【課題】電気的に絶縁された回路間で電力伝達と信号伝達を行う構成を有していても、回路基板の小型化を容易に実現できる、インバータ駆動装置の提供をすること。
【解決手段】ＰＷＭ信号Ｓ１を互いに相補する２つの波形信号Ｓ３Ａ，Ｓ３Ｂに変換する変換回路と、下アーム素子４７Ａに駆動信号Ｓ７Ａを伝達する下アーム回路２１２と，上アーム素子４７Ｂに駆動信号Ｓ７Ｂを伝達する上アーム回路２１３と、下アーム回路２１２と上アーム回路２１３に給電を行うトランス３６とを備え、トランス３６が、２つの波形信号Ｓ３Ａ，Ｓ３Ｂのうち、波形信号Ｓ３Ａを下アーム回路２１２に伝達し、波形信号Ｓ３Ｂを上アーム回路２１３に伝達する、インバータ駆動装置。 （もっと読む）

【課題】コンバータで発生するスイッチングノイズが伝導および輻射するのを抑制可能なフィルタ回路およびそれを用いた照明装置を提供する。
【解決手段】コンバータ４４とコンバータ４４の入力側の電源あるいは出力側の負荷４２との間に設けられるフィルタ回路４３であって、高電位側のラインに第１のインダクタＬ９が設けられるとともに、低電位側のラインに第２のインダクタＬ１０が設けられ、第１のインダクタＬ９と第２のインダクタＬ１０とのインダクタンス値がそれぞれ異なる。 （もっと読む）

【課題】より効率的に負荷を駆動できるようにする。
【解決手段】ＩＧＢＴ５１〜５６のゲートに入力する信号の電圧を調整する電圧調整回路２０とＩＧＢＴ５１〜５６のゲートに入力する信号のスイッチングスピードを調整するスイッチングスピード調整回路３０を備え、正弦波ＰＷＭ制御モード、過変調ＰＷＭモード、矩形波制御モード等の制御モードに応じて、ＩＧＢＴ５１〜５６の損失が低減されるように、ＩＧＢＴ５１〜５６のゲートに入力する信号の電圧およびスイッチングスピードを加工する。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障等してスイッチング素子をオフできない異常状態になっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路１２８は、オン駆動用抵抗１２１ｂの端子間電圧に基づいてオン駆動用ＦＥＴ１２１ａに流れる電流を検出する。そして、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらず、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａに電流が流れているとき、駆動用電源回路１２０の動作を停止させ、駆動用電源回路１２０からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。従って、オン駆動用スイッチング素子がオン故障等した場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子のオン／オフ動作によってアースに漏洩する電流を低減することができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】インバータ回路４の出力電流を検出する電流検出器３１〜３３と、インバータ回路４の動作によりアースに漏洩する電流を打消すための補償電流を流すノイズ低減回路９とを備え、ノイズ低減回路９は、インバータ回路４のスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６のオン／オフ状態を制御する信号と電流検出器３１〜３３で検出する電流の極性とによってトランジスタＴｒ１とＴｒ２を駆動することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ハイサイドスイッチの過電流が検出された場合に、ハイサイドスイッチだけでなくハイサイドスイッチに接続される回路を保護することが可能なハイサイドスイッチ回路、および、そのハイサイドスイッチ回路を含む装置を提供する。
【解決手段】ゲート電圧降圧部３１は、過電流検出部２０からの電流制限信号に応じて、ＭＯＳトランジスタ１５のゲート電圧を第１の電圧から、第１の電圧と第２の電圧との間の第３の電圧まで、第１の時間変化率で低下させる。これによりＭＯＳトランジスタ１５のオン抵抗がＭＯＳトランジスタ１５の完全オン時のオン抵抗より高くなる。ゲート電圧降圧部３２は、ゲート電圧が第３の電圧に達した後に、ゲート電圧を第３の電圧から第２の電圧まで第２の時間変化率で低下させる。第１の時間変化率は、第２の時間変化率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成でスイッチング素子の負バイアス駆動を行う駆動回路及び当該駆動回路を備えた半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の駆動回路は、ＩＣチップに搭載され、半導体スイッチング素子４ａを駆動する駆動回路であって、前記ＩＣチップ外部の単一電源から供給される第１の電圧Ｖ１を受け、第１の電圧Ｖ１から第２の電圧Ｖ２を生成して、これを半導体スイッチング素子４ａの基準端子に印加する電源回路８と、前記ＩＣチップ外部からの入力信号に応じて、半導体スイッチング素子４ａの制御端子に第１の電圧Ｖ１を印加／非印加することにより半導体スイッチング素子４ａを駆動する駆動部とを備える。 （もっと読む）

