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Fターム[5H740BC02]の内容

電力変換一般 (12,896) | 主回路スイッチング素子の制御態様 (2,095) | ターンオフ (1,003)

Fターム[5H740BC02]に分類される特許

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【課題】ヘッドランプの動きを精密に制御することができるドライバーICの電源部に用いられる放電経路回路を提供する。
【解決手段】第1入力に連結される電源入力ポート及び第2入力に連結される動作モード選択ポートを備えた集積回路ICの入力段の放電経路を提供する回路であって、前記電源入力ポートと前記第1入力との間に連結されて、電源上のノイズをフィルタリングするLCフィルタと、前記第1入力と接地との間に連結される抵抗素子と、を含み、前記抵抗素子は、前記LCフィルタにより充電された電圧を放電するための放電経路を提供する。 (もっと読む)


【課題】スイッチ素子の破壊を防止したスイッチング回路及びDC−DCコンバータを提供する。
【解決手段】ハイサイドスイッチと、整流要素と、駆動回路と、を備えたスイッチング回路が提供される。前記ハイサイドスイッチは、高電位端子と出力端子との間に接続されている。前記整流要素は、前記出力端子と低電位端子との間に、前記低電位端子から前記出力端子に向かう方向を順方向として接続される。前記駆動回路は、入力されるハイサイド制御信号に応じて前記ハイサイドスイッチの制御端子に第1の電圧を供給してオンさせ、前記出力端子の電圧が規定値以上に上昇したとき前記ハイサイドスイッチの制御端子に前記第1の電圧よりも高い第2の電圧を供給する。 (もっと読む)


【課題】遷移期間においてハイサイドトランジスタQ1がオンしないようにする。
【解決手段】高電位電源ラインと低電位電源ラインとの間に直列に接続されたハイサイドトランジスタとロウサイドトランジスタと,両トランジスタの接続ノードと出力端子との間に設けられたインダクタとを有する電源装置の前記両トランジスタを駆動する駆動回路であって,前記ハイサイドトランジスタのゲートを駆動する第1のゲートドライバと,前記ロウサイドトランジスタのゲートを駆動する第2のゲートドライバとを有し,前記ハイサイドトランジスタがオンでロウサイドトランジスタがオフの第1の状態から,前記ハイサイドトランジスタがオフでロウサイドトランジスタがオンの第2の状態に遷移する遷移期間で,前記第1のゲートドライバは前記ハイサイドトランジスタのゲートを前記低電位電源ラインの電位より低い第1の電圧に駆動する電源装置の駆動回路。 (もっと読む)


【課題】パワーデバイスの誤動作を防ぐ。
【解決手段】直列に接続された2つのパワーデバイスのうち高電位側のパワーデバイスを駆動制御する半導体装置であって、高電位側のパワーデバイスの導通を示す第1状態及び高電位側のパワーデバイスの非導通を示す第2状態を有する入力信号の第1,第2状態へのレベル遷移に対応して、それぞれ第1,第2のパルス信号を発生させるパルス発生回路と、第1,第2のパルス信号を高電位側へレベルシフトして、それぞれ第1,第2のレベルシフト済みパルス信号を得るレベルシフト回路と、第1,第2のレベルシフト済みパルス信号を少なくとも第1,第2のパルス信号のパルス幅分遅延させて、それぞれ第1,第2の遅延済みパルス信号を得る遅延回路と、第1の遅延済みパルス信号をセット入力から入力し、第2の遅延済みパルス信号をリセット入力から入力するSR型フリップフロップとを備える。 (もっと読む)


【課題】上側のスイッチング素子の誤動作を抑制できる電力変換装置用の駆動回路を提供する。
【解決手段】第1回路10は、直流電源E1の低電位端と高電位端との間で相互に直列に接続される第1素子11及び第2素子12を有し、第1素子11は高電位端側に設けられ、第2素子12は低電位端側に設けられる。第1素子11及び第2素子12は、その両方がスイッチである。第2回路20は、第2素子12の両端の電圧が所定値よりも大きいときにスイッチング素子Tx1を非導通とし、当該電圧が所定値よりも小さいときにスイッチング素子Tx1を導通させる。スイッチ素子32は、第1素子11と並列に接続され、スイッチング素子Tx1が非導通である状態で導通し、スイッチング素子Tx1が導通する状態で非導通する。 (もっと読む)


