【課題】電磁障害などの原因となる電圧振動の発生を低減できるパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】複数の絶縁基板２０，２０′の各々に搭載されるＩＧＢＴ等の半導体スイッチング素子５０，５０′の各主電極５２，５２′が導体部材４５により電気的に接続される。これにより、半導体スイッチング素子の接合容量と寄生インダクタンスとによる共振電圧の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置を構成するＦＥＴの発熱を低下させ、最大出力電力を高めた改良された電力変換装置を得る。
【解決手段】ＦＥＴ１ａ、ＦＥＴ１ｂとＦＥＴ１ａ、ＦＥＴ１ｂに逆並列接続された還流ダイオードＤ１ａ、Ｄ１ｂとにより半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂを構成し、スイッチング動作を行う２個１組の半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂと、平滑コンデンサＣ１とを有し、半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂのＦＥＴ１ａ、ＦＥＴ１ｂの相補的スイッチング動作により電力変換を行う電力変換装置１０において、半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂに流れる電流の向きを検出する電流センサＣＳ１と、半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂに流れる電流の向きが負であるときに、半導体スイッチＳ１ａ、Ｓ１ｂのＰＷＭゲート信号のオン信号を間引くゲート生成部１１を備えた。 （もっと読む）

【課題】ターンオン時のスイッチング特性が変動せず、電力損失を発生せずにスイッチング素子を安定してターンオンさせることができるゲートドライブ回路。
【解決手段】ドレインとソースとゲートとを有し且つワイドバンドギャップ半導体かなるスイッチグ素子Ｑ１のゲートに制御回路からの制御信号を印加することによりスイッチング素子をオンオフ駆動させるゲートドライブ回路であって、制御回路とスイッチング素子のゲートとの間に接続され、第1のコンデンサＣ１と第1の抵抗Ｒ１とからなる並列回路と、スイッチング素子のゲートとソースとの間に接続され、制御信号のオフ信号に対して遅延させてゲートとソースとの間を短絡する短絡手段Ｓ４とを備える。 （もっと読む）

【課題】高電圧で動作可能であると共に、スイッチング時の損失を低減可能な双方向スイッチを提供する。
【解決手段】一実施形態に係る双方向スイッチ１は、第１及び第２の端子１a,１bの間に流れる電流の向きを双方向にスイッチする双方向スイッチであって、逆方向に耐性を有しない第１の半導体スイッチ素子２０Ａと、第１の半導体スイッチ素子２０Ａと順方向で直列接続される第１の逆流阻止ダイオード部３０Ａとを有する第１の直列回路部１０Ａと、逆方向に耐性を有しない第２半導体スイッチ素子２０Ｂと、第２の半導体スイッチ素子２０Ｂと順方向で直列接続される第２の逆流阻止ダイオード部３０Ｂとを有する第２の直列回路部１０Ｂと、を備える。第１の直列回路部１０Ａと第２の直列回路部１０Ｂとは、第１及び第２の端子１a,１bの間に、第１及び第２の半導体スイッチ素子２０Ａ，２０Ｂの順方向が反対向きになるように並列接続されている。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の耐数年数をのばすと共に、駆動電圧を低下させることによるスイッチング素子の損失増加も改善させるインバータ装置およびそれを用いた誘導加熱装置を提供することを目的とする。
【解決手段】交流電圧を直流電圧に変換するコンバータ回路３０と、スイッチング素子２４で構成され直流電圧を任意の電圧と周波数の電力に変換し、負荷に高周波電流を供給するインバータ回路３１と、インバータ回路３１のスイッチング素子２４にスイッチング信号を供給する駆動回路２５と、インバータ回路３１の出力電力を検知する電力検知手段２６とを備え、電力検知手段２６で検知した電力に応じて、インバータ回路３１のスイッチング素子２４に供給するスイッチング信号の駆動電圧を可変させる駆動電圧可変手段２７とを備えた構成とすることで、インバータの出力電力に応じて、スイッチング素子２４の駆動電圧を可変させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子の回生動作時の電力損失を抑制し、かつ、安定してターンオン／オフさせることができるゲートドライブ回路。
【解決手段】制御回路とスイッチング素子Ｑ１のゲートとの間に接続され、コンデンサＣ１と抵抗Ｒ１とダイオードＤ１からなる直列回路と、スイッチング素子のゲートとソースとの間にＰＮＰ型トランジスタＱ２が抵抗Ｒ２を介して接続され、トランジスタＱ２のコレクタ・ベース間にダイオードＤ２が接続され、さらにトランジスタＱ２のベースはダイオードＤ１のアノードに接続され、制御回路からのオフ信号が入力されると、トランジスタの接合電圧とダイオードＤ２との順方向電圧との差分電圧を残してゲートとソースとの間を短絡する。 （もっと読む）