【課題】センス機能付きパワー半導体デバイスのメイン領域とセンス領域の電流スイッチタイミングや過渡特性のずれを小さくするようゲート駆動回路で補正して電流検出の精度を向上させるセンス機能付きパワー半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ゲートパルス発生回路（21）から出力されるゲート駆動信号が、ゲート抵抗値補正回路1（22）及びゲート抵抗値補正回路2（23）の各補正抵抗を経由してセンスゲート端子Gs 及びメインゲート端子Gm 並びにMPU(24)の入力端へ出力される。各ゲート抵抗値補正回路（22，23）の補正抵抗値は、駆動時の負荷電流値、各ゲート電圧値以外に、電源電圧値および素子温度値のうちいずれかの条件を測定し、測定した条件に応じてMPU（24）で最適な補正抵抗値を計算、または内蔵するメモリから最適な補正抵抗値を呼び出し、各ゲート抵抗値を補正する。 （もっと読む）

【課題】駆動信号がスイッチング素子のオフを指示しているにもかかわらず、制御端子の電圧が低下せず、スイッチング素子をオフできない場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止できる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路は、正常時に、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオフするタイミング（ｔ６）、オフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがオンするタイミング（ｔ７）、及び、オン保持用ＦＥＴ１２３ａがオンするタイミング（ｔ９）の後であって、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオン指示からオフ指示に切替わるタイミング（ｔ５）から一定の時間Ｔｏｆｆの経過後に、オン保持用ＦＥＴ１２３ａをオンする（ｔ１０）。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障し、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらずＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態であっても、ＩＧＢＴ１１０ｄを確実にオフできる。従って、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】より効果的に逆起電圧の発生を抑え、過電圧による素子の破壊を防ぐことが可能な保護回路を提供する。
【解決手段】第１の実施形態の保護回路２は、抵抗値可変スイッチ１０，過電流検出部２０，制御電圧印加部３０，容量部４０，制御端子電圧変更部５０および外部端子１１を備える。抵抗値可変スイッチ１０は、制御端子１０ａ，第１端子１０ｂおよび第２端子１０ｃを有する。制御端子電圧変更部５０は、抵抗値可変スイッチ１０の制御端子１０ａと基準電位端子との間に直列的に設けられたスイッチ５１および抵抗器５２を含む。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置における電力用半導体素子の消耗度をより正確に且つより低い演算負荷で監視する電力用半導体素子消耗度監視システムを備える射出成形機を提供すること。
【解決手段】電力変換装置１０における電力用半導体素子の消耗度を監視する電力用半導体素子消耗度監視システム１００を備える射出成形機は、電力変換装置１０の運転状態が予め設定された複数の運転パターンの何れに該当するかを判定する運転状態判定部４５１と、それら複数の運転パターンのそれぞれが実行された場合のその電力用半導体素子の消耗度を予め記憶する消耗度参照テーブル４６０と、消耗度参照テーブル４６０を参照して、運転状態判定部４５１が判定した運転パターンが実行された場合のその電力用半導体素子の消耗度を取得して積算する消耗度積算部４５２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】従来の自給型ゲート駆動用電源回路では、ＲＣＤスナバ回路を充放電動作で使用するため、スナバ抵抗における充放電損失が大きくなり高周波動作では変換効率が低下し、装置が大型になる。さらに駆動用の電源として単一電源しか作れないため、ＩＧＢＴのゲートに逆バイアスをかけることができずターンオフ損失が大きい。
【解決手段】上下アーム対の半導体スイッチング素子が交互にオンオフ動作することにより、上アーム側スイッチング素子駆動回路と、下アーム側スイッチング素子駆動回路との間に生じる電位差変動により充放電を繰り返すバイパスコンデンサを備え、バイパスコンデンサの充放電電流を上アーム側スイッチング素子駆動回路と下アーム側スイッチング素子駆動回路の各々の電源部に設けた整流回路で整流し、記整流回路の出力を各々のスイッチング素子駆動回路用電源とする。 （もっと読む）

【課題】送信側の異常、ノイズの混入など送信側動作状態の安否を随時に確認することができるとともに、スイッチング時の基準電位の変動による誤動作ついても確実に防止する。
【解決手段】送信信号に基づいて正論理と負論理の相補信号を出力する相補信号駆動回路と、この相補信号をそれぞれ独立したチャンネルで伝送する相補信号伝送路と、相補信号伝送路の信号を受信して、両者の排他的論理和に基づいて、両者が相補信号であるか否かを判定する相補信号判定回路を設け、相補信号判定回路の出力信号と送信信号との論理積を受信信号とする。 （もっと読む）