【課題】ゲート駆動装置で駆動される複数個のスイッチングデバイスにおけるVth、ミラー電圧のバラツキによるスイッチング速度のバラツキを抑え、かつ損失のバラツキを最小限とすることができるゲート駆動装置を得ることを目的とする。
【解決手段】スイッチングデバイス1へのゲート信号を定電流出力で作成する定電流パルスゲート駆動回路2、ゲート信号を定電圧出力で作成する定電圧パルスゲート駆動回路3、および定電流パルスゲート駆動回路2の動作と定電圧パルスゲート駆動回路3の動作との切替を行う判定/切替回路4を備えた。 (もっと読む)


【課題】同時オン防止回路を有し、かつ3レベル電力変換装置の構成部品を少なくし信頼性を向上した3レベル電力変換装置のゲート駆動装置を提供する。
【解決手段】3レベル電力変換装置は、一対の直流電源端子間に順次直列に接続された第一ないし第四の半導体スイッチング素子4〜7をそれぞれ、第一ないし第四のゲート駆動回路28〜31により駆動し、第一及び第二の半導体スイッチング素子4、5のみをオンしたときプラス出力、第二及び第三の半導体スイッチング素子5、6のみをオンしたとき零出力、そして、第三及び第四の半導体スイッチング素子6、7のみをオンしたときマイナス出力を出力する。その際、第一の駆動回路28と第三の駆動回路29、第二の駆動回路30と第四の駆動回路31をそれぞれ同一の基板に実装し、各基板上において、通信線を介して相互に論理回路に接続し、いずれか一方のゲート駆動回路がオンしている時に他方のゲート駆動回路をオフする。 (もっと読む)


【課題】貫通電流の発生を防止することのできる出力回路を提供する。
【解決手段】実施形態の出力回路は、出力用NMOSトランジスタN100のドレイン端子に入力電圧VDINが印加され、ソース端子OUTにLC回路およびダイオードDが接続される。この出力回路は、NMOSトランジスタN1およびN2が、出力用NMOSトランジスタN100のソース端子OUTとゲート端子との間に直列に接続され、NMOSトランジスタN3が、NMOSトランジスタN1とNMOSトランジスタN2の接続点と接地電位端子GNDとの間に接続され、制御回路1が、出力用NMOSトランジスタN100が非導通のときに出力用NMOSトランジスタN100のソース端子OUTとゲート端子との間に短絡経路が形成されるようNMOSトランジスタN1〜N3の導通を制御する。 (もっと読む)


【課題】従来のゲート駆動回路で高速スイッチングさせる場合、複数の直流電源と、複数の制御用スイッチと、複雑な制御回路が必要で、装置が大型で、高価格となっていた。
【解決手段】制御用スイッチ直列回路の中点にスイッチング素子のゲート端子を、制御用スイッチ直列回路と並列に直流電源を、制御用スイッチ直列回路の正極端子と制御対象となるスイッチング素子のソース端子との間に小さい静電容量のコンデンサとダイオードとの並列回路と十分大きい静電容量を有するコンデンサとの直列回路を、スイッチング素子のソース端子と制御用スイッチ直列回路の負極端子との間に小さい静電容量のコンデンサとダイオードの並列回路を、各々接続する。 (もっと読む)