【課題】高速スイッチング素子である電圧駆動型トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）のターンオン・オフ時の電圧変化（ｄＶ／ｄｔ）と電流変化（ｄｉ／ｄｔ）を緩和して、ノイズとサージ電圧の発生を抑制する電源回路を提供する。
【解決手段】トランス２に流れる電流をスイッチングさせるためのＭＯＳＦＥＴ１のゲート抵抗値を、スイッチング期間内で、ＭＯＳＦＥＴ１のドレイン電圧Ｖｄｓの変化の検出と共に切り替える、ＭＯＳＦＥＴ１のゲート電圧Ｖｇは、ＭＯＳＦＥＴ１のゲート電圧の最大定格Ｖｇｍａｘ以下とする。 （もっと読む）

【課題】精度の高い電流制御、電圧制御を提供する。
【解決手段】主端子と基準端子と制御端子を有する第一のスイッチと、第二のスイッチまたは整流器、入力側コンデンサと出力側コンデンサを各１以上持ち、インダクタを持つ電力変換回路であって、相互接続点と基準電位または出力または入力間の電流によって生じる電圧を利用して、出力の制御や保護を行う回路であって、印刷基板を用いたものであって、前記電圧の生じている素子のうち相互接続点でない側と接合された印刷基板上の導体と、その導体と回路図上は同電位となるべき基準電位または入力または出力のいずれかと結合された入力コンデンサあるいは出力コンデンサの端子と接合された導体が、最短距離で結合されないように、空隙によって分断された構造を持つもの。 （もっと読む）

【課題】電圧駆動型素子を駆動状態と非駆動状態の間で遷移させるときの遷移期間において、電圧駆動型素子のゲート電圧を柔軟に制御するための技術を提供する。
【解決手段】駆動装置１は、電圧駆動部３と電流駆動部４を備えている。電圧駆動型素子２を駆動状態と非駆動状態の間で遷移させるときの遷移期間のうちの一部の区間では、電圧駆動部３を利用した電圧駆動型素子２のゲート電圧Ｖｇの制御が停止され、電流駆動部４を利用した電圧駆動型素子２のゲート電圧Ｖｇの制御が実行されるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】スイッチング電源で、電流検出回路を設けずに、負荷変動に伴う電圧上昇の抑制を可能とする。
【解決手段】スイッチング電源回路１４は、一次巻線と二次巻線とを有するトランス４１と、スイッチング信号を一次巻線に入力してトランス４１を駆動する一次側回路４０と、二次巻線に接続され、一次側回路４０とは電気的に絶縁されているゲートドライブ回路２０−ｎとを具備している。ゲートドライブ回路２０−ｎは、モータＥＣＵ１００からのＰＷＭ信号によって駆動されるゲート駆動回路２１−ｎと、ゲートドライブ回路２０−ｎに流れる電流を増大させるブリーダ抵抗Ｒ２０−ｎとを有し、モータＥＣＵ１００からのＰＷＭ信号を検出した場合に、ブリーダ抵抗Ｒ２０−ｎに流れる電流値を減少させる。 （もっと読む）

