【課題】入力信号をレベルシフトして出力するレベルシフト回路を有しながらも、電源の電圧変動等による誤信号の出力を抑えることが可能となる信号伝達回路を提供する。
【解決手段】第１入力信号および第２入力信号の各々をレベルシフトし、それぞれ第１シフト済み信号および第２シフト済み信号として出力する、レベルシフト回路を備え、レベルシフト回路は、第１入力信号に応じて開閉するスイッチング素子と抵抗を有する第１直列回路、および、第２入力信号に応じて開閉するスイッチング素子と抵抗を有する第２直列回路が、電源と接地端との間において互いに並列に設けられており、第１直列回路上の電圧を第１シフト済み信号として、第２直列回路上の電圧を第２シフト済み信号として、それぞれ出力するようになっており、接地端から第１直列回路および第２直列回路に向かって逆電流が流れることを防止する、逆流防止部を備えた信号伝達回路とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴやＦＥＴなどの半導体スイッチング素子のゲートドライブ回路に駆動用電力を供給する電源装置の部品点数を減少させて基板サイズを小さくした電力変換装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体スイッチング素子６、７と、これらの半導体スイッチング素子６，７をそれぞれ駆動する複数のゲートドライブ回路８、９と、これらのゲートドライブ回路８、９にそれぞれ駆動用電力を供給する電源装置１０とを備えたパワーコンデショナ１において、電源装置１０を高周波交流電源で構成すると共に、ゲートドライブ回路８、９の入力側に、電源装置１０から出力される高周波交流を直流に変換するパルストランス１３、１４を備えた。 （もっと読む）

【課題】 主素子の逆並列ダイオードの逆回復特性を改善することができ、構成素子の耐電圧化を図ることができる半導体スイッチを提供する。
【解決手段】 半導体スイッチ７は、スイッチング素子１及び逆並列ダイオード２を有した主素子３と、逆電圧印加回路６と、を備えている。逆電圧印加回路６は、補助電源１２と、高速還流ダイオード４と、補助素子５と、コンデンサ１３と、を有している。高速還流ダイオード４は、多直列に接続された複数のダイオード１５で形成されている。 （もっと読む）

【課題】車両駆動回路に含まれる素子の異常判定、または、車両駆動回路用の複数の素子からの異常素子の検出を、他の異常要因と区別して行うことを目的とする。
【解決手段】時間間隔Δｔごとに、スイッチング素子の温度変化測定値ΔＴｍと、温度変化推定値ΔＴｅとの差異が測定値偏差Ｄ（ｎ）として求められ、さらに、その時間変化率である測定値偏差・時間変化率Ａが求められる。温度変化は、スイッチング素子の温度から温度基準値を減算した値である。温度変化測定値ΔＴｍは、スイッチング素子の温度検出値から温度基準値を減算することで求められ、温度変化推定値ΔＴｅは、スイッチング素子に流れる電流に基づいて求められる。測定値偏差・時間変化率Ａは、１つの処理セットが実行されるごとに判定積算値ＳＵＭに加算される。判定積算値ＳＵＭが閾値βより大きい場合には、スイッチング素子に熱抵抗劣化があるものと判定される。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧の印加に制限がある半導体スイッチング素子を高い周波数で高速にスイッチングできる駆動回路を提供する。
【解決手段】通電制御回路４が４つのスイッチＳ１〜Ｓ４とスイッチＳａ１及びＳａ２とを併せて制御することで、インダクタＬ１に電流を双方向に通電し、インダクタＬ１を介して流れる電流によりＮチャネルＦＥＴ１のゲートを充電し、また前記ゲートから放電させる。具体的にはダイオードＤａ１のカソードとダイオードＤａ２のアノードとの間に接続されるスイッチＳ１及びＳ２の直列回路と、コンデンサＣ１とコンデンサＣ２との間に接続され、共通接続点がＮチャネルＦＥＴ１のゲートに接続されるスイッチＳ３及びＳ４の直列回路とで構成し、インダクタＬ１を、スイッチＳ１及びＳ２の共通接続点と、スイッチＳ３及びＳ４の共通接続点との間に接続する。 （もっと読む）

