【課題】スイッチング素子のターンオン直後における、過電流保護回路の誤動作防止と過電流検出遅れ防止とを両立させる。
【解決手段】半導体装置は、スイッチング素子１のセンス端子に流れるセンス電流を電圧（センス電圧）に変換するセンス抵抗４と、センス電圧が閾値を越えたときにスイッチング素子１の保護動作を行う過電流保護回路３とを備える。過電流保護回路３は、上記閾値を、第１基準電圧Ｖ_REF1またはそれよりも低い第２基準電圧Ｖ_REF2に切り替えることができる。過電流保護回路３は、スイッチング素子１が定常状態のときは、上記閾値を第２基準電圧Ｖ_REF2とし、スイッチング素子１のターンオン直後のミラー期間のときは、上記閾値を第１基準電圧Ｖ_REF1に設定する。 （もっと読む）

【課題】双方向に導通可能なスイッチング素子に逆電流が流れた場合であってもスイッチング素子の損失を低減させることができるゲート駆動回路。
【解決手段】双方向に導通可能なスイッチング素子ＳＷと、スイッチング素子のオンオフを制御する制御部１１と、スイッチング素子に流れる電流を検出する電流検出部１２と、電流検出部によってスイッチング素子に逆方向の電流が流れたことが検出された時に、制御部によるオンオフの制御とは独立に、スイッチング素子をオン制御するゲート駆動部１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】高電圧バッテリ１０に接続される部材（インバータＩＮＶ１〜ＩＮＶ４）が増加すると、高電圧バッテリ１０と車体との間の浮遊容量が大きくなったり、絶縁抵抗の抵抗値が小さくなったりすることで、これら浮遊容量や絶縁抵抗に起因したインピーダンスが低下し、絶縁不良の診断精度の低下を招くおそれがあること。
【解決手段】製品出荷に先立ち、高電圧バッテリ１０にインバータＩＮＶ１〜ＩＮＶ４が接続され、これらが車体に搭載された後、出力部４０から診断信号ｄｓを出力する。そして、これに伴う抵抗体４２およびコンデンサ４４間の電位の変動量に基づき、絶縁不良の有無を判断する判定値を生成して、不揮発性メモリ４８に記憶する。 （もっと読む）

【課題】スイッチ素子の破壊を防止したスイッチング回路及びＤＣ−ＤＣコンバータを提供する。
【解決手段】ハイサイドスイッチと、整流要素と、駆動回路と、を備えたスイッチング回路が提供される。前記ハイサイドスイッチは、高電位端子と出力端子との間に接続されている。前記整流要素は、前記出力端子と低電位端子との間に、前記低電位端子から前記出力端子に向かう方向を順方向として接続される。前記駆動回路は、入力されるハイサイド制御信号に応じて前記ハイサイドスイッチの制御端子に第１の電圧を供給してオンさせ、前記出力端子の電圧が規定値以上に上昇したとき前記ハイサイドスイッチの制御端子に前記第１の電圧よりも高い第２の電圧を供給する。 （もっと読む）

【課題】地絡を確実に検出すると共に、地絡の検出に要する時間を短縮する。
【解決手段】地絡検出装置１では、演算制御部５の各種機能を実行することにより、２つの太陽電池ストリング１０３_１，１０３ｎが太陽光発電システム１００から解列され、そして、一方の太陽電池ストリング１０３ｎについての測定が測定器３により実施されるのと並列的に、当該測定前の他方の太陽電池ストリング１０３_１が充放電部４によって充放電される。つまり、後段のステップで太陽電池ストリング１０３_１を測定器３に接続した後即座に測定を実施できるように、太陽電池ストリング１０３_１の充放電が太陽電池ストリング１０３_ｎの測定と同じタイミングで予めなされることとなる。 （もっと読む）

【課題】貫通電流の発生を防止することのできる出力回路を提供する。
【解決手段】実施形態の出力回路は、出力用ＮＭＯＳトランジスタＮ１００のドレイン端子に入力電圧ＶＤＩＮが印加され、ソース端子ＯＵＴにＬＣ回路およびダイオードＤが接続される。この出力回路は、ＮＭＯＳトランジスタＮ１およびＮ２が、出力用ＮＭＯＳトランジスタＮ１００のソース端子ＯＵＴとゲート端子との間に直列に接続され、ＮＭＯＳトランジスタＮ３が、ＮＭＯＳトランジスタＮ１とＮＭＯＳトランジスタＮ２の接続点と接地電位端子ＧＮＤとの間に接続され、制御回路１が、出力用ＮＭＯＳトランジスタＮ１００が非導通のときに出力用ＮＭＯＳトランジスタＮ１００のソース端子ＯＵＴとゲート端子との間に短絡経路が形成されるようＮＭＯＳトランジスタＮ１〜Ｎ３の導通を制御する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子Ｓ＊＃の駆動異常の有無を適切に判断することのできるスイッチング素子の駆動回路を提供すること。
【解決手段】スイッチング素子Ｓ＊＃のゲートの充電経路を流通する電流を一定値に制御する定電流制御を行う。そして、定電流制御の開始が指示されてから充電経路における電流の流通が開始されるまでの時間が規定時間を上回ると判断された場合、スイッチング素子Ｓ＊＃の駆動異常が生じている旨判断する。また、定電流制御によって充電経路を電流が流通する時間が下限時間未満になると判断されたり、上記流通する時間が上限時間を上回ると判断されたりした場合、スイッチング素子Ｓ＊＃の駆動異常が生じている旨判断する。 （もっと読む）

