【課題】半導体を用いた半導体装置として、論理回路がある。論理回路にはダイナミック論理回路とスタティック論理回路とがあり、トランジスタ等を用いて構成される。ダイナミック論理回路は情報を一定期間保持することができる。そのため、ダイナミック論理回路は、スタティック論理回路と比較して、トランジスタからのリーク電流が問題となる。
【解決手段】論理回路は、オフ電流が小さい第１のトランジスタと、ゲートが電気的に接続された第２のトランジスタと、を有し、第２のトランジスタのゲートのノードには第１のトランジスタを介して電荷が供給される。ノードに対して、第１及び第２の容量を介して電荷を供給する。電荷の状態に応じて、第２のトランジスタのオン、オフが制御される。第１のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳインバータのＰ形ＭＯＳトランジスタのボディバイアスを変化させても、入力信号の立ち上がりと立ち下がりの伝搬遅延時間の差を、従来のものより小さく保てるマルチプレクサ、デマルチプレクサ、ルックアップテーブルおよび集積回路を提供する。
【解決手段】パスゲートＭ１、Ｍ２の出力に初段出力バッファとして低しきい値ＣＭＯＳインバータＩＮＶ１を接続したセレクター回路を基本構成とし、それを用いたマルチプレクサ、デマルチプレクサ、ルックアップテーブルおよび集積回路であって、パスゲートはそのボディ端子が可変電位をとるボディバイアス電源ＶＢＮに接続し、ＩＮＶ１のＰ形ＭＯＳトランジスタＭ３のしきい値電圧を可変にできるようにそのボディ端子は可変電位をとるボディバイアス電源ＶＢＰに接続し、そのＮ形ＭＯＳトランジスタＭ４はそのしきい値電圧を固定するためにそのボディ端子が固定電位をとる電源ＶＳＳに接続する。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、電力変換装置における温度検出素子の時間変化率を検出し、温度上昇の事前予測によりフェールセーフをかけることで、発熱半導体素子の発熱抑制とモジュールケースの冷却構造最適化を実現することである。
【解決手段】上記課題を解決するために、前記半導体素子のモジュールケースまたは素子自体の温度の時間変化率を検出する検出手段と、素子のゲート抵抗値を可変にする抵抗可変回路とを設け、前記検出温度の時間変化率が所定の設定値以上になったと判断されたときは、ゲート抵抗値を前記抵抗可変回路により低減することを特徴とする電力変換装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】回路を構成するトランジスタ数を少なくし、且つレベルシフタを配置することな
くシフトレジスタとして正確に動作を行う半導体回路の提供することを課題とする。
【解決手段】第１端子が高電位電源に接続されたｐチャネル型トランジスタと、第１端子
が低電位電源に接続されたｎチャネル型トランジスタと、を含む回路群と、インバータ回
路と、をｍ段（ｍは任意の正の整数であり、ｍ≧３）有し、第２ｎ−１段目（ｎは任意の
整数であり、ｍ≧２ｎ≧２）の回路群の前記ｎチャネル型トランジスタのゲートにはクロ
ック信号が入力され、第２ｎ段目（ｎは任意の整数であり、ｍ≧２ｎ≧２）の回路群の前
記ｎチャネル型トランジスタのゲートには反転クロック信号が入力される。 （もっと読む）