【課題】 主素子の逆並列ダイオードの逆回復特性を改善することができ、小型化を図ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置Ｄは、半導体回路２２と、電源９とを備えている。半導体回路２２は、スイッチング素子１及び逆並列ダイオード２を有した主素子３と、高速還流ダイオード４と、コンデンサ６と、補助素子５とを有した逆電圧印加回路７と、主素子駆動回路１３と、補助素子駆動回路１４とを備えている。電源９は、コンデンサ６に並列に接続され、主素子駆動回路１３及び補助素子駆動回路１４に接続され、コンデンサ６、主素子駆動回路１３及び補助素子駆動回路１４に電力を供給し、主素子３の耐電圧より電圧値が低い。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧の印加に制限があるスイッチング素子を、アイソレーションを図りつつ高速にスイッチングできる半導体スイッチング素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】駆動回路２を構成するトランスＴｒの二次巻線Ｎ２側のＦＥＴ１を含む電流経路５に、互いに逆方向に挿入されるＦＥＴ＿Ｓg1，Ｓg2を備え、トランスの一次巻線にはＨブリッジ回路４により発生させた交流電流を供給する。ＦＥＴ＿Ｓg1は、交流電圧Ｖ＿Ｎ２が一方の極性となり自身のゲートに印加される電圧が閾値を超えるとターンオンし、ＦＥＴ１のゲートに充電電流を流してターンオンさせる。また、ＦＥＴ＿Ｓg2は、交流電圧Ｖ＿Ｎ２が他方の極性となり自身のゲートに印加される電圧が閾値を超えるとターンオンし、ＦＥＴ１のゲートから放電電流を流してターンオフさせる。 （もっと読む）

【課題】車両搭載用の電力供給システムにおいて、電気回路に接続された電力伝送線に現れるノイズを低減することを目的とする。
【解決手段】車両搭載用電力供給システムは、電気回路ユニットに電力を伝送する正極バスバー３０Ｐおよび負極バスバー３０Ｎを備える。正極バスバー３０Ｐおよび負極バスバー３０Ｎは、これらのバスバーが互いの板面を向き合わせて平行に配置された平板対向区間を有する。正極バスバー３０Ｐは、上側の板面がユニットケース２６の内面に向けられ、下側の板面が負極バスバー３０Ｎの上側の板面に向けられるよう配置されている。負極バスバー３０Ｎは、下側の板面がユニットケース２６の内面に向けられ、上側の板面が正極バスバー３０Ｐの下側の板面に向けられるよう配置されている。 （もっと読む）

【課題】電流制御用トランジスタ、電流検出用抵抗及びオフ駆動用スイッチング素子の少なくともいずれかの異常を検出できる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路は、正常時のミラー期間Ｔｍの終了時ｔ４におけるＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧がミラー電圧Ｖｍより高い場合、電流制御用ＦＥＴ１２１ａのショート故障、又は、電流検出用抵抗１２１ｂのショート故障が発生していると判断する。具体的には、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧の立ち上がり時ｔ２を基準として、所定時間Ｔ１経過後のｔ４におけるＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧に基づいて異常を検出する。これにより、電流制御用ＦＥＴ１２１ａ又は電流検出用抵抗１２１ｂの異常を検出するころができる。 （もっと読む）

【課題】 電力伝送効率がよく、より小型のスイッチング素子駆動回路を提供する。
【解決手段】 実施形態に係るスイッチング素子駆動回路は、電力変換装置を構成するスイッチング素子と、前記スイッチング素子のオン／オフを切り替えるためのゲート信号を発生する制御演算手段と、前記ゲート信号を変調する為の所定周波数の交流信号を発生する発振手段と、前記発生されたゲート信号の立ち上がり及び立下りの各所定時間内において、前記交流信号の振幅を変化させ、前記ゲート信号を変調する変調手段と、前記変調手段にて変調されたゲート信号を復調し、前記スイッチング素子のゲートに供給する復調手段と、
前記制御演算手段と前記スイッチング素子間の絶縁を確保した上で、前記変調手段にて変調されたゲート信号を前記復調手段に伝送し、プリント基板上に実装されたトランスとを具備する。 （もっと読む）