【課題】回生電流がモータ等の負荷から駆動回路を構成するプリドライバ回路側に流れても、駆動回路の制御に影響を与えないようにすること。
【解決手段】第１の電源電圧（ＶＭ）に接続された第１の駆動トランジスタと、接地に接続された第２の駆動トランジスタとの間の負荷に接続される接続ノード（Ｎ１）を出力端子とするブリッジ回路に接続されたプリドライバ回路において、接続ノード（Ｎ１）である出力端子に接続された出力モニタ回路を有し、該出力モニタ回路を用いて、出力端子に現れる電圧（Ｖｏｕｔ）に基づいて電圧のみをフィードバックさせる第１のフィードバック信号（Ｓ１）を生成し、第１のフィードバック信号（Ｓ１）に基づいて第２のフィードバック信号（Ｓ２）を生成して、出力端子に現れる電圧（Ｖｏｕｔ）が第１の電源電圧（ＶＭ）に近づくように、第１の駆動トランジスタを駆動制御する。 （もっと読む）

【課題】誤動作を防止することによって従来よりも信頼性を高めた、スイッチング素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】スイッチング素子Ｑ５の駆動回路ＨＶＩＣにおいて、論理回路Ｕ１５は、内部状態に応じて高電位側のスイッチング素子Ｑ５をオン／オフに切替えるための制御信号を出力する。第１の抵抗部ＲＰ１は、第３の電源ノードＶＢと第１のノードＮＤ１との間に設けられる。第２の抵抗部Ｒ２は、第１のノードＮＤ１と第２のノードＮＤ２との間に設けられる。第１の制御用スイッチング素子Ｑ１は、第２のノードＮＤ２と第１の電源ノードＧＮＤとの間に設けられ、第１のパルス信号ＰＬＳ１を受けたときに導通する。第１の比較部Ｕ４は、第１のノードＮＤ１の電位が第１の閾値以下の場合に活性状態となる第１の信号Ｓｏｎを出力する。第１および第２の抵抗部ＲＰ１，Ｒ２の少なくとも一方の抵抗値は、上記の制御信号の変化に基づいたタイミングで変化する。 （もっと読む）

【課題】コンデンサの容量を小さくでき安価にＩＣ化できるゲート駆動回路。
【解決手段】直流電源V1の正極に起動抵抗R1を介して一端が接続された第１コンデンサC1と、第１電極と第２電極と第１制御電極とを有し第１コンデンサの一端に第１電極が接続され第２電極が直流電源の負極であるグランドに接続された第１スイッチQ3と、第３電極と第４電極と第２制御電極とを有し第３電極が第１スイッチの第２電極と直流電源の負極であるグランドに接続され第４電極が第１コンデンサの他端に接続された第２スイッチQ4と、第２スイッチの第３電極と第４電極とに並列に接続され一端が直流電源の負極であるグランドに接続された第２コンデンサC2と、パルス信号に基づきスイッチング素子のターンオフ時にスイッチング素子のゲートを第１コンデンサの他端及び第２コンデンサの他端に接続することによりスイッチング素子のゲートを負電圧にさせる負電圧制御部Q1,Q2とを有する。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障してスイッチング素子をオフできない異常状態になっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路１２８は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａのゲート電圧がオンしない電圧であるにもかかわらず、ドレイン−ソース間電圧がオンした際の電圧であるとき、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障していると判断する。そして、駆動用電源回路１２０の動作を停止させ、駆動用電源回路１２０からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障してＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態になっても、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】自己インダクタンスを有する接続ラインを用いてなる電力変換装置において、スイッチング素子をターンオンまたはオフしたときに、電流経路とスナバコンデンサとが共振することを抑制することができ、配置の自由度を向上させることができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】一対の接続ライン２０、３０の少なくとも一方の接続ラインに、当該接続ラインよりも自己インダクタンスが低いと共に抵抗値が高い補助配線２１〜２３、３１〜３３を備える。そして、補助配線２１〜２３、３１〜３３を含んで構成される電流経路の自己インダクタンスを、一対の接続ライン２０、３０を含んで構成される電流経路の自己インダクタンスより小さくする。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子をオフするように制御しているにもかかわらず、オフできない異常状態を検出することができる電子装置を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ１１０ｄに流れる電流が電流閾値より大きくなると、電流検出回路１２５は、ＩＧＢＴ１１０ｄに電流が流れていると判断する。制御回路１２８は、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらず、電流検出回路１２５がＩＧＢＴ１１０ｄに電流が流れていると判断すると、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態にあると判断する。そして、駆動用電源回路１２０の動作を停止させ、駆動用電源回路１２０からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。そのため、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらず、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態を検出することができ、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障等した場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】オン駆動用抵抗１２１ｂとオフ駆動用抵抗１２２ｂの抵抗値は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａとオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがともにオンした場合に、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧が、オン電圧が増加するオン、オフの閾値電圧付近の所定範囲外であって、オン、オフの閾値電圧より低くなるように設定されている。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障等したときにオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがオンしても、オン電圧が増加してＩＧＢＴ１１０ｄの発熱が増大することなく、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフすることができる。従って、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止することができる。 （もっと読む）