【課題】貫通電流を少なくできる半導体装置を提供する。
【解決手段】データを出力する出力部を各々備えた複数の半導体チップと、出力部の各々と接続された配線と、配線を介して複数の半導体チップの各々からデータを受け付ける受付部と、を含み、出力部が順番に駆動する半導体装置にて、出力部の各々は、オン状態時の抵抗値を変更可能であり、自己の駆動開始時から自己の次に駆動を開始する出力部の駆動開始時の前のタイミングまでの第１期間の間は、オン状態時の抵抗値を第１抵抗値にしてデータを配線に出力し、第１期間が経過した時点から自己の駆動終了時までの第２期間の間は、オン状態時の抵抗値を第１抵抗値よりも大きい第２抵抗値にしてデータを配線に出力する。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチの寄生容量の充放電時間を短縮する回路を提供する。
【解決手段】スイッチング回路１０の入力端子２１と出力端子２２との間、入力端子２１と共通端子２３との間及び出力端子２２と共通端子２３との間の少なくとも一つに接続される容量抑制素子部５０を備え、容量抑制素子部５０は、容量抑制素子部が接続される半導体スイッチ素子２０の端子間の寄生容量を、パルス状信号のクロック周波数のＮ倍（Ｎは１以上の整数）の周波数において、容量抑制素子部が接続されていない場合より低減する。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチの寄生容量の充放電時間を短縮し、オーバドライブによらず速度の向上と電力効率の向上を図り得るスイッチング回路を提供する。
【解決手段】半導体スイッチ素子２０ａ、２０ｄがＯＮ（ＯＦＦ）のとき残りの半導体スイッチ素子がＯＦＦ（ＯＮ）となるように、各半導体スイッチ素子の入力端子にパルス状信号が印加される。スイッチング回路は、半導体スイッチ素子２０ｂの出力端子と半導体スイッチ素子２０ｄの入力端子の間に接続されるキャパシタンス素子６０と、半導体スイッチ素子２０ｂの入力端子と半導体スイッチ素子の出力端子２０ｄの間に接続されるキャパシタンス素子６１とを備える。キャパシタンス素子６０，６１は、半導体スイッチ素子２０ｂ、２０ｄの各々の入力端子と出力端子間の寄生容量を、半導体スイッチ素子２０ｂ、２０ｄに供給されるパルス状信号のクロック周波数のＮ倍の周波数において低減する容量を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体スイッチ，負荷電流，温度，主回路構成等によるサージ電圧の波形に応じて半導体スイッチの動作タイミングを調整することなく、各半導体スイッチの電圧分担を均等化させる。
【解決手段】直列接続された複数の半導体スイッチＡ，Ｂに出力されるゲート信号のタイミングを調整するゲートタイミング制御回路３において、コンパレータ４，４により、各半導体スイッチＡ，ＢのＶｃｅ検出（Ａ），（Ｂ）と、予め設定されたしきい値とを比較してＶｃｅ検出における立ち上がりのタイミングを示すＶｃｅ信号（Ａ），（Ｂ）を出力する。そして、時間差制御部８において、ゲート信号に基づいて、前記各Ｖｃｅ信号（Ａ），（Ｂ）の変化のタイミングが整合するように生成されたゲート出力（Ａ），（Ｂ）をゲートドライバ２に出力する。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオン型のトランジスタをオンオフ駆動できるようにする。
【解決手段】電圧レギュレータは，入力電圧に接続されたノーマリオン型の第１のトランジスタと，第１のトランジスタと出力端子との間に設けられたインダクタと，第１のトランジスタとインダクタとの接続ノードとグランド電圧との間に設けられた還流回路と，第１のトランジスタのゲートに駆動信号を供給する駆動回路と，グランド電圧に接続され，第１のトランジスタのオンオフ動作により接続ノードに生成されるパルス信号に基づいて負電圧を生成し，負電圧を駆動回路に供給する負電圧生成回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁ゲート型スイッチング素子のゲートの電位を制御する半導体装置であって、低速スイッチング用と高速スイッチング用とで共通して使用可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 絶縁ゲート型スイッチング素子のゲートの電位を制御する信号を出力する半導体装置であって、第１信号出力端子を有しており、第１電位と第１電位よりも高い第２電位の間で変動する基準信号の入力を受けるか、または、内部で前記基準信号を生成することが可能であり、前記基準信号が第１電位にあるときには第３電位となり、前記基準信号が第２電位にあるときには第３電位よりも高い第４電位となる信号を第１信号出力端子に出力する第１動作と、前記基準信号が第１電位にあるときには第４電位となり、前記基準信号が第２電位にあるときには第３電位となる信号を第１信号出力端子に出力する第２動作とを切り換えて実行することができる。 （もっと読む）