【課題】過大電流による素子の破壊を防止することができる、半導体回路、半導体装置、及び電池監視システムを提供する。
【解決手段】短絡保護回路３０のＰＭＯＳトランジスタＭＰ３により短絡状態の場合は、電源電圧ＶＤＤからＦＥＴゲート電圧出力端子ＦＥＴ＿ＰＡＤ（外部ＦＥＴ０）に電流が流れる経路をＰＭＯＳトランジスタＭＰ０及び短絡電流検出用抵抗素子Ｒ０を経由する経路から、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１及び抵抗素子Ｒｐｕを経由する抵抗値が大きい経路に切り替えるため、短絡電流を制限することができ、従って、短絡により、電池監視ＩＣ１４が破壊されるのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】コントローラから制御回路に送る情報量を抑え、簡素な構成で、特性に応じてスイッチング素子を適切に制御できる電子装置を提供する。
【解決手段】制御装置１２は、制御回路１２４と、コントローラ１２５とを備えている。コントローラ１２５は、記憶されているオン、オフ閾値電圧と検出した温度に基づいて制限電圧と制限時間を求める。そして、記憶されている制限電圧と制限時間の組合せ情報と識別情報のテーブルに基づいて、求めた制限電圧と制限時間に対応する識別情報を求め出力する。制御回路１２４は、記憶されている制限電圧と制限時間の組合せ情報と識別情報のテーブルと、コントローラ１２５の出力した識別情報に基づいて、制限電圧と制限時間を求める。複数の情報を対応する１つの情報に変換できる。そのため、コントローラから制御回路に送る情報量を抑えられる。従って、簡素な構成で、特性に応じてスイッチング素子を適切に制御できる。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成で、特性に応じてスイッチング素子を適切に制御することができる電子装置を提供する。
【解決手段】制御装置１２は、オン駆動用定電流回路１２１と、電圧制限回路１２３と、制御回路１２４と、コントローラ１２５とを備えている。制御回路１２４は、記憶されているＩＧＢＴ１１０ｄの特性情報に基づいて電圧制限回路１２３を制御する。そのため、従来のように、２つの電源を用いることなく、オン駆動用定電流回路１２１と電圧制限回路１２３によって、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧を調整することができる。従って、回路構成を簡素化することができる。また、予め記憶されているＩＧＢＴ１１０ｄの特性情報に基づいて電圧制限回路１２３を制御する。そのため、特性に応じてＩＧＢＴ１１０ｄを適切に制御することができる。 （もっと読む）

【課題】スイッチングにおけるターンオン、ターンオフ時間を制御し、常にスイッチング時間が最少となるスイッチング素子ゲート駆動回路の創出を目的とする。
【解決手段】ゲート駆動回路のゲート抵抗に相当する部分をバイポーラトランジスタ等の能動素子とし、その能動領域を使ってゲート電流を制御する。能動素子の駆動回路の制御装置はスイッチング時間に関するデータを持ち、常にスイッチング時間が最少となる、すなわちスイッチング損失が最少となる状態に制御する。 （もっと読む）

