【課題】１段ごとの遅延時間変化の誤差が小さい高精度の可変遅延回路の実現。
【解決手段】直列に接続された複数個の遅延ユニット20-0,20-iを有し、各遅延ユニットは、第１から第３論理ゲートを有し、第１論理ゲートG1は、前段の出力が後段の一方の入力になるように直列に接続され、他方の入力には、折り返し位置を指示する第１制御データCTN0,CTNiが入力され、第２論理ゲートG2は、一方の入力が第１論理ゲートの入力に接続され、他方の入力には折り返し位置を指示する第２制御データCT0,CTiが入力され、第３論理ゲートSGは、後段の出力が前段の一方の入力になるように直列に接続され、他方の入力には第２論理ゲートの出力が入力され、第３論理ゲートにおいて、一方の入力M1から出力Zまでの経路の遅延時間と、他方の入力M2から前出力Zまでの経路の遅延時間は、等しい可変遅延回路。 （もっと読む）

【課題】
安定的な動作を確保できる半導体回路装置、及び情報処理装置を提供することを課題とする。
【解決手段】
半導体装置は、入力信号に遅延を与える遅延部と、前記遅延部から出力される出力信号の位相を検出する位相検出部と、前記位相検出部から出力される位相情報に基づき、前記出力信号の位相の安定動作範囲を設定する設定部と、前記安定動作範囲から位相が外れた前記出力信号の検出回数をカウントするカウンタと、前記遅延部の動作条件又は外的要因に応じて、前記カウンタのカウント数のディスカウント数を表すディスカウント信号を生成するディスカウント制御部と、前記カウンタのカウント数と前記ディスカウント信号が表すディスカウント数とに基づき、前記出力信号の位相のエラーの有無を判定するエラー判定部とを含む。 （もっと読む）

【課題】フラクショナル分周器の分周数を周期的に切り替えることに起因するフラクショナルスプリアスを抑制したアキュムレータ型フラクショナルＮ−ＰＬＬおよびその制御方法を実現する。
【解決手段】アキュムレータ型フラクショナルＮ−ＰＬＬシンセサイザ１００を、その参照信号入力側の位相検出器の前段にアキュムレータ１２０からの誤差信号によって上記参照信号に対し位相調整を行う位相調整回路１３０を介挿して構成し、出力段のＶＣＯ１１４の出力を前段側にフィードバックするフラクショナル分周器１１５の出力である帰還信号と、上記位相調整された参照信号との両信号の位相差が生じないようにして、該両信号の位相差に応じた出力を得る位相検出器１１１の出力によってチャージポンプ１１２が駆動されないようにすることによって、フラクショナル分周器１１５の分周数を周期的に切り替えることに起因するフラクショナルスプリアスを抑制するように構成する。 （もっと読む）

【課題】切り替えスイッチのオンオフに伴うノイズがバイアスラインに重畳するのを防ぐ。
【解決手段】バイアス電流が流れるバイアスラインＶＬと、バイアス電流の量を制御信号ＤＤに基づいて切り替える切り替えスイッチ７０と、制御信号ＤＤが供給される制御ラインとバイアスラインＶＬとの間の寄生容量を介して制御信号ＤＤの変化時に生じるバイアスラインＶＬの電位変動を相殺する相殺回路９１〜９３とを備える。本発明によれば、切り替えスイッチ７０のオンオフに伴ってバイアスラインＶＬに生じるノイズを相殺することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】マルチプレクサの選択から出力までの遅延を決定する方法を提供する。
【解決手段】出力リード２６、選択入力リード２５、第１データ入力リード２３および第２データ入力リード２４を有する第１のマルチプレクサ２１と、出力リード３０および選択入力リード２９を有する第２のマルチプレクサ２２とを備え、前記第１のマルチプレクサおよび前記第２のマルチプレクサは実質上同一の構造を有し、前記第２のマルチプレクサの前記出力リードは前記第１のマルチプレクサの前記選択入力リードに結合され、発振信号は前記第２のマルチプレクサの前記出力リード上に存在し、前記第１のマルチプレクサの前記出力リードは前記第２のマルチプレクサの前記選択入力リードに結合され、第１論理レベルは前記第１のマルチプレクサの前記第１データ入力リード上に常時存在し、第２論理レベルは前記第１のマルチプレクサの前記第２データ入力リード上に常時存在する回路。 （もっと読む）