【課題】 ２つの出力素子の入力が共にハイレベルになり次に電源オン状態に移行する際に動作を開始することができないとい問題を解決する。
【解決手段】 電源制御手段１６は、スイッチングアンプ１０が電源オフ状態に移行する場合に、スイッチＳＷがオフ状態になり、コンデンサＣ１０２を強制的に放電させ、第２電源電圧Ｖ２に対する基準電位Ｖ３を強制的に低下させる。基準電位Ｖ３に対するロジック電源電圧Ｖｄｄは、基準電位Ｖ３と同じだけ低下していくので、基準電位Ｖ３から見たロジック電源電圧Ｖｄｄは固定される。定電流回路は、第２電源電圧Ｖ２に対する基準電位Ｖ３の低下に伴い、定電流Ｉを減少させ、第１の電流Ｉ１および第２の電流Ｉ２を減少させる。従って、基準電位Ｖ３から見たロジック電源電圧Ｖｄｄが低下しないうちに、第１の電流Ｉ１、第２の電流Ｉ２を減少させ、パルス発生手段の動作を正常な状態で終了できる。 （もっと読む）

【課題】絶縁ゲート型半導体素子を駆動する半導体集積回路内において、貫通電流の発生を抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体集積回路は、制御信号Ｖ_inを遅延させて得られる遅延信号を、ＰＭＯＳ１及びＮＭＯＳ２のゲート端子に出力する遅延回路１９を備える。ＮＭＯＳ４が、第２出力信号の変化に応じてオンからオフに切り替えられるタイミング（ｔ₂）は、ＰＭＯＳ１が、遅延信号の変化に応じてオフからオンに切り替えられるタイミング（ｔ₂）よりも遅くなく、かつ、ＰＭＯＳ３が、第１出力信号の変化に応じてオンからオフに切り替えられるタイミング（ｔ₇）は、ＮＭＯＳ２が、遅延信号の変化に応じてオフからオンに切り替えられるタイミング（ｔ₇）よりも遅くない。 （もっと読む）

【課題】スイッチング制御する制御回路の負担を軽減するスイッチング回路を提供する。
【解決手段】第１のスイッチング素子の制御電極と第１のスイッチング素子をスイッチング制御する制御回路との間に接続される抵抗と、第１のスイッチング素子の制御電極と第１のスイッチング素子の低電位側電極との間に接続される第１のコンデンサと、第１のコンデンサと直列に接続される第２のスイッチング素子とを備え、第２のスイッチング素子の高電位側電極は、第１のスイッチング素子の制御電極に電気的に接続され、第２のスイッチング素子の低電位側電極は第１のスイッチング素子の低電位側電力端子に電気的に接続され、第２のスイッチング素子の制御電極は、抵抗と制御回路の間に接続されている。 （もっと読む）

【課題】充電対象素子へ充電電流を効率的に供給することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】充電対象素子Ｃに充電電流を供給する半導体装置１は、第１導電型の半導体層１と、充電対象素子Ｃの第１電極に結合される第１ノードＮ１を有し、半導体層１の主表面上に形成される第２導電型の第１の半導体領域２と、電源電圧が供給される電源電位ノードＮＬ１に結合される第２ノードＮ３および第３ノードＮ４を有し、第１の半導体領域２の表面において半導体層１と間隔をあけて形成される第１導電型の第２の半導体領域３と、第２ノードＮ３および第３ノードＮ４から半導体層１への電荷キャリアの移動を制限する電荷キャリア移動制限部とを備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチポート切替時間が短く、かつ低消費電力、低面積を同時に満たす高周波スイッチモジュールを提供する。
【解決手段】デコーダ３は、前記スイッチポートを切替える制御信号ＣＮＴに応答し、スイッチ７を制御するためのスイッチ制御信号ＳＷＣＮＴを生成して、スイッチ切替タイミング検出器は、スイッチ制御信号ＳＷＣＮＴに応答し、スイッチ切替え検出信号ｔ＿ｓｗを生成し、周波数制御信号生成器は、スイッチ切替え検出信号ｔ＿ｓｗに応答し、周波数制御信号ＩＣＯＮＴ、ＣＣＯＮＴを生成し、負電圧発生回路は、周波数制御信号ＩＣＯＮＴ、ＣＣＯＮＴに応答し、前記負電圧発生回路内で生成したクロック信号の周波数を２つ以上のそれぞれ異なる周波数に切替つつ、負電圧出力信号ＮＶＧ＿ＯＵＴを生成し、スイッチ７は、スイッチ制御信号ＳＷＣＮＴと前記負電圧出力信号ＮＶＧ＿ＯＵＴに応答し、複数の高周波信号ポート間の経路を切替える。 （もっと読む）