【課題】簡素な構成で、特性に応じてスイッチング素子を適切に制御することができる電子装置を提供する。
【解決手段】制御装置１２は、オン駆動用定電流回路１２１と、電圧制限回路１２３と、制御回路１２４と、コントローラ１２５とを備えている。コントローラ１２５は、記憶されているＩＧＢＴ１１０ｄの特性情報から電圧制限回路制御情報を求める。制御回路１２４は、求めた電圧制限回路制御情報に基づいて電圧制限回路１２３を制御する。そのため、従来のように、２つの電源を用いることなく、オン駆動用定電流回路１２１と電圧制限回路１２３によって、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧を調整することができる。従って、回路構成を簡素化することができる。また、予め記憶されているＩＧＢＴ１１０ｄの特性情報に基づいて電圧制限回路１２３を制御する。そのため、特性に応じてＩＧＢＴ１１０ｄを適切に制御することができる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子をオンするために、スイッチング素子の制御端子に定電流を供給して電荷を充電するオン駆動用定電流回路の異常を検出できる電子装置を提供する。
【解決手段】制御装置１２は、オン駆動用定電流回路１２１と、オフ駆動用回路１２２と、制御回路１２８とを備えている。オン駆動用定電流回路１２１は、電流制御用ＦＥＴ１２１ａと、電流検出用抵抗１２１ｂとを有している。制御回路１２８は、電流検出用抵抗１２１ｂの電圧に基づいて電流制御用ＦＥＴ１２１ａを制御し、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートに定電流を流し込み、ＩＧＢＴ１１０ｄをオンする。オン駆動用定電流回路１２１の電流制御用ＦＥＴ１２１ａや電流検出用抵抗１２１ｂ等が故障すると、それらに流れる電流や、それらに印加される電圧が変化する。そのため、電流制御用ＦＥＴ１２１ａの電圧に基づいてオン駆動用定電流回路１２１の異常を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】電源電圧を平滑化するためのコンデンサの故障を精度良く報知すること。
【解決手段】電源回路の故障検出装置は、スイッチングレギュレータ１３の出力側である電力供給経路に接続されたコンデンサＣの故障を検出する。スイッチングレギュレータ１３の出力電力を、マイコン１５からの停止信号ＳＰによりマイコン消費電力に基づいて設定された所定の停止時間ｔｓｐだけ停止させる。この停止期間中に、電力供給経路の電圧レベルがマイコン１５への動作電圧Ｖｃｃ未満となった場合、故障報知部１７によりコンデンサＣが故障と報知する。 （もっと読む）

【課題】コンバータ回路やインバータ回路に流れる電流を精度良く検出できるようにする。
【解決手段】ＤＣリンク（13）には、コンバータ側シャント抵抗器（17）とインバータ側シャント抵抗器（18）とが接続される。コンバータ側シャント抵抗器（17）及びインバータ側シャント抵抗器（18）の両端の電位差は、コンバータ側増幅回路（21）及びインバータ側増幅回路（22）によって増幅されて出力される。コンバータ側増幅回路（21）には、オフセット回路（30）が接続される。オフセット回路（30）は、抵抗分圧回路（31）とボルテージフォロア回路（32）とを有している。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用定電流回路が故障しても、スイッチング素子の破損を抑えて駆動することができる電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】制御回路１２８は、オン駆動用定電流回路１２１が故障して、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートに正常時に流れ込む電流より大きい電流が流れ込むようになったとき、オフ駆動用定電流回路１２２の電流を調整する。これにより、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートに流れ込む電流、及び、ゲートから引き抜く電流を調整することができる。そのため、オン駆動用定電流回路１２１が故障しても、ＩＧＢＴ１１０ｄの破損を抑えて駆動することができる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子駆動回路において、スイッチング素子のスイッチング損失を抑制する。
【解決手段】 ゲート電圧検出回路２０１は、スイッチング素子１１のゲート電圧Ｖｇｓを検出し、このゲート電圧がスイッチング素子１１の閾値電圧未満に設定された所定電圧未満のとき、Ｈレベルの昇圧指示信号を出力する。電圧制御回路１０３は、前記昇圧指示信号がＬレベルの間は、制御電源１０２の所定電圧Ｖ１をそのまま出力し、前記昇圧指示信号がＨレベルの間は、前記所定電圧Ｖ１を昇圧した電圧Ｖ２を出力する。駆動信号出力回路１０４は、ＰＷＭパルス出力回路１１１から出力されるＰＷＭパルスの電圧を電圧制御回路１０３から出力される電圧に増幅する。従って、駆動信号出力回路１０４からスイッチング素子１１への駆動信号は、前記ＰＷＭパルスがＨレベルになった時に、先ず昇圧された電圧Ｖ２となり、スイッチング素子１１のゲート電圧Ｖｇｓが所定電圧にまで上昇すると、所定電圧Ｖ１となる。 （もっと読む）