【課題】半導体素子、特にＩＧＢＴの特性の違いや温度変化があっても、最適なパラメータを自動的に設定することのできる半導体装置の短絡保護装置を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴのゲート電荷Ｑ_Gに対応する電圧Ｖ_QGを検出する電荷検出手段２２と、ＩＧＢＴの定格動作時の入力部の電荷から負荷短絡が発生したかどうかを判断するための基準電圧Ｖ_REFを発生する基準電圧発生手段２５と、電荷検出手段２２で検出された電圧Ｖ_QGがＩＧＢＴの定格動作時の電荷に対応する電圧か、あるいは負荷短絡時の電荷に対応する電圧かを判断する判断手段２７と、判断手段２７が短絡状態を検出したときにＩＧＢＴを動作停止する信号を出力するゲート駆動手段２１とを持つ半導体装置の短絡保護装置において、基準電圧発生手段２５に、ＩＧＢＴの定格動作時の入力部の電荷に対応するゲート電荷電圧Ｖ_QGのハイレベルで安定した電圧Ｖ_PEAKを検出して記憶する記憶手段２６を設ける。 （もっと読む）

【課題】オフ保持用スイッチング素子４６をオフ状態とすべき期間において、この素子が誤ってオフ状態とされることに起因するスイッチング素子Ｓ＊＃の信頼性の低下を抑制することのできるスイッチング素子の駆動回路を提供する。
【解決手段】オフ保持回路４８は、信号生成部２６の操作信号ＩＮを入力としてゲートの充電処理の実行中であると判断された場合、オフ保持用スイッチング素子４６をオフし、操作信号ＩＮを入力としてゲートの放電処理の実行中であると判断されて且つゲート電圧検出部５０の出力信号ＧＰＲを入力としてゲート電圧Ｖｇｅが低いと判断された場合、オフ保持用スイッチング素子４６をオンする。ここで、上記駆動回路は、ゲート電圧Ｖｇｅが閾値電圧を跨いでから出力信号ＧＰＲの論理が反転するまでの時間を、操作信号ＩＮを入力としてオフ保持回路４８によって把握される充電処理指示時間の最小値以下とするように構成される。 （もっと読む）

【課題】絶縁ゲート型半導体素子を駆動する半導体集積回路内において、貫通電流の発生を抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体集積回路は、制御信号Ｖ_inを遅延させて得られる遅延信号を、ＰＭＯＳ１及びＮＭＯＳ２のゲート端子に出力する遅延回路１９を備える。ＮＭＯＳ４が、第２出力信号の変化に応じてオンからオフに切り替えられるタイミング（ｔ₂）は、ＰＭＯＳ１が、遅延信号の変化に応じてオフからオンに切り替えられるタイミング（ｔ₂）よりも遅くなく、かつ、ＰＭＯＳ３が、第１出力信号の変化に応じてオンからオフに切り替えられるタイミング（ｔ₇）は、ＮＭＯＳ２が、遅延信号の変化に応じてオフからオンに切り替えられるタイミング（ｔ₇）よりも遅くない。 （もっと読む）

【課題】スイッチング損失を低減した、ＤＣ入力電圧をＤＣ出力電圧またはＡＣ出力電圧に変換するコンバータを提供する。
【解決手段】コンバータは、入力端子１０１と出力端子１０３に電圧を供給するスイッチング素子１０４を備え、スイッチング素子１０４をオフしたとき、寄生インダクタンスＬｐａｒａｓｉｔｉｃによって誘導されるエネルギをキャパシタＣ１１０に一時的に蓄えるために、ダイオードＤ１１０およびキャパシタＣ１１０の第１の直列回路１１０が設けられている。ダイオードＤ１１０は一方の入力端子１０１に結合され、並列に結合されている能動回路１２０によって、第１の直列回路１１０のキャパシタＣ１１０に一時的に蓄えられているエネルギを解放制御する。 （もっと読む）