【課題】ドライバチップの異常検出期間が短過ぎると、異常パルス信号のパルス生成が停止された後、異常判定期間の経過前に異常パルス信号のパルス生成が再開されてしまい、コントローラチップでドライバチップの異常を認識することができなくなるおそれがあり、２つの回路を絶縁しつつ一方の異常を確実に他方に伝達することのできる信号伝達装置、及びこれを用いたモータ駆動装置を提供する。
【解決手段】信号伝達装置１００は、第１回路１１０と第２回路１２０との間を絶縁しながら信号伝達を行うものであり、第１回路１１０は、第２回路１２０から伝達される異常パルス信号Ｓｂを監視して第２回路１２０の異常有無を判定し、第２回路１２０は、第２回路１２０で異常が検出されてから少なくとも第１回路１１０で第２回路１２０の異常有無が判定されるまで異常パルス信号Ｓｂを異常状態に保持する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の発熱を抑制した過電圧抑制ゲート制御を確実、容易にし、さらにスイッチング素子を複数直列接続した半導体スイッチ回路における発振防止と分担電圧のバランス制御を確実、容易にする。
【解決手段】ゲートドライブ回路２によるゲート抵抗Ａを通したＩＧＢＴ１の主ゲート電流とは独立して、電圧補償ゲート制御回路３〜６はＩＧＢＴ１のコレクタ・エミッタ間電圧Ｖｃｅがしきい値を超えたときにゲート抵抗Ｂを通して電圧補償ゲート電流を注入し、電圧Ｖｃｅがしきい値を下回ったときに電圧補償ゲート電流の注入をオフする。
ゲート抵抗Ａの抵抗値に対してゲート抵抗Ｂの抵抗値を小さくする。電圧補償ゲート電流を注入した後にこのゲート電流の注入量とほぼ同じ電荷量分をＩＧＢＴ１からゲート電流として引き抜く。 （もっと読む）

【課題】 リカバリー電流を低減させつつ、出力ＭＯＳトランジスタのスイッチング応答性を高くすることができるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】 制御信号Ｓｃｄの信号レベルが所定の第１レベルＬから第２レベルＨへ遷移する第１遷移を契機として出力ＭＯＳトランジスタ２のゲートへ充電を開始する第１チャージ回路６と、制御信号Ｓｃｄの第１遷移または第１期間Ｔｐ１の経過を契機として出力ＭＯＳトランジスタ２のゲートへの充電を開始する第２チャージ回路７と、制御信号Ｓｃｄの第１遷移から第１期間Ｔｐ１より長い所定の第２期間Ｔｐ２経過後に出力ＭＯＳトランジスタ２のゲートへ充電を開始する第３チャージ回路８とを備え、第２チャージ回路７の単位時間あたりの充電量は、第１チャージ回路６および第３チャージ回路８の単位時間あたりの充電量より少ない。 （もっと読む）

【課題】 簡便な回路構成で、高速に動作するゲート駆動回路を提供することである。
【解決手段】 パワー半導体素子のゲート端子に正電圧を印加するためのＮＰＮトランジスタと、パワー半導体素子のゲート端子に負電圧を印加するためのＰＮＰトランジスタと、ＮＰＮトランジスタと、ＰＮＰトランジスタとに直列に接続された遮断用抵抗器と、遮断用抵抗器に、正極がパワー半導体素子のゲート端子側となるように並列に接続された遮断用抵抗器切換え半導体スイッチとを備えたゲート駆動回路である。 （もっと読む）

【課題】複数の電力変換回路を有し、これらの電力変換回路に属する半導体モジュールを積層した電力変換装置において、電力変換回路間のサージ電圧による干渉を低減する。
【解決手段】複数の電力変換回路の正極端子を接続する正極接続プレート６６にスリット１００，１０２を設ける。一方、正極接続プレート６６が配置される固定台６８上にかしめ突起１０５を設ける。かしめ突起１０５を、正極接続プレートのスリット１００，１０２に貫通させ、かしめ突起１０５の先端をつぶして正極接続プレート６６をかしめ、固定台６８に固定する。正極接続プレートを固定するためのボルト等を用いていないため、負極接続プレート７０の面積を広くすることができ、サージ電圧による干渉を低減できる。 （もっと読む）