【課題】ターンオン時のスイッチング特性が変動せず、電力損失を発生せずにスイッチング素子を安定してターンオンさせることができるゲートドライブ回路。
【解決手段】ワイドバンドギャップ半導体かなるスイッチング素子Q1のゲートに制御回路からの制御信号を印加することによりスイッチング素子をオンオフ駆動させるゲートドライブ回路であって、制御回路とスイッチング素子のゲートとの間に接続されたコンデンサC1と抵抗R1とからなる並列回路と、並列回路にコンデンサC2とスイッチング素子Q2と抵抗R2からなる直列回路がさらに並列接続され、コンデンサC2とスイッチング素子Q2との接続点にダイオードD1のアノードが接続され、ダイオードD1のカソードとスイッチング素子Q2のゲートはスイッチング素子Q1のソースに接続され、制御信号のオフ信号に対してスイッチング素子Q1ゲートを負電位にバイアスする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、IGBTの制御信号のゲート−エミッタ電圧の傾きを制御するIGBT駆動方法を提供する。
【解決手段】本発明によるIGBT駆動方法によって、IGBTのゲート−エミッタ間電圧の傾きを低減して、IGBTの両端に印加される過度電圧を低減できる。 (もっと読む)


【課題】更なる信頼性向上を図れる電力変換装置及び電力変換システムを提供すること。
【解決手段】上記課題を解決するために、例えば、インバータ回路は、前記モータ制御回路からのPWM信号に基づき前記インバータ回路を構成する半導体スイッチング素子を駆動するゲートドライブ回路とサージ電圧検出信号を検出するサージ電圧検出回路を備え、サージ電圧検出回路により検出されたサージ電圧検出信号はモータ制御回路に入力され、サージ電圧検出信号を検出した際に前記電流指令生成部からの電流指令値と所定の電流指令値と対比することによりサージ電圧を抑制するサージ電圧抑制手段の実施の可否を選択するような手段を設けるようにすればよい。 (もっと読む)


【課題】より簡単な構成で、出力トランジスタを確実にオフ状態に維持できるトランジスタ駆動回路を提供する。
【解決手段】NチャネルMOSFET5とコイル2との共通接続点;出力端子OUTとグランドとの間にフライホイールダイオード3を接続する。FET5のゲートには、NPNトランジスタ6及びPNPトランジスタ7のプッシュプル回路により制御信号を出力し、トランジスタ7のベースとグランドとの間にNPNトランジスタ11を接続し、トランジスタ11のベースとグランドとの間にNチャネルMOSFET14を接続して、FET14にPWM信号を入力する。ダイオード13は、FET14がオフ状態になるとトランジスタ11のベースにベース電流を供給し、ダイオード15をダイオード13のアノードとトランジスタ6及び7のベースとの間に接続する。NPNトランジスタ22をFET5のゲートと出力端子との間に接続し、トランジスタ22をPWM信号に応じてFET5がオフする際にオンさせる。 (もっと読む)


【課題】アクティブクランプ動作期間を短縮するとともにESD耐量を向上させたアクティブクランプ回路を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第1のスイッチ素子と、第1のダイオードと、第1の抵抗と、第1および第2の制御回路と、を備えたことを特徴とするアクティブクランプ回路が提供される。前記第1のダイオードは、前記第1のスイッチ素子の両端にかかる過電圧によりブレークダウンする。前記第1の抵抗は、前記第1のダイオードの電流を検出する。前記第1の制御回路は、前記第1の抵抗の両端の電圧を増幅して前記第1のスイッチ素子の電流を制御する。前記第2の制御回路は、前記第1の抵抗の両端の電圧に応じて前記第1のスイッチ素子の導通を制御する。 (もっと読む)


【課題】両極性ブートストラップ回路のキャパシタ充電を短絡電流が流れることがなく安全かつ確実に実施できる電力変換装置を提供する。
【解決手段】各レグ2〜4を構成する上下の各アームのスイッチング素子SuH、SuL、・・・に対しオン/オフ駆動用の正負両極の電圧を印加するアーム駆動回路DRuH、DRuL、・・・を個別に設け、直流電源Vg1〜Vg3からの電力により正負の各電圧を充電する各キャパシタC1u、C2u、・・・を上下の各アームに設け、かつ各レグ2〜4に両極性ブートストラップ回路5〜7を配置し、キャパシタ充電制御を行う制御回路8は、多相交流電源1の各相の電圧の中で最も高い電圧が入力されているレグの上段アーム側のスイッチング素子と、最も低い電圧が入力されているレグの下段アーム側のスイッチング素子のみをオンする制御信号を各相の電圧変化に応じて繰り返し出力する。 (もっと読む)