【課題】絶縁ゲート型半導体スイッチ素子のターンオフ時の遅延時間短縮、遮断電流のｄｉ／ｄｔによるサージ電圧を抑制することができるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】半導体スイッチ素子のゲート端子とゲート補助端子間にオン用ゲート電源とオン用スイッチとオン用ゲート抵抗の直列体よりなるオン回路を接続し、半導体スイッチ素子のゲートとゲート補助端子間に第１のオフ用ゲート抵抗とオフ用スイッチとターンオフ用電源を直列に接続し第１のオフゲート抵抗と並列にコンデンサと第２のオフ用ゲート抵抗の直列体を接続したオフ回路を備えてなる。第１のオフ用ゲート抵抗より第２のオフ用ゲート抵抗の抵抗値が小さく、コンデンサと第２オフ用ゲート抵抗で構成するＣＲ回路の時定数が絶縁ゲート型半導体スイッチ素子のターンオフ遅れ時間と同等である。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の動作に起因するノイズの大きさが低減された、小型で製造コストの低いスイッチング回路を提供する。
【解決手段】スイッチング素子と、一定周期でパルス波のドライバ信号を出力するドライバ信号出力回路と、ドライバ信号のパルス波の周期を複数含む一定期間内において駆動力を変化させながら、ドライバ信号の周期に同期してスイッチング素子を駆動する駆動回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】スナバの付加による直流部の電位変動を防止しつつ、半導体スイッチング素子の過電圧保護を図る。
【解決手段】ダイオード５，６，７，８で構成される整流器の交流入力端子間に双方向スイッチを構成するＭＯＳＦＥＴ３，４を備え、交流電源１の電圧と同期してスイッチングを行うことで端子Ｐと端子Ｎ間の直流電圧を調整している。ＭＯＳＦＥＴ３，４にはスナバ回路２０１〜２０５を付とともに、ダイオード２０６を付加することで、コンデンサ２０４両端間の電位が変動しないようにしつつ、スナバ回路２０１〜２０５のスイッチング素子の過電圧保護が図る。 （もっと読む）

【課題】スイッチング制御する制御回路の負担を軽減するスイッチング回路を提供する。
【解決手段】第１のスイッチング素子の制御電極と第１のスイッチング素子をスイッチング制御する制御回路との間に接続される抵抗と、第１のスイッチング素子の制御電極と第１のスイッチング素子の低電位側電極との間に接続される第１のコンデンサと、第１のコンデンサと直列に接続される第２のスイッチング素子とを備え、第２のスイッチング素子の高電位側電極は、第１のスイッチング素子の制御電極に電気的に接続され、第２のスイッチング素子の低電位側電極は第１のスイッチング素子の低電位側電力端子に電気的に接続され、第２のスイッチング素子の制御電極は、抵抗と制御回路の間に接続されている。 （もっと読む）

【課題】直流電源１７からスイッチ用のＦＥＴ１８を経て負荷１６へ電力を供給する電源装置においては、２種類の保護回路が設けられていた。第１は、該ＦＥＴの温度を検出し、所定温度に達したら該ＦＥＴをオフする回路である。第２は、デッドショート時のような大過電流が流れた場合には、電流を所定電流に制限する電流制限回路である。保護回路を２種類設けると、部品コストが大になっていた。
【解決手段】比較基準電圧生成回路４０を電流供給部４１と比較基準電圧発生抵抗部４６とで構成し、比較基準電圧Ｖ_X を生成する。過電流検出電圧生成回路５０を電流供給部５１と過電流検出抵抗部５４とで構成し、ＦＥＴ１８の電圧Ｖ_DSが増大すると減少する電流検出電圧Ｖ_Y を生成する。電圧Ｖ_DSの増大を検出してＦＥＴ１８をオフすれば、過電流保護も過熱保護も可能となる。 （もっと読む）

【課題】良好な逆回復特性と良好なＥＭＣとを同時に実現することが出来て、かつ、従来の半導体装置よりも安価である半導体装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、ＦＥＴ３のソースとＭＯＳＦＥＴ４のドレインとが接続されるとともに、一端が、ＦＥＴ３のゲートに接続され、他端が、ＭＯＳＦＥＴ４のソースに接続される抵抗Ｒｇｓと、アノードが、ＦＥＴ３のゲートに接続され、カソードが、ＭＯＳＦＥＴ４ソースに接続されるダイオードＤ１とを備える。 （もっと読む）