【課題】定電流用スイッチング素子２６や放電用スイッチング素子３０に異常が生じると、駆動対象とするスイッチング素子Ｓ＊＃を駆動できないこと。
【解決手段】定電流用スイッチング素子２６および放電用スイッチング素子３０は、ゲート抵抗体２８を介してスイッチング素子Ｓ＊＃のゲートに接続されている。ゲート抵抗体２８の両端の電圧は、差動増幅回路７０によって出力電圧Ｖｇｉに変換され異常判断部７２に取り込まれる。異常判断部７２では、ゲート抵抗体２８に流れる電流に基づき、定電流用スイッチング素子２６や放電用スイッチング素子３０に異常が生じたか否かを判断する。 （もっと読む）

【課題】過大電流による素子の破壊を防止することができる、半導体回路、半導体装置、及び電池監視システムを提供する。
【解決手段】短絡保護回路３０のＰＭＯＳトランジスタＭＰ３により短絡状態の場合は、電源電圧ＶＤＤからＦＥＴゲート電圧出力端子ＦＥＴ＿ＰＡＤ（外部ＦＥＴ０）に電流が流れる経路をＰＭＯＳトランジスタＭＰ０及び短絡電流検出用抵抗素子Ｒ０を経由する経路から、ＰＭＯＳトランジスタＭＰ１及び抵抗素子Ｒｐｕを経由する抵抗値が大きい経路に切り替えるため、短絡電流を制限することができ、従って、短絡により、電池監視ＩＣ１４が破壊されるのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】スイッチングにおけるターンオン、ターンオフ時間を制御し、常にスイッチング時間が最少となるスイッチング素子ゲート駆動回路の創出を目的とする。
【解決手段】ゲート駆動回路のゲート抵抗に相当する部分をバイポーラトランジスタ等の能動素子とし、その能動領域を使ってゲート電流を制御する。能動素子の駆動回路の制御装置はスイッチング時間に関するデータを持ち、常にスイッチング時間が最少となる、すなわちスイッチング損失が最少となる状態に制御する。 （もっと読む）

【課題】コンバータ回路やインバータ回路に流れる電流を精度良く検出できるようにする。
【解決手段】ＤＣリンク（13）には、コンバータ側シャント抵抗器（17）とインバータ側シャント抵抗器（18）とが接続される。コンバータ側シャント抵抗器（17）及びインバータ側シャント抵抗器（18）の両端の電位差は、コンバータ側増幅回路（21）及びインバータ側増幅回路（22）によって増幅されて出力される。コンバータ側増幅回路（21）には、オフセット回路（30）が接続される。オフセット回路（30）は、抵抗分圧回路（31）とボルテージフォロア回路（32）とを有している。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用定電流回路が故障しても、スイッチング素子の破損を抑えて駆動することができる電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】制御回路１２８は、オン駆動用定電流回路１２１が故障して、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートに正常時に流れ込む電流より大きい電流が流れ込むようになったとき、オフ駆動用定電流回路１２２の電流を調整する。これにより、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートに流れ込む電流、及び、ゲートから引き抜く電流を調整することができる。そのため、オン駆動用定電流回路１２１が故障しても、ＩＧＢＴ１１０ｄの破損を抑えて駆動することができる。 （もっと読む）

【課題】駆動回路の消費電力を小さく抑えることが可能な負荷制御装置を提供する。
【解決手段】駆動回路２０は、双方向スイッチ１０にゲート電圧Ｖｇ１，Ｖｇ２を印加するゲート駆動部２１と、ゲート駆動部２１の動作を制御する制御部２２とを有している。さらに駆動回路２０は、双方向スイッチ１０にゲート端子から流れ込むゲート電流Ｉｇ１，Ｉｇ２を検出する電流検出部４０を有しており、電流検出部４０の検出値が制御部２２へ入力される。制御部２２は、外部から入力されるオンオフ信号と、電流検出部４０から入力される検出値との両方に基づいて、ゲート駆動部２１に与える駆動信号を決定する。ここで、制御部２２は、オンオフ信号が「Ｈ」の期間において、低電位側のゲート電流Ｉｇ１，Ｉｇ２が小さくなるほどゲート電圧Ｖｇ１，Ｖｇ２が大きくなるように、ゲート駆動部２１に与える駆動信号を調節する。 （もっと読む）

【課題】複数のパワー半導体素子と保護回路部品の実装密度を高め、かつ浮遊インダクタンスを抑制した構造の、高信頼度のパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】リードフレーム５１の一方の面に、パワー半導体素子１が直接電気接続され、これに対向するように、リードフレーム５１の他方の面に、保護回路素子２が直接電気接続され、パワー半導体素子１を計測する温度センサ２３、電流センサ３２、電圧センサが、個々のパワー半導体素子に設置されている。電流センサ３２は、パワー半導体素子１の電極に電気的に接続された電流端子３に設けられ、電流端子３はリードフレーム５２に接続される。温度センサ２３は、パワー半導体素子１と保護回路素子２と電流端子３とにより生じる空隙に配置される。 （もっと読む）