【課題】自身の回路動作によって所望の遷移速度のパルス信号を生成可能なパルス生成回路、その生成方法、パルス生成回路を用いる走査回路、当該走査回路を用いる表示装置、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】２つの電源の間に直列に接続され、入力パルスの論理に応じて相補的にオン／オフ動作を行う２つのスイッチ素子を有し、パルス消滅時に所望の遷移速度のパルス信号を生成するパルス生成回路において、２つの電源のうち、入力パルスと同じ極性側の一方の電源を固定の電源電圧とし、他方の電源を複数の電源電圧間で切り換え可能とする。 （もっと読む）

【課題】出力バッファーの面積・体積・部品点数の増加を抑制するとともに、ドライブ能力を向上させることが可能な出力バッファー回路を提供する。
【解決手段】第一駆動信号ＬＩＮを伝達する第一入力経路４ａ、第二駆動信号ＲＩＮを伝達する第二入力経路４ｂ、第一入力経路４ａと対応する第一出力バッファー６ａ及び第二入力経路４ｂと対応する第二出力バッファー６ｂを備える出力バッファー回路１において、入力経路切り替え手段８が、ステレオモード及びモノラルモードのうち、モノラルモードでは、第一入力経路４ａと第一出力バッファー６ａ及び第二出力バッファー６ｂとを電気的に接続させ、出力経路切り替え手段１０が、第一出力バッファー６ａ及び第二出力バッファー６ｂと、第一入力経路４ａ及び第一出力バッファー６ａと対応する第一負荷２ａとを、電気的に接続させる。 （もっと読む）

【課題】回路面積の縮小を図りつつ、待機電流をカットオフすることが可能な出力回路を提供する。
【解決手段】出力回路は、第１の電源にソースが接続された出力ｐＭＯＳトランジスタを備える。出力回路は、第１の出力ｐＭＯＳトランジスタのドレインと接地との間に接続された出力ｎＭＯＳトランジスタを備える。出力回路は、出力ｐＭＯＳトランジスタのドレインと前記出力ｎＭＯＳトランジスタのドレインとの間に接続された出力端子を備える。出力回路は、前記出力ｐＭＯＳトランジスタのオン／オフを制御するための第１のゲート制御信号を第１のゲート制御端子から出力する第１のレベルシフタ回路を備える。出力回路は、前記出力ｎＭＯＳトランジスタのオン／オフを制御するための第２のゲート制御信号を第２のゲート制御端子から出力する第２のレベルシフタ回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 スイッチング素子を誤動作させずに高速低損失動作が可能なゲート駆動回路を部品点数の少ない簡易な回路構成で実現する。
【解決手段】 トランス15の1次側をローサイドゲート駆動回路2の出力端子に接続し、トランス15の2次側をハイサイドスイッチング素子5のゲート入力側に接続する。ローサイド駆動回路2から正極性のゲート駆動電圧が出力されるとハイサイドスイッチング素子5のゲート‐ソース間には負極性の電圧が印加されてゲート電圧は閾値以下に抑えられるため、ローサイドスイッチング素子がターンオンする際にハイサイドスイッチング素子はオフ状態を維持する。 （もっと読む）

【課題】入力信号が有する２値の電位に関わらず、正常に動作させることが可能なデジタ
ル回路の提案を課題とする。
【解決手段】半導体装置の一態様は、入力端子、容量素子、スイッチ、トランジスタ、配
線、及び出力端子を有し、前記入力端子は、前記容量素子の第１の電極に電気的に接続さ
れ、前記配線は、前記スイッチを介して前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、
前記トランジスタのゲートは、前記容量素子の第２の電極に電気的に接続され、前記トラ
ンジスタのソース又はドレインの一方は、前記配線に電気的に接続され、前記トランジス
タのソース又はドレインの他方は、前記配線に電気的に接続されていることを特徴とする
。 （もっと読む）