【課題】新たな部品を追加することなく、スイッチングサージを抑えることができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】モータ制御装置１は、電源配線１０と、平滑コンデンサ１１と、インバータ回路１２と、制御回路１３とを備えている。平滑コンデンサ１１は、コンデンサ１１０、１１１を並列接続用配線１１２、１１３によって並列接続して構成されている。並列接続用配線１１３のインダクタンスＬｓ１及びコンデンサ１１０、１１１がループ状に接続され、ＬＣ共振回路が構成される。ＬＣ共振回路の共振周波数が、サージ電圧に含まれる周波数成分のうち、抑制しようとする所定周波数になるようにインダクタンスＬｓ１、コンデンサ１１０、１１１の容量の少なくともいずれかが調整されている。これにより、新たな部品を追加することなく、スイッチングサージを抑えることができる電力変換装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】複数の駆動回路とスイッチング素子との接続点を通じて、内部回路や基準点に電流が回り込むことを防止する。
【解決手段】電流の回り込みが発生し得る回り込み防止対象となる内部回路１６、２６とスイッチング素子であるＩＧＢＴ１との間に回り込み防止回路１５、２５を配置する。そして、駆動回路１０、２０のうち作動させられない側の回り込み防止回路１５、２５をオフすることで、回り込み防止対象となる内部回路１６、２６にスイッチング素子となるＩＧＢＴ１のゲート電圧が印加されないようにする。これにより、各内部回路１６、２６内で電流の回り込みが発生することを防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】電源側に回り込むノイズを低減することができる電動機駆動システムを提供すること。
【解決手段】電動機駆動システムは、電源ラインに接続された複数のスイッチング素子を有するインバータ装置１００と、インバータ装置１００から出力される交流電圧によって駆動される電動機２００と、インバータ装置１００と電動機２００との間に挿入されるＬＣフィルタ回路３００と、電導部材によって形成されて複数のスイッチング素子が固定される冷却体４００と、複数のスイッチング素子の電源ライン側端子と冷却体４００との間に挿入されるコンデンサと抵抗からなる直列回路とを備える。ＬＣフィルタ回路３００は、インバータ装置１００から電動機２００に動作電力を供給する電力供給線２０２等に挿入されるインダクタ３１０等と、一方端がインダクタ３１０等の一方端に接続されるとともに他方端が冷却体４００に接続されるコンデンサ３２０等とを有する。 （もっと読む）

【課題】従来の電力変換装置では、ゲート抵抗切り替え回路部に速い応答性が要求されるため、ノイズにより誤動作し易く、場合によっては、誤動作により装置の保護機能が働き、動作停止してしまうことがあった。
【解決手段】太陽電池１の直流電圧を交流電圧に変換し、交流の系統電源に電力を供給する電力変換装置２であって、電力変換装置２は、複数のパワー半導体スイッチSH、SLと、これらのパワー半導体スイッチSH、SLをオン／オフ動作させるゲート駆動回路GH、GLと、これらのゲート駆動回路に挿入されたゲート抵抗RG1、RG2と、ゲート駆動回路GH、GLにオン／オフ信号を供給すると共に、ゲート抵抗値を変更する制御信号を出力する制御回路２２とを備え、制御回路２２は、予め設定された時刻にゲート抵抗値変更信号を出力するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチング素子の温度変化によるサージ電圧の発生および変動を抑制すると共にスイッチング損失を低下させることができる半導体スイッチング素子駆動装置を提供する。
【解決手段】各切替スイッチ４２ａ、４２ｂが駆動信号に従ってオン／オフすることにより、駆動手段４０が半導体スイッチング素子１０の制御端子１１に駆動電流を供給する。一方、温度検出手段２０によって半導体スイッチング素子１０の素子温度または半導体スイッチング素子１０の動作環境温度を検出する。そして、駆動手段４０は、温度検出手段２０によって検出された素子温度または動作環境温度に従って制御端子１１に印加する駆動電流の大きさを変更する。これにより、半導体スイッチング素子１０の温度変化によるサージ電圧の発生および変動が抑制され、スイッチング損失が低下する。 （もっと読む）