【課題】過電流を検出する機能や過電流から出力スイッチング素子を保護する機能を備えた負荷制御装置を提供する。
【解決手段】スイッチングレギュレータ６０から電力が供給されて少なくとも一つの負荷７１、７２に供給する出力電流Ｉ１、Ｉ２を制御する負荷制御装置１で、負荷に接続されて出力制御信号に応じて負荷に出力電流を供給するときに導通する出力スイッチング素子２１、２２と、出力電流が過電流であることに起因してスイッチングレギュレータの出力電圧値が所定電圧値を下回ったことを検出したとき、所定時間に亘り出力スイッチング素子を非通電状態に制御する出力スイッチング素子制御手段１１、１２、４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ハイサイドスイッチの過電流の検出精度を高めることが可能なハイサイドスイッチ回路、および、そのハイサイドスイッチ回路を含む装置を提供する。
【解決手段】ハイサイドスイッチ回路１０は、入力端子１１と出力端子１２との間に電気的に接続されるスイッチ（ＭＯＳトランジスタ１５）と、ゲート制御部１６と、過電流検出部２０とを備える。過電流検出部２０は、抵抗素子２１と、比較器２２とを含む。比較器２２は、抵抗素子２１の電圧Ｖ１がしきい電圧を超える場合に、過電流を検出する。比較器２２は、過電流時の検出電圧Ｖ１がしきい電圧を上回るように、予め調整される。抵抗素子２１の抵抗値の精度が高くない場合にも、比較器２２の調整によって、過電流の検出精度が高められる。 （もっと読む）

【課題】ハイサイドスイッチの過電流が検出された場合に、ハイサイドスイッチだけでなくハイサイドスイッチに接続される回路を保護することが可能なハイサイドスイッチ回路、および、そのハイサイドスイッチ回路を含む装置を提供する。
【解決手段】ゲート電圧降圧部３１は、過電流検出部２０からの電流制限信号に応じて、ＭＯＳトランジスタ１５のゲート電圧を第１の電圧から、第１の電圧と第２の電圧との間の第３の電圧まで、第１の時間変化率で低下させる。これによりＭＯＳトランジスタ１５のオン抵抗がＭＯＳトランジスタ１５の完全オン時のオン抵抗より高くなる。ゲート電圧降圧部３２は、ゲート電圧が第３の電圧に達した後に、ゲート電圧を第３の電圧から第２の電圧まで第２の時間変化率で低下させる。第１の時間変化率は、第２の時間変化率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】センス機能付きパワー半導体デバイスのメイン領域とセンス領域の電流スイッチタイミングや過渡特性のずれを小さくするようゲート駆動回路で補正して電流検出の精度を向上させるセンス機能付きパワー半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ゲートパルス発生回路（21）から出力されるゲート駆動信号が、ゲート抵抗値補正回路1（22）及びゲート抵抗値補正回路2（23）の各補正抵抗を経由してセンスゲート端子Gs 及びメインゲート端子Gm 並びにMPU(24)の入力端へ出力される。各ゲート抵抗値補正回路（22，23）の補正抵抗値は、駆動時の負荷電流値、各ゲート電圧値以外に、電源電圧値および素子温度値のうちいずれかの条件を測定し、測定した条件に応じてMPU（24）で最適な補正抵抗値を計算、または内蔵するメモリから最適な補正抵抗値を呼び出し、各ゲート抵抗値を補正する。 （もっと読む）

【課題】電力変換装置における電力用半導体素子の消耗度をより正確に且つより低い演算負荷で監視する電力用半導体素子消耗度監視システムを備える射出成形機を提供すること。
【解決手段】電力変換装置１０における電力用半導体素子の消耗度を監視する電力用半導体素子消耗度監視システム１００を備える射出成形機は、電力変換装置１０の運転状態が予め設定された複数の運転パターンの何れに該当するかを判定する運転状態判定部４５１と、それら複数の運転パターンのそれぞれが実行された場合のその電力用半導体素子の消耗度を予め記憶する消耗度参照テーブル４６０と、消耗度参照テーブル４６０を参照して、運転状態判定部４５１が判定した運転パターンが実行された場合のその電力用半導体素子の消耗度を取得して積算する消耗度積算部４５２と、を備える。 （もっと読む）

【目的】電圧検出回路を有するインバータ回路を搭載したパワー半導体モジュールにおいて、測定電圧のみを印加することで、インバータ回路の上下アームを構成する素子に流れる漏れ電流を簡便に正確に測定できるパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】分圧回路２３をインバータ回路５０からネジ部２７で切り離すことで、インバータ回路５０の上下アームを構成する素子（ＩＧＢＴ４ａ，４ｂ，ＦＷＤ５ａ，５ｂ）に流れる漏れ電流を簡便に正確に測定できる。 （もっと読む）