【課題】スイッチング損失の増大を抑制しつつ、より高い周波数帯で発生するスイッチングノイズを抑制できるスイッチング素子の駆動装置を提供する。
【解決手段】スルーレート調整部は、NチャネルMOSFETを介してDCモータに出力される電圧波形のスルーレートを変化させ、キャリア周波数によって決まる周波数帯よりも高い周波数帯域に現れるスイッチングノイズの周波数成分を分散させてピークレベルを低下させる。 (もっと読む)


【課題】オンデューティが50%以上のパルス信号でもスイッチング素子のゲートをドライブできる安価なゲートドライブ回路。
【解決手段】直流電源Vcc1の両端にトーテムポール接続され且つ各ベースにパルス信号が入力されるトランジスタQ2,Q3と、直流電源Vcc2の両端にトーテムポール接続され且つ各エミッタがスイッチング素子Q1のゲートに接続されるトランジスタQ4,Q5と、一次巻線P1がトランジスタQ2,Q3の各エミッタとトランジスタQ2,Q3の一方のコレクタとにコンデンサC1を介して接続され、二次巻線S1がトランジスタQ4,Q5の各ベースとトランジスタQ4,Q5の各エミッタとに接続されたトランスT1とを有し、パルス信号Vinの最大オンデューティは、トランスT1の一次巻線電圧VpとトランジスタQ4,Q5のベース−エミッタ間順方向電圧とに基づいて決定される。 (もっと読む)


【課題】バスバを含む接続配線において、比較的簡単な構造で、バスバに電流が流れるときのインダクタンスを効果的に抑制することである。
【解決手段】電力変換器10においてバスバを含む接続配線30は、平滑用コンデンサモジュール12とパワーモジュール14の間を接続する正極側バスバ32と、正極側バスバ32と対をなして平滑用コンデンサモジュール12とパワーモジュール14の間を接続する負極側バスバ34と、絶縁物40を介して正極側バスバ32の外周全体を被覆する正極側導体42と、絶縁物44を介して負極側バスバ34の外周全体を被覆する負極側導体46と、正極側導体42と負極側導体46とを相互に電気的に接続する接続導体50,52を備える。 (もっと読む)


【課題】窒化物FETを高速スイッチング動作させることができ、且つ、サージ電圧から窒化物FETを保護することができるスイッチング素子の保護回路。
【解決手段】直列に接続された高圧側素子M1及び低圧側素子M2と、高圧側素子をオンオフさせる信号を出力するハイサイドプリドライバ11と、高圧側素子と逆のオンオフ状態になるように低圧素子をオンオフさせる信号を出力するローサイドプリドライバ12と、高圧側素子と低圧側素子の接続点に制御端子が接続されたスイッチング素子Tr1と、スイッチング素子の一方の端子にカソードが接続されたダイオードD1と、ダイオードのアノードに入力端子が接続され、ダイオードのブレーク時にスイッチング素子の制御端子に電流を供給するとともに、低圧側素子のオフを指示する信号をローサイドプリドライバに供給する制御器21とを備える。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で負荷オープン状態を検出することができる負荷駆動回路を提供する。
【解決手段】電源端子T1に入力される入力電圧Vinよりも低い基準電圧V1と出力端子T2の電圧Voutとを比較する第1のコンパレータ8と、スイッチング素子2がオフ状態で、且つ負荷オープン状態である場合に、出力端子T2の電圧Voutを基準電圧V1よりも高く、且つ入力電圧Vinよりも低いclamp電圧にクランプするクランプ回路7とを備えることにより、第1のコンパレータの出力によって、負荷オープン状態を検出する。また、入力電圧Vinよりも低く且つclamp電圧よりも高い基準電圧V2と出力端子T2の電圧Voutとを比較する第2のコンパレータ9を備えることにより、第1のコンパレータ及び第2のコンパレータ9の出力によって、負荷オープン状態と出力天絡状態とを検出する。 (もっと読む)


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