【課題】クロック伝送回路３の電流消費量の増大を抑えつつ、リードデータのジッタを軽減する。
【解決手段】半導体装置１０は、アクティブ期間内に内部クロック信号ＬＣＬＫよりも周期の長い長周期クロック信号を供給し、アクティブ期間に続くリード期間内に内部クロック信号ＬＣＬＫを供給するクロック出力制御回路７３と、クロック出力制御回路７３から出力された内部クロック信号ＬＣＬＫ及び長周期クロック信号を伝送するクロック伝送回路３と、データ入出力端子１４と、クロック伝送回路３によって伝送された内部クロック信号ＬＣＬＫに同期して、データ入出力端子１４にリードデータを出力する入出力回路６４とを備える。 （もっと読む）

【課題】立ち上がり時間と立ち下がり時間の差を解消しつつ、動作に伴う貫通電流の発生が防止されたレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】互いに同じ回路構成を有するレベルシフト回路ＬＶ１，ＬＶ２と、レベルシフト回路ＬＶ１，ＬＶ２に相補の入力信号をそれぞれ供給する入力回路と、レベルシフト回路ＬＶ１，ＬＶ２から出力される相補の出力信号を同相に変換した後に短絡する出力回路とを備える。本発明によれば、同じ回路構成を有する２つのレベルシフト回路ＬＶ１，ＬＶ２を用いるとともに、これらレベルシフト回路ＬＶ１，ＬＶ２から出力される相補の出力信号を同相に変換した後に短絡していることから、レベルシフト回路ＬＶ１，ＬＶ２の動作速度差による貫通電流の発生がほとんど生じない。 （もっと読む）