【課題】ゲート駆動回路に無駄な電流が流れないようにし、消費電力を低減する。
【解決手段】本発明のゲート駆動回路は、制御電源１２と、一次巻線と二次巻線とを有するトランス８と、第１のスイッチング素子２１と、第２のスイッチング素子１４と、整流素子１５と、容量素子２０と、を備え、第１のスイッチング素子２１は、制御電源１２と前記一次巻線の一端との間に接続され、第２のスイッチング素子１４は、前記一次巻線の他端に接続され、整流素子１５の両端は、前記一次巻線の両端に並列接続され、容量素子２０の一端は、前記一次巻線の一端または他端に接続され、第１のスイッチング素子２１及び第２のスイッチング素子１４のうち一方の導通時に容量素子２０が制御電源１２により充電され、且つ、第１のスイッチング素子２１及び第２のスイッチング素子１４のうち他方の導通時に容量素子２０が放電されるように構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチ，負荷電流，温度，主回路構成等によるサージ電圧の波形に応じて半導体スイッチの動作タイミングを調整することなく、各半導体スイッチの電圧分担を均等化させる。
【解決手段】直列接続された複数の半導体スイッチＡ，Ｂに出力されるゲート信号のタイミングを調整するゲートタイミング制御回路３において、コンパレータ４，４により、各半導体スイッチＡ，ＢのＶｃｅ検出（Ａ），（Ｂ）と、予め設定されたしきい値とを比較してＶｃｅ検出における立ち上がりのタイミングを示すＶｃｅ信号（Ａ），（Ｂ）を出力する。そして、時間差制御部８において、ゲート信号に基づいて、前記各Ｖｃｅ信号（Ａ），（Ｂ）の変化のタイミングが整合するように生成されたゲート出力（Ａ），（Ｂ）をゲートドライバ２に出力する。 （もっと読む）

【課題】複数の電力用半導体素子を並列接続する場合において、スイッチング損失を従来よりも低減する。
【解決手段】電力用半導体装置２００は、互いに並列に接続された第１および第２の電力用半導体素子Ｑ１，Ｑ２と、駆動制御部１００とを備える。駆動制御部１００は、外部から繰返し受けるオン指令およびオフ指令に応じて第１および第２の電力用半導体素子の各々をオン状態またはオフ状態にする。具体的には、駆動制御部１００は、オン指令に対して、第１および第２の電力用半導体素子Ｑ１，Ｑ２を同時にオン状態にする場合と、第１および第２の電力用半導体素子Ｑ１，Ｑ２の一方をオン状態にした後に他方をオン状態にする場合とに切替え可能である。駆動制御部１００は、オフ指令に対して、第１および第２の電力用半導体素子Ｑ１，Ｑ２の一方をオフ状態にした後に他方をオフ状態にする。 （もっと読む）

【課題】インバータ回路とそれを構成するスイッチ素子を駆動・制御する駆動・制御回路において、追加回路規模が少なく、所望の負電位を動的に印加できる駆動・制御回路、また、インバータ回路における短絡電流を削減し、損失の少ない電力変換回路を提供する。
【解決手段】半導体装置において、第１，第２スイッチ素子（下側アームのスイッチ素子ＬＳＷ，同様の上側アームのスイッチ素子）を有するインバータ回路と駆動回路（Ｌ側ゲート駆動回路ＬＧＤ，同様のＨ側ゲート駆動回路）と制御回路とを有し、駆動回路は、スイッチ素子のゲート電極をソース電位に駆動する回路と、スイッチ素子のゲート電極を負電位に駆動する回路とを有し、負電位に駆動する回路の出力ノードとスイッチ素子との間に直列にコンデンサが接続され、制御回路は、スイッチ素子がオフ状態からオン状態になる直前のスイッチ素子のゲート電極の電圧をソース電位と同じであるように制御する。 （もっと読む）

【課題】電圧制御型スイッチング素子のスイッチング時に、サージ電圧・サージ電流及びスイッチングノイズを抑制しながら、誤動作の発生を抑制することができる電圧制御型スイッチング素子のゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】電圧制御型スイッチング素子２のゲートにゲート電圧を供給して当該電圧制御型スイッチング素子２を駆動するゲート駆動回路であって、直列に接続された高電位側スイッチング素子Ｍ１及び低電位側スイッチング素子Ｍ２と、前記高電位側スイッチング素子Ｍ１と高電位電源との間及び前記低電位側スイッチング素子Ｍ２と低電位電源との間の少なくとも一方に介挿された第１の可変抵抗ＶＲ１１，ＶＲ１２と、前記第１の可変抵抗ＶＲ１１，ＶＲ１２の抵抗値を調整する制御回路４とを備えている。 （もっと読む）