【課題】 広範囲の応用が可能な交流電圧の位相角を調整する調整回路を提供する。
【解決手段】 交流限流回路装置Ｚ１０は、負荷Ｌ１０１及び双極性固体スイッチ素子１０００を直列接続するとともに交流電源に並列に接続する。双極性固体スイッチ素子１０００は、双極性の駆動電圧信号を出力する双方向サイリスタ素子、及び双極性の駆動電圧信号を出力する電界効果パワーデバイスによって構成される。調整回路ＰＤ１００は、交流電源電圧を入力するとともに回路調整機能と交流限流回路装置Ｚ１０を流れる電流値と負荷Ｌ１０１の端電圧値とに基づいて双極性の駆動電圧信号を出力し、双極性固体スイッチ素子１０００のオン位相角及びオフ位相角を制御する。これにより、抵抗、交流電気エネルギーが印加される抵抗を含む誘導性負荷、容量性負荷、または直列に接続されている抵抗を含む誘導性負荷及び容量性負荷を制御することができる。 （もっと読む）

【課題】負荷装置に電力を供給するための電源システムにおいて、蓄電装置と負荷装置との間に設けられた切換装置の異常を適切に検出する。
【解決手段】電源システムは、蓄電装置１１０と、蓄電装置１１０と負荷装置１７０とを結ぶ経路に設けられ、蓄電装置１１０から負荷装置１７０への電力の供給と遮断とを切換えるためのＳＭＲ１１５と、ＥＣＵ３００とを備える。ＳＭＲ１１５は、負荷装置１７０と蓄電装置１１０とを結ぶ経路に設けられた、直列接続された制限抵抗Ｒ１およびリレーＳＭＲ−Ｐを含む。ＥＣＵ３００は、制限抵抗Ｒ１の温度を蓄電装置の電圧ＶＢおよび電流ＩＢに基づいて推定するとともに、その推定された温度に基づいてリレーＳＭＲ−Ｐの異常を判定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、サージ電圧の低減及び発生ノイズの低減を可能とするスイッチング装置、スイッチングモジュールを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるスイッチング装置は、スイッチング素子１と、エミッタ電極１００と、エミッタ電極１００を外部の主配線に接続するための主配線用エミッタ端子４と、エミッタ電極１００と主配線用エミッタ端子４との間の主電流経路に介在する、複数の制御用エミッタ端子５、制御用エミッタ端子６、制御用エミッタ端子７と、隣接する制御用エミッタ端子間の主電流経路に介挿されたインダクタンス８、インダクタンス９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クランプ回路が未使用状態なのか断線状態なのかを判別する。
【解決手段】温度センサ１ｈの出力が入力される温度検出端子１４ａ〜１４ｃを利用し、クランプ回路５ａ〜５ｃや温度検出回路７ａ〜７ｃの一部がパワーモジュール１に接続されないときには温度検出端子１４ａ〜１４ｃの電位に基づいて温度センサ１ｈが接続されていない断線無効状態を検出する。例えば、温度検出端子１４ａ〜１４ｃのうち温度センサ１ｈに接続されない端子に断線検出無効化閾値Ｖｔｈ３以上の電圧を印加することで、温度検出端子１４ａ〜１４ｃが温度センサ１ｈに接続されていないことを検出する。これにより、クランプ回路５ａ〜５ｃに接続されるクランプ端子１１ａ〜１１ｃの電位に基づいて断線検出を行う際に、断線状態なのか断線無効状態なのかを温度検出端子１４ａ〜１４ｃの電位に応じて判定できる。 （もっと読む）

【課題】サージの発生を抑制すると共に半導体スイッチング素子のスイッチング速度を向上しつつ、回路規模を小さくすることができる半導体スイッチング素子駆動装置を提供する。
【解決手段】時間設定手段４０から短絡検出区間が終了したことを示す時間設定信号を入力すると、この時間設定信号の入力をトリガとして駆動手段６０に対して半導体スイッチング素子１０の制御端子１１に印加する駆動電流を増加するための電流制御信号を出力する。これにより、サージの発生が予想されるミラー区間後に行われる短絡状態の検出が終了した後は制御端子１１に印加される駆動電流ｉが増加するため、サージの発生を抑制しつつ、スイッチング速度が向上する。また、時間設定信号を利用して制御端子１１に流す駆動電流ｉの電流量を制御しているため、制御端子１１の電圧を検出するための構成が不要となり、回路規模が小さくなる。 （もっと読む）