【課題】回路規模を増大させることなくトランジスタの閾値電圧に応じた制御電圧を精度良く生成することが可能な制御電圧生成回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる制御電圧生成回路は、高電位側電源と低電位側電源との間に直列に接続された同一導電型の複数のＭＯＳトランジスタを有し、何れかのＭＯＳトランジスタのドレイン電圧を参照電圧Ｖｐ１として生成する参照電圧生成部１１と、高電位側電源と低電位側電源との間に直列に接続され参照電圧生成部１１と同一導電型の複数のＭＯＳトランジスタを有し、何れかのＭＯＳトランジスタのゲートに参照電圧が供給され、何れかのＭＯＳトランジスタのドレイン電圧を制御電圧（バイアス電圧）として出力する電圧変換部１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】入力クロックの周波数が高まっても、第２ＤＬＬクロックＦＣＬＫ＿ＤＬＬＯＥにより、ライジング／ポーリングアウトイネーブル信号Ｒ／ＦＯＵＴＥＮを生成することができる動作マージンを確保することにより、ＤＲＡＭの動作周波数を高めることができる遅延固定ループを提供すること。
【解決手段】本発明の出力ドライバーは、遅延固定ループから出力されたクロックを受信し、読み出しデータの出力に用いられる第１ＤＬＬクロックを生成し、第１タイミング遅延によってドライビングする第１ドライビング部と、前記遅延固定ループから出力されたクロックを受信し、書き込み動作時の電流消費の低減のために用いられる第２ＤＬＬクロックを生成し、前記第１タイミング遅延より少ない第２タイミング遅延によってドライビングする第２ドライビング部とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのプロセス依存と配線幅のばらつきとに応じて適切なパルス幅に制御することが可能なパルス幅制御回路及び半導体メモリを提供すること。
【解決手段】配線による遅延とインバータによる遅延とを比較する比較回路と、インバータ段数によりパルス幅を調整するパルス幅調整回路と、を備える。パルス幅調整回路は、比較回路の比較結果に基づいて、インバータによる遅延が配線による遅延よりも小さくなった場合に、インバータ段数を多くし、パルス幅を増加させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のデータ入力回路における消費電力を削減すること。
【解決手段】半導体装置は、クロック信号の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの少なくともいずれか一方の近傍の期間において活性状態となる制御信号を生成して出力する制御信号生成回路と、制御信号が活性状態である期間においてデータ信号を受信可能な活性状態となり、それ以外の期間において非活性状態となるデータ入力回路と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】温度や電圧の変動によって遅延回路に生じる遅延時間をキャンセルする。
【解決手段】Ｎチャンネル型の第１トランジスタ及びＰチャンネル型の第２トランジスタが直列接続されてなる複数のインバータＩＮＶｏ，ＩＮＶｅが交互に接続された遅延回路であって、電源配線ＶＤＤとインバータＩＮＶｅの入力ノードｉｎとの間に接続されたＰチャンネル型の第３トランジスタを備える。本発明によれば、温度や電圧などの変動が生じた場合であっても、第３トランジスタの存在により、複数のインバータにそれぞれ含まれる第２トランジスタの特性変動が相殺される。これにより、温度や電圧などの変動が生じた場合、遅延回路全体の遅延量変動は、第１トランジスタの特性変動によるものとみなすことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】遅延時間を変える際のジッタを低減することができる遅延回路を提供することを課題とする。
【解決手段】第１のノード及び第２のノード間に接続され、第１のノードの信号を遅延して第２のノードに出力する第１の遅延素子（１３１，１３２）と、第２のノード及び第３のノード間に接続され、第２のノードの信号を遅延して第３のノードに出力する第２の遅延素子（１３３，１３４）と、制御信号に応じて、第１のノードの信号及び第２のノードの信号をそれぞれ重み付けして加算することにより第１のノードの信号の位相と第２のノードの信号の位相の間の位相の信号を出力し、又は第２のノードの信号及び第３のノードの信号をそれぞれ重み付けして加算することにより第２のノードの信号の位相と第３のノードの信号の位相の間の位相の信号を出力する位相補間回路（１５１）とを有する遅延回路が提供される。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路の外部に接続される半導体チップのプロセス状態を検出して、マスク解除信号に対する制御信号のセットアップ時間またはホールド時間のマージンを大きくする。
【解決手段】 モニタモード中に、通常より低い参照電位を受信回路に供給して伝送信号の論理レベルを判定することで、半導体集積回路の外部に接続される半導体チップのプロセス状態を検出する。検出したプロセス状態に応じて可変遅延回路を制御し、内部同期信号および外部同期信号の少なくともいずれかの遅延時間を調整する。これにより、内部同期信号に応じて生成されるマスク解除信号に対する半導体チップからの制御信号のセットアップ時間またはホールド時間を、半導体チップのプロセス状態に拘わらず一定にできる。 （もっと読む）

【課題】入力クロック信号のパルス幅を安定して調整すること。
【解決手段】第１及び第２の電源間に設けられたパルス幅調整回路であって、ゲートに入力パルス信号ＩＮが入力される第１導電型の第１のトランジスタＰ１と、第１のトランジスタＰ１と第２の電源との間に設けられ、ゲートに入力パルス信号ＩＮが入力される第２導電型の第２のトランジスタＮ１と、第１のトランジスタＰ１と第１の電源との間に設けられ、ゲートに入力される第１の制御信号に応じて流れる電流が制御される第１導電型の第３のトランジスタＰ２と、第１のトランジスタＰ１と第１の電源との間に、第３のトランジスタＰ２と並列に設けられた第１の電流源回路１０２と、を備えるパルス幅調整回路。 （もっと読む）

