリーオフ型スイッチング素子５とを、電気的に直列接続し、カスコード接続用ダイオード７を介して、ノーマリーオン型スイッチング素子４のゲート端子とノーマリーオフ型スイッチング素子５のソース端子を接続したカスコード素子２１と、このカスコード素子２１と電気的に並列接続され、正極端子にカソード領域が接続され、負極端子にアノード領域が接続された高速ダイオード６とを備える。 （もっと読む）

【課題】逆耐圧を有するＩＧＢＴの短絡保護回路として、ゲート駆動回路とＩＧＢＴのコレクタとの間にダイオードを接続して、過電流時コレクタ電圧が上昇した時、ゲート遮断する方式では、駆動回路に逆電圧がかかり破壊される。
【解決手段】ゲート駆動回路とＩＧＢＴのコレクタとの間にダイオードと抵抗の直列回路を接続し、さらにゲート信号遮断用トランジスタのエミッタと制御端子に接続した定電圧ダイオードのカソードとの間にダイオードを設ける。 （もっと読む）