【課題】位相差が減少された差動信号を生成するようにした差動信号生成回路を提供する。
【解決手段】入力信号を順次反転させて複数の遅延信号を生成するように構成されたインバータアレイと、複数の遅延信号のうち、第１の遅延信号と第２の遅延信号とを予め設定された混合比で混合して第１の差動信号を生成するように構成された位相混合器とを備え、複数の遅延信号のうち、第１の遅延信号と第２の遅延信号との中間に該当する遅延時間を持つ第３の遅延信号を第２の差動信号として生成するように構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】出力されるクロック信号が発振することなく、デューティが一定になるようにクロック信号を補正することが可能なクロックデューティ補正回路を提供する。
【解決手段】クロックデューティ補正回路１００は、クロック信号発生部から出力されたクロック信号が入力され、当該クロック信号の波形の立ち上がりに合わせて波形が立ち上がり、信号の周期が一定となるワンショットパルス信号を生成するワンショットパルス信号生成部１１０と、ワンショットパルス信号生成部１１０の出力信号を反転するインバータ１１３と、インバータ１１３の出力信号を遅延させる第１遅延回路１１４と、インバータ１１３の出力信号と、第１遅延回路１１４の出力信号との論理積を演算し、出力されるクロック信号のデューティを一定にする論理積回路１１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減し、かつ回路面積も小さい位相調整回路を提供すること
【解決手段】位相調整回路１００は、複数の遅延素子回路１２１〜１２４をリング状に結合したＶＣＯ１２０を有するＰＬＬ発振回路１００を備える。また位相調整回路１００は遅延素子回路を所望の遅延量に応じた数（１２５〜１２７）だけ有し、入力信号に前記所望の遅延量を与える位相遅延回路２００、２１０を備える。ＰＬＬ発振回路１００は基準クロックの入力に応じた基準信号に、基準信号の所定周期分の遅延を与えた発振信号をＶＣＯ１２０において生成する。ＰＬＬ発振回路１００は、基準信号と、発振信号に応じた信号と、が略同位相となるように算出された遅延量に応じた遅延制御信号を遅延素子回路１２１〜１２４、及び遅延素子回路１２５〜１２７の各々に対して入力する。 （もっと読む）

【課題】電圧指令に対する出力電圧の不連続な変化を簡易に解消する。
【解決手段】ＰＷＭ信号及び反転ＰＷＭ信号のパルスオン時間をそれぞれ検出するパルス時間検出器４０，５０と、パルス時間検出器４０，５０が検出したパルス時間と所定のデッドタイムを比較し、パルスオン時間がデッドタイム未満の時はそのパルスオン時間を、デッドタイム以上の時はデッドタイムをディレイ時間としてそれぞれ出力する比較回路６０，７０と、比較回路７０からのディレイ時間に基づき、ＰＷＭ信号の立ち上がりをディレイさせて駆動信号（ＰＷＭ＿Ｕ信号）を生成する可変ディレイ回路８０と、比較回路６０からのディレイ時間に基づき、反転ＰＷＭ信号の立ち上がりをディレイさせて駆動信号（ＰＷＭ＿ｎＵ信号）を生成する可変ディレイ回路９０とによってＰＷＭ制御装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 レイアウト的な制限がないＤＬＬ回路を提供すること。
【解決手段】 ＤＬＬ回路に使用されるレプリカ回路は、第１の電源電圧が供給され、クロックバッファへの入力クロック信号が入力され、レプリカクロック信号を出力する遅延回路を含む。遅延回路は、第１乃至第ＭのＣＭＯＳインバータ回路および第（Ｍ＋１）乃至第ＮのＣＭＯＳインバータ回路が縦続接続された回路である。複数のトランジスタは、遅延回路の後段側の第（Ｍ＋１）乃至第ＮのＣＭＯＳインバータ回路のｎチャネルＭＯＳトランジスタのソースにそれぞれ接続されている。ローパスフィルタ回路は、第１の電源電圧と異なる第２の電源電圧を低域通過濾波して、その低域濾波した電源電圧を複数のトランジスタの制御端子へ供給する。 （もっと読む）